CN104966688B - 一种自动控温等离子体装置 - Google Patents

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Abstract

一种自动控温等离子体装置，包括：容置腔室，围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆的收容空间；盖体，设置在容置腔室上，并在容置腔室与盖体之间设置密封环；自动控温装置，进一步包括：温度侦测器，用于侦测盖体之温度；温度控制器，接收来自温度侦测器之侦测信号，并根据侦测信号发出指令；报警装置，执行温度控制器之指令，发出警示信息，并停止自动控温等离子体装置之工艺。本发明通过设置侦测盖体之温度的自动控温装置，不仅可以通过温度侦测器实时进行温度侦测，在侦测温度大于预设安全温度时，通过温度控制器停止自动控温等离子体装置之工艺，而且可通过报警装置发出警示信息，便于及时停机检查。

Description

一种自动控温等离子体装置
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种自动控温等离子体装置。
背景技术
目前，在半导体制造工艺中已广泛实施以进行薄膜沉积或刻蚀等作为目的的等离子体处理。例如美国泛林半导体设备公司(LAM)的高密度等离子体机台(High DensityPlasma)工艺是在真空腔体内的高温环境下，通过对特定的工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积形成薄膜。所述等离子体化学气相沉积工艺的特点是成膜速度快、薄膜均匀性好、填动能力强。
在等离子体化学气相沉积工艺中，为了形成密闭的真空环境，用于容置待工艺处理之晶圆的容置腔室的顶部设置顶盖，并在所述顶盖与所述容置腔室之接触面处设置密封环，在泵抽单元的作用下进行抽真空。
但是，现有设置在容置腔室之顶部的顶盖，其绝缘涂层的耐温性能仅限于150℃以下，当所述顶盖内的循环水冷却系统出现故障或人为错接时，所述容置腔室内高达600℃的工艺温度势必对顶盖之绝缘涂层造成烫伤，导致不必要的安全事故和经济损失。
寻求一种结构简单、可自动控温的等离子体装置已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。
故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种自动控温等离子体装置。
发明内容
本发明是针对现有技术中，传统设置在容置腔室之顶部的顶盖，其绝缘涂层的耐温性能仅限于150℃以下，当所述顶盖内的循环水冷却系统出现故障或人为错接时，所述容置腔室内高达600℃的工艺温度势必对顶盖之绝缘涂层造成烫伤，导致不必要的安全事故和经济损失等缺陷提供一种自动控温等离子体装置。
为实现本发明之目的，本发明提供一种自动控温等离子体装置，所述自动控温等离子体装置，包括：容置腔室，围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆的收容空间；盖体，设置在所述容置腔室上，并在所述容置腔室与所述盖体之间设置密封环；自动控温装置，进一步包括：温度侦测器，用于侦测所述盖体之温度；温度控制器，接收来自所述温度侦测器之侦测信号，并根据所述侦测信号发出指令；报警装置，执行所述温度控制器之指令，发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。
可选地，所述温度侦测器为温度传感器。
可选地，所述盖体内设置循环水冷却系统。
可选地，所述盖体之异于所述容置腔室的一侧涂覆绝缘涂层。
可选地，所述待等离子体工艺处理之晶圆的上方与所述盖体底部之间的反应区域产生感应电场，在离子轰击过程中形成高于所述绝缘涂层之承受温度的工艺温度。
可选地，所述自动绝缘涂层之承受温度为150℃。
可选地，所述温度侦测器之侦测温度高于150℃时，所述温度控制器发出指令，所述报警装置发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。
可选地，所述容置空间内之底部进一步设置基座，所述基座上设置静电夹具，所述待等离子体工艺处理之晶圆设置在所述静电夹具之异于所述基座的一侧。
综上所述，本发明所述自动控温等离子体装置通过设置侦测所述盖体之温度的自动控温装置，不仅可以通过所述温度侦测器实时进行温度侦测，在所述侦测温度大于预设安全温度时，通过所述温度控制器停止所述自动控温等离子体装置之工艺，而且可通过所述报警装置发出警示信息，便于及时停机检查。
附图说明
图1所示为本发明自动控温等离子体装置的框架结构图；
图2所示为本发明自动控温等离子体装置的立体结构图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
请参阅图1，图1所示为本发明自动控温等离子体装置的框架结构图。所述自动控温等离子体装置1，包括：容置腔室11，所述容置腔室11围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆(未图示)的收容空间；盖体12，所述盖体12设置在所述容置腔室11上，并在所述容置腔室11与所述盖体12之间设置密封环(未图示)；自动控温装置13，所述自动控温装置13进一步包括：温度侦测器131，所述侦测器131用于侦测所述盖体12之温度；温度控制器132，所述温度控制器132接收来自所述温度侦测器131之侦测信号，并根据所述侦测信号发出指令；报警装置133，所述报警装置133执行所述温度控制器132之指令，发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置1之工艺。
显然地，本发明所述自动控温等离子体装置1通过设置侦测所述盖体12之温度的自动控温装置13，不仅可以通过所述温度侦测器131实时进行温度侦测，在所述侦测温度大于预设安全温度时，通过所述温度控制器132停止所述自动控温等离子体装置1之工艺，而且可通过所述报警装置133发出警示信息，便于及时停机检查。
为了更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现结合具体实施方式对所述自动控温等离子体装置的具体结构和工作原理进行阐述。在具体实施方式中，所述自动控温等离子体装置的具体结构仅为列举，不应视为对本发明技术方案的限制。非限制性地，例如所述温度侦测器为温度传感器。
请参阅图2，并结合参阅图1，图2所示为本发明自动控温等离子体装置的立体结构图。所述自动控温等离子体装置1，包括：容置腔室11，所述容置腔室11围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆10的收容空间，并在所述容置空间内之底部设置基座111，所述基座111上设置静电夹具112，所述待等离子体工艺处理之晶圆10设置在所述静电夹具112之异于所述基座111的一侧；盖体12，所述盖体12设置在所述容置腔室11上，并在所述容置腔室11与所述盖体12之间设置密封环(未图示)，且所述盖体12内设置循环水冷却系统(未图示)，所述盖体12之异于所述容置腔室11的一侧涂覆绝缘涂层(未图示)；自动控温装置13，所述自动控温装置13进一步包括：温度侦测器131，所述侦测器131用于侦测所述盖体12之温度；温度控制器132，所述温度控制器132接收来自所述温度侦测器131之侦测信号，并根据所述侦测信号发出指令；报警装置133，所述报警装置133执行所述温度控制器132之指令，发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置1之工艺。
作为具体的实施方式，非限制性地，以电感耦合型等离子体装置为例进行阐述。通常地，在所述盖体12之异于所述容置腔室11一侧的感应天线14上施加射频电流，从而在所述感应天线14周围产生磁场，所述磁场的磁力线贯穿所述盖体12，在容置腔室11内，位于所述待等离子体工艺处理之晶圆10的上方与所述盖体12底部之间的反应区域产生感应电场，进而通过所述感应电场对导入所述容置腔室11内的反应气体的分子或原子发生电离碰撞，从而在反应区域内形成反应气体的等离子体对所述待等离子体工艺之晶圆10进行处理。
作为本领域技术人员，容易理解地，所述容置腔室11内产生的等离子体会在所述反应区域中高效地向四周扩散，则在长时间的处理过程中等离子体会轰击所述盖体12之底面，从而在所述盖体12上蓄积热量，所述热量通过所述循环水冷却系统转移，同时所述自动控温装置13之温度侦测器131实时侦测所述盖体12之温度。
其中，所述盖体12之异于所述容置腔室11一侧的绝缘涂层所承受的温度为150℃，所述反应区域的工艺温度为600℃，且所述盖体12在所述循环水冷却系统的作用下进行降温，将温度降低至150℃以下。当所述循环水冷却系统故障或错接时，所述盖体12之温度大于预设安全温度时，则可通过所述温度控制器132停止所述自动控温等离子体装置1之工艺，而且可通过所述报警装置133发出警示信息，便于及时停机检查，增强运行的安全性。
综上所述，本发明所述自动控温等离子体装置通过设置侦测所述盖体之温度的自动控温装置，不仅可以通过所述温度侦测器实时进行温度侦测，在所述侦测温度大于预设安全温度时，通过所述温度控制器停止所述自动控温等离子体装置之工艺，而且可通过所述报警装置发出警示信息，便于及时停机检查。
本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。

Claims (7)

1.一种自动控温等离子体装置，其特征在于，所述自动控温等离子体装置，包括：
容置腔室，围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆的收容空间；
盖体，设置在所述容置腔室上，并在所述容置腔室与所述盖体之间设置密封环，所述盖体之异于所述容置腔室的一侧涂覆绝缘涂层；
自动控温装置，进一步包括：温度侦测器，用于侦测所述盖体之温度；温度控制器，接收来自所述温度侦测器之侦测信号，并根据所述侦测信号发出指令；报警装置，执行所述温度控制器之指令，发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。
2.如权利要求1所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述温度侦测器为温度传感器。
3.如权利要求1所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述盖体内设置循环水冷却系统。
4.如权利要求1所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述待等离子体工艺处理之晶圆的上方与所述盖体底部之间的反应区域产生感应电场，在离子轰击过程中形成高于所述绝缘涂层之承受温度的工艺温度。
5.如权利要求4所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述绝缘涂层之承受温度为150℃。
6.如权利要求5所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述温度侦测器之侦测温度高于150℃时，所述温度控制器发出指令，所述报警装置发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。
7.如权利要求1所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述容置腔室内之底部进一步设置基座，所述基座上设置静电夹具，所述待等离子体工艺处理之晶圆设置在所述静电夹具之异于所述基座的一侧。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223397A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Nec Corp プラズマ処理装置
JP2003303812A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
CN101656194A (zh) * 2008-08-21 2010-02-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子腔室及其温度控制方法
CN103074615A (zh) * 2012-08-03 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 化学气相沉积设备
CN103911603A (zh) * 2013-01-05 2014-07-09 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 监控装置、监控方法及气相沉积设备
CN104124184A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子设备及其控制方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223397A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Nec Corp プラズマ処理装置
JP2003303812A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
CN101656194A (zh) * 2008-08-21 2010-02-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子腔室及其温度控制方法
CN103074615A (zh) * 2012-08-03 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 化学气相沉积设备
CN103911603A (zh) * 2013-01-05 2014-07-09 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 监控装置、监控方法及气相沉积设备
CN104124184A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子设备及其控制方法

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