CN104991417B - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。所述显示面板包括第一膜层和第二膜层，该方法包括:采用掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成第一膜层图形，采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成第二膜层图形，其中，在形成所述第一膜层图形和所述第二膜层图形时采用的光刻胶的感光性能不同，且所述第一膜层图形在所述第二膜层图形所在层的正投影与所述第二膜层图形不重叠。本发明解决了显示面板的制造过程较为复杂，且制造成本较高的问题，实现了简化显示面板的制造过程，降低制造成本的效果，用于显示装置。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。

背景技术

液晶显示器的显示面板包括彩膜基板、阵列基板，及位于彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。在制造彩膜基板和阵列基板的过程中，常常会用到掩膜版。

相关技术中，在彩膜基板上形成黑矩阵图形时，先将光刻胶涂覆在衬底基板上，接着利用光源照射掩膜版，透过掩膜版的透射光线使衬底基板上的光刻胶感光，再经过显影技术将感光的光刻胶溶解掉，将未感光的光刻胶固化，最后处理后的衬底基板经过刻蚀技术形成黑矩阵图形。在阵列基板上形成公共电极图形时，也可以采用同样的方法得到公共电极图形。

由于上述制造方法在彩膜基板或阵列基板上形成黑矩阵图形需要使用一个掩膜版，在阵列基板上形成公共电极图形也需要使用一个掩膜版，所以显示面板的整个制造过程需要使用两个掩膜版，同时，掩膜版的价格又较为昂贵，因此，显示面板的制造过程较为复杂，且制造成本较高。

发明内容

为了解决显示面板的制造过程较为复杂，且制造成本较高的问题，本发明提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括第一膜层和第二膜层，所述方法包括：

采用掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成第一膜层图形；

采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成第二膜层图形；

其中，在形成所述第一膜层图形和所述第二膜层图形时采用的光刻胶的感光性能不同，且所述第一膜层图形在所述第二膜层图形所在层的正投影与所述第二膜层图形不重叠。

可选的，所述显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括所述第一膜层和所述第二膜层，

所述采用掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成第一膜层图形，包括：

采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形；

所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成第二膜层图形，包括：

采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形。

可选的，所述显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括所述第一膜层，所述彩膜基板包括所述第二膜层，

所述采用掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成第一膜层图形，包括：

采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形；

所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成第二膜层图形，包括：

采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形。

可选的，所述采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形，包括：

在形成有栅绝缘层的第一衬底基板上形成第一膜层；

在形成有所述第一膜层的第一衬底基板上涂覆负性光刻胶；

采用所述掩膜版对涂覆有所述负性光刻胶的第一衬底基板进行曝光；

对曝光后的第一衬底基板进行显影、刻蚀得到所述公共电极图形；

剥离所述负性光刻胶。

可选的，所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形，包括：

在形成有过孔图形的第一衬底基板上形成第二膜层；

在形成有所述第二膜层的第一衬底基板上涂覆正性光刻胶；

采用所述掩膜版对涂覆有所述正性光刻胶的第一衬底基板进行曝光；

对曝光后的第一衬底基板进行显影、刻蚀得到所述黑矩阵图形；

剥离所述正性光刻胶。

可选的，所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形，包括：

在形成有彩色像素的第二衬底基板上形成第二膜层；

在形成有所述第二膜层的第二衬底基板上涂覆正性光刻胶；

采用所述掩膜版对涂覆有所述正性光刻胶的第二衬底基板进行曝光；

对曝光后的第二衬底基板进行显影、刻蚀得到所述黑矩阵图形；

剥离所述正性光刻胶。

可选的，在所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形之后，所述方法还包括：

在形成有所述黑矩阵图形的第一衬底基板上形成有源层图形；

在形成有所述有源层图形的第一衬底基板上形成像素电极图形和源漏极金属图形；

在所述第二衬底基板上形成彩色像素；

在形成有所述彩色像素的第二衬底基板上形成隔垫物；

在形成有所述隔垫物的第二衬底基板上形成树脂保护层。

可选的，在所述采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形之后，所述方法还包括：

在形成有所述公共电极图形的第一衬底基板上形成有源层图形；

在形成有所述有源层图形的第一衬底基板上形成像素电极图形和源漏极金属图形；

在所述第二衬底基板上形成彩色像素。

可选的，在所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形之后，所述方法还包括：

在形成有所述黑矩阵图形的第二衬底基板上形成隔垫物；

在形成有所述隔垫物的第二衬底基板上形成树脂保护层。

可选的，在所述采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形之前，所述方法还包括：

在第一衬底基板上形成栅线；

在形成有所述栅线的第一衬底基板上形成所述栅绝缘层。

可选的，在所述采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形之后，所述方法还包括：

在形成有所述公共电极图形的第一衬底基板上形成过孔图形。

可选的，所述第一膜层图形在所述第二膜层图形所在层的正投影与所述第一膜层图形互补。

第二方面，提供了一种显示面板，所述显示面板采用如第一方面任一所述的方法制成。

第三方面，提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。

本发明提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，能够采用同一掩膜版对不同层的第一膜层和第二膜层进行图案化，形成第一膜层图形和第二膜层图形，相较于相关技术，在保证正常的光电面板特性的基础上，减少了掩膜版的使用数量，简化了显示面板的制造过程，降低了制造成本。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；

图2-1是本发明实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程图；

图2-2是本发明实施例提供的在第一衬底基板上形成栅绝缘层的结构示意图；

图2-3是本发明实施例提供的一种形成公共电极图形方法的流程图；

图2-4是本发明实施例提供的一种形成第一膜层的结构示意图；

图2-5是本发明实施例提供的一种在第一衬底基板上涂覆负性光刻胶的结构示意图；

图2-6和图2-7是本发明实施例提供的对第一衬底基板进行曝光、显影及刻蚀的结构示意图；

图2-8是本发明实施例提供的剥离负性光刻胶后的第一衬底基板的结构示意图；

图2-9是本发明实施例提供的一种形成过孔图形的结构示意图；

图2-10是本发明实施例提供的一种形成黑矩阵图形方法的流程图；

图2-11至图2-15是图2-10对应的结构示意图；

图2-16和图2-17是本发明实施例提供的一种形成有源层图形、像素电极图形和源漏极金属图形的结构示意图；

图2-18是本发明实施例提供的在第二衬底基板上形成彩色像素、隔垫物和树脂保护层的结构示意图；

图3-1是本发明实施例提供的又一种显示面板的制造方法的流程图；

图3-2是本发明实施例提供的另一种形成有源层图形、像素电极图形和源漏极金属图形的结构示意图；

图3-3是本发明实施例提供的另一种形成黑矩阵图形方法的流程图；

图3-4至图3-8是图3-3对应的结构示意图；

图3-9是本发明实施例提供的另一种在第二衬底基板上形成隔垫物和树脂保护层的结构示意图；

图3-10是本发明实施例提供的使用掩膜版在阵列基板上形成公共电极图形的示意图；

图3-11是本发明实施例提供的使用同一掩膜版在彩膜基板上形成黑矩阵图形的示意图；

图3-12是本发明实施例提供的一种显示面板的像素结构的平面示意图；

图3-13是图3-12对应的光电特性模拟结果图。

通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法，该显示面板包括第一膜层和第二膜层，如图1所示，该方法包括：

步骤101、采用掩膜版对第一膜层进行图案化，形成第一膜层图形。

步骤102、采用所述掩膜版对第二膜层进行图案化，形成第二膜层图形。

其中，在形成第一膜层图形和第二膜层图形时采用的光刻胶的感光性能不同，且第一膜层图形在第二膜层图形所在层的正投影与第二膜层图形不重叠。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，能够采用同一掩膜版对不同层的第一膜层和第二膜层进行图案化，形成第一膜层图形和第二膜层图形，相较于相关技术，在保证正常的光电面板特性的基础上，减少了掩膜版的使用数量，简化了显示面板的制造过程，降低了制造成本。

需要说明的是，光刻胶按照感光性能的不同，可以分为正性光刻胶和负性光刻胶，其中，正性光刻胶感光的部分会溶解于显影液，负性光刻胶未感光的部分会溶解于显影液。可选的，在形成第一膜层图形时采用的光刻胶为负性光刻胶，在形成第二膜层图形时采用的光刻胶为正性光刻胶。

本发明实施例提供了另一种显示面板的制造方法，该显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括第一膜层和第二膜层，如图2-1所示，该方法包括：

步骤201、在第一衬底基板上形成栅线。

示例的，可以在第一衬底基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅线。

步骤202、在形成有栅线的第一衬底基板上形成栅绝缘层。

如图2-2所示，在形成有栅线1002的第一衬底基板1001上形成栅绝缘层1003。

步骤203、采用掩膜版对第一膜层进行图案化，形成公共电极图形。

具体的，如图2-3所示，步骤203可以包括：

步骤2031、在形成有栅绝缘层的第一衬底基板上形成第一膜层。

如图2-4所示，在形成有栅绝缘层1003的第一衬底基板1001上形成第一膜层1004。示例的，该第一膜层1004可以为氧化铟锡(英文：indium tin oxide；简称：ITO)金属层。

步骤2032、在形成有第一膜层的第一衬底基板上涂覆负性光刻胶。

如图2-5所示，在形成有第一膜层1004的第一衬底基板1001上涂覆负性光刻胶1005。

步骤2033、采用掩膜版对涂覆有负性光刻胶的第一衬底基板进行曝光。

如图2-6所示，采用掩膜版10的不透光区域11，对涂覆有负性光刻胶1005的第一衬底基板1001进行曝光。采用掩膜版对涂覆有负性光刻胶的第一衬底基板进行曝光的过程可以参考相关技术，在此不再赘述。

步骤2034、对曝光后的第一衬底基板进行显影、刻蚀得到公共电极图形。

如图2-7所示，对曝光后的第一衬底基板1001进行显影，未感光的负性光刻胶1005溶解于负性光刻胶的显影液。示例的，该显影液可以为丁酮、甲苯等。然后对显影后的第一衬底基板1001进行刻蚀，得到公共电极图形1006。

步骤2035、剥离负性光刻胶。

剥离负性光刻胶1005后的第一衬底基板1001的结构示意图如图2-8所示。

步骤204、在形成有公共电极图形的第一衬底基板上形成过孔图形。

如图2-9所示，在形成有公共电极图形1006的第一衬底基板1001上形成过孔图形1007。

步骤205、采用同一掩膜版对第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形。

本发明实施例中的公共电极图形在黑矩阵图形所在层的正投影与黑矩阵图形互补。

具体的，如图2-10所示，步骤205可以包括：

步骤2051、在形成有过孔图形的第一衬底基板上形成第二膜层。

如图2-11所示，在形成有过孔图形1007的第一衬底基板1001上形成第二膜层1008。具体的，在第一衬底基板上形成第二膜层的过程可以为：用刮胶板将环氧树脂材料均匀刮满整个形成有过孔图形的第一衬底基板；将涂有环氧树脂的第一衬底基板真空吸附放在旋涂机上，高速旋转形成一定厚度的黑矩阵膜层。为了增强后续形成的黑矩阵图形与阵列基板的粘附性，可以将环氧树脂中的溶剂挥发掉。

步骤2052、在形成有第二膜层的第一衬底基板上涂覆正性光刻胶。

如图2-12所示，在形成有第二膜层1008的第一衬底基板1001上涂覆正性光刻胶1009。

步骤2053、采用掩膜版对涂覆有正性光刻胶的第一衬底基板进行曝光。

如图2-13所示，采用掩膜版10的不透光区域11，对涂覆有正性光刻胶1009的第一衬底基板1001进行曝光。采用掩膜版对涂覆有正性光刻胶的第一衬底基板进行曝光的过程可以参考相关技术，在此不再赘述。

步骤2054、对曝光后的第一衬底基板进行显影、刻蚀得到黑矩阵图形。

如图2-14所示，对曝光后的第一衬底基板1001进行显影，感光的正性光刻胶1009溶解于正性光刻胶的显影液。示例的，该显影液可以为含水的碱性显影液，如氢氧化钾(KOH)，四甲基氢氧化胺(TMAH)等水溶液。然后对显影后的第一衬底基板1001进行刻蚀，得到黑矩阵图形1010。

步骤2055、剥离正性光刻胶。

剥离正性光刻胶1009后的第一衬底基板1001的结构示意图如图2-15所示。

步骤206、在形成有黑矩阵图形的第一衬底基板上形成有源层图形。

如图2-16所示，在形成有黑矩阵图形1010的第一衬底基板1001上形成有源层图形1011。在形成有源层图形之前，可以先在形成有黑矩阵图形的第一衬底基板上沉积半导体薄膜，然后通过构图工艺形成有源层图形。

步骤207、在形成有有源层图形的第一衬底基板上形成像素电极图形和源漏极金属图形。

在步骤206的基础上，沉积透明导电薄膜，然后通过构图工艺形成像素电极图形和源漏极金属图形。如图2-17所示，在形成有有源层图形1011的第一衬底基板1001上形成像素电极图形(图中未标识)和源漏极金属图形1012。

步骤208、在第二衬底基板上形成彩色像素。

步骤209、在形成有彩色像素的第二衬底基板上形成隔垫物。

步骤210、在形成有隔垫物的第二衬底基板上形成树脂保护层。

如图2-18所示，按照步骤208在第二衬底基板2001上形成彩色像素2002。彩色像素2002可以为红色像素(简称：R)、绿色像素(简称：G)或蓝色像素(简称：B)，实际应用中，彩色像素2002也可以为其他颜色像素，本发明对此不做限定。按照步骤209，在形成有彩色像素2002的第二衬底基板2001上形成隔垫物2003。按照步骤210，在形成有隔垫物2003的第二衬底基板2001上形成树脂保护层2004。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，能够在阵列基板上采用掩膜版形成公共电极图形，同时能够在阵列基板上采用同一掩膜版形成黑矩阵图形，相较于相关技术，在保证正常的光电面板特性的基础上，减少了掩膜版的使用数量，简化了显示面板的制造过程，降低了制造成本。

本发明实施例提供了又一种显示面板的制造方法，显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括第一膜层，彩膜基板包括第二膜层，如图3-1所示，该方法包括：

步骤301、在第一衬底基板上形成栅线。

步骤302、在形成有栅线的第一衬底基板上形成栅绝缘层。

步骤301和步骤302的制造过程可以参考步骤201和步骤202。

步骤303、采用掩膜版对第一膜层进行图案化，形成公共电极图形。

步骤303的具体步骤可以参考步骤203，在此不再赘述。

步骤304、在形成有公共电极图形的第一衬底基板上形成过孔图形。

步骤304的制造过程可以参考步骤204。

步骤305、在形成有公共电极图形的第一衬底基板上形成有源层图形。

步骤306、在形成有有源层图形的第一衬底基板上形成像素电极图形和源漏极金属图形。

如图3-2所示，按照步骤305，在形成有公共电极图形1006的第一衬底基板1001上形成有源层图形1011。如可以在形成有公共电极图形的第一衬底基板上沉积半导体薄膜，然后通过构图工艺形成有源层图形。按照步骤306，在形成有有源层图形1011的第一衬底基板1001上形成像素电极图形(图中未标识)和源漏极金属图形1012。如可以在步骤305的基础上，沉积透明导电薄膜，然后通过构图工艺形成像素电极图形和源漏极金属图形。图3-2中，1002为栅线，1003为栅绝缘层，1007为过孔图形。

步骤307、在第二衬底基板上形成彩色像素。

步骤307的制造过程可以参考步骤208。

步骤308、采用同一掩膜版对第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形。

本发明实施例中的公共电极图形在黑矩阵图形所在层的正投影与黑矩阵图形互补。

具体的，如图3-3所示，步骤308可以包括：

步骤3081、在形成有彩色像素的第二衬底基板上形成第二膜层。

如图3-4所示，在形成有彩色像素2002的第二衬底基板2001上形成第二膜层1008。具体的，在第二衬底基板上形成第二膜层的过程可以为：用刮胶板将环氧树脂材料均匀刮满整个形成有彩色像素的第二衬底基板；将涂有环氧树脂的第二衬底基板真空吸附放在旋涂机上，高速旋转形成一定厚度的黑矩阵膜层。为了增强后续形成的黑矩阵图形与彩膜基板的粘附性，可以将环氧树脂中的溶剂挥发掉。

步骤3082、在形成有第二膜层的第二衬底基板上涂覆正性光刻胶。

如图3-5所示，在形成有第二膜层1008的第二衬底基板2001上涂覆正性光刻胶1009。

步骤3083、采用掩膜版对涂覆有正性光刻胶的第二衬底基板进行曝光。

如图3-6所示，采用掩膜版10的不透光区域11，对涂覆有正性光刻胶1009的第二衬底基板2001进行曝光。

步骤3084、对曝光后的第二衬底基板进行显影、刻蚀得到黑矩阵图形。

如图3-7所示，对曝光后的第二衬底基板2001进行显影，感光的正性光刻胶1009溶解于正性光刻胶的显影液。然后对显影后的第二衬底基板2001进行刻蚀，得到黑矩阵图形1010。

步骤3085、剥离正性光刻胶。

剥离正性光刻胶1009后的第二衬底基板2001的结构示意图如图3-8所示。

步骤309、在形成有黑矩阵图形的第二衬底基板上形成隔垫物。

步骤310、在形成有隔垫物的第二衬底基板上形成树脂保护层。

如图3-9所示，按照步骤309，在形成有黑矩阵图形1010的第二衬底基板2001上形成隔垫物2003。按照步骤310，在形成有隔垫物2003的第二衬底基板2001上形成树脂保护层2004。

图3-10示出了使用掩膜版在阵列基板上形成公共电极图形的示意图，关于图3-10的说明可以参考步骤203，在此不再赘述。其中，1001表示第一衬底基板，1004表示第一膜层，1005表示负性光刻胶，10表示掩膜版，1006表示公共电极图形；图3-11示出了使用同一掩膜版在彩膜基板上形成黑矩阵图形的示意图，关于图3-11的说明可以参考步骤308，在此不再赘述。其中，2001表示第二衬底基板，1008表示第二膜层，即黑矩阵树脂层，1009表示正性光刻胶，10表示掩膜版，1010表示黑矩阵图形。

图3-12示出了本发明实施例提供的显示面板的像素结构的平面示意图，该像素结构包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B。需要说明的是，实际应用中，像素结构中红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的位置可以调整，图3-12只是示意性说明。图3-13示出了对图3-12所示的像素结构的光电特性模拟结果图，图中的横坐标表示驱动电压，驱动电压的单位为伏(V)，纵坐标表示光的透过率。光电特性指的是对白光、红光、绿光和蓝光在不同驱动电压下对应的透过率，曲线A表示白光在不同驱动电压下对应的透过率，曲线B表示绿光在不同驱动电压下对应的透过率，曲线C表示红光在不同驱动电压下对应的透过率，曲线D表示蓝光在不同驱动电压下对应的透过率，曲线A、曲线B、曲线C和曲线D均为平滑曲线。由图3-13可知，随着驱动电压的变化，该显示面板的像素结构可以得到亮态、暗态及中间灰阶态三个状态，因此，可以保证正常的光电面板显示特性。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，能够在阵列基板上采用掩膜版形成公共电极图形，同时能够在彩膜基板上采用同一掩膜版形成黑矩阵图形，相较于相关技术，在保证正常的光电面板特性的基础上，减少了掩膜版的使用数量，简化了显示面板的制造过程，降低了制造成本。

本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板采用上述实施例中的显示面板的制造方法制成。在制造该显示面板的过程中，能够采用同一掩膜版对不同层的第一膜层和第二膜层进行图案化，形成第一膜层图形和第二膜层图形，相较于相关技术，在保证正常的光电面板特性的基础上，减少了掩膜版的使用数量，简化了显示面板的制造过程，降低了制造成本。

需要说明的是，在形成第一膜层图形和第二膜层图形时采用的光刻胶的感光性能不同，且第一膜层图形在第二膜层图形所在层的正投影与第二膜层图形不重叠。可选的，第一膜层图形为公共电极图形，第二膜层图形为黑矩阵图形。

本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一显示面板。该显示装置可以为液晶面板、液晶电视、手机、平板电脑、导航仪等。本发明实施例采用了同一掩膜版在显示面板上形成第一膜层图形和第二膜层图形，可选的，第一膜层图形为公共电极图形，第二膜层图形为黑矩阵图形。如在制造该显示面板的过程中，采用同一掩膜版在阵列基板上形成公共电极图形和黑矩阵图形；或采用同一掩膜版在阵列基板上形成公共电极图形，在彩膜基板上形成黑矩阵图形，该显示面板在保证正常的光电面板特性的基础上，减少了掩膜版的使用数量，简化了显示面板的制造过程，降低了制造成本。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括第一膜层和第二膜层，其特征在于，所述方法包括：

采用掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形；

采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形；

其中，在形成所述公共电极图形时采用的光刻胶为负性光刻胶，采用的显影液为丁酮或甲苯，在形成所述黑矩阵图形时采用的光刻胶为正性光刻胶，采用的显影液为氢氧化钾或四甲基氢氧化胺，所述公共电极图形在所述黑矩阵图形所在层的正投影与所述黑矩阵图形不重叠。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括所述第一膜层和所述第二膜层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括所述第一膜层，所述彩膜基板包括所述第二膜层。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形，包括：

在形成有栅绝缘层的第一衬底基板上形成第一膜层；

在形成有所述第一膜层的第一衬底基板上涂覆负性光刻胶；

采用所述掩膜版对涂覆有所述负性光刻胶的第一衬底基板进行曝光；

对曝光后的第一衬底基板进行显影、刻蚀得到所述公共电极图形；

剥离所述负性光刻胶。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形，包括：

在形成有过孔图形的第一衬底基板上形成第二膜层；

在形成有所述第二膜层的第一衬底基板上涂覆正性光刻胶；

采用所述掩膜版对涂覆有所述正性光刻胶的第一衬底基板进行曝光；

对曝光后的第一衬底基板进行显影、刻蚀得到所述黑矩阵图形；

剥离所述正性光刻胶。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形，包括：

在形成有彩色像素的第二衬底基板上形成第二膜层；

在形成有所述第二膜层的第二衬底基板上涂覆正性光刻胶；

采用所述掩膜版对涂覆有所述正性光刻胶的第二衬底基板进行曝光；

对曝光后的第二衬底基板进行显影、刻蚀得到所述黑矩阵图形；

剥离所述正性光刻胶。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形之后，所述方法还包括：

在形成有所述黑矩阵图形的第一衬底基板上形成有源层图形；

在形成有所述有源层图形的第一衬底基板上形成像素电极图形和源漏极金属图形；

在第二衬底基板上形成彩色像素；

在形成有所述彩色像素的第二衬底基板上形成隔垫物；

在形成有所述隔垫物的第二衬底基板上形成树脂保护层。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形之后，所述方法还包括：

在形成有所述公共电极图形的第一衬底基板上形成有源层图形；

在形成有所述有源层图形的第一衬底基板上形成像素电极图形和源漏极金属图形；

在所述第二衬底基板上形成彩色像素。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述采用所述掩膜版对所述第二膜层进行图案化，形成黑矩阵图形之后，所述方法还包括：

在形成有所述黑矩阵图形的第二衬底基板上形成隔垫物；

在形成有所述隔垫物的第二衬底基板上形成树脂保护层。

10.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，在所述采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形之前，所述方法还包括：

在第一衬底基板上形成栅线；

在形成有所述栅线的第一衬底基板上形成栅绝缘层。

11.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，在所述采用所述掩膜版对所述第一膜层进行图案化，形成公共电极图形之后，所述方法还包括：

在形成有所述公共电极图形的第一衬底基板上形成过孔图形。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述公共电极图形在所述黑矩阵图形所在层的正投影与所述黑矩阵图形互补。

13.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用如权利要求1至12任一所述的方法制成。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的显示面板。