CN105038606A - 适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 - Google Patents
适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105038606A CN105038606A CN201510335344.2A CN201510335344A CN105038606A CN 105038606 A CN105038606 A CN 105038606A CN 201510335344 A CN201510335344 A CN 201510335344A CN 105038606 A CN105038606 A CN 105038606A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- amine
- sodium
- polishing
- gallium oxide
- mass parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液以及该抛光液的制备方法,其制备方法为:先把1质量份的络合剂、0.5~1.5质量份的pH值调节剂和1质量份的pH稳定剂溶解于47~47.5质量份的去离子水中,待所述络合剂、pH值调节剂和pH稳定剂充分溶解后,再将0.5质量份的表面活性剂和0.1质量份的消泡剂也溶解于所述去离子水中,待所述表面活性剂和消泡剂也充分溶解后,将得到的混合溶液缓慢滴加到不断搅拌的50质量份的硅溶胶乳液中。使用本发明这种抛光液能够制作出无损伤、超光滑、超洁净的氧化镓衬底。
Description
技术领域
本发明涉及一种适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法,属于抛光液生产制备技术领域。
背景技术
在2013年1月16~18日于东京有明国际会展中心举行的“日本第3届LED及有机EL照明展”上,田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的使用氧化镓(β-Ga2O3)的白色LED。该LED由在β型-Ga2O3基板上制作的GaN类半导体蓝色LED芯片上组合使用荧光体。其不同点在于,与使用在蓝宝石基板上制作的普通蓝色LED芯片时相比,具有容易提高光输出功率的特点。
由于氧化镓单晶生长的研究是近3年才在国内外开展,所以氧化镓衬底的超精密加工技术的研究也很少见诸报道,即使在日本也只是展示了氧化镓衬底的成品及其制作的元器件,而没有关于氧化镓衬底制备的任何报道。本项目主要研究使用化学机械抛光的方法制备氧化镓衬底基片,要求抛光后衬底表面粗糙度Ra值不大于1nm。铝和镓同属于硼主族元素,因此氧化铝和氧化镓在物化特性上具备相似可比性,超精密加工过程也具有某种可比性。
目前,化学机械抛光中研究比较广泛的是蓝宝石,其针对蓝宝石的抛光液专利也很多,蓝宝石基体成分为三氧化二铝,莫氏硬度为9,耐酸碱性强,没有解理属性。氧化镓的莫氏硬度为5~6,有严重的解理属性,100面为解理面受应力集中和温差变化极其容易解理,其耐酸碱的能力弱于蓝宝石,所以针对蓝宝石的抛光液面对氧化镓的解理面(100面)时并不能出现普适性,而且在氧化镓化学机械抛光过程中可能出现的局部解理现象,这在蓝宝石抛光时是不会遇到的现象,因此需要提出针对氧化镓衬底抛光的抛光液。
发明内容
本发明目的是:针对上述问题,提供一种适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法,以利用该抛光液制作出无损伤、超光滑、超洁净的氧化镓衬底。
本发明的技术方案是:所述适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液,由以下质量份的原料制成:
本发明在上述技术方案的基础上,还包括以下优选方案:
所述硅溶胶乳液中二氧化硅的粒径为15nm,二氧化硅的质量浓度为40%;
所述络合剂选自羟基羧酸盐、氨基羧酸盐、醇胺盐、磷酸盐、有机膦酸盐等。具体包括:葡萄糖酸钠、乳酸钠、庚糖酸钠、海藻酸钠、柠檬酸钠、乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠、六偏磷酸钠、焦磷酸钠、三聚磷酸钠、二乙烯三胺五羧酸盐、氨三乙酸钠、乙二胺四甲叉磷酸钠和二乙烯三胺五甲叉磷酸盐中的任意一种或两种以上的混合物;
所述pH值调节剂选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺和1,3-丙二胺中的任意一种或两种以上的混合物;
所述pH稳定剂选自甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺和1,3-丙二胺中的任意一种或两种以上的混合物;
所述的表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵、脂肪醇聚氧乙烯醚磺基琥珀酸单酯二钠、脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚(7)磺酸钠、二辛基磺基琥珀酸二钠、二-2-乙基己基磺基琥珀酸钠、月桂基硫酸钠、月桂基硫酸钾、十二烷基苯硫酸盐、α-烯烃磺酸盐、木质素磺酸盐、全氟辛烷磺酸盐、全氟丁烷磺酸盐、辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯、和硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚(7)中的任意一种或两种以上的混合物;
所述消泡剂选自有机硅油类、矿物油类和聚醚类中的任意一种或两种以上的混合物。
进一步优选为:所述络合剂为乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠,所述pH值调节剂为氢氧化钠,所述pH稳定剂为三乙醇胺,所述表面活性剂为辛基酚聚氧乙烯醚(10),所述消泡剂优选为有机硅油。
更进一步优选为:所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液由以下质量份的原料制成:
或者,
所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液由以下质量份的原料制成:
上述适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液的制备方法如下:
先把1质量份的络合剂、0.5~1.5质量份的pH值调节剂和1质量份的pH稳定剂溶解于47~47.5质量份的去离子水中,待所述络合剂、pH值调节剂和pH稳定剂充分溶解后,再将0.5质量份的表面活性剂和0.1质量份的消泡剂也溶解于所述去离子水中,待所述表面活性剂和消泡剂也充分溶解后,将得到的混合溶液缓慢滴加到不断搅拌的50质量份的硅溶胶乳液中。
本发明的优点是:
1、本发明的抛光液用于抛光氧化镓衬底基片时,可获得无损伤、超光滑、低沾污的晶体表面。
2、本发明的抛光液为碱性,抛光后清洗方便,对设备无腐蚀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为在氧化镓衬底基片抛光前,激光扫描氧化镓晶体表面的二维图;
图2为氧化镓衬底基片抛光前,激光扫描氧化镓晶体表面的三维图;
图3为在氧化镓衬底基片抛光前,激光扫描检测获得的氧化镓晶体表面粗糙度数值;
图4为使用优选实施例二制得的抛光液对氧化镓衬底基片进行化学机械抛光后,激光扫描氧化镓晶体表面的二维图;
图5为使用优选实施例二制得的抛光液对氧化镓衬底基片进行化学机械抛光后,激光扫描氧化镓晶体表面的三维图;
图6为使用优选实施例二制得的抛光液对氧化镓衬底基片进行化学机械抛光后,激光扫描检测获得的氧化镓晶体表面粗糙度数值。
具体实施方式:
以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解,这些实施例是用于说明本发明而并非限制本发明的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体施工单位的条件做进一步调整,未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
具体实施例方式:
一般实施例:
本实施例具体公开了一种适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液的制备方法,该方法如下:先将1质量份的络合剂、0.5~1.5质量份的pH值调节剂和1质量份的pH稳定剂溶解于47~47.5质量份的去离子水中,待所述络合剂、pH值调节剂和pH稳定剂充分溶解后,再将0.5质量份的表面活性剂和0.1质量份的消泡剂也溶解于所述去离子水中,待所述表面活性剂和消泡剂也充分溶解后,将得到的混合溶液缓慢滴加到不断搅拌的50质量份的硅溶胶乳液中。
经发明人大量实验验证,所述硅溶胶乳液中二氧化硅的粒径为15nm,二氧化硅的质量浓度为40%时,所制备的抛光液质量较佳。
所述络合剂能够有效螯合镓等金属元素,增加晶体表面金属离子在抛光液内的有效溶解,提高抛光效率,防止抛光表面的沾污,降低衬底抛光后清洗的难度。在本发明中该络合剂可以是羟基羧酸盐、可以是氨基羧酸盐、可以是醇胺盐、可以是磷酸盐、也可以是有机膦酸盐,具体为葡萄糖酸钠、乳酸钠、庚糖酸钠、海藻酸钠、柠檬酸钠、乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠、六偏磷酸钠、焦磷酸钠、三聚磷酸钠、二乙烯三胺五羧酸盐、氨三乙酸钠、乙二胺四甲叉磷酸钠(简称EDTMPS)和二乙烯三胺五甲叉磷酸盐(简称DETPMPS)中的任意一种或两种以上的混合。优选乙二胺四乙酸四钠,乙二胺四乙酸四钠既可以作为螯合剂,同时也作为碱性pH值调节剂,1%的乙二胺四乙酸四钠水溶液pH约为11.8,因此,乙二胺四乙酸四钠可以有效替代氢氧化钠与乙二胺四乙酸二钠两者的加和作用。
所述pH值调节剂包含该领域中公知的各种无机碱、有机碱或弱酸强碱盐。其中无机碱包括:氢氧化钠、氢氧化钾、氨水等;有机碱包括:甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺或1,3-丙二胺。也即所述pH值调节剂选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺和1,3-丙二胺中的任意一种或两种以上的混合。本实施例中,为保持抛光液中有一定浓度的Na+和OH-,使溶液具有持久的化学腐蚀性,优选为氢氧化钠。
本发明选用有机胺作为抛光液的所述pH稳定剂,其能够使抛光液的pH值能较长时间内稳定在一个合理的碱性pH值范围内,从而稳定提供给氧化镓晶体接触面进行化学腐蚀所必须的碱性环境。在本发明中可利用的作为pH稳定剂的有机胺包含该领域中公知的各种胺,一般选择甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺和1,3-丙二胺中的任意一种或两种以上的混合物。优选为三乙醇胺。
在抛光液组分中使用所述表面活性剂,能够使氧化镓衬底抛光液具有很低的表面张力,能够增加在氧化镓表面的湿润性,促进其他化学成分吸附到衬底表面;并且良好的分散二氧化硅胶粒,降低硅溶胶的凝聚成团的概率,增加化学抛光液的循环使用次数;表面活性剂还具有搬离作用,把抛光下来的氧化镓微粒从衬底表面移除,易于进一步的抛光以及后续表面清洗,防止晶面的沾污。在本发明中,所述表面活性剂包含该领域中公知的任何表面活性剂,包括阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂或两性表面活性剂组。上述表面活性剂优选为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂,其中阴离子表面活性剂为硫酸盐阴离子表面活性剂、磺酸盐阴离子表面活性剂、磷酸盐阴离子表面活性剂或羧酸盐阴离子表面活性剂;非离子表面活性剂为聚氧乙烯醚型表面活性剂。本发明中,所述表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵、脂肪醇聚氧乙烯醚磺基琥珀酸单酯二钠、脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚(7)磺酸钠、二辛基磺基琥珀酸二钠、二-2-乙基己基磺基琥珀酸钠、月桂基硫酸钠、月桂基硫酸钾、十二烷基苯硫酸盐、α-烯烃磺酸盐、木质素磺酸盐、全氟辛烷磺酸盐(简称PFOS,perfluorooctanesulfonate)、全氟丁烷磺酸盐(简称perfluorobutanesulfonate)、辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯、和硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚(7)中的任意一种或两种以上的混合。最优选为脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠(简称AES)、辛基酚聚氧乙烯醚(10)或异构十三碳醇聚氧乙烯醚(8)。
所说的“脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚(7)磺酸钠”,其中的“(7)”是其名称构成,而非附图标记,脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚(7)磺酸钠是脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚磺酸钠的一种,此为化学领域公知常识。但是为了方便读者理解,本例再对这个名称解释如下:
脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚(FMEE),亦叫乙氧基化脂肪酸甲酯,或叫脂肪酸甲酯乙氧基化物,其化学结构式:CmH2m+1CO(OCH2CH2)nOCH3,其中m可以是15或者是17;n可以是3、4、5、6、7、8、9、10、……,大家应该知道,有机化合物一般都不是纯物质,从理论上讲,脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚应该表示的是一类产品,但其中化学结构中m主要为17、n平均值为7的这个结构物质是目前唯一的工业化生产的品种,结构为C17H35CO(OCH2CH2)7OCH3,产品主要是喜赫石油公司生产,这样的话,这个产品比较准确且没有歧义的中文名称,应该叫硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚(7),当然简单的叫硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚,或者脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚,更或者叫乙氧基化脂肪酸甲酯都没什么问题,在工业化产品中,大家自然想到的就是n平均值为7的这种产品物质。
所说的“辛基酚聚氧乙烯醚(10)或异构十三碳聚氧乙烯醚(8)”中的“(10)”和“(8)”也是物质中文名称的构成部分,而非附图标记。辛基酚聚氧乙烯醚(10)为辛基酚聚氧乙烯醚的一种,十三碳聚氧乙烯醚(8)为十三碳聚氧乙烯醚的一种,此为化学领域公知常识。但是为了方便读者理解,本例再对这个名称解释如下:
辛基酚聚氧乙烯醚,结构式为:C8H17-C6H4-O(CH2CH2O)nH,其中-C6H4-表示是苯环结构,包含一系列产品,n可以为:4、6、8、10、13、15、21、30、40等,其中n=10时,结构式为:C8H17-C6H4-O(CH2CH2O)10H,就是辛基酚聚氧乙烯醚(10),也可以用OP-10表示。
异构十三碳醇聚氧乙烯醚(8)为异构十三碳醇聚氧乙烯醚中的一种,异构十三碳聚氧乙烯醚也是表示的一类物质,其结构式为:C13H27O(CH2CH2O)nH,其中C13H27为异构链,n=3、5、6、6.5、7、8、10、12、15、20等。n=8时,为异构十三碳醇聚氧乙烯醚(8)。
所述消泡剂选自有机硅油类、矿物油类和聚醚类中的任意一种或两种以上的混合物,优选为有机硅油。
优选实施例一:
先将1质量份的乙二胺四乙酸二钠、1.5质量份的氢氧化钠和1质量份的三乙醇胺溶解于47质量份的去离子水中,待所述乙二胺四乙酸二钠、氢氧化钠和三乙醇胺充分溶解后,再将0.5质量份的辛基酚聚氧乙烯醚(10)和0.1质量份的消泡剂也溶解于所述去离子水中,待所述表面活性剂和消泡剂也充分溶解后,将得到的混合溶液缓慢滴加到不断搅拌的50质量份的硅溶胶乳液中,从而制得本发明的抛光液。
所述硅溶胶乳液中二氧化硅的粒径为15nm,二氧化硅的质量浓度为40%。
优选实施例二:
先将1质量份的乙二胺四乙酸四钠、0.5质量份的氢氧化钠和1质量份的三乙醇胺溶解于47.5质量份的去离子水中,待所述乙二胺四乙酸二钠、氢氧化钠和三乙醇胺充分溶解后,再将0.5质量份的辛基酚聚氧乙烯醚(10)和0.1质量份的消泡剂也溶解于所述去离子水中,待所述表面活性剂和消泡剂也充分溶解后,将得到的混合溶液缓慢滴加到不断搅拌的50质量份的硅溶胶乳液中,从而制得本发明的抛光液。
所述硅溶胶乳液中二氧化硅的粒径为15nm,二氧化硅的质量浓度为40%。
使用上述优选实施例一和优选实施例二制得的抛光液进行化学机械抛光而制得的镓衬底基片,使用激光显微镜扫描检测分析在10微米X10微米的平面区域内粗糙度Ra数值为1nm,平整性较好。
同一片氧化镓晶体在CMP工艺前后的检测结果,使用基恩士激光显微镜扫描检测面积为50微米×50微米的区域,通过在晶体背面做标记的方式在晶片背面定位以保证前后两次检测位置接近一致。
本品抛光液为碱性,抛光后清洗方便,对设备无腐蚀性。
图1主要表述化学机械抛光前氧化镓晶体表面的初始形貌和质量,图2主要表述化学机械抛光后氧化镓晶体表面的形貌和质量。比较图1和图2发现,抛光后氧化镓晶体的表面质量获得极大的提高。图4和图1对比,显示晶体表面镜面亮度大大提升,表面杂质数量大大降低。图5和图2对比,显示晶体表面形貌的高低起伏程度大大降低,高低峰值由140nm降到了35nm。图6和图3对比,显示粗糙度Ra的数值由初始的8nm降到了2nm。
当然,上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让人们能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明主要技术方案的精神实质所做的等效变换或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液,其特征在于它由以下质量份的原料制成:
2.根据权利要求1所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液,其特征在于:
所述硅溶胶乳液中二氧化硅的粒径为15nm,二氧化硅的质量浓度为40%;
所述络合剂选自葡萄糖酸钠、乳酸钠、庚糖酸钠、海藻酸钠、柠檬酸钠、乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠、六偏磷酸钠、焦磷酸钠、三聚磷酸钠、二乙烯三胺五羧酸盐、氨三乙酸钠、乙二胺四甲叉磷酸钠和二乙烯三胺五甲叉磷酸盐中的任意一种或两种以上混合物;
所述pH值调节剂选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺和1,3-丙二胺中的任意一种或两种以上混合物;
所述pH稳定剂选自甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺和1,3-丙二胺中的任意一种或两种以上的混合物;
所述的表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵、脂肪醇聚氧乙烯醚磺基琥珀酸单酯二钠、脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚(7)磺酸钠、二辛基磺基琥珀酸二钠、二-2-乙基己基磺基琥珀酸钠、月桂基硫酸钠、月桂基硫酸钾、十二烷基苯硫酸盐、α-烯烃磺酸盐、木质素磺酸盐、全氟辛烷磺酸盐、全氟丁烷磺酸盐、辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯、和硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚(7)中的任意一种或两种以上的混合物;
所述消泡剂选自有机硅油类、矿物油类和聚醚类中的任意一种或两种以上的混合物。
3.根据权利要求2所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液,其特征在于:所述络合剂为乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠,所述pH值调节剂为氢氧化钠,所述pH稳定剂为三乙醇胺,所述表面活性剂为辛基酚聚氧乙烯醚(10),所述消泡剂为有机硅油。
4.根据权利要求3所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液,其特征在于它由以下质量份的原料制成:
5.根据权利要求3所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液,其特征在于它由以下质量份的原料制成:
6.一种如权利要求1所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液的制备方法,其特征在于:
先把1质量份的络合剂、0.5~1.5质量份的pH值调节剂和1质量份的pH稳定剂溶解于47~47.5质量份的去离子水中,待所述络合剂、pH值调节剂和pH稳定剂充分溶解后,再将0.5质量份的表面活性剂和0.1质量份的消泡剂也溶解于所述去离子水中,待所述表面活性剂和消泡剂也充分溶解后,将得到的混合溶液缓慢滴加到不断搅拌的50质量份的硅溶胶乳液中。
7.根据权利要求6所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液的制备方法,其特征在于:
所述硅溶胶乳液中二氧化硅的粒径为15nm,二氧化硅的质量浓度为40%;
所述络合剂选自葡萄糖酸钠、乳酸钠、庚糖酸钠、海藻酸钠、柠檬酸钠、乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠、六偏磷酸钠、焦磷酸钠、三聚磷酸钠、二乙烯三胺五羧酸盐、氨三乙酸钠、乙二胺四甲叉磷酸钠和二乙烯三胺五甲叉磷酸盐中的任意一种或两种以上的混合物;
所述pH值调节剂选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺和1,3-丙二胺中的任意一种或两种以上的混合物;
所述pH稳定剂选自甲胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、丁胺、1-乙基丁胺、1,3-二氨基丙烷、二正丙胺、二正丁胺、4,4'-二氨基二苯胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、三丁胺、乙二胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、甲基二乙醇胺、二乙烯三胺、羟胺、烷基二乙醇胺、环己胺、吗啉、苯基吗啉、二-(2-乙基己基)胺、二正丁胺、一戊胺、二戊胺、二辛胺、一乙醇胺水杨酸盐、二-β-萘基-对苯二胺、苄胺和1,3-丙二胺中的任意一种或两种以上的混合物;
所述的表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵、脂肪醇聚氧乙烯醚磺基琥珀酸单酯二钠、脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚(7)磺酸钠、二辛基磺基琥珀酸二钠、二-2-乙基己基磺基琥珀酸钠、月桂基硫酸钠、月桂基硫酸钾、十二烷基苯硫酸盐、α-烯烃磺酸盐、木质素磺酸盐、全氟辛烷磺酸盐、全氟丁烷磺酸盐、辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯、和硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚(7)中的任意一种或两种以上的混合物;
所述消泡剂选自有机硅油类、矿物油类和聚醚类中的任意一种或两种以上的混合物。
8.根据权利要求7所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液的制备方法,其特征在于:所述络合剂为乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠,所述pH值调节剂为氢氧化钠,所述pH稳定剂为三乙醇胺,所述表面活性剂为辛基酚聚氧乙烯醚(10),所述消泡剂为有机硅油。
9.根据权利要求8所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液的制备方法,其特征在于它由以下质量份的原料制成:
10.根据权利要求8所述的适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液的制备方法,其特征在于它由以下质量份的原料制成:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510335344.2A CN105038606B (zh) | 2015-06-16 | 2015-06-16 | 适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510335344.2A CN105038606B (zh) | 2015-06-16 | 2015-06-16 | 适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105038606A true CN105038606A (zh) | 2015-11-11 |
CN105038606B CN105038606B (zh) | 2017-06-09 |
Family
ID=54445591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510335344.2A Active CN105038606B (zh) | 2015-06-16 | 2015-06-16 | 适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105038606B (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105463466A (zh) * | 2015-11-22 | 2016-04-06 | 全椒县志宏机电设备设计有限公司 | 一种用于不锈钢材质的机械设备的抛光液及其制备方法 |
CN106272035A (zh) * | 2016-08-10 | 2017-01-04 | 盐城工学院 | 一种氧化镓单晶用的研磨垫及其制备方法 |
CN111647357A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-09-11 | 江苏可润光电科技有限公司 | 一种多用途抛光液主液 |
CN114231182A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-03-25 | 盐城工学院 | 一种易解理氧化镓晶片化学机械抛光工艺、抛光液及其制备方法 |
CN115595584A (zh) * | 2021-07-07 | 2023-01-13 | 浙江伟星实业发展股份有限公司(Cn) | 一种用于拉链抛光的亮光水、金属本色亮光拉链及其制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1858131A (zh) * | 2006-05-31 | 2006-11-08 | 河北工业大学 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液 |
CN1865374A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-22 | 河北工业大学 | 用于磷酸氧钛钾晶体的化学机械抛光液 |
CN101081966A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法 |
CN101081965A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法 |
CN101235255A (zh) * | 2008-03-07 | 2008-08-06 | 大连理工大学 | 一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液 |
JP2009091212A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nippon Light Metal Co Ltd | 酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
CN102888193A (zh) * | 2012-06-25 | 2013-01-23 | 上海应用技术学院 | 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法 |
CN103087637A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | 盟智科技股份有限公司 | 研浆组成物及其用途 |
CN103849319A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 江苏天恒纳米科技有限公司 | 一种高纯硅衬底抛光液 |
-
2015
- 2015-06-16 CN CN201510335344.2A patent/CN105038606B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1858131A (zh) * | 2006-05-31 | 2006-11-08 | 河北工业大学 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液 |
CN101081966A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法 |
CN101081965A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法 |
CN1865374A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-22 | 河北工业大学 | 用于磷酸氧钛钾晶体的化学机械抛光液 |
JP2009091212A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nippon Light Metal Co Ltd | 酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
CN101235255A (zh) * | 2008-03-07 | 2008-08-06 | 大连理工大学 | 一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液 |
CN103087637A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | 盟智科技股份有限公司 | 研浆组成物及其用途 |
CN102888193A (zh) * | 2012-06-25 | 2013-01-23 | 上海应用技术学院 | 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法 |
CN103849319A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 江苏天恒纳米科技有限公司 | 一种高纯硅衬底抛光液 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
高翔等: "氧化镓衬底基片化学机械抛光的研究", 《机械设计与制造》 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105463466A (zh) * | 2015-11-22 | 2016-04-06 | 全椒县志宏机电设备设计有限公司 | 一种用于不锈钢材质的机械设备的抛光液及其制备方法 |
CN106272035A (zh) * | 2016-08-10 | 2017-01-04 | 盐城工学院 | 一种氧化镓单晶用的研磨垫及其制备方法 |
CN106272035B (zh) * | 2016-08-10 | 2020-06-16 | 盐城工学院 | 一种氧化镓单晶用的研磨垫及其制备方法 |
CN111647357A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-09-11 | 江苏可润光电科技有限公司 | 一种多用途抛光液主液 |
CN115595584A (zh) * | 2021-07-07 | 2023-01-13 | 浙江伟星实业发展股份有限公司(Cn) | 一种用于拉链抛光的亮光水、金属本色亮光拉链及其制备方法 |
CN114231182A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-03-25 | 盐城工学院 | 一种易解理氧化镓晶片化学机械抛光工艺、抛光液及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105038606B (zh) | 2017-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105038606A (zh) | 适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 | |
CN103590044B (zh) | 一种金属抛光剂 | |
CN102796460B (zh) | 一种二氧化硅基cmp抛光液及其制备方法 | |
US7883557B2 (en) | Slurry for chemical-mechanical planarization of sapphire and method for manufacturing the same | |
CN102304444A (zh) | 环保型太阳能级硅片水基清洗剂 | |
CN102796625B (zh) | 一种光学玻璃镀膜前的水基清洗剂 | |
CN101912855B (zh) | 蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法 | |
CN111979033B (zh) | 一种用于蓝宝石切割的金刚线切割液 | |
CN101864247B (zh) | 硬脆材料化学机械抛光用无磨料抛光液 | |
KR101847266B1 (ko) | 연마 조성물, 및 그 연마 조성물을 사용한 연마 방법 | |
CN103343060A (zh) | 一种蓝宝石衬底晶片清洗液、制备方法、用途和清洗方法 | |
CN105419972A (zh) | 一种高洁净度抗腐蚀水基光学玻璃清洗剂及其使用方法 | |
CN111423819A (zh) | 抛光液及其制备方法 | |
CN105039006A (zh) | 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法 | |
CN106398807B (zh) | 一种用于切割硅晶片的金刚线切割液 | |
CN104109480A (zh) | 双面抛光机用蓝宝石衬底抛光液 | |
CN113980581B (zh) | 一种基于蓝宝石研磨的环境友好型悬浮剂、其制备方法及用途 | |
CN109439425A (zh) | 一种金刚线冷却切割液及其制备方法 | |
CN104513626A (zh) | 一种硅化学机械抛光液 | |
CN115044299A (zh) | 一种水溶性高比重大尺寸磨料悬浮助剂、制备方法、用途及包含其的研磨液 | |
CN106349945B (zh) | 一种抛光组合物 | |
CN115160934A (zh) | 超亲水性大尺寸硅精抛液及其制备和使用方法 | |
CN1618936A (zh) | 半导体材料的线切割液 | |
CN111909772A (zh) | 一种用于蓝宝石切割的金刚线切割液的制备方法 | |
CN112980558A (zh) | 一种蓝宝石切割液及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191212 Address after: 215500 No.26, Shengyu Avenue, Changshu new material industrial park, Jiangsu Province Patentee after: Changshu Naisu Biological Material Technology Co., Ltd. Address before: 224051 Yancheng City hope road, Jiangsu, No. 1 Patentee before: Yangcheng Institute of Technology |