CN105060339A - 一种二氧化锡量子点的低温制备方法 - Google Patents

一种二氧化锡量子点的低温制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105060339A
CN105060339A CN201510439281.5A CN201510439281A CN105060339A CN 105060339 A CN105060339 A CN 105060339A CN 201510439281 A CN201510439281 A CN 201510439281A CN 105060339 A CN105060339 A CN 105060339A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
stannic oxide
solution
quantum dot
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510439281.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105060339B (zh
Inventor
刘世民
柴卫平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian Jiaotong University
Original Assignee
Dalian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian Jiaotong University filed Critical Dalian Jiaotong University
Priority to CN201510439281.5A priority Critical patent/CN105060339B/zh
Publication of CN105060339A publication Critical patent/CN105060339A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105060339B publication Critical patent/CN105060339B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明公开一种粒径尺寸在2～4nm的高分散性、高结晶性氧化锡量子点的低温制备方法-溶解氧化法。该方法利用HCl与H2O形成的Cl--H3O+的双电层作用以及溶液中HNO3的氧化作用制备氧化锡量子点，该方法制备的氧化锡量子点粒径小、分散性能和结晶性能好；且不需要高温煅烧，具有工艺简单、成本低、制备周期短等特点。

Description

一种二氧化锡量子点的低温制备方法
技术领域
本发明涉及二氧化锡制备方法，具体涉及一种粒径在2～4nm的超微细氧化锡量子点的低温制备方法。
背景技术
氧化锡是一种宽带隙半导体，禁带宽度3.60eV，体相激子半径约为1.7nm。常温下，体相氧化锡在可见光区是透明的，既不吸收光，也不发射光。氧化锡的禁带宽度虽较宽，但施主能级是适度浅能级(0.03～0.15eV)，表面吸附氧形成的表面能级即电位势垒为0.3～0.6eV，这对于气体传感器来说，容易获得非常适用的电特性。早在60年代，就己经发现氧化锡具有气敏效应，氧化锡量子点不仅是优良的气敏材料，而且是良好的催化剂。另外，氧化锡还是太阳能电池光学减反射涂层、可充电锂离子电池负极的理想材料(翟冠楠,硕士学位论文，2013)。粒径足够小的量子点会表现出独特的性能，粒径分布范围较窄、粒径小的颗粒具有较大的比表面积，故而赋予材料具有优异的性能(孙明等，无机化学学报，2005，25：925-928)。
制备氧化锡量子点的常用方法有溶胶-凝胶法、微乳液法、化学沉淀法、水热法、金属醇盐烃化法、电弧气化合成法、球磨法等等。溶胶-凝胶法的特点是产物纯度较高、颗粒大小均匀、制备过程容易控制，但是合成温度高。微乳液法可使成核、生长、聚结、团聚等过程局限在一个微小的球形液滴内，从而可形成球形颗粒，避免了颗粒之间的进一步团聚，但是合成过程消耗大量的有机溶剂，这些有机溶剂大多价格昂贵，毒性较大，对环境极易造成污染，且有碳残留，从而影响产物的性能和纯度。化学沉淀法的优点是工艺比较简单，缺点是量子点纯度较低，粒径较大。水热法的优点是不需高温煅烧即可直接得到结晶粉末，避免了高温煅烧过程粒子的团聚和长大，省去了研磨及由此带来的杂质，并且粉体具有结晶好、团聚少、纯度高、粒度均匀以及形貌可控等特点，但水热法需要高压反应釜，使其对生产设备的依赖性比较强，这也影响和阻碍了水热法的发展。段学臣等(段学臣等，湖南大学学报，1999，26：54-62)采用金属醇盐烃化法制备纳米氧化锡粉末，得到了小粒径、均匀度高的氧化锡纳米微粒，但金属醇盐价格昂贵，大规模制备成本高。电弧气化合成法是将金属锡加热至液态，用电弧再加热到更高温度，利用电弧气化反应产生大量的氧化锡蒸气，冷却结晶为超微颗粒，但由于量子点具有极大的比表面积和比表面能，该法在制备和后处理过程中容易发生粒子间团聚。球磨法可以被用来制备氧化锡量子点，球磨法的优点是工艺简单、可连续生产、易于工业化，缺点是能耗高、产品纯度低。
另外，氧化锡量子点制备过程需要一定温度的热处理，该热处理温度因制备方法而变化，但通常都在200℃以上(溶剂热或者水热法稍低)，甚至高于300℃(化学共沉淀法、溶胶凝胶法、液相直接合成法等)。氧化锡的气敏性能随粒径尺寸的减小和比表面积的增大而显著增大，当粒子的直径为6nm以下时，颗粒表面将开始呈现完全电子贫化状态，氧化锡的气敏性能开始显著改善(Y.D.Wang等,SolidStateElectron.,2004,48:627-629)。但大多数制备方法所得到的氧化锡量子点颗粒尺寸在20nm以上，目前只有少数制备方法可以获得颗粒尺寸在5～20nm的量子点，而制备颗粒尺寸低于5nm的超微细氧化锡量子点报道极少。显然，如果能够找到一种低温制备方法，避免氧化锡量子点的团聚和晶粒长大，则有利于制备超微细晶粒尺寸的氧化锡粒子。
发明内容
本发明提出一种粒径在2～4nm的超微细氧化锡量子点的新型制备方法-溶解氧化法，与其他制备方法的显著区别是该法利用双电层作用及低温氧化制备氧化锡量子点，即利用HCl与H2O形成的Cl--H3O+的双电层作用以及溶液中HNO3的氧化作用，抑制量子点的长大和聚集，所得超微细氧化锡量子点尺寸只有2～4nm，且具有良好的分散性和四方金红石型氧化锡晶体结构。该量子点可用于气体传感器、透明导电电极、催化剂及催化剂载体等领域，具有良好的应用前景。同时，该制备方法不需要高温煅烧，具有工艺简单、成本低、制备周期短等特点。
本发明的技术方案包括以下操作步骤：
(1)溶解Sn：常温下利用HCl水溶液溶解Sn一段时间，Sn逐渐由银白色变成黑色，溶液中形成SnCl2溶液以及黑色胶体状Sn，获得A溶液，其中，HCl与Sn的摩尔比为6～10:1，去离子水与Sn的摩尔比为15～40:1；更优选的情况下，HCl与Sn的摩尔比为8:1，去离子水与Sn的摩尔比为25:1；
HCl可溶解Sn表面的SnO2，同时HCl与H2O形成的H3O+和Cl-极易络合于颗粒表面形成双电层，该双电层抑制量子点相互靠近和聚结。
(2)添加PVA溶液：向A溶液中添加5～50g/L的PVA溶液，搅拌后静置老化获得B溶液，其中，PVA与Sn的质量比为0.13～0.42:1；更优选的情况下，PVA溶液浓度为5g/L，PVA与Sn的质量比为0.13:1。该条件制备的氧化锡量子点同时满足粒径小且尺寸均一，分散性能与结晶性能好，而PVA浓度与含量太低时得不到氧化锡量子点，浓度与含量升高，PVA有机分子链相互缠绕，晶粒尺寸难以控制，甚至造成量子点形成大颗粒(尺寸达到几十纳米)。
聚乙烯醇(PVA)包覆在胶体状Sn的表面，起到空间位阻的作用，该空间位阻协同提高量子点的分散性；同时由于HCl溶解Sn表面的氧化层后使Sn以疏松多孔的胶体状存在，PVA在Sn表面的包覆量将进一步提高。
(3)添加HNO3溶液：向B溶液中加入HNO3溶液，再经过搅拌、热处理一段时间，即得到超细氧化锡量子点分散液；再经过离心分离后即得到超细氧化锡量子点固体；其中，HNO3与Sn的摩尔比为8～16:1，更优选的情况下HNO3与Sn的摩尔比为12:1。
Sn表面存在大量的PVA与H3O+和Cl-双电层使HNO3氧化胶体状Sn形成的氧化锡量子点聚结与颗粒生长过程受到有效抑制，最终实现高分散氧化锡量子点的制备。
现有技术中制备粒径尺寸在2～4nm的高分散氧化锡量子点一直是工艺上的难点，根本原因是高温热处理导致的超微细氧化锡量子点晶粒生长以及颗粒尺寸过小和高比表面能引起的粒子团聚。本发明的溶解氧化法使得氧化锡量子点的形成温度较低(低于100℃)，可直接获得具有良好结晶状态的氧化锡，且氧化锡粒子尺寸极小，分散性能好。
对于上述技术方案，优选的情况下，步骤(1)中，利用HCl水溶液溶解金属Sn反应时间1～3h，最优反应时间为2h。
对于上述技术方案，优选的情况下，步骤(2)中，搅拌反应时间为2～4h，最优反应时间为3h。
对于上述技术方案，优选的情况下，步骤(2)中，静置老化时间为2～4h，老化温度为30～50℃，最优老化时间为3h，老化温度为40℃。
对于上述技术方案，优选的情况下，步骤(3)中，热处理反应温度为70～85℃，反应时间为1～3h。最优反应温度为78℃，反应时间为2h。
对于上述技术方案，优选的情况下，步骤(3)中，搅拌反应时间为1～3h。
对于上述技术方案，优选的情况下，步骤(3)中，离心温度为4～10℃，转速为8000～30000r/min，离心时间为30～300min，最优离心温度为6-8℃，转速为10000r/min，离心时间为120min。
有益效果
(1)不需要较高温度的热处理过程，整个制备过程均在100℃以下，典型的在85℃以下，反应条件温和，可直接获得氧化锡量子点。
(2)氧化过程完全避免Sn离子的水解，从而避免形成氢氧化物等其它物相结构，使得终产物纯度高。
(3)可制备超微细氧化锡量子点，典型的粒子尺寸在2～4nm。
(4)氧化锡具有高分散性和良好的结晶性。
(5)反应过程无需氨水中和，也无需乙醇洗涤，使用的溶剂成本低，且不会造成环境污染。
(6)无需高压反应釜等设备，工艺简单、成本低、反应周期短、反应过程易于控制且能耗低。
附图说明
图1为实施例3～6中制得的氧化锡量子点的HRTEM照片；其中：
图1(a)为实施例3中制得的氧化锡量子点的HRTEM照片，可以发现，所制得的氧化锡量子点为高分散状态，粒径在2.8nm；
图1(b)为实施例4中制得的氧化锡量子点的HRTEM照片，可以发现，所制得的氧化锡量子点团聚严重，粒径在5nm左右；
图1(c)为实施例5中制得的氧化锡量子点的HRTEM照片，可以发现，所制得的氧化锡量子点团聚严重，粒径在10nm左右；
图1(d)为实施例6中制得的氧化锡量子点的HRTEM照片，可以发现，所制得的氧化锡量子点团聚严重，粒径在7nm左右。
图2为实施例1～6中样品的紫外可见图谱分析图；结果表明：在图2(3)图谱中显示：在实施例3所示方法制备的样品中有很明显的氧化锡333nm处的标准吸收峰(B.Grzeta等,J.Phys.Chem.Solids,2002,63:765-772)。
图3为实施例3中制得的氧化锡量子点的XRD谱图；分析谱图可知，实施例3所制得的量子点具有四方金红石型氧化锡晶体结构，结晶质量良好，没有其他杂质物相存在。
具体实施方式
下述非限定性实施例可以使本领域的普通技术人员更全面地理解本发明，但不以任何方式限制本发明。
实施例1
量取HCl0.12mol，Sn粒1.189g(0.01mol)，将上述原料置于单口烧瓶中，常温下反应3h，继续向单口烧瓶中加入HNO30.008mol，将单口烧瓶在70℃反应2h，制备得到Sn的盐溶液，检测发现没有氧化锡形成。
实施例2
量取去离子水4mL、HCl0.096mol，Sn粒1.189g(0.01mol)，将上述原料置于单口烧瓶中，常温下反应3h，继续向单口烧瓶中加入HNO30.032mol，将单口烧瓶在70℃反应2h，制备得到Sn的氯盐和硝酸盐混合溶液，没有氧化锡形成。
实施例3
量取去离子水4mL，HCl0.08mol，Sn粒1.189g(0.01mol)，将上述原料置于单口烧瓶中，常温下反应1h，加入5g/L的PVA溶液30mL，搅拌3h，45℃静置老化3h，继续向单口烧瓶中加入HNO30.16mol，将单口烧瓶在80℃反应1h，制备得到稳定氧化锡量子点分散液，将此分散液在高速冷冻离心机离心分离，分散液温度为6-8℃，离心机转速为10000r/min，离心时间120min，制备得到如图1(a)所示的粒径为2.8nm的高分散氧化锡量子点。
实施例4
量取去离子水1mL、HCl0.048mol，Sn粒1.189g(0.01mol)，将上述原料置于单口烧瓶中，常温下反应3h，加入聚乙二醇(PEG6000)60mg，搅拌1h，继续向单口烧瓶中加入HNO30.064mol，将单口烧瓶在70℃反应2h，制备得到沉淀，将此沉淀在高速冷冻离心机离心分离，分散液温度为6-8℃，离心机转速为10000r/min，离心时间120min，制备得到如图1(b)所示的粒径为5nm左右的氧化锡，氧化锡团聚严重，团聚体达到几十纳米。
实施例5
量取去离子水9.5mL、Sn粒1.189g(0.01mol)，将上述原料置于单口烧瓶中，向单口烧瓶中加入HNO30.16mol，将单口烧瓶在70℃反应2h，制备得到沉淀，将此沉淀在高速冷冻离心机离心分离，分散液温度为6-8℃，离心机转速为10000r/min，离心时间120min，制备得到如图1(c)所示的粒径为10nm左右的氧化锡，氧化锡团聚严重，团聚体达到几十纳米。
实施例6
量取去离子水1mL、HCl0.048mol，Sn粒1.189g(0.01mol)，将上述原料置于单口烧瓶中，常温下反应3h，继续向单口烧瓶中加入HNO30.064mol，将单口烧瓶在70℃反应2h，制备得到沉淀，将此沉淀在高速冷冻离心机离心分离，分散液温度为6-8℃，离心机转速为10000r/min，离心时间120min，得到如图1(d)所示的粒径为7nm左右的氧化锡，氧化锡团聚严重，团聚体达到几十纳米。
实施例1～6为制备氧化锡量子点而选取的不同原料、配比和条件所制得的实物样品，其中：实施例1和2两种样品中没有氧化锡量子点，实施例3、4、5、6都获得了氧化锡产物。但实施例4、5、6中获得的三种氧化锡产物团聚成氧化锡沉淀，只有实施例3中获得的样品为分散稳定性良好的氧化锡量子点。以上对比结果说明当Sn与HCl在有极少量的HNO3影响的情况下，最终生成的是无色透明的溶液。当增加了HNO3的量后，但仍然为少量时，溶液由无色透明变成淡黄色，此时仍得不到氧化锡量子点。当增加HNO3的量超过HCl时，也就是实施例3中获得的样品溶液呈橘黄色，此时得到分散性和稳定性极好的氧化锡量子点。当继续增大HNO3与HCl的比例后，溶液开始出现沉淀，如实施例4、5、6中获得的样品所示，HCl相对于HNO3的量减少，晶粒尺寸增大，沉淀增多，样品为团聚体。该研究进一步说明该方法只有在特定的条件下才能制备得到氧化锡量子点，在其他条件得不到氧化锡产物或者得到团聚的氧化锡大颗粒。
实施例7
量取去离子水4mL，HCl0.12mol，Sn粒2.378g(0.02mol)，将上述原料置于单口烧瓶中，常温下反应2h，加入50g/L的PVA溶液20mL，搅拌2h，35℃静置老化4h，继续向单口烧瓶中加入HNO30.16mol，将单口烧瓶在85℃反应3h，制备得到氧化锡量子点分散液，将此分散液在高速冷冻离心机离心分离，分散液温度6℃，离心机转速为10000r/min，离心时间45min，制备得到粒径为2.2nm的高分散氧化锡量子点。
实施例8
量取去离子水6mL，HCl0.1mol，Sn粒1.189g(0.01mol)，将上述原料置于单口烧瓶中，常温下反应3h，加入25g/L的PVA溶液20mL，搅拌4h，50℃静置老化2h，继续向单口烧瓶中加入HNO30.16mol，将单口烧瓶在70℃反应2h，制备得到氧化锡量子点分散液，将此分散液在高速冷冻离心机离心分离，分散液温度6℃，离心机转速为10000r/min，离心时间45min，制备得到粒径为3.8nm左右的高分散氧化锡量子点。

Claims (7)

1.一种二氧化锡量子点的低温制备方法，其特征在于：包括以下操作步骤，
(1)常温下利用HCl水溶液溶解Sn至黑色胶体状，获得A溶液，其中，HCl与Sn的摩尔比为6～10:1，去离子水与Sn的摩尔比为15～40:1；
(2)向A溶液中添加5～50g/L的PVA溶液，搅拌后静置老化获得B溶液，其中，PVA与Sn的质量比为0.13～0.42:1；
(3)向B溶液中加入HNO3溶液，再经过搅拌、热处理、离心分离后即得到超细氧化锡量子点固体；其中，HNO3与Sn的摩尔比为8～16:1。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，HCl与Sn的摩尔比为8:1，去离子水与Sn的摩尔比为25:1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，PVA溶液浓度为5g/L，PVA与Sn的质量比为0.13:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，HNO3与Sn的摩尔比为12:1。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，热处理反应温度为70～85℃，反应时间为1～3h。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，搅拌反应时间为1～3h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，离心温度为4～10℃，转速为8000～30000r/min，离心时间为30～300min。
CN201510439281.5A 2015-07-23 2015-07-23 一种二氧化锡量子点的低温制备方法 Expired - Fee Related CN105060339B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510439281.5A CN105060339B (zh) 2015-07-23 2015-07-23 一种二氧化锡量子点的低温制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510439281.5A CN105060339B (zh) 2015-07-23 2015-07-23 一种二氧化锡量子点的低温制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105060339A true CN105060339A (zh) 2015-11-18
CN105060339B CN105060339B (zh) 2017-03-15

Family

ID=54489930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510439281.5A Expired - Fee Related CN105060339B (zh) 2015-07-23 2015-07-23 一种二氧化锡量子点的低温制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105060339B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106865600A (zh) * 2017-03-17 2017-06-20 大连交通大学 一种粒径可控二氧化锡纳米粉体的制备方法
CN107649108A (zh) * 2017-09-26 2018-02-02 大连交通大学 一种可见光高效光触媒及其制备方法
CN112591794A (zh) * 2020-12-22 2021-04-02 武汉工程大学 一种氧化铋荧光量子点的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1528671A (zh) * 2003-10-15 2004-09-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 氧化锡纳米粉体的制备方法
CN101108743A (zh) * 2006-07-19 2008-01-23 中南大学 一种制备纳米二氧化锡的方法
CN101696029A (zh) * 2009-10-14 2010-04-21 大连交通大学 氧化锡纳米粉体的液相直接合成方法
CN102557118A (zh) * 2012-01-16 2012-07-11 株洲冶炼集团股份有限公司 一种超细高纯二氧化锡的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1528671A (zh) * 2003-10-15 2004-09-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 氧化锡纳米粉体的制备方法
CN101108743A (zh) * 2006-07-19 2008-01-23 中南大学 一种制备纳米二氧化锡的方法
CN101696029A (zh) * 2009-10-14 2010-04-21 大连交通大学 氧化锡纳米粉体的液相直接合成方法
CN102557118A (zh) * 2012-01-16 2012-07-11 株洲冶炼集团股份有限公司 一种超细高纯二氧化锡的制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SHIMIN LIU ET AL.: "Crystallinity and morphology-controlled synthesis of SnO2 nanoparcticles for higher gas sensitity", 《POWDER TECHNOLOGY》 *
TAKAHIRO ARAI ET AL.: "Synthesis and photoluminescence properties of SnO2 nanopowder", 《JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSCIS》 *
刘世民: "透明导电锡基氧化物纳米粉体的制备及应用研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技I辑》 *
马建保等: "纳米SnO2粉体的制备及现状", 《河南科技》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106865600A (zh) * 2017-03-17 2017-06-20 大连交通大学 一种粒径可控二氧化锡纳米粉体的制备方法
CN106865600B (zh) * 2017-03-17 2018-07-03 大连交通大学 一种粒径可控二氧化锡纳米粉体的制备方法
CN107649108A (zh) * 2017-09-26 2018-02-02 大连交通大学 一种可见光高效光触媒及其制备方法
CN107649108B (zh) * 2017-09-26 2020-02-14 大连交通大学 一种可见光光触媒及其制备方法
CN112591794A (zh) * 2020-12-22 2021-04-02 武汉工程大学 一种氧化铋荧光量子点的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105060339B (zh) 2017-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bonomo Synthesis and characterization of NiO nanostructures: a review
Manivel et al. Synthesis of MoO3 nanoparticles for azo dye degradation by catalytic ozonation
Ran et al. Greatly improved heat-shielding performance of KxWO3 by trace Pt doping for energy-saving window glass applications
Chong et al. Enhanced photocatalytic activity of Ag3PO4 for oxygen evolution and Methylene blue degeneration: Effect of calcination temperature
Shahmirzaee et al. In situ crystallization of ZnAl 2 O 4/ZnO nanocomposite on alumina granule for photocatalytic purification of wastewater
Masjedi-Arani et al. Metal (Mn, Co, Ni and Cu) doped ZnO-Zn2SnO4-SnO2 nanocomposites: Green sol-gel synthesis, characterization and photocatalytic activity
Cai et al. TiO 2 mesocrystals: Synthesis, formation mechanisms and applications
CN111943261B (zh) 锐钛矿型二氧化钛纳米晶及其制备方法与应用
CN114392734B (zh) 一种氧化钨复合材料及其制备方法和应用
Zhang et al. Facile synthesis and characterization of low crystalline Nb2O5 ultrafine nanoparticles as a new efficient photocatalyst
Zhang et al. Uniform hollow TiO2: Sm3+ spheres: Solvothermal synthesis and luminescence properties
Ma et al. Synthesis of hierarchical m-BiVO4 particles via hydro-solvothermal method and their photocatalytic properties
Wang et al. Open porous BiVO4 nanomaterials: Electronspinning fabrication and enhanced visible light photocatalytic activity
Li et al. Urchin-like CdS/ZrO 2 nanocomposite prepared by microwave-assisted hydrothermal combined with ion-exchange and its multimode photocatalytic activity
Blessi et al. Effect of zinc substitution on the physical and electrochemical properties of mesoporous SnO2 nanoparticles
Wang et al. Controllable synthesis of metastable γ-Bi2O3 architectures and optical properties
CN105060339A (zh) 一种二氧化锡量子点的低温制备方法
Wang et al. Facile synthesis of Cu3Se2/Cu2Se/Cu2O hollow microspheres by sacrificial template method at room temperature and excellent photodegradation activity
CN103272592B (zh) 一维载银二氧化钛纳米棒光催化剂的制备方法
Lee et al. Template-sacrificial conversion of MnCO3 microspheres to fabricate Mn-doped TiO2 visible light photocatalysts
Karthick et al. Synthesis of nano-bound microsphere Co 3 O 4 by simple polymer-assisted sol–gel technique
CN102995120B (zh) 一种纳米TiO2单晶材料、其制备方法及用途
Li et al. Titanate nanowire as a precursor for facile morphology control of TiO2 catalysts with enhanced photocatalytic activity
Duo et al. Fabrication, mechanism, formic acid− tuned degradation and photocatalytic hydrogen production of novel modified ZnO spheres by L− TA− DMF assisted hydrothermal method
Khokhra et al. Effect of synthesis medium on aggregation tendencies of ZnO nanosheets and their superior photocatalytic performance

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170315

Termination date: 20210723