CN105039936B - 电传输馈入结构及具有其的pecvd设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电传输馈入结构及具有其的PECVD设备，电传输馈入结构包括：两个屏蔽层；两个绝缘介质层，设置在两个屏蔽层之间；导电层，设置在两个绝缘介质层之间；导电层包括输入端和输出端，输出端包括多个连接点。通过本发明提供的技术方案能够解决现有技术中薄膜不均匀的问题。

Description

电传输馈入结构及具有其的PECVD设备
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种电传输馈入结构及具有其的PECVD设备。
背景技术
目前，在光伏电池领域，硅基薄膜的太阳能电池因其原材料丰富、无污染、制备工艺简单、便于大面积连续化生产等优点，受到广泛关注。纳米晶硅具有较高的光吸收系数和很好的光稳定性，目前广泛应用于硅基薄膜的太阳能电池上。其中，为了保证光的充分吸收，纳米晶硅薄膜层的厚度一般要求1-3μm。传统PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)设备在生产纳米晶硅薄膜时，薄膜厚度不均匀，影响使用。因此，目前亟需一种设备以提高薄膜均匀性。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种电传输馈入结构及具有其的PECVD设备，以解决现有技术中薄膜不均匀的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种电传输馈入结构，电传输馈入结构包括：两个屏蔽层；两个绝缘介质层，设置在两个屏蔽层之间；导电层，设置在两个绝缘介质层之间；导电层包括输入端和输出端，输出端包括多个连接点。
进一步地，导电层还包括导电本体，输入端设置在导电本体的一端，输出端设置在导电本体的另一端。
进一步地，输出端还包括输出端本体，多个连接点设置在输出端本体上。
进一步地，多个连接点以导电本体的端部为中心呈中心对称设置。
进一步地，输出端本体包括两个竖板和一个横板以构成H型一体结构，导电本体的端部与横板的中点连接。
进一步地，输出端包括四个连接点，两个连接点分别设置在一个竖板的两端，另外两个连接点分别设置在另一个竖板的两端。
进一步地，两个绝缘介质层的介电常数为2至3。
进一步地，两个绝缘介质层的厚度在0.5至15mm的范围内。
进一步地，两个绝缘介质层由聚四氟乙烯或陶瓷介质材料构成。
根据本发明的另一方面，提供了一种PECVD设备，包括上述的电传输馈入结构。
应用本发明的技术方案，通过在导电层的输出端设置多个连接点，并通过多个连接点与PECVD设备上的电极连接，如此能够对电极的输出进行分配，从而使得纳米晶硅薄膜的沉积更加均匀。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本发明实施例提供的电传输馈入结构的纵向剖面图；
图2示出了根据本发明实施例提供的电传输馈入结构的示意图；
图3示出了根据本发明实施例提供的PECVD设备的局部结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、屏蔽层；20、绝缘介质层；30、导电层；31、输入端；32、输出端；321、连接点；322、输出端本体；322a、竖板；322b、横板；33、导电本体；40、电极圆柱；50、真空室。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
如图1和图2所示，本发明实施例提供一种电传输馈入结构，该电传输馈入结构包括：两个屏蔽层10、两个绝缘介质层20以及导电层30。其中，两个绝缘介质层20设置在两个屏蔽层10之间，导电层30设置在两个绝缘介质层20之间，导电层30包括输入端31和输出端32，输出端32包括多个连接点321。
本发明实施例提供的电传输馈入结构，通过在导电层30的输出端32设置多个连接点321，并通过多个连接点321与PECVD设备上的电极连接，相对现有技术中只通过1个连接点连接，本发明提供的电传输馈入结构能够对电极的输出进行分配，从而使得纳米晶硅薄膜的沉积更加均匀。
在本发明提供的实施例中，导电层30还包括导电本体33，输入端31设置在导电本体33的一端，输出端32设置在导电本体33的另一端。
具体地，该输出端32还包括输出端本体322，多个连接点321设置在输出端本体322上。其中，输出端本体322可以设置为棒状、块状等，为了承受更大电流、输出更大功率，将输出端本体322设置为片状结构，以扩大输出端本体322的表面积。
其中，在本发明实施例中，多个连接点321以导电本体33的端部为中心呈中心对称设置。如此使得每个连接点321到输入端31的距离相等，以保证功率的平均输出，进而使得纳米晶硅薄膜的沉积更加均匀。具体地，2个连接点321只需保证每个连接点321到输入端31的距离相等即可，3个及3个以上的连接点321可以设置成正多边形的端点，其中正多边形的中心设置在导电本体33的端部上。
在本发明实施例中，该输出端本体322包括两个竖板322a和一个横板322b以构成H型结构，其中，该H型结构为一体成型结构，导电本体33的端部与横板322b的中点连接。该输出本体322结构简单、稳定，如此可保证输出本体322与电极的稳定连接。
在本发明实施例中，该输出端32包括四个连接点321，其中两个连接点321分别设置在一个竖板322a的两端，另外两个连接点321分别设置在另一个竖板322a的两端。如此可构成以导电本体33的端部中心对称的结构，保证输出功率的均匀输出。
为了有效增加输出功率，在本发明实施例中，将两个绝缘介质层20的介电常数设置为2至3。如此可有效减少电极容抗，增加电极阻抗，其中，阻抗越大，相同电流下的输出功率越大，进而增加沉积速率、提高生产速率；并且，通过该方式，可有效抑制电传输馈入结构中产生的异常辉光放电现象。
具体地，在本发明提供的实施例中，将两个绝缘介质层20的厚度设置在0.5至15mm的范围内。并且，该绝缘介质层20可由可耐高温聚四氟乙烯或陶瓷介质材料等其它耐高温的绝缘介质材料构成。
如图3所示，本发明实施例提供一种PECVD设备，包括上述的电传输馈入结构。将输入端31与电极圆柱40相连接，将输出端32与真空室50内电极连接，如此可进行纳米晶硅薄膜的生产，并且通过该电传输馈入结构，能够在1344×1504mm2的喷淋电极上馈入10KW功率，并实现了在1100×1400mm2的大面积玻璃基板上沉积速率可达8A/s的高质量的、均匀的纳米晶硅薄膜沉积。即在保证均匀生产的前提下，大大提高生产速率。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种电传输馈入结构，所述电传输馈入结构包括：
两个屏蔽层(10)；
两个绝缘介质层(20)，设置在所述两个屏蔽层(10)之间；
导电层(30)，设置在所述两个绝缘介质层(20)之间；
其特征在于，所述导电层(30)包括输入端(31)和输出端(32)，所述输出端(32)包括多个连接点(321)；
所述导电层(30)还包括导电本体(33)，所述输入端(31)设置在所述导电本体(33)的一端，所述输出端(32)设置在所述导电本体(33)的另一端；
所述输出端(32)还包括输出端本体(322)，所述多个连接点(321)设置在所述输出端本体(322)上；
所述多个连接点(321)以所述导电本体(33)的端部为中心呈中心对称设置。
2.根据权利要求1所述的电传输馈入结构，其特征在于，所述输出端本体(322)包括两个竖板(322a)和一个横板(322b)以构成H型一体结构，所述导电本体(33)的端部与所述横板(322b)的中点连接。
3.根据权利要求2所述的电传输馈入结构，其特征在于，所述输出端(32)包括四个连接点(321)，两个所述连接点(321)分别设置在一个所述竖板(322a)的两端，另外两个所述连接点(321)分别设置在另一个所述竖板(322a)的两端。
4.根据权利要求1所述的电传输馈入结构，其特征在于，两个所述绝缘介质层(20)的介电常数为2至3。
5.根据权利要求1所述的电传输馈入结构，其特征在于，两个所述绝缘介质层(20)的厚度在0.5至15mm的范围内。
6.根据权利要求1所述的电传输馈入结构，其特征在于，两个所述绝缘介质层(20)由聚四氟乙烯或陶瓷介质材料构成。
7.一种PECVD设备，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述的电传输馈入结构。
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