CN105067471B - 一种微悬臂谐振结构传感器及其制造方法 - Google Patents

一种微悬臂谐振结构传感器及其制造方法 Download PDF

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李昕欣
许鹏程
王家畴
包宇洋
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Abstract

本发明提供一种微悬臂谐振结构传感器的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底中形成有微悬臂结构；所述微悬臂结构的微悬臂梁表面形成有亲水层；在所述微悬臂梁的敏感区域表面形成一保护层；在所述衬底表面形成疏水分子层；去除所述保护层，露出其下的亲水层；在去除所述保护层的过程中，所述保护层表面的疏水分子层也被去除，其余部分的疏水分子层不受影响；在所述衬底表面涂覆敏感材料，由于所述疏水分子层的存在，所述敏感材料集中于所述敏感区域。本发明通过疏水或双疏的分子层将器件表面封闭，仅悬臂谐振结构敏感区域露出下方的亲水表面，从而使敏感材料固定在悬臂谐振结构的该区域上，使敏感材料的固定实现批量化。

Description

一种微悬臂谐振结构传感器及其制造方法
技术领域
本发明属于微纳传感器领域，涉及一种微悬臂谐振结构传感器及其制造方法。
背景技术
随着国家与群众对公共安全、环境保护、食品安全、医疗健康等领域的日益关注，以及物联网技术和可穿戴设备的持续发展，生化传感器技术得到了空前的重视与研究。谐振式微悬臂谐振结构生化传感器由于具有灵敏度高、响应快、体积小、可阵列化、成本低等优点，在现场快速生化检测上具有良好的应用前景。
一般来说，谐振式微悬臂谐振结构传感器主要由微悬臂谐振结构、敏感材料和接口电路组成。其工作原理如下：在微悬臂谐振结构表面固定特异性敏感材料，当敏感材料对目标分子发生特异性吸附后，会引起悬臂谐振结构的质量增加，从而导致悬臂谐振结构的谐振频率下降。通过接口电路监测谐振频率下降的数值，并根据该传感器的设计质量检测灵敏度，便可以得到吸附的目标分子的质量。目前，微悬臂谐振结构的制作和敏感材料的固定是分立完成的，亦即，先完成微悬臂谐振结构的批量制备，然后再通过生物化学手段固定敏感材料，而且，固定敏感材料的步骤往往无法实现批量化。这两个制作步骤的不兼容增加了传感器的加工成本和时间成本，同时传感器的一致性也无法得到保证，这严重制约了谐振式微悬臂谐振结构传感器的商业化应用。另外，传统谐振式微悬臂谐振结构的制备一般使用SOI硅片采用双面加工的方式制造，成本较高，也对谐振式微悬臂谐振结构传感器的商业化不利。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种微悬臂谐振结构传感器及其制造方法，用于解决现有技术中微悬臂谐振结构的制作和敏感材料的固定是分立完成的，固定敏感材料的步骤无法实现批量化的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种微悬臂谐振结构传感器的制造方法，包括如下步骤：
提供一衬底，所述衬底中形成有微悬臂结构；所述微悬臂结构包括形成于所述衬底中的空腔及位于所述空腔上方的微悬臂梁；所述微悬臂梁一端固定，另一端自由；所述微悬臂梁表面形成有亲水层；
在所述微悬臂梁的敏感区域表面形成一保护层；
在所述衬底表面形成疏水分子层；
去除所述保护层，露出其下的亲水层；在去除所述保护层的过程中，所述保护层表面的疏水分子层也被去除，其余部分的疏水分子层不受影响；
在所述衬底表面涂覆敏感材料，由于所述疏水分子层的存在，所述敏感材料集中于所述敏感区域。
可选地，所述衬底中形成有至少两个所述微悬臂结构；在敏感材料涂覆完毕后，通过划片得到分立的微悬臂谐振结构传感器。
可选地，所述疏水分子层为双疏分子层。
可选地，所述疏水分子层的材料包括C-H类硅烷化偶联剂及C-F类硅烷化偶联剂中的至少一种。
可选地，所述C-H类硅烷化偶联剂包括十八烷基三甲氧基硅烷；所述C-F类硅烷化偶联剂包括十七氟癸基三甲氧基硅烷。
可选地，通过化学气相沉积法或物理气相沉积法在所述衬底表面形成所述疏水分子层。
可选地，所述疏水分子层为单层或多层。
可选地，所述疏水分子层的厚度范围是1～20nm。
可选地，采用剥离工艺形成所述保护层。
可选地，所述保护层为Ti保护层。
可选地，采用双氧水溶液湿法去除所述Ti保护层。
可选地，所述敏感区域位于所述微悬臂梁的自由端。
可选地，在所述衬底表面涂覆敏感材料的方法包括浸渍提拉、旋涂或滴涂的至少一种。
可选地，采用包含所述敏感材料的分散液进行涂覆，所述分散液采用水或有机溶剂作为分散液。
可选地，所述空腔的厚度为10～200μm。
可选地，所述微悬臂梁两旁的缝隙宽度为3～20μm。
可选地，所述亲水层包括二氧化硅层。
可选地，所述微悬臂梁的固定端区域集成有用于电热激励的加热电阻以及用于压阻拾振的压敏惠斯通电桥。
可选地，所述微悬臂结构通过单面体微机械加工工艺制备。
可选地，通过如下方法在所述衬底中形成所述微悬臂结构：
提供硅片作为所述衬底，在所述硅片表面形成第一钝化层，并进行离子注入，在所述硅片表面得到加热电阻及压敏电阻；
在所述硅片中形成第一深度的凹槽，所述凹槽围成所述微悬臂梁的轮廓；
在所述凹槽侧壁形成第二钝化层；
刻蚀所述凹槽底部，将所述凹槽加深至第二深度；
湿法腐蚀所述硅片，形成所述空腔，释放得到所述微悬臂梁。
可选地，所述硅片为N型(111)晶面的单晶硅，所述微悬臂梁沿长度方向为<211>晶向的方向排布。
可选地，采用四甲基氢氧化铵溶液湿法腐蚀所述硅片，得到所述空腔。
可选地，所述压敏电阻的数量为4个，依次首尾相连形成压敏惠斯通电桥。
本发明还提供一种采用上述任意一种制造方法制造的微悬臂谐振结构传感器。
如上所述，本发明的微悬臂谐振结构传感器及其制造方法，具有以下有益效果：本发明通过疏水或双疏的分子层将器件表面封闭，仅悬臂谐振结构敏感区域露出下方的亲水表面，从而使敏感材料的水或有机溶剂等分散液易于通过浸渍提拉、旋涂或者滴涂的方法固定在悬臂谐振结构的该区域上，使敏感材料的固定实现批量化，进而提高在悬臂谐振结构上固定的敏感材料的一致性，同时也可以抑制在生化检测时在其余区域发生非特异性吸附引起的干扰信号；传感器的制备使用单晶硅片单面加工，制造成本低；激励与检测元件集成在微悬臂谐振结构上，利于传感器系统的小型化，也便于配套电路的片上集成。
附图说明
图1显示为本发明的微悬臂谐振结构传感器的制造方法的工艺流程图。
图2显示为在硅片表面形成第一钝化层，并进行离子注入得到加热电阻及压敏电阻的示意图。
图3显示为图2所示结构的俯视图。
图4显示为在所述硅片中形成第一深度的凹槽的示意图。
图5显示为图4所示结构的俯视图。
图6～图7显示为在所述凹槽侧壁形成第二钝化层的示意图。
图8显示为刻蚀所述凹槽底部，将所述凹槽加深至第二深度的示意图。
图9显示为湿法腐蚀所述硅片，形成所述空腔，释放得到所述微悬臂梁的示意图。
图10显示为在所述微悬臂梁的敏感区域表面形成一保护层的示意图。
图11显示为在所述衬底表面形成疏水分子层的示意图。
图12显示为去除所述保护层，露出其下的亲水层的示意图。
图13显示为在所述衬底表面涂覆敏感材料的示意图。
元件标号说明
S1～S5 步骤
1 硅片
2 第一钝化层
3 加热电阻
4 压敏电阻
5 引线孔
6 凹槽
7 第二钝化层
8 空腔
9 微悬臂梁
10 保护层
11 引线
12 疏水分子层
13 敏感材料
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图13。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本发明提供一种微悬臂谐振结构传感器的制造方法，请参阅图1，显示为该方法的工艺流程图，包括如下步骤：
S1：提供一衬底，所述衬底中形成有微悬臂结构；所述微悬臂结构包括形成于所述衬底中的空腔及位于所述空腔上方的微悬臂梁；所述微悬臂梁一端固定，另一端自由；所述微悬臂梁表面形成有亲水层；
S2：在所述微悬臂梁的敏感区域表面形成一保护层；
S3：在所述衬底表面形成疏水分子层；
S4：去除所述保护层，露出其下的亲水层；在去除所述保护层的过程中，所述保护层表面的疏水分子层也被去除，其余部分的疏水分子层不受影响；
S5：在所述衬底表面涂覆敏感材料，由于所述疏水分子层的存在，所述敏感材料集中于所述敏感区域。
首先请参阅图9，执行步骤S1：提供一衬底，所述衬底中形成有微悬臂结构；所述微悬臂结构包括形成于所述衬底中的空腔及位于所述空腔上方的微悬臂梁；所述微悬臂梁一端固定，另一端自由；所述微悬臂梁表面形成有亲水层。
具体的，可采用常规的双面微机械加工方法形成所述微悬臂结构，也可采用单面体微加工工艺形成所述微悬臂结构。本实施例中，优选采用单面体微加工工艺在所述衬底中形成所述微悬臂结构，制造成本更低，并有利于得到灵敏度更高传感器，作为示例，通过如下方法在所述衬底中形成所述微悬臂结构：
1)如图2所示，提供硅片1作为所述衬底，在所述硅片1表面形成第一钝化层2。所述第一钝化层2优选为亲水的二氧化硅层，其可通过热氧化或其它沉积方法得到。
进一步的，进行离子注入，在所述硅片1表面得到加热电阻3及压敏电阻4。图3显示为图2所示结构的俯视图，如图所示，所述压敏电阻4的数量优选为4个，依次首尾相连形成压敏惠斯通电桥，用于压阻拾振，所述加热电阻3用于电热激励。当所述加热电阻3上施加的电流的频率与悬臂梁的固有频率一致时，悬臂梁就会发生谐振，振动中的悬臂梁的弯曲引起表面集成的压敏电阻的阻值发生变化，通过惠斯通电桥将谐振信号以电信号输出。
如图2所示，可进一步通过湿法腐蚀去除部分二氧化硅层，形成暴露出所述加热电阻3、压敏电阻4的引线孔5。
2)如图4所示，在所述硅片1中形成第一深度的凹槽6，所述凹槽6围成所述微悬臂梁的轮廓。
具体的，利用反应离子刻蚀工艺刻蚀出所述凹槽6，刻蚀深度由所述微悬臂梁的设计厚度决定。所述微悬臂梁两旁的缝隙宽度(即所述凹槽宽度)为3～20μm。
图5显示为图4结构的俯视图，如图所示，本实施例中，所述加热电阻3位于微悬臂梁的固定端处，因为使微悬臂梁产生弯曲的弯矩只局限于加热电阻附近，只有施加在悬臂梁固定端处的弯矩才能使微悬臂梁产生最大的弯曲。所述压敏电阻4也集成于微悬臂梁的固定端区域，与所述加热电阻3之间隔开一定距离(大于热穿透深度)以避免热串扰。
3)如图6及图7所示，在所述凹槽6侧壁形成第二钝化层7。
具体的，首先在整个硅片上利用低压化学沉积工艺制备所述第二钝化层7(如图6所示)，所述第二钝化层7的材料以二氧化硅为例，然后利用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉所述凹槽6底部的二氧化硅层，只留下所述凹槽6侧壁的二氧化硅作为后续刻蚀工艺的保护层(如图7所示)。
4)如图8所示，刻蚀所述凹槽6底部，将所述凹槽6加深至第二深度。
具体的，利用硅深反应离子刻蚀工艺继续向下刻蚀，将所述凹槽6加深至第二深度，所述第二深度由空腔深度决定。
5)如图9所示，湿法腐蚀所述硅片1，形成所述空腔8，释放得到所述微悬臂梁9。
具体的，利用TMAH(四甲基氢氧化铵)湿法腐蚀硅片，形成所述空腔8。所述空腔8的厚度范围是10～200μm。
本实施例中，所述硅片1优选采用N型(111)晶面的单晶硅，所述微悬臂梁9沿长度方向为<211>晶向的方向排布。
至此，在所述衬底中得到了微悬臂结构，所述微悬臂梁9上的二氧化硅层可直接作为所述亲水层，当然，也可以再额外淀积一层亲水层。
接着请参阅图10，执行步骤S2：在所述微悬臂梁9的敏感区域表面形成一保护层10。
具体的，所述敏感区域位于所述微悬臂梁9的自由端。作为示例，所述保护层10为Ti保护层，可采用剥离工艺制得。剥离工艺(Lift-off)是光刻工艺中一种代替刻蚀方法的工艺，其首先形成光刻图形，然后沉积薄膜，最后用化学试剂去除光刻胶，此时连同不需要的薄膜一同除去，这个过程正好与刻蚀过程相反。
具体的，在形成所述保护层10之前，可先溅射Al或其它导电金属并图形化，形成引线11及焊盘(未图示)。
需要指出的是，在其它实施例中，所述引线孔5、引线11及焊盘也可以在传感器整体结构完成后制作，此处不应过分限制本发明的保护范围。
然后请参阅图11，执行步骤S3：在所述衬底表面形成疏水分子层12。
具体的，采用化学气相沉积法或物理气相沉积法在所述衬底表面形成所述疏水分子层12。所述疏水分子层12为单层或多层，其厚度范围是1～20nm。
具体的，所述疏水分子层12既可以为单疏分子层(只疏水)，也可为双疏分子层(同时疏油疏水)。所述疏水分子层12的材料包括包括但不限于C-H类硅烷化偶联剂(疏水)及C-F类硅烷化偶联剂(双疏)中的至少一种。所述C-H类硅烷化偶联剂包括但不限于十八烷基三甲氧基硅烷(简称ODS，分子式为CH3(CH2)17Si(OCH3)3)；所述C-F类硅烷化偶联剂包括但不限于十七氟癸基三甲氧基硅烷(简称FAS-17，分子式为CF3(CF2)7(CH2)2Si(OCH3)3)。
作为示例，采用化学气相沉积工艺在整个硅片上自组织生长一层ODS疏水分子层。
再请参阅图12，执行步骤S4：去除所述保护层10，露出其下的亲水层；在去除所述保护层10的过程中，所述保护层10表面的疏水分子层12也被去除，其余部分的疏水分子层12不受影响。
对于Ti保护层，可采用双氧水溶液或其它腐蚀溶液湿法去除。在其它实施例中，对于采用其它材料的所述保护层10，可采用相应的其它腐蚀溶液去除，此处不应过分限制本发明的保护范围。
作为示例，采用30％H2O2在65℃下湿法去除Ti保护层，露出下面的SiO2表面，而其余部分的疏水或双疏的分子层不受影响。
最后请参阅图13，执行步骤S5：在所述衬底表面涂覆敏感材料13，由于所述疏水分子层12的存在，所述敏感材料13集中于所述敏感区域。
具体的，在所述衬底表面涂覆敏感材料的方法包括浸渍提拉、旋涂或滴涂的至少一种。可采用包含所述敏感材料的分散液进行涂覆，所述分散液采用水或有机溶剂作为分散液。
作为示例，采用浸渍提拉法将羧基功能化的介孔材料的水悬浊液涂覆在硅片上，由于其余区域疏水的ODS分子层的存在，涂覆的液体将集中于悬臂谐振结构的敏感区域上。待水蒸发干后可以再重复浸渍提拉，反复操作使固定的介孔材料厚度达到设计要求。
具体的，所述衬底中可形成有至少两个所述微悬臂结构；在敏感材料涂覆完毕后，通过划片得到分立的微悬臂谐振结构传感器。
本发明的微悬臂谐振结构传感器的制造方法通过疏水或双疏的分子层将器件表面封闭，仅悬臂谐振结构敏感区域露出下方的亲水表面，从而使敏感材料的水或有机溶剂等分散液易于通过浸渍提拉、旋涂或者滴涂的方法固定在悬臂谐振结构的该区域上，使敏感材料的固定实现批量化，进而提高在悬臂谐振结构上固定的敏感材料的一致性，同时也可以抑制在生化检测时在其余区域发生非特异性吸附引起的干扰信号；传感器的制备使用单晶硅片单面加工，制造成本低；激励与检测元件集成在微悬臂谐振结构上，利于传感器系统的小型化，也便于配套电路的片上集成。
实施例二
本发明还提供一种采用实施例一中制造方法制造的微悬臂谐振结构传感器。
实施例三
以致腹泻大肠埃希菌O157:H7的单克隆抗体为敏感材料，形成集成谐振式微悬臂谐振结构大肠杆菌传感器。所述集成谐振式微悬臂谐振结构大肠杆菌传感器的制备方法的前面步骤可参见实施例一中关于步骤S1及S2的描述，后面的步骤如下：
步骤S3：利用化学气相沉积工艺在整个硅片上自组织生长多层FAS-17双疏分子层；并使用30％H2O2在65℃下湿法去除Ti保护层，露出下面的SiO2表面或Al焊盘，而其余部分的FAS-17分子层不受影响；
步骤S4：将硅片浸入到体积分数为5％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)乙醇溶液中并置于37℃水浴恒温振荡器反应2小时；反应完成后用无水乙醇清洗5次，并用氮气吹干，再置于90℃烘箱中烘烤40分钟；将修饰好氨基的硅片浸泡在体积分数为5％的戊二醛的PBS(磷酸盐缓冲液)溶液中室温反应1.5小时；用PBS清洗干净后，将硅片浸入10μg/mL的致腹泻大肠埃希菌O157:H7的单克隆抗体溶液(0.5％海藻糖，PBS)中，置于4℃放置过夜。最后划片，完成谐振式微悬臂谐振结构大肠杆菌传感器的制备。
当然，在其它实施例中，可采用其它敏感材料，得到其它类型的生化传感器，此处不应过分限制本发明的保护范围。
综上所述，本发明的微悬臂谐振结构传感器及其制造方法通过疏水或双疏的分子层将器件表面封闭，仅悬臂谐振结构敏感区域露出下方的亲水表面，从而使敏感材料的水或有机溶剂等分散液易于通过浸渍提拉、旋涂或者滴涂的方法固定在悬臂谐振结构的该区域上，使敏感材料的固定实现批量化，进而提高在悬臂谐振结构上固定的敏感材料的一致性，同时也可以抑制在生化检测时在其余区域发生非特异性吸附引起的干扰信号；传感器的制备使用单晶硅片单面加工，制造成本低；激励与检测元件集成在微悬臂谐振结构上，利于传感器系统的小型化，也便于配套电路的片上集成。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (24)

1.一种微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，所述衬底中形成有微悬臂结构；所述微悬臂结构包括形成于所述衬底中的空腔及位于所述空腔上方的微悬臂梁；所述微悬臂梁一端固定，另一端自由；所述微悬臂梁表面形成有亲水层；
在所述微悬臂梁的敏感区域表面形成一保护层；
在所述衬底表面形成疏水分子层；
去除所述保护层，露出其下的亲水层；在去除所述保护层的过程中，所述保护层表面的疏水分子层也被去除，其余部分的疏水分子层不受影响；
在所述衬底表面涂覆敏感材料，由于所述疏水分子层的存在，所述敏感材料集中于所述敏感区域。
2.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述衬底中形成有至少两个所述微悬臂结构；在敏感材料涂覆完毕后，通过划片得到分立的微悬臂谐振结构传感器。
3.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述疏水分子层为双疏分子层。
4.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述疏水分子层的材料包括C-H类硅烷化偶联剂及C-F类硅烷化偶联剂中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述C-H类硅烷化偶联剂包括十八烷基三甲氧基硅烷；所述C-F类硅烷化偶联剂包括十七氟癸基三甲氧基硅烷。
6.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：通过化学气相沉积法或物理气相沉积法在所述衬底表面形成所述疏水分子层。
7.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述疏水分子层为单层或多层。
8.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述疏水分子层的厚度范围是1～20nm。
9.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：采用剥离工艺形成所述保护层。
10.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述保护层为Ti保护层。
11.根据权利要求10所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：采用双氧水溶液湿法去除所述Ti保护层。
12.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述敏感区域位于所述微悬臂梁的自由端。
13.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：在所述衬底表面涂覆敏感材料的方法包括浸渍提拉、旋涂或滴涂的至少一种。
14.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：采用包含所述敏感材料的分散液进行涂覆，所述分散液采用水或有机溶剂作为分散液。
15.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述空腔的厚度为10～200μm。
16.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述微悬臂梁两旁的缝隙宽度为3～20μm。
17.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述亲水层包括二氧化硅层。
18.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述微悬臂梁的固定端区域集成有用于电热激励的加热电阻以及用于压阻拾振的压敏惠斯通电桥。
19.根据权利要求1所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述微悬臂结构通过单面体微机械加工工艺制备。
20.根据权利要求19所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：通过如下方法在所述衬底中形成所述微悬臂结构：
提供硅片作为所述衬底，在所述硅片表面形成第一钝化层，并进行离子注入，在所述硅片表面得到加热电阻及压敏电阻；
在所述硅片中形成第一深度的凹槽，所述凹槽围成所述微悬臂梁的轮廓；
在所述凹槽侧壁形成第二钝化层；
刻蚀所述凹槽底部，将所述凹槽加深至第二深度；
湿法腐蚀所述硅片，形成所述空腔，释放得到所述微悬臂梁。
21.根据权利要求20所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述硅片为N型(111)晶面的单晶硅，所述微悬臂梁沿长度方向为<211>晶向的方向排布。
22.根据权利要求20所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：采用四甲基氢氧化铵溶液湿法腐蚀所述硅片，得到所述空腔。
23.根据权利要求20所述的微悬臂谐振结构传感器的制造方法，其特征在于：所述压敏电阻的数量为4个，依次首尾相连形成压敏惠斯通电桥。
24.一种采用如权利要求1～23任意一项所述制造方法制造的微悬臂谐振结构传感器。
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