CN104966498B - 一种电压补偿电路及基于电压补偿电路的电压补偿方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种电压补偿电路及基于电压补偿电路的电压补偿方法，该电压补偿电路包括第一薄膜晶体管电路、控制电路和扫描驱动芯片，其中：控制电路的电源管理芯片的输出端Output1连接第三电阻R3的第一端，第三电阻R3的第二端连接第一电阻R1的第一端，第三电阻R3的第二端连接电源管理芯片的反馈端，电源管理芯片的反馈端FB连接第二电阻R2的第一端，第二电阻R2的第二端接地，第一电阻R1的第二端连接扫描驱动芯片的输入端VGH；第一薄膜晶体管的源极连接控制电路的电源管理芯片的第一输入端Input1，电源管理芯片的第二输入端Input2连接第一栅极驱动信号。实施本发明实施例，可以提高有源矩阵液晶显示器的屏幕显示效果。

Description

一种电压补偿电路及基于电压补偿电路的电压补偿方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体涉及一种电压补偿电路及基于电压补偿电路的电压补偿方法。

背景技术

在有源矩阵液晶显示器(Active Matrix Liquid Crystal Display，AM-LCD)中，每个像素均设置一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，可以对每个像素的亮度进行独立调节，从而提高液晶显示器显示效果。AM-LCD中普遍采用基板阵列行驱动(Gate OnArray，GOA)技术，GOA技术是一种将TFT的栅极扫描驱动电路制作在基板上的技术，采用GOA技术，可以降低面板边框，降低产品成本。

由于采用GOA技术，TFT的栅极扫描驱动电路中的TFT温度容易随着环境温度发生变化，当TFT的温度发生变化时，TFT的电子迁移率随着温度变化会出现漂移，导致TFT的栅极扫描驱动信号出现波动，可能会出现液晶显示器灰度不均，显示质量较差等问题。为了解决上述问题，现有技术一般采用外接温度传感器，通过温度传感器监测基板温度来调节TFT的栅极扫描驱动电压，然而，由于温度传感器检测的基板温度与基板内GOA电路中TFT的实际温度不一致，外接的温度传感器检测的基板温度并不能准确的反应基板内GOA电路中TFT的实际温度，以使TFT的栅极扫描驱动电压的过补偿或欠补偿，导致液晶显示器的屏幕显示效果较差。

发明内容

本发明实施例提供一种电压补偿电路及基于电压补偿电路的电压补偿方法，可以解决由于基板温度变化导致液晶显示器的屏幕显示效果较差的问题。

本发明实施例第一方面，提供了一种电压补偿电路，，包括第一薄膜晶体管电路、控制电路和扫描驱动芯片，其中：

所述第一薄膜晶体管电路包括栅极连接第一栅极驱动信号的第一薄膜晶体管；

所述控制电路包括电源管理芯片、第一电阻R1，第二电阻R2和第三电阻R3，所述电源管理芯片的输出端Output1连接所述第三电阻R3的第一端，所述第三电阻R3的第二端连接所述第一电阻R1的第一端，所述第三电阻R3的第二端连接所述电源管理芯片的反馈端，所述电源管理芯片的反馈端FB连接第二电阻R2的第一端，所述第二电阻R2的第二端接地，所述第一电阻R1的第二端连接所述扫描驱动芯片的输入端VGH，所述扫描驱动芯片的输出端Output2输出所述第一栅极驱动信号；

所述第一薄膜晶体管的源极连接所述控制电路的所述电源管理芯片的第一输入端Input1，所述电源管理芯片的第二输入端Input2连接所述第一栅极驱动信号，所述电源管理芯片用于检测所述第一薄膜晶体管的栅极接收所述第一栅极驱动信号的当前帧时所述第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长，根据所述电压变化时长对应的所述当前帧的输出端电压Voutput1调整有源矩阵液晶显示器中用于显示的第二薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的。

在本发明实施例第一方面的第一种可能的实现方式中，所述第二薄膜晶体管电路包括多个处于不同扫描行的薄膜晶体管，所述多个处于不同扫描行的薄膜晶体管连接的栅极驱动信号不同。

结合本发明实施例第一方面，在本发明实施例第一方面的第二种可能的实现方式中，所述电源管理芯片的反馈端的电压VFB为定值。

结合本发明实施例第一方面，在本发明实施例第一方面的第三种可能的实现方式中，所述电源管理芯片的第一输入端Input1检测所述第一薄膜晶体管的源极驱动电压。

本发明实施例第二方面，基于本发明实施例第一方面以及本发明实施例第一方面的第一种至第三种中任意一种可能的实现方式提供的电压补偿电路，提供了一种电压补偿方法，包括：

当电源管理芯片的第二输入端Input2检测到第一栅极驱动信号的当前帧时间内接入的栅极驱动电压发生变化时，检测所述电源管理芯片的第一输入端Input1连接的第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长，所述第一栅极驱动信号连接所述第一薄膜晶体管的栅极；

从上升沿时间与电源管理芯片的输出端电压的对应关系中查找所述第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长对应的电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1；

根据所述电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1大小调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。

在本发明实施例第二方面的第一种可能的实现方式中，所述电压变化时长包括上升沿时长或下降沿时长。

结合本发明实施例第二方面或本发明实施例第二方面的第一种可能的实现方式，在本发明实施例第二方面的第二种可能的实现方式中，所述根据所述电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1大小调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小包括：

按照如下公式调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小：

(VGH-VFB)/R1+(Voutput1-VFB)/R3＝VFB/R2；

其中，VGH为第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平，VFB为电源管理芯片的反馈端电压，Voutput1为电源管理芯片当前帧输出端电压，R1为第一电阻的阻值，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值。

可见，根据本发明实施例提供的一种电压补偿电路及基于电压补偿电路的电压补偿方法，当电源管理芯片的第二输入端Input2检测到第一栅极驱动信号的当前帧时间内接入栅极驱动电压高电平VGH时，检测电源管理芯片的第一输入端Input1连接的第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长，第一栅极驱动信号连接第一薄膜晶体管的栅极；从上升沿时间与电源管理芯片的输出端电压的对应关系中查找第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长对应的电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1；根据电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1大小调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。本发明实施例中，当TFT的温度发生变化时，当电源管理芯片的第二输入端Input2检测到第一栅极驱动信号的当前帧时间内接入的栅极驱动电压发生变化时，根据检测电源管理芯片的第一输入端Input1连接的第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长调整电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1大小，从而调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小，可以根据TFT的温度变化，调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动电压高电平VGH的大小，与现有技术中通过温度传感器监测基板温度来调节TFT的栅极扫描驱动电压相比，实施本发明实施例，可以根据TFT温度变化，实时调整TFT的栅极扫描驱动电压高电平VGH，提高有源矩阵液晶显示器的屏幕显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例公开的一种电压补偿电路；

图2是本发明实施例公开的另一种电压补偿电路；

图3是本发明实施例公开的一种电压补偿方法的流程图；

图4是本发明实施例公开的栅极驱动信号时序图和第一薄膜晶体管的源极的驱动电压时序图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式是本发明的一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都应属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种电压补偿电路及基于电压补偿电路的电压补偿方法，可以解决由于基板温度变化导致液晶显示器的屏幕显示效果较差的问题。以下分别进行详细说明。

请参阅图1，图1是本发明实施例公开的一种电压补偿电路。如图1所示，本实施例中所描述的电压补偿电路，包括第一薄膜晶体管电路、控制电路和扫描驱动芯片，其中：

第一薄膜晶体管电路包括栅极连接第一栅极驱动信号的第一薄膜晶体管；

控制电路包括电源管理芯片、第一电阻R1，第二电阻R2和第三电阻R3，电源管理芯片的输出端Output1连接第三电阻R3的第一端，第三电阻R3的第二端连接第一电阻R1的第一端，第三电阻R3的第二端连接电源管理芯片的反馈端，电源管理芯片的反馈端FB连接第二电阻R2的第一端，第二电阻R2的第二端接地，第一电阻R1的第二端连接扫描驱动芯片的输入端VGH，扫描驱动芯片的输出端Output2输出第一栅极驱动信号；

第一薄膜晶体管的源极连接控制电路的电源管理芯片的第一输入端Input1，电源管理芯片的第二输入端Input2连接第一栅极驱动信号，电源管理芯片用于检测第一薄膜晶体管的栅极接收第一栅极驱动信号的当前帧时第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长，根据电压变化时长对应的当前帧的输出端电压Voutput1调整有源矩阵液晶显示器中用于显示的第二薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的。

本发明实施例中，第一薄膜晶体管可以为第一薄膜晶体管电路中的任意一个薄膜晶体管，也可以为第一薄膜晶体管电路中的多个薄膜晶体管，图1中为了方便说明，第一薄膜晶体管以T00为例，第一薄膜晶体管用于控制电路进行检测，第一薄膜晶体管连接的第一栅极驱动信号G0由扫描驱动芯片输出，当第一栅极驱动信号G0输出高电平VGH时，第一薄膜晶体管打开，当第一栅极驱动信号G0输出低电平VGL时，第一薄膜晶体管关闭。

可选的，电源管理芯片的反馈端的电压VFB为定值。

具体的，电源管理芯片根据程序设定的反馈端的电压VFB为定值，当VFB为定值时，通过改变电源管理芯片的输出端Output1的电压大小改变扫描驱动芯片的输入端VGH的大小，从而调节第一栅极驱动信号G0输出高电平VGH的大小。

可选的，电源管理芯片的第一输入端Input1检测第一薄膜晶体管的源极驱动电压。

具体的，第一薄膜晶体管的源极连接控制电路的电源管理芯片的第一输入端Input1，电源管理芯片的第一输入端Input1可以检测第一薄膜晶体管的源极驱动电压，可以检测第一薄膜晶体管的源极驱动电压从低电平上升到高电平时的上升沿时间，也可以检测第一薄膜晶体管的源极驱动电压从高电平下降到低电平时的下降沿时间。

本发明实施例中，当电源管理芯片的第二输入端Input2输入的第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压发生变化时，检测第一薄膜晶体管的栅极接收第一栅极驱动信号G0的当前帧时第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长，第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长与第一薄膜晶体管的温度有关，当第一薄膜晶体管的温度升高时，若第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压高电平VGH不发生变化，则第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长变短，当第一薄膜晶体管的温度降低时，若第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压高电平VGH不发生变化，则第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长变长，可以根据第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长调整有源矩阵液晶显示器中用于显示的第二薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小，实施本发明实施例，可以根据薄膜晶体管的温度变化，实时调整薄膜晶体管的栅极扫描驱动电压高电平VGH，提高有源矩阵液晶显示器的屏幕显示效果。

请参阅图2，图2是本发明实施例公开的另一种电压补偿电路。如图2所示的电压补偿电路中，有源矩阵液晶显示器中用于显示的第二薄膜晶体管电路包括多个处于不同扫描行的薄膜晶体管，多个处于不同扫描行的薄膜晶体管连接的栅极驱动信号不同。

本发明实施例中，电压补偿电路用于调整第二薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号的高电平VGH的大小。用于显示的第二薄膜晶体管电路可以包括多行薄膜晶体管，每一行薄膜晶体管均可以连接一个栅极驱动信号，每一行薄膜晶体管用于控制该行薄膜晶体管控制的液晶显示屏上的一行像素点的亮度和颜色。扫描驱动芯片可以输出多个栅极驱动信号，例如：G0、G1、G2等等，其中，第二薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号中，例如G1、G2，用于控制液晶显示器中一行画面的显示效果，第一薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号，例如G0，用于控制第一薄膜晶体管的开启或关闭，不用于液晶显示器的显示。

本发明实施例中，第一薄膜晶体管电路和第二薄膜晶体管电路均制作在液晶显示器的基板上，第一薄膜晶体管电路的栅极驱动信号可以与第二薄膜晶体管电路中的任意一行薄膜晶体管的栅极驱动信号相同，也可以与第二薄膜晶体管电路中的任意一行薄膜晶体管的栅极驱动信号不相同，第一薄膜晶体管电路的栅极驱动电压和第二薄膜晶体管的栅极驱动电压均通过扫描驱动芯片进行控制，在一帧显示画面中，当扫描驱动芯片监测到输入端的VGH的电压为VGH1时，在下一帧显示画面中，扫描驱动芯片输出端输出的栅极驱动信号的高电平电压均为VGH1。

本发明实施例中，当电源管理芯片的第二输入端Input2输入的第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压发生变化时，检测第一薄膜晶体管的栅极接收第一栅极驱动信号G0的当前帧时第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长，第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长与第一薄膜晶体管的温度有关，当第一薄膜晶体管的温度升高时，若第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压高电平VGH不发生变化，则第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长变短，当第一薄膜晶体管的温度降低时，若第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压高电平VGH不发生变化，则第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长变长，可以根据第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长调整有源矩阵液晶显示器中用于显示的第二薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小，举例来说，在一帧时长Tv内，若第一薄膜晶体管连接的第一栅极驱动信号接入高电平VGH的时间比第二薄膜晶体管电路中第二行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号接入高电平VGH的时间要早，则可以调整第二行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号的当前帧栅极驱动电压高电平VGH的大小；若第一薄膜晶体管连接的第一栅极驱动信号接入高电平VGH的时间比第二薄膜晶体管电路中第一行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号接入高电平VGH的时间要迟，则可以调整第一行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号的下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。实施本发明实施例，可以根据薄膜晶体管的温度变化，实时调整薄膜晶体管的栅极扫描驱动电压高电平VGH，提高有源矩阵液晶显示器的屏幕显示效果。

请参阅图3，图3是本发明实施例公开的一种电压补偿方法的流程图，如图3所示，本发明实施例中所描述的电压补偿方法，包括如下步骤：

S301，当电源管理芯片的第二输入端Input2检测到第一栅极驱动信号的当前帧时间内接入的栅极驱动电压发生变化时，检测电源管理芯片的第一输入端Input1连接的第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长，第一栅极驱动信号连接第一薄膜晶体管的栅极。

本发明实施例中，可同时参阅图1，第一栅极驱动信号G0的当前帧时间内接入的栅极驱动电压发生变化可以为：第一栅极驱动信号G0的当前帧时间内接入的栅极驱动电压从低电平VGL上升到高电平VGH，或者第一栅极驱动信号G0的当前帧时间内接入的栅极驱动电压从高电平VGH下降到低电平VGL。当第一栅极驱动信号G0的当前帧时间内接入的栅极驱动电压为高电平VGH时，第一薄膜晶体管开启，当第一栅极驱动信号的当前帧时间内接入的栅极驱动电压为低电平VGL时，第一薄膜晶体管关闭。第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长与第一薄膜晶体管的温度有关，当第一薄膜晶体管的温度上升时，若第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压高电平VGH不发生变化，则第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长变短；当第一薄膜晶体管的温度降低时，若第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压高电平VGH不发生变化，则第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长变长。

可选的，第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长可以包括上升沿时长，也可以包括下降沿时长。

具体的，检测第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长可以检测第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的上升沿时长，也可以检测第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的下降沿时长。

S302，从上升沿时间与电源管理芯片的输出端电压的对应关系中查找第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长对应的电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1。

本发明实施例中，上升沿时间与电源管理芯片的输出端电压的对应关系可以预先进行设定。

S303，根据电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1大小调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。

本发明实施例中，当电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1增大时，第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH减小，当电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1减小时，第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH增大，即可以通过检测第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。

可选的，根据电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1大小调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小，可以包括：

按照如下公式调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小：

(VGH-VFB)/R1+(Voutput1-VFB)/R3＝VFB/R2；

其中，VGH为第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平，VFB为电源管理芯片的反馈端电压，Voutput1为电源管理芯片当前帧输出端电压，R1为第一电阻的阻值，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值。

本发明实施例中，电源管理芯片的反馈端电压VFB可以设定为定值，对于公式(VGH-VFB)/R1+(Voutput1-VFB)/R3＝VFB/R2来说，当R1，R2，R3均设定为定值时，若Voutput1增大，则VGH相应的减小，若Voutput1减小，则VGH相应的增大，可以通过调整Voutput1的大小来调整VGH的大小。

本发明实施例中，可同时参阅图2，当电源管理芯片的第二输入端Input2输入的第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压发生变化时，检测第一薄膜晶体管的栅极接收第一栅极驱动信号G0的当前帧时第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长，第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长与第一薄膜晶体管的温度有关，当第一薄膜晶体管的温度升高时，若第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压高电平VGH不发生变化，则第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长变短，当第一薄膜晶体管的温度降低时，若第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压高电平VGH不发生变化，则第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长变长，可以根据第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长调整有源矩阵液晶显示器中用于显示的第二薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小，举例来说，在一帧时长Tv内，若第一薄膜晶体管连接的第一栅极驱动信号接入高电平VGH的时间比第二薄膜晶体管电路中第二行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号接入高电平VGH的时间要早，则可以调整第二行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号的当前帧栅极驱动电压高电平VGH的大小；若第一薄膜晶体管连接的第一栅极驱动信号接入高电平VGH的时间比第二薄膜晶体管电路中第一行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号接入高电平VGH的时间要迟，则可以调整第一行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号的下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。

具体的，如图4所示，图4是本发明实施例公开的栅极驱动信号时序图和第一薄膜晶体管的源极的驱动电压时序图。其中，图4中的G0为第一薄膜晶体管电路的第一栅极驱动信号，G1和G2为第二薄膜晶体管电路中的两行薄膜晶体管的栅极驱动信号，为了方便阐述，令G1为第二薄膜晶体管电路中的第一行薄膜晶体管的栅极驱动信号，G2为第二薄膜晶体管电路中的第二行薄膜晶体管的栅极驱动信号，Tv为一帧画面的时长。结合图2和图4，在一帧时长Tv内，当电源管理芯片的第二输入端Input2输入的第一栅极驱动信号G0接入的栅极驱动电压从低电平变为高电平时，检测到第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs0从低电平变为高电平的上升沿时长，若上升沿时长为t1，则根据上升沿时长与电源管理芯片的输出端电压的对应关系中查找上升沿时长t1对应的输出端电压Voutput1-1，根据输出端电压Voutput1-1的大小调整VGH的大小，若调整后的VGH大小为VGH1，扫描驱动芯片根据VGH1的大小，在当前帧时长内调整第二薄膜晶体管电路中的第一行薄膜晶体管的栅极驱动信号G1的高电平为VGH1和第二薄膜晶体管电路中的第二行薄膜晶体管的栅极驱动信号G2的高电平为VGH1；若上升沿时长为t2，则根据上升沿时长与电源管理芯片的输出端电压的对应关系中查找上升沿时长t2对应的输出端电压Voutput1-2，根据输出端电压Voutput1-2的大小调整VGH的大小，若调整后的VGH大小为VGH2，扫描驱动芯片根据VGH1的大小，在当前帧时长内调整第二薄膜晶体管电路中的第一行薄膜晶体管的栅极驱动信号G1的高电平为VGH2和第二薄膜晶体管电路中的第二行薄膜晶体管的栅极驱动信号G2的高电平为VGH2；若上升沿时长为t3，则根据上升沿时长与电源管理芯片的输出端电压的对应关系中查找上升沿时长t3对应的输出端电压Voutput1-3，根据输出端电压Voutput1-3的大小调整VGH的大小，若调整后的VGH大小为VGH3，扫描驱动芯片根据VGH3的大小，在当前帧时长内调整第二薄膜晶体管电路中的第一行薄膜晶体管的栅极驱动信号G1的高电平为VGH3和第二薄膜晶体管电路中的第二行薄膜晶体管的栅极驱动信号G2的高电平为VGH3。

显然，图2中仅仅显示了第二薄膜晶体管电路中的两行薄膜晶体管，第二薄膜晶体管电路还可以包括其他的多行薄膜晶体管，扫描驱动芯片可以根据VGH的大小调整第二薄膜晶体管电路中其他的多行薄膜晶体管的栅极驱动电压的高电平VGH的大小，扫频驱动芯片还包括其他的输出端，用于输出第二薄膜晶体管电路中的其他行薄膜晶体管的栅极驱动信号，所有的薄膜晶体管电路中的栅极驱动信号都由扫描驱动芯片输出。图4中，在一帧时长Tv内，由于第一薄膜晶体管连接的第一栅极驱动信号G0接入高电平VGH的时间比第二薄膜晶体管电路中第一行和第二行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号接入高电平VGH的时间要早，则调整第一行和第二行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号的当前帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。若第一薄膜晶体管连接的第一栅极驱动信号G0接入高电平VGH的时间比第二薄膜晶体管电路中第一行和第二行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号接入高电平VGH的时间要迟，则调整第一行和第二行薄膜晶体管连接的栅极驱动信号的下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。

实施本发明实施例，可以根据薄膜晶体管的温度变化，实时调整薄膜晶体管的栅极扫描驱动电压高电平VGH，提高有源矩阵液晶显示器的屏幕显示效果。

以上对本发明实施例所提供的一种电压补偿电路及基于电压补偿电路的电压补偿方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (7)

1.一种电压补偿电路，其特征在于，包括第一薄膜晶体管电路、控制电路和扫描驱动芯片，其中：

所述第一薄膜晶体管电路包括栅极连接第一栅极驱动信号的第一薄膜晶体管；

所述控制电路包括电源管理芯片、第一电阻R1，第二电阻R2和第三电阻R3，所述电源管理芯片的输出端Output1连接所述第三电阻R3的第一端，所述第三电阻R3的第二端连接所述第一电阻R1的第一端，所述第三电阻R3的第二端连接所述电源管理芯片的反馈端，所述电源管理芯片的反馈端FB连接第二电阻R2的第一端，所述第二电阻R2的第二端接地，所述第一电阻R1的第二端连接所述扫描驱动芯片的输入端VGH，所述扫描驱动芯片的输出端Output2输出所述第一栅极驱动信号；

所述第一薄膜晶体管的源极连接所述控制电路的所述电源管理芯片的第一输入端Input1，所述电源管理芯片的第二输入端Input2连接所述第一栅极驱动信号，所述电源管理芯片用于检测所述第一薄膜晶体管的栅极接收所述第一栅极驱动信号的当前帧时所述第一薄膜晶体管的源极的驱动电压Vs的电压变化时长，根据所述电压变化时长对应的所述当前帧的输出端电压Voutput1调整有源矩阵液晶显示器中用于显示的第二薄膜晶体管电路连接的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。

2.根据权利要求1所述的电压补偿电路，其特征在于，所述第二薄膜晶体管电路包括多个处于不同扫描行的薄膜晶体管，所述多个处于不同扫描行的薄膜晶体管连接的栅极驱动信号不同。

3.根据权利要求1所述的电压补偿电路，其特征在于，所述电源管理芯片的反馈端的电压VFB为定值。

4.根据权利要求1所述的电压补偿电路，其特征在于，所述电源管理芯片的第一输入端Input1检测所述第一薄膜晶体管的源极驱动电压。

5.一种基于权利要求1～4任一项所述电压补偿电路的电压补偿方法，其特征在于，包括：

当电源管理芯片的第二输入端Input2检测到第一栅极驱动信号的当前帧时间内接入的栅极驱动电压发生变化时，检测所述电源管理芯片的第一输入端Input1连接的第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长，所述第一栅极驱动信号连接所述第一薄膜晶体管的栅极；

从上升沿时间与电源管理芯片的输出端电压的对应关系中查找所述第一薄膜晶体管的源极驱动电压Vs的电压变化时长对应的电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1；

根据所述电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1大小调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电压变化时长包括上升沿时长或下降沿时长。

7.根据权利要求5～6任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述电源管理芯片当前帧输出端电压Voutput1大小调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小包括：

按照如下公式调整第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平VGH的大小：

(VGH-VFB)/R1+(Voutput1-VFB)/R3＝VFB/R2；

其中，VGH为第二薄膜晶体管电路的栅极驱动信号的当前帧或下一帧栅极驱动电压高电平，VFB为电源管理芯片的反馈端电压，Voutput1为电源管理芯片当前帧输出端电压，R1为第一电阻的阻值，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值。