CN105009430A - Dc-dc高压转换器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种DC-DC电压转换器，其特征为，该DC-DC电压转换器包括主开关(K)，主开关由串联的常导通开关元件(J1)和配备有控制电路(G2)的常断开OFF开关元件(M1)形成，负载(Z1)与主开关(K)串联，主开关和负载(Z1)被用于连接到DC电压源(E)的端子上。能够被用于控制(K)的电压源(Vp)通过将主峰值检测器电路(DC)连接到(K)的被称为(A)的中点来获得。常断开OFF开关元件(M1)的控制电路(G2)能够以保持整个设备自供电的DC电压(Vp)来供电。本发明尤其应用在航空领域。

Description

DC-DC高压转换器
技术领域
本发明涉及一种DC-DC电压转换器，该DC-DC电压转换器提供有DC电压源，该DC电压源的电压具有大的动态范围。
背景技术
尤其是在航空应用中，DC电压源为HVDC总线，并且在稳态下其电压能够采用例如在650V和750V之间的值。但是，在大约几伏至大约数十伏的低电压下完成启动。安全规定约束使用DC电压的设备在上电、掉电甚至是在瞬态电压时段中没有功能异常。
连接到电压源上的用户设备能够是反相器。对于高电压并且对于在大约200摄氏度的高温下的工作，在该反相器中将碳化硅开关部件用作JFET晶体管，JFET晶体管为常导通部件，即在没有偏置电压的情况下为传导的。
非常普遍地，反相器的JFET开关被连接到启动电路上，该启动电路被串联在供电电压以及JFET开关的栅极之间，这正如专利申请FR 2 937 811中所述的那样。启动电路具有两级并且包括线性降压调节器和电压反相器，该连接被用于在失去开关的控制电压时保护常导通的JFET开关。
该技术方案的一个缺陷是，降压调节器处的功率耗散能够导致热问题。这对于高温很关键。
在另一单级启动电路中，其包括使用与电阻器串联的齐纳(Zener)二极管将DC电压变换为另一负DC电压的转换器，当电阻器具有极高的电阻值时，功率耗散则更低。例如，对于750V的总线电压以及在200摄氏度下齐纳二极管的50mW的耗散功率，串联电阻为76kΩ。
对于在相对于额定值有所减小的总线电压、例如在大约100伏下的工作，高电阻无法使得齐纳二极管再被偏置。在此情况下，最小的启动电压高于使用降压调节器和电压反相器获得的电压。
此外，启动电路的响应时间增加，这是因为串联电阻器以及无法避免的去耦电容器形成的时间常数较大，大约为数十毫秒。实际上期望该响应时间非常低，例如低于大约100微秒。
发明内容
本发明的目的是提供一种DC-DC电压转换器，该DC-DC电压转换器能够被用于控制JFET晶体管、尤其是反相器中的JFET晶体管，该DC-DC电压转换器没有上述的限制和困难。
本发明的一个目的是提供一种DC-DC电压转换器，该DC-DC电压转换器由具有极大的动态电压范围的电压源供电。极大的动态电压范围意味着施加到DC-DC电压转换器的输入端以输送想要的输出电压的最小电压与在不恶化的情况下能够承受的最大输入电压之间的比率大于2，例如为100。
而且，DC-DC电压转换器并不耗散过多的热量，这避免了上述的热量问题。
本发明的另一目的是提供一种DC-DC电压转换器，例如在通电瞬间、启动等过程中，该DC-DC电压转换器能够从可能在几伏和几百伏甚至一千或几千伏之间变化的DC电压向用户电路输送输出电压。
本发明的另一目的是提供一种DC-DC电压转换器，该DC-DC电压转换器能够在至少大约200摄氏度的高温下工作。
本发明的又一目的是提供一种DC-DC电压转换器，该DC-DC电压转换器使得常导通开关半导体部件、尤其是在被直接连接到电压源或重分配总线上的功率反相器中的常导通开关半导体部件能够得到保护。
为了实现该目的，本发明包括使用主开关和主峰值检测器电路，主开关由常导通ON开关元件和常断开OFF开关元件串联形成。
更确切地说，本发明涉及一种DC-DC电压转换器，该DC-DC电压转换器包括：主开关，所述主开关由常导通ON开关元件和配备有控制电路的常断开OFF开关元件串联形成；第一节点，其为两个开关元件的公共节点；负载，其与主开关串联，主开关和负载被用于连接到DC电压源的端子上；主峰值检测器电路，所述主峰值检测器电路的输入端连接到主开关上，并且所述主峰值检测器电路的输出端连接到常断开OFF开关元件的控制电路上。
主峰值检测器电路有利地包括串联的电流单向开关和电能储备池，电流单向开关被连接在第一节点和电能储备池之间。电流单向开关在闭合时被用于向电能储备池充电，当电流单向开关断开时，电能储备池输送主有效电压。主有效电压在位于电能储备池和电流单向开关之间的第二节点处取得。该第二节点被连接到常断开OFF开关元件的控制电路上。
电流单向开关能够是二极管或晶体管或数个串联或并联设置的晶体管。电流单向开关被连接到第一公共节点上，第一公共节点在形成主开关的常导通ON开关元件和常断开OFF开关元件之间。
电能储备池能够是电容器、电池或者超级电容器。
常导通ON开关元件被用于经由负载连接到电压源的端子之一上，常断开OFF开关元件被用于连接到电压源的另一端子上，两个开关元件具有公共节点。
在一个实施例中，主峰值检测器电路能够与常断开OFF开关元件并联连接。
常导通ON开关元件能够是诸如碳化硅JFET之类的增强型晶体管、受控作为常导通ON开关的常断开OFF晶体管、具有由辅助电压驱动的抑制输入(例如，输出电压或常断开OFF开关元件的端子处的电压)的限流器。
常断开OFF开关元件能够是MOSFET、IGBT、双极型晶体管，例如碳化硅的或者具有或不具有半导体的任何其他开关类型双极型晶体管。
负载能够是阻性的或者感性的。
主有效电压能够是DC-DC电压转换器的输出电压。
在使得输出电压能够与要获得的DC电压源电流隔离的一个实施例中，负载为具有初级绕组和至少一个次级绕组的变压器。
在该实施例中，主峰值检测器电路还能够包括另一电流单向开关，另一电流单向开关一方面被连接到位于电能储备池和电流单向开关之间的节点上，并且另一方面被连接到变压器的次级绕组上。
变压器能够包括至少一个次级绕组，至少一个次级绕组的端子上连接有整流器电路，在整流器电路的端子处取得输出电压。
可以得到，常导通ON开关元件配备有控制电路，控制电路被连接到主峰值检测器电路的输出端上，或者被连接到主开关的连接到DC电压源上的一端上，或者甚至当负载为包括至少一个次级绕组的变压器，至少一个次级绕组的端子上连接有整流器电路并且整流器电路包括电能储备池时，被连接到次级绕组和整流器电路的电能储备池之间的节点上。
在另一实施例中，常导通ON开关元件能够具有被连接到主开关的第二端上的控制端子。
附图说明
通过阅读示例性实施例将更好地理解本发明，该示例性实施例仅以说明而非限定目的、并且参照附图给出，在附图中：
图1为本发明的DC-DC电压转换器对象的第一示例性实施例的示意图；
图2A至2E分别示出了从电压源启动开始，电压源的电压、常断开OFF开关元件的控制电压、常断开OFF开关元件的开关电压、常导通ON开关元件的开关电压以及常导通ON开关元件的控制电压随时间的演变；
图3示出了本发明的DC-DC电压转换器对象的另一示例性实施例；
图4示出了本发明的DC-DC电压转换器对象的另一示例性实施例；
图5示出了本发明的DC-DC电压转换器对象的又一示例性实施例。
DC电压转换器的不同实施例应当被理解为并不相互排斥。
具体实施方式
图1示出了本发明的第一示例性DC-DC电压转换器对象。该DC-DC电压转换器为降压转换器。
该转换器包括主开关K，主开关K具有用于连接到DC电压源E上的两个末端端子C和D，到第一端子C上的链接通过负载Z1来完成，DC电压源E的电流流过负载Z1。DC电压源E包括被连接到负载Z1上的正端子+以及被连接到主开关K的第二端子D上的负端子-。正端子被置于电压Vin并且负端子被置于参考电压Vref。
主开关K包括两个不同种类的串联的开关元件J1、M1。开关元件J1、M1在节点A处相互连接。
开关元件J1为常导通开关，而开关元件M1为常断开开关。常导通ON开关元件J1被用于经由负载Z1连接到电压源E的正端子上，常断开OFF开关元件M1被用于连接到电压源E的负端子上。
常断开开关元件M1具有控制常断开F开关元件的导通或断开状态的控制电路G2。常导通开关元件J1还能够拥有自身的控制电路G1。
常导通开关元件J1为高压开关。常断开开关元件M1能够为低压开关。
高压开关元件和低压开关元件指的是高压开关元件比低压开关元件承受更高的电压。
在DC电压源为HVDC总线的应用中，高压开关元件J1几乎承受HVDC总线的电压，而低压开关元件M1仅承受数十伏。
常导通开关元件J1能够由增强型晶体管制成，例如常规地具有漏极d、源极s和栅极g的碳化硅JFET。当栅极和源极之间的控制电压Vgs_J1大体上为零时，这样的晶体管在其漏极和其源极之间的开关电压Vds_J1大体上为零。这样的JFET型开关元件的优点是：开关非常快，与其他的电压控制功率电子开关相比在导通状态下生成很少的传导损耗，与这些电压控制功率电子开关相比具有更好的温度和电压耐受强度、以及更低的比电阻(specific resistance)。源极s经由负载Z1被连接到电源E的正端子上，漏极d被连接到常断开开关元件M1上，并且在此第一示例中，栅极g被连接到主开关K的第二端子D上。值得考虑的是，正如以下所看到的，常导通开关元件J1配备有自己的控制电路G1。
替代性地，常导通开关元件J1可以由受控常断开晶体管制成，以作为作为常导通ON开关工作。如图5中所示，常导通开关元件J1还可以由限流器制成。
常断开开关元件M1能够由例如硅或者绝缘体上硅SOI类型的MOSFET晶体管制成。按照惯例，常断开开关元件M1具有连接到常导通开关元件J1上的漏极d、连接到DC电压源E的负端子上的源极s以及连接到常断开开关元件M1的控制电路G2上的栅极g。替代性地，，常断开开关元件M1可以由双极性晶体管BJT(例如碳化硅BJT)、IGBT(如图3所示)或者具有或不具有半导体的任何其他恰当控制的开关类型制成。
DC-DC电压转换器进一步包括主峰值检测器电路DC，该主峰值检测器电路DC由串联的电流单向开关D1和电能储备池C1形成。
主峰值检测器电路DC与常断开开关元件M1并联连接。
主峰值检测器电路DC因此被连接到主开关K的第二端子D上并被连接到主开关K的两个开关J1、M1共用的公共节点A上。
电流单向开关D1被连接在节点A和电能储备池C1之间。电流单向开关D1能够由二极管或者由一个或数个晶体管制成，这些晶体管为多个时被串联或并联设置。在图3中，电流单向开关D1为一个JFET晶体管。JFET晶体管的漏极被连接到节点A上，栅极被连接到主开关K的第二端子D上，并且源极被连接到能量储备池C1上。替代性地，峰值检测器电路的电流单向开关D1可以由双极型晶体管BJT、MOSFET晶体管、或者串联或并联的数个MOSFET晶体管、或者任何其他类型的晶体管制成。
在图1的示例中，电能储备池C1被连接在电流单向开关D1和主开关K的第二端子D之间。电流单向开关D1和电能储备池C1之间的公共节点(称为B)被连接到常断开开关元件M1的控制电路G2的输入端上。在此示例中，DC-DC电压转换器的输出端在该公共节点B处形成。主峰值检测电路DC输送的DC电压被称为主有效电压Vp，该主有效电压被提供在公共节点B处。
电能储备池C1被用于，当电流单向开关D1闭合时储存电能并且当电流单向开关D1断开时以主有效电压Vp的形式提供该能量。电能储备池C1能够由电容器、电池或者超级电容器制成。
图2A至2E给出了在本发明的DC-DC电压转换器对象的各级处的波形的表现，该转换器与图1中的具有常导通开关元件J1、即JFET晶体管以及常断开开关元件M1、即MOSFET晶体管的转换器一致。
图2A表现了本发明的DC-DC电压转换器对象的输入电压Vin随时间的演变。输入电压Vin为DC电压源E输送的电压。在航空应用中，输入电压将是高压直流总线HVDC提供的电压。在电压源上电时，电压在启动阶段增大，直到电压在稳定状态中达到恒定值。
图2B表现了常断开开关元件M1的栅-源控制电压Vgs_M1随时间的表现。
图2C表现了常断开开关元件M1的漏极和源极之间切换的电压Vds_M1随时间的表现。
图2D表现了常导通开关元件J1的漏极和源极之间切换的电压Vds_J1随时间的表现。
图2E表现了常断开开关元件J1的栅-源控制电压Vgs_J1随时间的表现。
当在t0时刻启动电压源E之后，电压Vin线性增大，直到电压Vin在稳定状态中在t3时刻达到最大值。
常导通开关元件J1导通，其漏极和其源极之间切换的电压Vds_J1恒定且为零。
常断开开关元件M1断开，其漏极和其源极之间切换的电压Vds_M1以与电压Vin相同的方式增大，并且电流单向开关D1导通，这导致以电压Vds_M1填充电能储备池C1。由主峰值检测器电路输送的、向常断开开关元件M1的控制电路供电的主有效电压Vp增大。因为常导通开关元件J1的源极在节点A处被连接到常断开晶体管M1的漏极上，所以常导通开关元件J1的栅-源控制电压Vgs_J1负向增大，这导致在t0时刻之后的t1时刻关断常导通开关元件J1。该t1时刻先于电压源E切换到稳定状态的时刻t3。常导通ON开关元件J1的漏极和源极之间切换的电压Vds_J1开始以与电压Vin相同的方式增大，但是相对于电压源E的上电具有一延迟。
主有效电压Vp向控制电路G2施加例如大约几伏(例如2至4伏)的足够电压，由于控制电路G2在t1时刻之后t3时刻之前的t2时刻的介入，导致常断开开关元件M1切换到导通状态。
在t2时刻，常断开开关元件M1的漏极和源极之间切换的电压Vds_M1被消除，电流单向开关D1断开，并且常导通开关元件J1重新导通。主峰值检测器电路DC向常断开开关元件M1的控制电路G2提供保持常断开开关元件M1导通必需的主有效电压Vp。
电能储备池C1清空，但是并未完全清空，电能储备池C1的端子处的电压变化取决于所要提供给控制电路G2的负载。在t3时刻之后的t4时刻，常断开开关元件M1的栅-源控制电压Vgs_M1被消除，并且常断开开关元件M1重新断开。在相同时间，常导通开关元件J1被断开。常断开开关元件M1的漏-源开关电压Vds_M1开始重新增大。常导通开关元件J1的漏-源开关电压Vds_J1同样重新增大。
在t4时刻，电流单向开关D1闭合，并且电能储备池C1充电到漏-源开关电压Vds_M1。
常断开开关元件M1因此在t2和t4时刻之间导通，并且随后在t4和t5时刻之间断开。该循环现象在DC-DC电压转换器的每个切断(cutting)周期重复。
DC-DC电压转换器在电能储备池C1的端子处产生的主有效电压Vp等于常导通开关元件J1的夹断(pinch-off)电压。
负载Z1的端子处的电压的平均值等于电压Vin乘以转换器的占空因数α，也就是常断开OFF开关元件M1的通电时长与DC-DC电压转换器的切断周期T之间的比率。负载Z1的端子处的电压为从Vref至电压Vin在稳定状态中的值之间变化的方波电压。
本发明的DC-DC电压转换器对象因此以电压源E的大约为几伏的极低电压开始，然而，电压源E的电压的动态范围大约为数百伏甚至更大。
DC-DC电压转换器的启动电压对应于常断开开关元件M1的通电阈值并且对应于常断开OFF开关元件M1的控制电路G2的唤醒阈值。然而，本发明的一个重要方面是只要输入电压Vin不再为零就能够获得电能储备池C1的端子处的电压，也就是在通电后，DC总线电压E从零开始增大的时刻起，就能够获得电能储备池C1的端子处的电压。如果电流单向开关D1为没有阈值的整流器设备，该整流器设备例如具有如图3中所示常导通晶体管，则一旦电压E异于零，电能储备池C1就立即充电。
本发明的DC-DC电压转换器对象能够被用于例如向反相器的常导通电子部件的控制电路供电，但是这不是必需的。更普遍地，DC-DC电压转换器能够向控制电路、保护电路或者由DC供电网络供电的任何电路进行供电。
该转换器适于高温应用，这是因为转换器具有的两个开关元件J1、M1具有高温版本，同样电流单向开关D1以及电能储备池C1也是如此，电池储备池C1可以是陶瓷电容器NP0。
在图1中所示的示例中，负载Z1能够代表寄生元件。如图3中所示，负载Z1可以为电感器。表示出的DC-DC电压转换器则被称为升压转换器甚至是并联斩波器，而不再是降压转换器。在此情况下，负载Z1为连接到主开关K的第一端子C上的存储电感器。整流器电路DC'与主开关K并联连接。整流器电路DC'包括与电能储备池Cboost串联连接的电流单向开关Di。整流器电路DC'在电流单向开关Di侧连接到主开关K的第一端子C上，并且在电能储备池Cboost侧连接到主开关K的第二端子上。电流单向开关Di和电能储备池Cboost具有被称为B'的公共节点，并且在节点B'处可得到高于Vin的输出电压Vout。
电感器例如可以是切断功率变换器的漏电感器。如果常导通开关元件J1为JFET晶体管并且其栅极如图1中所示被置于参考电压Vref，那么该常导通开关元件J1将耗散存储在电感器Z1中的能量。常导通开关元件J1可能工作在雪崩状态下，这是因为具有电感器Z1和主开关K的支路被开关元件J1和M1形成开路。
然而，这并非是图3中所示的配置。常导通开关元件J1被连接到自己的控制电路G1上，并且控制电路G1被提供由主峰值检测器电路DC输送的主有效电压Vp。因此，常导通开关元件J1的栅-源控制电压高于其阈值电压。
当常导通开关元件J1导通并且常断开F开关元件M1断开时，电能储备池C1则将从电感器Z1存储的能量充电。
电流单向开关D1可以由至少一个MOSFET晶体管制成，该至少一个MOSFET晶体管例如用在同步整流中。常断开开关元件M1的控制电路G2则可以集成可变脉冲宽度信号发生器。如果想要将常导通ON开关元件J1断开，常导通开关元件J1的控制电路G1可以集成电压反相器。
图4示出了本发明的另一示例性DC-DC电压转换器对象。在此，负载Z1为变压器，并且变压器惯常包括初级绕组ep，初级绕组ep被连接在DC电压源E的正端子和节点C之间。变压器还包括至少一个次级绕组es1。主峰值检测器电路DC包括与电能储备池C1串联的电流单向开关元件D1，电流单向开关元件D1如图1和3中所示的两个在先示例进行连接。但是，主峰值检测器电路DC还包括另一电流单向开关Dj，该另一电流单向开关Dj一方面被连接到电能储备池C1和电流单向开关D1之间的节点B上，另一方面被连接到变压器Z1的次级绕组es1的第一端上。次级绕组es1的另一端被连接到主开关K的第二端子D上。该另一电流单向开关Dj可以与电流单向开关D1为相同类型。电流单向开关D1确保常断开OFF开关元件M1的控制电路G2的启动，电压Vin依然较低并且增大。随后，电流单向开关D1被关断，并且次级绕组es1、该另一电流单向开关Dj则确保向常断开OFF开关元件M1的控制电路G2的供电。
常导通开关元件J1的控制电路G1被连接到电压Vref上，也就是连接到主开关K的要连接到DC电压源E上的第二端子D上。
该连接通过使用切断系统使得效率增大，并且相比于之前的示例在更低的电压下启动。这允许转换器在极低的输入电压下启动。
如果开关元件J1为JFET晶体管，那么将无法工作在线性区域并且功率耗散将减小。
在图4的示例中，变压器Z1还包括另一次级绕组es2。整流器电路DC2被连接到该另一次级绕组es2的端子上。该整流器电路DC2输送输出DC电压Vout，该输出DC电压Vout与电压源E电流隔离。
整流器电路DC2能够与图1和3中所述的示例的主峰值检测器电路DC为相同类型。整流器电路DC2由串联的电流单向开关D2和电能储备池C2形成。可以提供其他另外的次级绕组以及数个其他的整流器电路以便利用与电压源E电流隔离的数个其他的输出DC电压。
为了简单起见，电势Vp和主有效电压Vp具有相同的名称，这意味着Vref为零。当然，Vref可以不为零，但是这并不对本领域的技术人员进行理解造成任何问题。
图4中表现的电路导致在更低的电压Vin下启动DC-DC电压转换器。
图5示出了本发明的DC-DC转换器对象的又一示例。在此图5中，负载仍然为具有两个次级元件es1、es2的变压器。两个次级元件es1、es2中每一个被连接到一个整流器电路DC1、DC2上。在此示例中，整流器电路DC1、DC2与图4中被称为DC2的整流器电路类似。整流器电路DC1的电流单向开关被称为D1'，并且电能储备池被称为C1'。
整流器电路DC1的电流单向开关D1'和电能储备池C1'之间的公共节点被称为E，公共节点E被连接到主开关K的常导通开关元件J1和常断开开关元件M1之间的公共节点A上。电能储备池C1'的端子之一被连接到节点E上，并且另一端子被连接到常导通开关元件J1的控制电路G1的输入端上。该另一端子被置于电势Vneg，电势Vneg相对于常导通开关元件J1和常断开开关元件M1之间的公共节点A处的电势为负。
在本示例中，主峰值检测器电路DC与图1和3中所示的主峰值检测器电路相似。主峰值检测器电路的输出端向常断开开关元件M1的控制电路G2供电。电压Vp相对于Vref为正。
而且，常导通开关元件J1是具有由Vneg驱动的抑制输入的限流器。
如图4中所示，整流器电路DC2输送输出DC电压Vout，输出DC电压Vout与电压源E电流隔离。该电压Vout能够向外部电路(未示出)供电，例如用于控制功率晶体管JFET的栅极的电路。
本发明的DC-DC电压转换器的主要优点是：对于电压源的极低电压，能够线性工作，以及对于高电压，能够通过切断进行工作。这导致功耗降低并因此热耗散减小。
DC-DC电压转换器的另一优点是：与上述专利申请中所述的启动电路相比，具有更少的高压无源部件。
当然，DC-DC电压转换器的实施例的这些示例中所表现的某些特点能够在不超出本发明的保护范围的情况下相互结合。

Claims (12)

1.一种DC-DC电压转换器，包括：
主开关(K)，所述主开关(K)由常导通开关元件(J1)和配备有控制电路(G2)的常断开开关元件(M1)串联形成，
第一节点(A)，其为两个开关元件(J1、M1)的公共节点，
负载(Z1)，其与所述主开关(K)串联，所述主开关和所述负载(Z1)被用于连接到DC电压源(E)的端子上，
主峰值检测器电路(DC)，所述主峰值检测器电路的输入端被连接到所述主开关上，并且所述主峰值检测器电路的输出端被连接到所述常断开开关元件(M1)的所述控制电路(G2)上，
其特征在于，
所述主峰值检测器电路(DC)包括串联的电流单向开关(D1)和电能储备池(C1)，所述电流单向开关被连接在所述第一节点(A)和所述电能储备池(C)之间，所述电流单向开关(D1)被用于在闭合时为所述电能储备池(C1)充电，当所述电流单向开关(D1)断开时，所述电能储备池(C1)输送主有效电压(Vp)，所述主有效电压(Vp)在位于所述电能储备池(C1)和所述电流单向开关(D1)之间的第二节点(B)处取得，所述第二节点被连接到所述常断开开关元件(M1)的所述控制电路(G2)上。
2.根据权利要求1所述的DC-DC电压转换器，其中，所述电流单向开关(D1)为二极管或晶体管或数个串联或并联设置的晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的DC-DC电压转换器，其中，所述电能储备池(C1)为电容器或电池或超级电容器。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的DC-DC电压转换器，其中，所述主峰值检测器电路(DC)与所述常断开开关元件(M1)并联连接。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的DC-DC电压转换器，其中，所述常导通开关元件(J1)为增强型晶体管或受控作为常导通ON晶体管工作的常断开OFF晶体管或限流器。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的DC-DC电压转换器，其中，所述常断开开关元件(M1)为MOSFET或IGBT或双极型晶体管。
7.根据权利要求1-7中任一项所述的DC-DC电压转换器，其中，所述负载(Z1)为阻性的或者感性的。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的DC-DC电压转换器，其中，所述负载(Z1)为变压器，所述变压器具有初级绕组(ep)和至少一个次级绕组(es1、es2)。
9.根据权利要求9与权利要求1的结合所述的DC-DC电压转换器，其中，所述主峰值检测器电路(DC)还包括另一电流单向开关(Dj)，所述另一电流单向开关一方面被连接到位于所述电能储备池(C1)和所述电流单向开关(D1)之间的所述节点(B)上，并且另一方面被连接到所述次级绕组(es1)上。
10.根据权利要求8或9所述的DC-DC电压转换器，其中，所述变压器包括至少一个次级绕组(es2)，所述至少一个次级绕组的端子上连接有整流器电路(DC2)。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的DC-DC电压转换器，其中，所述常导通开关元件(J1)配备有控制电路(G1)，所述常导通开关元件的所述控制电路被连接到所述主峰值检测器电路(DC)的输出端上，或者被连接到所述主开关(K)的连接到所述DC电压源(E)上的一端上，或者甚至当所述负载(Z1)为包括至少一个次级绕组(es1)的变压器，所述至少一个次级绕组的端子上连接有整流器电路(DC1)并且所述整流器电路(DC1)包括电能储备池(C1')时，所述常导通开关元件的所述控制电路被连接到位于所述次级绕组(es1)和所述整流器电路(DC1)的所述电能储备池之间的节点上。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的DC-DC电压转换器，其中，所述主开关(K)具有被连接到所述负载(Z1)上的第一端(C)和被连接到所述DC电压源(E)上的第二端(D)，所述常导通开关元件(J1)具有被连接到所述主开关(K)的所述第二端(D)上的控制端子。
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