CN105039820A - 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 - Google Patents
一种led用铝碳化硅陶瓷基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105039820A CN105039820A CN201510454510.0A CN201510454510A CN105039820A CN 105039820 A CN105039820 A CN 105039820A CN 201510454510 A CN201510454510 A CN 201510454510A CN 105039820 A CN105039820 A CN 105039820A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- ceramic substrate
- oxide
- silicon carbide
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims description 37
- KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Si] Chemical compound [AlH3].[Si] KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 23
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 22
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical group CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 14
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 14
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004902 Softening Agent Substances 0.000 claims description 8
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 7
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 7
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
本发明公开了一种LED用铝碳化硅陶瓷基板，优化LTCC制备工艺中的各种原料，以铝碳化硅和氮化铝作为主要原料，同时，添加了氧化铝微粉、MCM-41分子筛、玻璃烧结助剂、铜纳米颗粒、稀土氧化物、溶剂、增塑剂、分散剂和粘结剂等添加剂，进一步优化了陶瓷基板的物化性能，本申请的陶瓷基板导热率大于1000W/(m·k)，抗弯强度大于500Mpa，介电常数小于3。同时，通过常规的LTCC制备方法，即可将主要原料和添加剂制备成具有高导率的陶瓷基板，制备工艺简单，利于产业化。
Description
技术领域
本发明属于LED用基板领域，特别涉及一种LED用铝碳化硅陶瓷基板。
背景技术
作为第四代照明光源，发光二极管(LED)以其维护费用低、寿命长、抗震性好、功耗小和环境友好等优势而受到世界各国的重视，被广泛用于指示灯、显示屏、背光源、景观照明、交通等，市场潜力巨大。
随着LED照明的需求日趋迫切，大功率LED的散热问题益发受到重视(过高的温度会导致LED发光效率衰减)；LED使用所产生的废热若无法有效散出，则会对LED的寿命造成致命性的影响。现阶段较普遍的陶瓷散热基板有4种:直接覆铜陶瓷板(DBC)、直接镀铜基板(DPC)、高温共烧多层陶瓷基板(HTCC)和低温共烧多层陶瓷基板(LTCC)。而如何设计一种性能优越尤其是散热性能好的LED陶瓷基板是现在研究的难题。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题，研制出一种散热性能好的LED用铝碳化硅陶瓷基板：
一种LED用铝碳化硅陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：铝碳化硅70-90份；氮化铝5-10份；氧化铝微粉5-10份；MCM-41分子筛5-10份；玻璃烧结助剂5-10份；铜纳米颗粒5-10份；稀土氧化物2-5份；有机溶剂5-10份；增塑剂1-4份；分散剂1-4份；粘结剂1-4份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；氧化钠3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于1μm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜纳米颗粒的粒径为5-20纳米。
铜纳米颗粒的制备方法为水热法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1650～1750℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
本发明的有益效果：
(1)整体而言，优化LTCC制备工艺中的各种原料，以导热率较高且膨胀系数与Si片相接近的铝碳化硅作为主要原料，同时，为了调节铝碳化硅在导热性和稳定性方面的不足，本发明进一步采用氮化铝作为主要原料，同时为了进一步优化陶瓷基板的物化性能，还添加了氧化铝微粉、MCM-41分子筛、玻璃烧结助剂、铜纳米颗粒、稀土氧化物、有机溶剂、增塑剂、分散剂和粘结剂等添加剂；本申请的陶瓷基板导热率大于1000W/(m·k)，抗弯强度大于500Mpa，介电常数小于3。通过常规的LTCC制备方法，即可将主要原料和添加剂制备成具有高导率的陶瓷基板，制备工艺简单，利于产业化。
(2)具体来说，以铝碳化硅和氮化铝作为主要原料，氧化铝微粉、MCM-41分子筛的辅助添加，综合降低了成本，但是依旧保持了优良的散热性能；同时，加入的氮化铝作为主成分的加入，大大调节了铝碳化硅基板的导热率。而MCM-41分子筛的使用，由于在陶瓷材料中形成一定的导热通道，也大大提高了基板的导热效果。在添加剂方面，本申请通过添加铜纳米颗粒，对陶瓷粉体进行金属纳米颗粒化，同时，纳米颗粒的加入，有利于提高热传递，同时，也提高了陶瓷基板的致密度。并且本申请独特的玻璃烧结助剂以及稀土氧化物，能够与主成分材料形成特殊晶体，继而对于陶瓷基板的成瓷性能也会大大增强。
具体实施方式
下面结合具体的实施例，并参照数据进一步详细描述本发明。应理解，这些实施例只是为了举例说明本发明，而非以任何方式限制本发明的范围。
实施例1：
一种LED用铝碳化硅陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：
铝碳化硅80份；氮化铝7份；氧化铝微粉7份；MCM-41分子筛7份；玻璃烧结助剂7份；铜纳米颗粒7份；稀土氧化物3份；有机溶剂7份；增塑剂1份；分散剂1份；粘结剂1份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；氧化钠3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于1μm的Y2O3；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜纳米颗粒的粒径为10纳米。
铜纳米颗粒的制备方法为水热法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1650℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为1200W/(m·k)，抗弯强度为550Mpa，介电常数为2.7。
实施例2：
一种LED用铝碳化硅陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：铝碳化硅85份；氮化铝8份；氧化铝微粉8份；MCM-41分子筛8份；玻璃烧结助剂9份；铜纳米颗粒6份；稀土氧化物4份；有机溶剂8份；增塑剂2份；分散剂2份；粘结剂2份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；氧化钠3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于1μm的La2O3；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜纳米颗粒的粒径为15纳米。
铜纳米颗粒的制备方法为水热法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1700℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为1300W/(m·k)，抗弯强度为525Mpa，介电常数为2.4。
实施例3：
一种LED用铝碳化硅陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：铝碳化硅77份；氮化铝6份；氧化铝微粉6份；MCM-41分子筛6份；玻璃烧结助剂6份；铜纳米颗粒6份；稀土氧化物4份；有机溶剂8份；增塑剂1份；分散剂1份；粘结剂1份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；氧化钠3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于1μm的Yb2O3；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜纳米颗粒的粒径为17纳米。
铜纳米颗粒的制备方法为水热法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1750℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为1235W/(m·k)，抗弯强度为578Mpa，介电常数为2.8。
实施例4：
一种LED用铝碳化硅陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：铝碳化硅89份；氮化铝9份；氧化铝微粉9份；MCM-41分子筛9份；玻璃烧结助剂7份；铜纳米颗粒6份；稀土氧化物4份；有机溶剂8份；增塑剂2份；分散剂1份；粘结剂2份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；氧化钠3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于1μm的Eu2O3；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜纳米颗粒的粒径为7纳米。
铜纳米颗粒的制备方法为水热法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1720℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为1455W/(m·k)，抗弯强度为555Mpa，介电常数为2.5。
实施例5：
一种LED用铝碳化硅陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：铝碳化硅71份；氮化铝6份；氧化铝微粉6份；MCM-41分子筛6份；玻璃烧结助剂5份；铜纳米颗粒6份；稀土氧化物4份；有机溶剂8份；增塑剂2份；分散剂2份；粘结剂2份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；氧化钠3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于1μm的La2O3和Yb2O3；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜纳米颗粒的粒径为10纳米。
铜纳米颗粒的制备方法为水热法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1710℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为1470W/(m·k)，抗弯强度为535Mpa，介电常数为2.0。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (7)
1.一种LED用铝碳化硅陶瓷基板，其特征在于：由以下组分及其重量份制成：铝碳化硅70-90份；氮化铝5-10份；氧化铝微粉5-10份；MCM-41分子筛5-10份；玻璃烧结助剂5-10份；铜纳米颗粒5-10份；稀土氧化物2-5份；有机溶剂5-10份；增塑剂1-4份；分散剂1-4份；粘结剂1-4份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；氧化钠3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于1μm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂。
2.一种如权利要求1所述的LED用铝碳化硅陶瓷基板，其特征在于：铜纳米颗粒的粒径为5-20纳米。
3.一种如权利要求1或2所述的LED用铝碳化硅陶瓷基板，其特征在于：铜纳米颗粒的制备方法为水热法。
4.一种如权利要求1或3所述的LED用铝碳化硅陶瓷基板，其特征在于：玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1650～1750℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
5.一种如权利要求4所述的LED用铝碳化硅陶瓷基板，其特征在于：玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
6.一种如权利要求1或2或4所述的LED用铝碳化硅陶瓷基板，其特征在于：陶瓷基板采用LTCC制备方法。
7.一种如权利要求6所述的LED用铝碳化硅陶瓷基板，其特征在于：具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510454510.0A CN105039820B (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510454510.0A CN105039820B (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105039820A true CN105039820A (zh) | 2015-11-11 |
| CN105039820B CN105039820B (zh) | 2016-12-07 |
Family
ID=54446784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510454510.0A Active CN105039820B (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105039820B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105826208A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-08-03 | 西安明科微电子材料有限公司 | 一种封装基板孔位制造方法 |
| CN106747450A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 吴中区穹窿山倪源交通器材经营部 | 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010016349A (ja) * | 2008-06-06 | 2010-01-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 |
| CN102569625A (zh) * | 2012-01-05 | 2012-07-11 | 中国计量学院 | 一种大功率led散热用覆铜线路铝碳化硅陶瓷基板 |
| CN104058772A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-09-24 | 汕头大学 | 一种陶瓷复合材料基板及其制备工艺 |
| CN104244486A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-12-24 | 王晨 | Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件 |
-
2015
- 2015-07-29 CN CN201510454510.0A patent/CN105039820B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010016349A (ja) * | 2008-06-06 | 2010-01-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 |
| CN102569625A (zh) * | 2012-01-05 | 2012-07-11 | 中国计量学院 | 一种大功率led散热用覆铜线路铝碳化硅陶瓷基板 |
| CN104058772A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-09-24 | 汕头大学 | 一种陶瓷复合材料基板及其制备工艺 |
| CN104244486A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-12-24 | 王晨 | Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105826208A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-08-03 | 西安明科微电子材料有限公司 | 一种封装基板孔位制造方法 |
| CN106747450A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 吴中区穹窿山倪源交通器材经营部 | 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105039820B (zh) | 2016-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104926314A (zh) | 一种led用陶瓷基板 | |
| CN104763901B (zh) | Led日光灯 | |
| CN104696832B (zh) | Led路灯 | |
| CN104987065A (zh) | 一种led用氧化锆陶瓷基板 | |
| CN105419672A (zh) | 一种高功率led用高散热性导电胶的制备方法 | |
| CN103265792B (zh) | Led灯具散热材料及其制备方法和散热器、led灯具 | |
| Xu et al. | Tunable chromaticity and enhanced luminous efficacy of white LEDs with phosphor-in-glass coating via multilayer screen-printing | |
| CN105039820A (zh) | 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 | |
| CN104961468A (zh) | 一种led用氮化铝钛陶瓷基板 | |
| CN106477895B (zh) | 一种砂质高岭土基堇青石微晶玻璃材料及其低温制备方法 | |
| CN104987079A (zh) | 一种led用氮化钛陶瓷基板 | |
| Fu et al. | The effects of Ca/Si ratio and B 2 O 3 content on the dielectric properties of the CaO–B 2 O 3–SiO 2 glass–ceramics | |
| CN106380208B (zh) | 一种led用高导热率氮化硅-氮化铝复相陶瓷基板及其制备方法 | |
| CN105110769A (zh) | 一种稀土改性led灯散热用片状氧化铝多孔陶瓷及其制备方法 | |
| CN104445954B (zh) | 一种硼硅酸盐玻璃基低温共烧陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN104987111A (zh) | 一种高导热性led灯散热用片状氧化铝多孔陶瓷及其制备方法 | |
| CN105198436A (zh) | 一种绝缘导热的无机纳米复合陶瓷及其制备方法和用途 | |
| CN108070853B (zh) | 一种陶瓷浆料、制备方法及复合陶瓷散热基板 | |
| CN104987108A (zh) | 一种含有玉石粉的led灯散热用片状氧化铝多孔陶瓷及其制备方法 | |
| CN105060864A (zh) | 一种led灯散热用片状氧化铝多孔陶瓷及其制备方法 | |
| CN106220183A (zh) | 一种含纳米碳纤维增韧的大功率led散热氮化铝陶瓷基板 | |
| CN105081329A (zh) | 一种led用碳氮化钛陶瓷基板 | |
| CN106747450A (zh) | 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 | |
| CN104961350A (zh) | 一种低温烧结高强度玻璃陶瓷复合基板材料及其制备方法 | |
| CN105110773A (zh) | 一种大功率led灯散热片用片状氧化铝多孔陶瓷及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhang Xinfeng Inventor after: Chen Maozhi Inventor after: Liang He Inventor before: Liu Zhentian |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160918 Address after: Qinhuai District of Nanjing City, Jiangsu province 210000 Temple streets flood ancestral hall No. 48 building 610 room. Applicant after: Zhang Xinfeng Address before: 410205 A543, Changsha, China, the headquarters of the software park, No. 39, sharp mountain road, high tech Development Zone, Hunan, China Applicant before: CHANGSHA DINGCHENG NEW MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190118 Address after: 226500 East Road No. 6, Chengnan Street Telecom, Rugao City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu Zhuoyuan Semiconductor Co.,Ltd. Address before: Room 610, Ankang Building, 48 Honggong Temple, Chaotian Palace Street, Qinhuai District, Nanjing City, Jiangsu Province Patentee before: Zhang Xinfeng |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Aluminum silicon carbide ceramic substrate for LED Effective date of registration: 20210521 Granted publication date: 20161207 Pledgee: Zhonggao Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: Jiangsu Zhuoyuan Semiconductor Co.,Ltd. Registration number: Y2021980003848 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20220826 Granted publication date: 20161207 Pledgee: Zhonggao Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: Jiangsu Zhuoyuan Semiconductor Co.,Ltd. Registration number: Y2021980003848 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A kind of aluminum silicon carbide ceramic substrate for LED Effective date of registration: 20220902 Granted publication date: 20161207 Pledgee: Zhonggao Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: Jiangsu Zhuoyuan Semiconductor Co.,Ltd. Registration number: Y2022980014336 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20230630 Granted publication date: 20161207 Pledgee: Zhonggao Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: Jiangsu Zhuoyuan Semiconductor Co.,Ltd. Registration number: Y2022980014336 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |