CN105063578A - 一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法 - Google Patents
一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105063578A CN105063578A CN201510500561.2A CN201510500561A CN105063578A CN 105063578 A CN105063578 A CN 105063578A CN 201510500561 A CN201510500561 A CN 201510500561A CN 105063578 A CN105063578 A CN 105063578A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic salt
- buffer layer
- ion doped
- gadolinium
- cerium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
本发明公开了一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，该缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)1-xRxOy，其中x的取值为0.01～0.2，R为Zr或Mn。另外，本发明还公开了制备该双离子掺杂氧化铈缓冲层的方法，该方法为：一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐溶解于丙酸中，得到前驱液；二、将所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中进行保温热处理，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)1-xRxOy双离子掺杂氧化铈缓冲层。本发明的缓冲层具有锐利的立方取向，表面光滑平整、无裂纹，有利于外延生长超导层。
Description
技术领域
本发明属于高温超导材料技术领域，具体涉及一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法。
背景技术
二氧化铈属于立方晶系，具有萤石结构，其空间点群符号是Fm-3m，其晶格常数是5.411A。二氧化铈被广泛应用于催化材料、固体燃料电池的电解质材料等，同时由于二氧化铈具有热稳定性高、化学稳定性良好、以及与YBCO的晶格失配度小等优点，是一种极其良好的涂层导体缓冲层材料。
为了提高二氧化铈材料的性能，研究人员通过掺杂各种稀土元素进一步改善二氧化铈的离子电导率、调节晶粒的形貌、抑制二氧化铈薄膜的裂纹等。其中，最具特色的是钆掺杂二氧化铈材料，通过引入钆元素使得二氧化铈具有最高的离子电导率，可以用于中低温固体氧化物燃料电池中。通过引入钆元素可以有效抑制二氧化铈晶界运动的活化能，促进二氧化铈晶粒的外延生长。但是单一的钆稀土元素掺杂方法并不能很好的调节二氧化铈的晶格参数，无法进一步改善二氧化铈的表面平整度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，该缓冲层具有锐利的立方取向，表面光滑平整、无裂纹，有利于外延生长超导层。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)1-xRxOy，其中x的取值为0.01～0.2，R为Zr或Mn。
上述的一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，所述R为Zr或化合价为正四价的Mn时，y＝1.9+0.1x。
上述的一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，所述x的取值为0.04～0.1。
上述的一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，所述x的取值为0.05。
另外，本发明还公开了一种制备上述双离子掺杂氧化铈缓冲层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.8(1-x):0.2(1-x):x的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.1mol/L～1mol/L的前驱液；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以20℃/min～200℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至950℃～1050℃，保温热处理0.5h～1h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到双离子掺杂氧化铈缓冲层。
上述的方法，其特征在于，步骤一中所述铈的有机盐为乙酸铈或丙酸铈，所述钆的有机盐为乙酸钆或丙酸钆，所述R的有机盐为乙酰丙酮锆、乙酸锰或乙酰丙酮锰。
上述的方法，其特征在于，步骤二中所述旋涂的转速为1000rpm～6000rpm，旋涂的时间为10s～60s。
上述的方法，其特征在于，步骤二中所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为0.1％～4％。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明中稀土元素Gd能起到抑制晶界活化能的作用，但是Gd对二氧化铈的晶格调控能力较弱，通过稀土元素Gd和过渡金属元素Mn或Zr混合掺杂可以提高二氧化铈与NiW金属基带衬底的晶格匹配能力，调节二氧化铈的晶格参数，更易取向形核和生长，因此采用稀土元素和过渡金属元素混合掺杂的方式，能够优化调节二氧化铈的晶格参数，促进二氧化铈的异质外延生长，提高缓冲层的织构度，当缓冲层与NiW金属基带衬底更加匹配时，缓冲层的结构织向更加锐利。
2、本发明制备的缓冲层具有锐利的立方取向，表面光滑平整、无裂纹，有利于外延生长超导层。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的(Ce0.8Gd0.2)0.2Zr0.2O1.92缓冲层的x射线衍射扫描(XRD)图。
图2为本发明实施例1制备的(Ce0.8Gd0.2)0.2Zr0.2O1.92缓冲层表面形貌的原子力显微镜(AFM)图。
图3为对比例1制备的Ce0.8Gd0.2O1.9单离子掺杂缓冲层表面形貌的原子力显微镜(AFM)图。
图4为本发明实施例2制备的(Ce0.8Gd0.2)0.99Mn0.01O1.916缓冲层的x射线衍射扫描(XRD)图。
具体实施方式
实施例1
本实施例双离子掺杂氧化铈缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)0.8Zr0.2O1.92，其制备方法包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.64:0.16:0.2的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.1mol/L的前驱液；所述铈的有机盐为乙酸铈，所述钆的有机盐为乙酸钆，所述R的有机盐为乙酰丙酮锆；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以20℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至950℃，保温热处理1h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)0.8Zr0.2O1.92缓冲层；优选地，所述旋涂的转速为1000rpm，旋涂的时间为60s，所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为4％。
对比例1
本对比例单离子掺杂氧化铈缓冲层的化学组成为：Ce0.8Gd0.2O1.9，其制备方法包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐和钆的有机盐按照Ce:Gd＝0.8:0.2的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.1mol/L的前驱液；所述铈的有机盐为乙酸铈，所述钆的有机盐为乙酸钆；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以20℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至950℃，保温热处理1h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到Ce0.8Gd0.2O1.9缓冲层；所述旋涂的转速为1000rpm，旋涂的时间为60s，所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为4％。
从图1中可以看出实施例1制备的(Ce0.8Gd0.2)0.8Zr0.2O1.92缓冲层具有(002)取向峰，无(111)杂相峰，显示出锐利的双轴织构，且(Ce0.8Gd0.2)0.8Zr0.2O1.92缓冲层的(002)取向峰明显向高角度移动，表明过渡金属离子Zr完全进入晶格，缓冲层晶格参数变小，与NiW金属基带衬底更加匹配，极大促进了缓冲层的外延生长。
从图2中可以看出实施例1制备的(Ce0.8Gd0.2)0.8Zr0.2O1.92缓冲层的微观晶粒均匀、表面平整无裂纹。从图3中可以看出，对比例1制备的Ce0.8Gd0.2O1.9缓冲层微观结构表明起伏不平整，存在缺陷。比较图2和图3可以看出，通过双金属离子掺杂可以改善氧化铈缓冲层薄膜的表面形貌，使其具有锐利的双轴织构和光滑平整的表面，有利于外延生长超导层。
实施例2
本实施例双离子掺杂氧化铈缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)0.99Mn0.01O1.916，其制备方法包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.792:0.198:0.01的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为1mol/L的前驱液；所述铈的有机盐为丙酸铈，所述钆的有机盐为丙酸钆，所述R的有机盐为乙酰丙酮锰；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以100℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至1050℃，保温热处理0.5h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)0.99Mn0.01O1.916缓冲层；优选地，所述旋涂的转速为6000rpm，旋涂的时间为10s，所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为1％。
从图4中可以看出，实施例2制备的(Ce0.8Gd0.2)0.99Mn0.01O1.916缓冲层具有(002)取向峰，无(111)杂相峰，显示出锐利的双轴织构；实施例2制备的(Ce0.8Gd0.2)0.99Mn0.01O1.916缓冲层具有光滑平整的微观表面，有利于外延生长超导层。
实施例3
本实施例双离子掺杂氧化铈缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)0.95Mn0.05O1.905，其制备方法包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.76:0.19:0.05的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.55mol/L的前驱液；所述铈的有机盐为丙酸铈，所述钆的有机盐为丙酸钆，所述R的有机盐为乙酸锰；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以200℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至1000℃，保温热处理0.75h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)0.95Mn0.05O1.90缓冲层；优选地，所述旋涂的转速为4000rpm，旋涂的时间为30s，所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为0.1％。
实施例3制备的(Ce0.8Gd0.2)0.95Mn0.05O1.905缓冲层具有锐利的双轴织构和光滑平整的微观表面，有利于外延生长超导层。
实施例4
本实施例双离子掺杂氧化铈缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)0.96Mn0.04O1.904，其制备方法包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.768:0.192:0.04的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.8mol/L的前驱液；所述铈的有机盐为乙酸铈，所述钆的有机盐为乙酸钆，所述R的有机盐为乙酸锰；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以150℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至1050℃，保温热处理0.5h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)0.96Mn0.04O1.904缓冲层；优选地，所述旋涂的转速为3000rpm，旋涂的时间为40s，所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为2％。
实施例4制备的(Ce0.8Gd0.2)0.96Mn0.04O1.904缓冲层具有锐利的双轴织构和光滑平整的微观表面，有利于外延生长超导层。
实施例5
本实施例双离子掺杂氧化铈缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)0.9Zr0.1O1.91，其制备方法包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.72:0.18:0.1的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.4mol/L的前驱液；所述铈的有机盐为丙酸铈，所述钆的有机盐为丙酸钆，所述R的有机盐为乙酰丙酮锆；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以60℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至1000℃，保温热处理0.75h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)0.9Zr0.1O1.91缓冲层；优选地，所述旋涂的转速为5000rpm，旋涂的时间为20s，所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为3％。
实施例5制备的(Ce0.8Gd0.2)0.9Zr0.1O1.91缓冲层具有锐利的双轴织构光滑平整的微观表面，有利于外延生长超导层。
实施例6
本实施例双离子掺杂氧化铈缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)0.93Zr0.07O1.907，其制备方法包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.744:0.186:0.07的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.8mol/L的前驱液；所述铈的有机盐为乙酸铈，所述钆的有机盐为丙酸钆，所述R的有机盐为乙酰丙酮锆；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以80℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至1050℃，保温热处理0.5h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)0.93Zr0.07O1.907缓冲层；优选地，所述旋涂的转速为2000rpm，旋涂的时间为50s，所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为2％。
实施例6制备的(Ce0.8Gd0.2)0.93Zr0.07O1.907缓冲层具有锐利的双轴织构光滑平整的微观表面，有利于外延生长超导层。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
Claims (8)
1.一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)1-xRxOy，其中x的取值为0.01～0.2，R为Zr或Mn。
2.按照权利要求1所述的一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，所述R为Zr或化合价为正四价的Mn时，y＝1.9+0.1x。
3.按照权利要求1所述的一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，所述x的取值为0.04～0.1。
4.按照权利要求3所述的一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，所述x的取值为0.05。
5.一种制备如权利要求1～4中任一权利要求所述双离子掺杂氧化铈缓冲层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.8(1-x):0.2(1-x):x的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.1mol/L～1mol/L的前驱液；
步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以20℃/min～200℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至950℃～1050℃，保温热处理0.5h～1h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到双离子掺杂氧化铈缓冲层。
6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤一中所述铈的有机盐为乙酸铈或丙酸铈，所述钆的有机盐为乙酸钆或丙酸钆，所述R的有机盐为乙酰丙酮锆、乙酸锰或乙酰丙酮锰。
7.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤二中所述旋涂的转速为1000rpm～6000rpm，旋涂的时间为10s～60s。
8.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤二中所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为0.1％～4％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510500561.2A CN105063578B (zh) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | 一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510500561.2A CN105063578B (zh) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | 一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105063578A true CN105063578A (zh) | 2015-11-18 |
| CN105063578B CN105063578B (zh) | 2018-02-13 |
Family
ID=54493075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510500561.2A Active CN105063578B (zh) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | 一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105063578B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109301297A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-01 | 中国矿业大学(北京) | 一种复合型陶瓷粉体及由其制备的复合型固体氧化物燃料电池 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101219896A (zh) * | 2008-01-25 | 2008-07-16 | 北京工业大学 | 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法 |
| CN101597162A (zh) * | 2009-07-03 | 2009-12-09 | 北京工业大学 | 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法 |
| CN102017207A (zh) * | 2008-03-29 | 2011-04-13 | 全能智电力股份有限公司 | 高温超导体-层配置体 |
| CN102275972A (zh) * | 2011-06-07 | 2011-12-14 | 上海大学 | 锰掺杂CeO2纳米粉的制备方法 |
-
2015
- 2015-08-14 CN CN201510500561.2A patent/CN105063578B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101219896A (zh) * | 2008-01-25 | 2008-07-16 | 北京工业大学 | 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法 |
| CN102017207A (zh) * | 2008-03-29 | 2011-04-13 | 全能智电力股份有限公司 | 高温超导体-层配置体 |
| JP2011520215A (ja) * | 2008-03-29 | 2011-07-14 | ゼナジー・パワー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 高温超電導体層配列 |
| CN101597162A (zh) * | 2009-07-03 | 2009-12-09 | 北京工业大学 | 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法 |
| CN102275972A (zh) * | 2011-06-07 | 2011-12-14 | 上海大学 | 锰掺杂CeO2纳米粉的制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109301297A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-01 | 中国矿业大学(北京) | 一种复合型陶瓷粉体及由其制备的复合型固体氧化物燃料电池 |
| CN109301297B (zh) * | 2018-11-15 | 2021-06-22 | 中国矿业大学(北京) | 一种复合型陶瓷粉体及由其制备的复合型固体氧化物燃料电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105063578B (zh) | 2018-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chen et al. | Electrical properties of a highly oriented, textured thin film of the ionic conductor Gd: CeO 2− δ on (001) MgO | |
| CN102142300B (zh) | 一种第二相纳米粒子掺杂ybco薄膜的制备方法 | |
| CN101333655A (zh) | 高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜制备工艺 | |
| CN101320604B (zh) | 一种SrZrO3掺杂的YBCO薄膜及其制备方法 | |
| CN102683577B (zh) | BiFe1-yMnyO3外延复合薄膜及其制备方法 | |
| CN101587763B (zh) | 一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法 | |
| CN104229867A (zh) | 一种氧化锌/钌酸锶核壳纳米线及其制备方法 | |
| CN101597162B (zh) | 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法 | |
| CN105063578B (zh) | 一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法 | |
| Mos et al. | Enhanced structural and morphological properties of Gd-doped CeO2 thin films obtained by polymer-assisted deposition | |
| Piperno et al. | CeO2-based buffer layers via chemical solution deposition: Critical issues and latest developments | |
| CN101178955B (zh) | 提高涂层导体用CeO2薄膜厚度的方法 | |
| CN101188152B (zh) | 涂层导体用CeO2薄膜的制备方法 | |
| CN105734541B (zh) | 一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法 | |
| CN104928660B (zh) | 超导涂层用YxCe1‑xO2/La2Zr2O7复合过渡层薄膜的制备方法 | |
| CN101624286B (zh) | 一种La掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法 | |
| CN105296967A (zh) | 一种烧绿石型Gd2Ti2O7缓冲层薄膜的制备方法 | |
| CN103524131B (zh) | 一种稀土元素掺杂的YxSm1-xBCO超导薄膜的制备方法 | |
| Fu et al. | Recent Advances in Perovskite Oxides Electrocatalysts: Ordered perovskites, Cations Segregation and Exsolution | |
| CN104538113B (zh) | 超导涂层用Y2Ce2O7过渡层薄膜的制备方法 | |
| CN102173801B (zh) | 一种Ta掺杂的CeO2过渡层薄膜及其制备方法 | |
| CN103498140B (zh) | 一种纳米银掺杂氧化铈涂层的制备方法 | |
| CN101901646B (zh) | 一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法 | |
| CN105272203A (zh) | 一种LaAlO3掺杂的复合YBCO薄膜的制备方法 | |
| CN102299251B (zh) | 一种钙钛矿型缓冲层的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |