CN104977152A - 检测装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种检测装置，包括一均光元件、多个检测电极及一感光元件。均光元件具有一腔室，腔室具有一入光口及一出光口，入光口小于出光口。形成腔室的一内表面定义有一反射区及一散射区。内表面具有一中心轴及一最短曲线。最短曲线以中心轴为旋转轴旋转360度而形成内表面。最短曲线上的各点位置至一基准点的距离为r。最短曲线上的各点位置至基准点的连线与一基线的夹角为最短曲线与基线及基准点之间的关系符合 及的条件。检测电极设置于入光口，感光元件设置于出光口。

Description

检测装置

技术领域

本发明涉及一种检测装置，特别是一种检测待测光源特性的检测装置。

背景技术

在制造发光电子元件之后，通常需要对发光电子元件进行检测。若是有不符合标准的发光电子元件，则可通过此检测行为加以淘汰，以确保诸多发光电子元件中没有故障的元件，也可确保此些发光电子元件的发光表现能够达到预期的标准。

目前有业者利用积分球检测发光电子元件的光学特性。然而，在同时大量检测发光电子元件时，必须微型化积分球才能达成。而微型化的积分球容易造成检测时光学特性的误差。

发明内容

有鉴于以上的问题，本发明提出一种检测装置，用于在大量检测待测光源时，能够取得较小误差的光学特性。

本发明公开一种检测装置，用以测量一待测光源。检测装置包括一均光元件、多个检测电极及一感光元件。均光元件具有一腔室。腔室具有一入光口及一出光口，入光口小于出光口。形成腔室的一内表面定义有一反射区及一散射区。内表面具有一中心轴。内表面于入光口的一入光端缘具有一第一端点。内表面于出光口的一出光端缘具有一第二端点。内表面从第一端点延伸至第二端点具有一最短曲线。最短曲线以中心轴为旋转轴旋转360度而形成内表面。最短曲线具有一基线及位于基线一端的一基准点。最短曲线上的各点位置至基准点的距离为r。最短曲线上的各点位置至基准点的连线与基线的夹角为第一端点至基准点的连线与基线的夹角为第二端点至基准点的连线与基线的夹角为最短曲线与基线及基准点之间的关系符合φout≤φ≤φin、及的条件。其中最短曲线上的各点位置远离基准点及基线的程度为f。基线所在的一直线与中心轴的夹角为θr。基准点至中心轴的垂直距离为y0。基准点至入光口所在平面的垂直距离为z0。第一端点至中心轴的垂直距离为Rin。第二端点至中心轴的垂直距离为Rout。入光口至出光口的最短距离为L。arctan为反正切函数。检测电极设置于入光口，且用以供电至待测光源。感光元件设置于出光口。

根据本发明的检测装置，能够通过反射区的配置及内表面的形状，在检测装置的尺寸不致过大便能令待测光源的光线从入光口顺利引导至出光口，且通过散射区的配置令被引导致出光口的光线能够均匀分布。因此，即使利用多个检测装置同时检测大量的待测光源，感光元件也能够检测到均匀且强度充足的待测光源的光线，而能够取得较小误差的待测光源的光学特性。

以上的关于本发明内容的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的权利要求保护范围更进一步的解释。

附图说明

图1为依照本发明的实施例的检测装置检测由工作台承载的待测光源的立体示意图。

图2为图1的检测装置、待测光源及工作台的侧视剖面图。

图3为图2中沿III-III线剖面的俯视剖面图。

图4为图2的内表面的侧视示意图。

图5为依照本发明的另一实施例的均光元件的侧视剖面图。

图6为依照本发明的另一实施例的检测装置、待测光源及工作台的侧视剖面图。

图7为图6中沿VII-VII线剖面的俯视剖面图。

图8为图6的局部放大的侧视剖面图。

图9为依照本发明的另一实施例的检测装置、待测光源及工作台的侧视剖面图。

图10、图11、图12、图13及图14为依照本发明的另一实施例的均光元件的内表面的侧视剖面示意图。

具体实施方式

以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域中具通常知识者了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所公开的内容、权利要求保护范围及附图，任何本领域中具通常知识者可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。

请参照图1，其依照本发明实施例的检测装置10检测由工作台3承载的待测光源2的立体示意图。检测装置10用以测量待测光源2。多个检测装置10能够排列成阵列而形成一检测系统1，以利同时检测由工作台3承载的多个待测光源2。待测光源2能够为发光二极管(LED)等发光电子元件。

请参照图2及图3，图2是图3的检测装置10、待测光源2及工作台3的侧视剖面图，图3是图2中沿III-III线剖面的俯视剖面图。检测装置10包括一均光元件11、一第一检测电极121、一第二检测电极122及一感光元件13。均光元件11具有一腔室110。腔室110具有一入光口110a及一出光口110b。入光口110a小于出光口110b。形成腔室110的一内表面1100定义有一反射区1100a及一散射区1100b。第一检测电极121及第二检测电极122皆设置于入光口110a，且用以供电至由工作台3承载的待测光源2的二个电极2a、2b。第一检测电极121及第二检测电极122可通过金属拉线的方式制成。感光元件13设置于出光口110b。

于本实施例中，反射区1100a相邻于入光口110a，散射区1100b相邻于出光口110b。散射区1100b的面积占内表面1100的面积的比例为60％以上且小于100％。或者，散射区1100b投影至中心轴C的长度占内表面1100投影至中心轴C的长度的比例为60％以上且小于100％。此时，从出光口110b离开的光线的均匀度达60％以上。反射区1100a能够将足够的光线反射至散射区1100b及出光口110b，散射区1100b能将光线散射得较为均匀。因此，设置于出光口110b的感光元件13能够获得充足且均匀的光线，而使感光元件13所取样的数据较能准确反应待测光源2的情况。

请参照图2及图4，图4是图2的内表面1100的侧视示意图。内表面1100具有一中心轴C。内表面1100于入光口110a的位置具有一入光端缘1100c，入光端缘1100c具有一第一端点P1。内表面1100于出光口110b的位置具有一出光端缘1100d，出光端缘1100d具有一第二端点P2。内表面1100从第一端点P1延伸至第二端点P2具有一最短曲线B。最短曲线B以中心轴C为旋转轴旋转360度而形成内表面1100。最短曲线B具有一基线Lb及位于基线Lb一端的一基准点Pb。最短曲线B上的各点位置Pe至基准点Pb的距离为r。最短曲线B上的各点位置Pe至基准点Pb的连线与基线Lb的夹角为第一端点P1至基准点Pb的连线与基线Lb的夹角为第二端点P2至基准点Pb的连线与基线Lb的夹角为最短曲线B与基线Lb及基准点Pb之间的关系符合φout≤φ≤φin、及的条件。

其中，最短曲线B上的各点位置Pe远离基准点Pb及基线Lb的程度为f，程度f愈大表示愈远。基线Lb所在的一直线Lb’与中心轴C的夹角为θr。基准点Pb至中心轴C的垂直距离为y0。基准点Pb至入光端缘1100c所在平面Sin的垂直距离为z0。第一端点P1至中心轴C的垂直距离为Rin。第二端点P2至中心轴C的垂直距离为Rout。入光端缘1100c至出光端缘1100d的最短距离为L。

基准点Pb位于中心轴C时，距离y0为零。基准点Pb位于中心轴C及最短曲线B之间时，距离y0为正。中心轴C位于基准点Pb及最短曲线B之间时，距离y0为负。基准点Pb位于入光端缘1100c所在平面Sin时，距离z0为零。入光端缘1100c所在的平面Sin位于基准点Pb及出光端缘1100d所在的平面Sout之间时，距离z0为正。基准点Pb位于入光端缘1100c所在的平面Sin及出光端缘1100d所在的平面Sout之间时，距离z0为负。

基线Lb平行于中心轴C时，夹角θr为零。从入光端缘1100c朝向出光端缘1100d具有一方向D。基线Lb所在的直线Lb’与中心轴C具有一相交点Pc时，自相交点Pc沿方向D延伸的范围中，基线Lb所在的直线Lb’位于中心轴C及最短曲线B之间时夹角θr为正，中心轴C位于基线Lb所在的直线Lb’及最短曲线B之间时夹角θr为负。

当待测光源2的尺寸愈大时，第一端点P1与中心轴C的垂直距离Rin会选择愈大的尺寸。相反地，若是待测光源2的尺寸愈小时，第一端点P1与中心轴C的垂直距离Rin可以选择愈小的尺寸。

此外，第一端点P1与中心轴C的垂直距离Rin还能取决于所要收集光线的多寡，即进入均光元件11的光通量。如下方关系式，待测光源2的尺寸为Wy，待测光源2的光强度分布为I(θ)，待测光源2的表面至入光口110a之间的距离为H，于待测光源2从入光口110a进入均光元件11的光通量为Φ。

$\begin{array}{c}\mathrm{\Φ}=2\mathrm{\π}{\∫}_0^{{\tan }^{-1}((\mathrm{Rin}-(\mathrm{Wy}/2))/H)}I\left(\mathrm{\θ}\right)\sin \mathrm{\θd\θ}\\ +2{\∫}_{{\tan }^{-1}((\mathrm{Rin}-(\mathrm{Wy}/2))/H)}^{{\tan }^{-1}((\mathrm{Rin}+(\mathrm{Wy}/2))/H)}I\left(\mathrm{\θ}\right)\sin \mathrm{\θ}{\cos }^{-1}\left(\frac{{(\mathrm{Wy}/2)}^2+H^2{\tan }^2\mathrm{\θ}-{\mathrm{Rin}}^2}{2(\mathrm{Wy}/2)H\tan \mathrm{\θ}}\right)\mathrm{d\θ}\end{array}$ 。

当使用者欲收集指定光通量Φ的光线时，由于待测光源2的尺寸Wy、待测光源2的光强度分布I(θ)及待测光源2至入光口110a之间的距离H为已知，故可回推出第二端点P2与中心轴C的垂直距离Rin。

以下说明一示范例。

于本示范例中，距离z0为零，距离y0为-Rin，夹角θr为-最短曲线B于出光端缘1100d的切线可与中心轴C平行。距离Rout符合Rout＝Rin/sin(-θr)的条件。距离L符合L＝Rin(1+1/sin(-θr))/tan(-θr)的条件。

举例而言，当距离Rin为1.5mm，距离Rout为2.0mm，程度f为0.125，以及距离L为3.5mm时，以散射区1100b投影至中心轴C的长度占内表面1100投影至中心轴C的长度的各种不同的比例，模拟图2的感光元件13所接收的光线的均匀度、光效率及二者相乘的总表现。光效率指的是感光元件13的中央部位所收到的光强度。当均匀度愈高，则在感光元件13的任意位置取样，皆能获得准确的结果。当光效率愈高，表示所需要的感光元件13的感光灵敏度的需求不必过高。总表现愈高，表示愈能够兼顾取样准确性及感光元件13的感光灵敏度需求。模拟结果如下表一所述。

表一

由上可知，于最短曲线B上的各点位置Pe远离基准点Pb及基线Lb的程度f为0.125时，散射区1100b投影至中心轴C的长度占内表面1100投影至中心轴C的长度的比例为80％～100％，总表现有显著优良的现象。且于此比例为90％时，总表现高达4569.5。

另举例而言，当距离Rin为1.5mm，距离Rout为2.0mm，程度f为0.05，以及距离L为8.75mm时，以散射区1100b投影至中心轴C的长度占内表面1100投影至中心轴C的长度的各种不同的比例，模拟图2的感光元件13所接收的光线的均匀度、光效率及总表现。模拟结果如下表二所述。

表二

由上可知，于最短曲线B上的各点位置Pe远离基准点Pb及基线Lb的程度f为0.05时，散射区1100b投影至中心轴C的长度占内表面1100投影至中心轴C的长度的比例为70％～100％，总表现有显著优良的现象。且于此比例为70％时，总表现高达3416.2。

另举例而言，当距离Rin为1.5mm，距离Rout为2.0mm，程度f为0.025，以及距离L为14.0mm时，以散射区1100b投影至中心轴C的长度占内表面1100投影至中心轴C的长度的各种不同的比例，模拟图2的感光元件13所接收的光线的均匀度、光效率及总表现。模拟结果如下表三所述。

表三

由上可知，于最短曲线B上的各点位置Pe远离基准点Pb及基线Lb的程度f为0.05时，散射区1100b投影至中心轴C的长度占内表面1100投影至中心轴C的长度的比例为40％～100％，总表现有显著优良的现象。且于此比例为70％～80％时，总表现大于2325.76。且于此比例为70％时，总表现高达2794.56。

因此，当最短曲线B上的各点位置Pe远离基准点Pb及基线Lb的程度f愈大时，散射区1100b的范围可增大，以增进总表现。当最短曲线B上的各点位置Pe远离基准点Pb及基线Lb的程度f愈小时，散射区1100b的范围可缩小，便具有足够的总表现。

请参照图5，其依照本发明的另一实施例的均光元件21的侧视剖面图。于本实施例中，均光元件21的腔室210的内表面2100定义有多个反射区2100a及多个散射区2100b。此些反射区2100a及此些散射区2100b沿中心轴C的方向交错排列。此些反射区2100a中的其中一反射区2100a相邻于入光口210a，此些散射区2100b中的其中一散射区2100b相邻于出光口210b。此些散射区2100b的面积总合占内表面2100的面积的比例为60％以上且小于100％。此时，从出光口210b离开的光线的均匀度达60％以上。

请参照图6及图7，图6所示为依照本发明的另一实施例的检测装置30、待测光源2及工作台3的侧视剖面图，图6为图7中沿VII-VII线剖面的俯视剖面图。本实施例与图2所示的实施例有部分元件相似，此些相似元件以相似的元件符号标示，且于此将不多加赘述。于本实施例中，检测装置30包括多个第一检测电极321及多个第二检测电极322。检测装置30还包括一基板34，设置于均光元件31及第一检测电极321之间，且设置于均光元件31及第二检测电极322之间。基板34能够衔接均光元件31及第一检测电极321，也能够衔接均光元件31及第二检测电极322。在多个检测装置30排列成阵列时，多个检测装置30的基板34能够彼此共享而相连。

基板34、第一检测电极321及第二检测电极322皆以透明的材料制成。基板34可例如以薄的透明玻璃板制成。第一检测电极321及第二检测电极322可例如以透明的氧化铟锡(ITO)制成。此外，基板34、第一检测电极321及第二检测电极322沿中心轴C方向的最大厚度，能够小于图2的实施例中以金属拉线的方式制成的第一检测电极121及第二检测电极122的厚度，因此有利于检测装置30的微型化。透明的基板34、第一检测电极321及第二检测电极322能够通过较多的待测光源2的光线，而有利于检测装置30检测待测光源2。

如图7所示，此些第一检测电极321可同时与待测光源2的其中一电极2a电接触，此些第二检测电极322可同时与待测光源2的另一电极2b电接触。因此可降低此些第一检测电极321及此些第二检测电极322于测量时所产生的额外的阻抗值。

请参照图，为图6的局部放大的侧视剖面图。待测光源2沿垂直于中心轴C的方向的宽度为Wy。此些第一检测电极321及此些第二检测电极322沿中心轴C的方向的最大厚度为T1。基板34沿中心轴C的方向的厚度为T2。

于检测待测光源2所发出的光线时，通常会根据所欲收集的光通量的多寡，决定欲收集的光线的范围。此范围的边缘至中心轴C的角度令其为θ1。而待测光源2沿着角度θ1所发出的光线入射于基板34时的折射方向至中心轴C的角度为θ2。而且，符合2Rin＝Wy+2(T1tanθ1+T2tanθ2)的条件。如此能够在考虑基板34的折射影响下，完整收集所欲检测的光线的范围。当所要检测的光线范围较广时，则θ1会取得较大。当所要检测的光线范围较窄时，则θ1会取得较小。

以下说明一示范例。

于本示范例中，距离z0为零，距离y0为-Rin，夹角θr为-最短曲线B于出光端缘3100d的切线可与中心轴C平行。距离Rout符合Rout＝Rin/sin(-θr)的条件。距离L符合L＝Rin(1+1/sin(-θr))/tan(-θr)的条件。

举例而言，当距离Rin为1.5mm，距离Rout为2.0mm，程度f为0.05，距离L为8.75mm，以及待测光源2至入光口310a之间的距离H为0.3mm时，以散射区3100b投影至中心轴C的长度占内表面3100投影至中心轴C的长度的各种不同的比例，模拟图6的感光元件33所接收的光线的均匀度、光效率及总表现。模拟结果如下表四所述。

表四

由上可知，散射区3100b投影至中心轴C的长度占内表面3100投影至中心轴C的长度的比例为60％～100％，总表现有显著优良的现象。且于此比例为70％～80％时，总表现大于2570.4。且于此比例为70％时，总表现高达3118.85。

请参照图9，其为依照本发明的另一实施例的检测装置40、待测光源2及工作台3的侧视剖面图。本实施例与第6图所示的实施例有部分元件相似，此些相似元件以相似的元件符号标示，且于此将不多加赘述。于本实施例中，检测装置40还包括一基板44及一反射层45，设置于均光元件41及多个检测电极42之间。基板44具有一贯通孔44a。此贯通孔44a对应于入光口410a。反射层45设置于贯通孔44a的侧壁面。各检测电极42具有一连接端42a及一接触端42b。各连接端42a通过基板44与均光元件41相连。各接触端42b较各连接端42a接近于中心轴C。各接触端42b用以与待测光源2电性接触。举例而言，玻璃制的基板44沿中心轴C方向的厚度T4可小于0.3mm，塑料膜材制的基板44沿中心轴C方向的厚度T4可小于0.07mm。各接触端42b的厚度T32及各连接端42a的厚度T31，可达到微米或纳米等级，而可远小于基板44的厚度。各接触端42b的厚度T32可大于各连接端42a的厚度T31，于其他实施例中二者亦可相等。此外，于其他实施例中，基板44本身可为不透明的板材，于贯通孔44a内亦可镶嵌透明的板材。

以下说明一示范例。请参照图10、图11、图12、图13及图14，其为依照本发明的另一实施例的均光元件的内表面5100、6100、7100、8100、9100的侧视剖面示意图。

于本示范例中，距离z0为零，距离y0为零，夹角θr为零，距离Rin为1.5mm，距离Rout为2.0mm，程度f为0.05，以及距离L为8.75mm。

如图10的左图所示，内表面5100定义有五个反射区5100a及四个散射区5100b。此些反射区5100a及此些散射区5100b沿中心轴C的方向交错排列。各散射区5100b投影至中心轴C的长度实质上相同，各反射区5100a投影至中心轴C的长度实质上相同。散射区5100b的其中之一及其中另一分别相邻于入光端缘5100c及出光端缘5100d。当散射区5100b投影至中心轴C的长度总合占内表面5100投影至中心轴C的长度的比例为70％时。感光元件所收到的光强度分布如图10中的右图所示。

如图11的左图所示，内表面6100定义有二个反射区6100a及二个散射区6100b。此些反射区6100a及此些散射区6100b沿中心轴C的方向交错排列。散射区6100b的其中之一相邻于出光端缘6100d。反射区6100a的其中之一相邻于入光端缘6100c。从入光端缘6100c至出光端缘6100d，散射区6100b投影至中心轴C的长度分别为6.65mm及0.525mm，反射区6100a投影至中心轴C的长度分别为0.7875mm及0.7875mm。散射区6100b投影至中心轴C的长度总合占内表面6100投影至中心轴C的长度的比例为82％。感光元件所收到的光强度分布如图11中的右图所示。

如图12的左图所示，内表面7100定义有三个反射区7100a及三个散射区7100b。此些反射区7100a及此些散射区7100b沿中心轴C的方向交错排列。散射区7100b的其中之一相邻于出光端缘7100d。反射区7100a的其中之一相邻于入光端缘7100c。从入光端缘7100c至出光端缘7100d，散射区7100b投影至中心轴C的长度分别为6.125mm、0.525mm及0.525mm，反射区7100a投影至中心轴C的长度分别为0.2625mm、0.525mm及0.7875mm。散射区7100b投影至中心轴C的长度总合占内表面7100投影至中心轴C的长度的比例为82％。感光元件所收到的光强度分布如图12中的右图所示。

如图13的左图所示，内表面8100定义有三个反射区8100a及三个散射区8100b。此些反射区8100a及此些散射区8100b沿中心轴C的方向交错排列。反射区8100a的其中之一相邻于出光端缘8100d。散射区8100b的其中之一相邻于入光端缘8100c。从入光端缘8100c至出光端缘8100d，反射区8100a投影至中心轴C的长度分别为6.125mm、0.525mm及0.525mm，散射区8100b投影至中心轴C的长度分别为0.2625mm、0.525mm及0.7875mm。反射区8100a投影至中心轴C的长度总合占内表面8100投影至中心轴C的长度的比例为82％，即散射区8100b投影至中心轴C的长度总合占内表面8100投影至中心轴C的长度的比例为18％。感光元件所收到的光强度分布如图12中的右图所示。

如图14的左图所示，内表面9100定义有三个反射区9100a及三个散射区9100b。此些反射区9100a及此些散射区9100b沿中心轴C的方向交错排列。散射区9100b的其中之一相邻于出光端缘9100d。反射区9100a的其中之一相邻于入光端缘9100c。从入光端缘9100c至出光端缘9100d，散射区9100b投影至中心轴C的长度分别为6.125mm、0.2625mm及0.525mm，反射区9100a投影至中心轴C的长度分别为0.2625mm、0.525mm及0.7875mm。散射区9100b投影至中心轴C的长度总合占内表面9100投影至中心轴C的长度的比例为82％。感光元件所收到的光强度分布如图14中的右图所示。

综上所述，本发明的检测装置，能够通过反射区的配置及内表面的形状，在检测装置的尺寸不致过大便能令待测光源的光线从入光口顺利引导至出光口，且通过散射区的配置令被引导致出光口的光线能够均匀分布。因此，即使利用多个检测装置同时检测大量的待测光源，感光元件也能够检测到均匀且强度充足的待测光源的光线，而能够取得较小误差的待测光源的光学特性。

此外，本发明的检测装置可通过使用透明的基板、第一检测电极及第二检测电极，而令较多的待测光源的光线得以通过诸些元件，有利于检测装置检测待测光源。通过数量较多的第一检测电极及第二检测电极，能够降低检测时所要供电的电压，以减省能源。

再者，本发明的检测装置可通过使用具有贯通孔的基板及设置于贯通孔的侧壁面的反射层，而避免待测光源的光线从基板漏光，以利检测装置检测待测光源。

Claims (18)

1.一种检测装置，用以测量一待测光源，该检测装置包括：

一均光元件，具有一腔室，该腔室具有一入光口及一出光口，该入光口小于该出光口，形成该腔室的一内表面定义有至少一反射区及至少一散射区，该内表面具有一中心轴，该内表面于该入光口的一入光端缘具有一第一端点，该内表面于该出光口的一出光端缘具有一第二端点，该内表面从该第一端点延伸至该第二端点具有一最短曲线，该最短曲线以该中心轴为旋转轴旋转360度而形成该内表面，该最短曲线具有一基线及位于该基线一端的一基准点，该最短曲线上的各点位置至该基准点的距离为r，该最短曲线上的各点位置至该基准点的连线与该基线的夹角为该第一端点至该基准点的连线与该基线的夹角为该第二端点至该基准点的连线与该基线的夹角为且该最短曲线与该基线及该基准点之间的关系符合以下条件：

以及

其中，该最短曲线上的各点位置远离该基准点及该基线的程度为f，该基线所在的一直线与该中心轴的夹角为θr，该基准点至该中心轴的垂直距离为y0，该基准点至该入光端缘所在平面的垂直距离为z0，该第一端点至该中心轴的垂直距离为Rin，该第二端点至该中心轴的垂直距离为Rout，该入光端缘至该出光端缘的最短距离为L；

多个检测电极，设置于该入光口，且用以供电至该待测光源；以及

一感光元件，设置于该出光口。

2.如权利要求1所述的检测装置，还包括一基板，设置于该均光元件及该检测电极之间。

3.如权利要求2所述的检测装置，其中该基板具有一贯通孔，该贯通孔对应于该入光口。

4.如权利要求3所述的检测装置，还包括一反射层，设置于该贯通孔的侧壁面。

5.如权利要求2所述的检测装置，其中该基板沿该中心轴方向的厚度小于0.3mm。

6.如权利要求2所述的检测装置，其中该待测光源沿垂直于该中心轴方向的宽度为Wy，该些检测电极沿该中心轴方向的最大厚度为T1，该基板沿该中心轴方向的厚度为T2，欲检测该待测光源所发出光线的一范围的边缘至该中心轴的角度为θ1，该待测光源沿该范围的边缘所发出的光线入射于该基板时的折射方向至该中心轴的角度为θ2，且符合以下条件：

2Rin＝Wy+2(T1tanθ1+T2tanθ2)。

7.如权利要求1所述的检测装置，其中该些检测电极为透明的。

8.如权利要求1所述的检测装置，其中各该检测电极具有一连接端及一接触端，各该连接端与该均光元件相连，各该接触端比各该连接端接近于该中心轴，各该接触端用以与该待测光源电性连接，各该连接端沿该中心轴的厚度小于各该接触端沿该中心轴的厚度。

9.如权利要求1所述的检测装置，其中该至少一散射区相邻于该出光口。

10.如权利要求1所述的检测装置，其中该至少一反射区相邻于该入光口。

11.如权利要求1所述的检测装置，其中该至少一散射区占该内表面的比例60％以上且小于100％。

12.如权利要求1所述的检测装置，其中该至少一散射区的数量为多个，该至少一反射区的数量为多个，该些散射区及该些反射区沿该中心轴交错排列。

13.如权利要求1所述的检测装置，其中该基准点位于该中心轴时y0为零，该基准点位于该中心轴及该最短曲线之间时y0为正，该中心轴位于该基准点及该最短曲线之间时y0为负，该基准点位于该入光端缘时z0为零，该入光端缘位于该基准点及该出光端缘之间时z0为正，该基准点位于该入光端缘及该出光端缘之间时z0为负，该基线平行于该中心轴时θr为零，从该入光端缘朝向该出光端缘具有一方向，该基线所在的该直线与该中心轴具有一相交点时，自该相交点沿该方向延伸的范围中，该基线所在的该直线位于该中心轴及该最短曲线之间时θr为正，该中心轴位于该基线所在的该直线及该最短曲线之间时θr为负。

14.如权利要求13所述的检测装置，其中z0为零，y0为-Rin，θr为

15.如权利要求14所述的检测装置，其中该最短曲线于该出光端缘的切线与该中心轴平行。

16.如权利要求14所述的检测装置，其中该第二端点至该中心轴的垂直距离为Rout，且符合Rout＝Rin/sin(-θr)。

17.如权利要求14所述的检测装置，其中该入光端缘至该出光端缘的最短距离为L，且符合L＝Rin(1+1/sin(-θr))/tan(-θr)。

18.如权利要求13所述的检测装置，其中z0为零，y0为零，θr为零。