CN104965340A - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，主要内容包括：在位于出光侧的第一基板中靠近液晶层的一侧面设置半透半反膜层，从而，在很好的实现镜面显示的同时，还不必额外增加偏光片以及保护层，实现了抗划伤、轻薄等较好性能，而且，由于半透半反膜层位于第一基板中靠近液晶层的一侧面，因此，在曲面镜面显示技术中，能够避免基底的弯曲造成偏振光的相位偏移，进而避免不必要的漏光等现象，实现了很好的曲面镜面显示效果。

Description

一种显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着平板显示技术的快速发展，逐渐衍生出多种类型的平板显示设备，例如：可穿戴显示设备、车载显示设备、镜面显示设备等。
其中，针对镜面显示设备而言，其现有的制作工艺是将DBEF膜层或APF膜层等具有半透半反膜层贴附到面板的最外层，以实现镜面显示的效果。同时，为了避免贴附到最外层的半透半反膜层被划伤或浸水，需要在该半透半反膜层之上贴附一保护层，这就增加了镜面显示面板的厚度。
此外，在现有的镜面显示设备中，尤其是曲面镜面显示设备，由于起到偏光作用的膜层(半透半反膜层)在面板(基底)的最外层，当基底发生弯曲时，很容易改变原有偏振光的偏振方向，使得偏振光无法完全透过位于外层的半透半反膜层，或在暗态时发生漏光现象，降低曲面镜面显示面板的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中存在的镜面显示面板厚度较厚以及曲面镜面显示面板显示效果较差的问题。
本发明实施例采用以下技术方案：
一种显示面板，包括第一基板，与所述第一基板相对设置的第二基板，以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述第一基板具体包括：第一基底，位于所述第一基底中靠近液晶层的一侧的具有偏振作用的第一半透半反膜层。
优选地，所述第二基板具体包括：第二基底，位于所述第二基底中靠近液晶层的一侧的具有偏振作用的第二半透半反膜层；
其中，所述第二半透半反膜层的偏振方向与所述第一半透半反膜层的偏振方向正交。
优选地，所述第一半透半反膜层和所述第二半透半反膜层均为金属线栅偏振WGP膜层。
优选地，所述第二基板中的第二WGP膜层具有第一图案，其中，所述第二WGP膜层中保留的膜层区域在所述第二基板上的正投影位于相应的像素的有效显示区域内。
优选地，所述第二基板还包括：
位于未保留有第二WGP膜层的区域的黑矩阵；
位于所述第二WGP膜层以及黑矩阵之上的第二绝缘膜层；
位于所述第二绝缘膜层之上的栅线和公共电极线，以及第一透明电极；
位于所述栅线和公共电极线之上的平坦化层；
位于所述平坦化层之上的第二透明电极。
优选地，所述第二基板中的第二WGP膜层呈面状结构；
所述第二基板还包括：
位于所述第二WGP膜层之上的第二绝缘膜层；
位于所述第二绝缘膜层之上的栅线。
优选地，所述第一基板中的第一WGP膜层中金属线的排布方向与液晶层中液晶长轴的初始排布方向平行或垂直。
优选地，所述第一基板还包括：
覆盖所述第一WGP膜层的第一绝缘膜层；
位于所述第一绝缘膜层之上的图案化的黑矩阵以及RGB彩色光阻。
优选地，所述第一WGP膜层和所述第二WGP膜层中，金属线的宽度取值范围为：100nm-150nm，金属线的高度取值范围为：100nm-300nm，相邻金属线的间距取值范围为：40nm-60nm。
一种显示面板的制作方法，包括：制作第一基板，以及制作第二基板，将所述第一基板与所述第二基板对位贴合，并在所述第一基板与所述第二基板之间填充液晶层，作第一基板的方式具体包括：提供第一基底，在所述第一基底的一侧面形成具有偏振作用的第一半透半反膜层。
优选地，制作第二基板的方式具体包括：提供第二基底，在所述第二基底的一侧面形成具有偏振作用的第二半透半反膜层；
其中，所述第二半透半反膜层的偏振方向与所述第一半透半反膜层的偏振方向正交。
优选地，所述第一半透半反膜层和所述第二半透半反膜层均为金属线栅偏振WGP膜层，其中，所述WGP膜层利用纳米压印技术形成。
优选地，所述第二基板中的第二WGP膜层具有第一图案，其中，所述第二WGP膜层中保留的膜层区域在所述第二基板上的正投影位于相应的像素的有效显示区域内。
优选地，所述制作第二基板的方式还包括：
在未保留有第二WGP膜层的区域形成黑矩阵；
在所述第二WGP膜层以及黑矩阵之上形成第二绝缘膜层；
在所述第二绝缘膜层之上形成栅线和公共电极线，以及第一透明电极；
在所述栅线和公共电极线之上形成平坦化层；
在所述平坦化层之上形成第二透明电极。
优选地，所述第二基板中的第二WGP膜层呈面状结构；
所述制作第二基板的方式还包括：
在所述第二WGP膜层之上形成第二绝缘膜层；
在所述第二绝缘膜层之上形成栅线。
优选地，所述第一基板中的第一WGP膜层中金属线的排布方向与液晶层中液晶长轴的初始排布方向平行或垂直。
优选地，所述制作第一基板的方式还包括：
形成覆盖所述第一WGP膜层的第一绝缘膜层；
在所述第一绝缘膜层之上形成图案化的黑矩阵以及RGB彩色光阻。
优选地，所述第一WGP膜层和所述第二WGP膜层中，金属线的宽度取值范围为：100nm-150nm，金属线的高度取值范围为：100nm-300nm，相邻金属线的间距取值范围为：40nm-60nm。
一种显示装置，包括所述的显示面板。
在本发明实施例中，通过上述实施例，在位于出光侧的第一基板中靠近液晶层的一侧面设置半透半反膜层，从而，在很好的实现镜面显示的同时，还不必额外增加偏光片以及保护层，实现了抗划伤、轻薄等较好性能，而且，由于半透半反膜层位于第一基板中靠近液晶层的一侧面，因此，在曲面镜面显示技术中，能够避免基底的弯曲造成偏振光的相位偏移，进而避免不必要的漏光等现象，实现了很好的曲面镜面显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的简单结构示意图；
图2(a)、图2(b)分别为本发明实施例提供的第二基板12的两种结构示意图；
图3为本发明所涉及的WGP膜层的具体结构示意图；
图4(a)、图4(b)分别为第二基板12中WGP膜层进行图案化处理和不进行图案化处理所对应的的两种第二基板12的结构示意图；
图5为第二基板12中WGP膜层进行图案化处理后的WGP膜层俯视图；
图6为第一基板11具体的膜层结构示意图；
图7为对本发明实施例所提供的面板施加电压时的光路原理图；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
下面通过具体的实施例对本发明的技术方案进行详细描述，本发明包括但并不限于以下实施例。
如图1所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的简单结构示意图，该显示面板包括：位于面板出光侧的第一基板11，与第一基板11相对设置的第二基板12，以及位于第一基板11与第二基板12之间的液晶层13；
该第一基板11具体包括：第一基底111，位于第一基底111中靠近液晶层13的一侧的具有偏振作用的第一半透半反膜层112。具体地，在该图1中，由于第一基板11位于面板出光侧，因此，该第一基板11为彩膜基板，第二基板12为阵列基板。
其中，第一基底111可以为普通的基底，也可以为可弯曲变形的玻璃基底，本发明并不对此进行限定，在实现效果方面，由于第一基板11侧设置的第一半透半反膜层112，因此，两种情况的都可以很好的实现镜面显示，进一步地，包括可弯曲变形的玻璃基底的曲面镜面显示面板还可以实现很好的显示效果，而不会出现现有技术中存在的漏光等显示缺陷。
优选地，根据图1的显示面板可知，第二基板12可以为如图2(a)、2(b)两种结构。具体地，如图2(a)所示，第二基板12可以与现有技术中的阵列基板类似，具体包括：第二基底121＇，位于第二基底121＇中远离液晶层13的一侧的具有偏振作用的第二半透半反膜层122＇，以及覆盖所述第二半透半反膜层122＇的保护层123＇，此外，还包括位于第二基底121＇中靠近液晶层13的一侧的TFT阵列等，图中未示出；如图2(b)所示，第二基板12还可以为另外一种结构，具体包括：第二基底121，位于第二基底121中靠近液晶层13的一侧的具有偏振作用的第二半透半反膜层122。其中，第二半透半反膜层122的偏振方向与第一半透半反膜层112的偏振方向正交。
在上述两种结构中，由于图2(a)的第二基板12的结构中第二半透半反膜层122＇在第二基底外侧，因此需要贴附保护层，而图2(b)所示的第二基板12的结构中第二半透半反膜层122不需要贴附保护层，相对于图2(a)的结构而言，厚度相对减小，构成较为简单；而且，在进一步考虑曲面镜面显示面板时，图2(b)所示的结构更为合适，无论是彩膜基板侧还是阵列基板侧，均将半透半反膜层设置在玻璃基底中靠近液晶层的一侧，从而，避免了由于玻璃基底弯曲时造成的相位延迟而使得偏振光发生侧漏等现象。
优选地，在本发明实施例中，上述涉及的位于第一基板11侧的第一半透半反膜层112和位于第二基板侧的第二半透半反膜层122均为金属线栅偏振WGP膜层。如图3所示，为本发明所涉及的WGP膜层的具体结构示意图，其中，该WGP膜层是由多条金属线沿一个方向排布而成，而金属线的排布方向决定了透过光的偏振方向，具体地，垂直于金属线方向的线偏振光是可以经过WGP膜层的，而其他方向的偏振光都被WGP膜层吸收。一般情况下，每个WGP膜层的金属线的宽度w取值范围为：100nm-150nm，金属线的高度h取值范围为：100nm-300nm，相邻金属线的间距d取值范围为：40nm-60nm。
在此需要说明的是，由于WGP膜层的金属线的排布方向决定了透过光的偏振方向，因此，在本发明实施例中，若第二基板中第二半透半反膜层的偏振方向为x，或者第二基板中WGP膜层的金属线排布方向为y(透过x方向偏振光)，则第一基板中WGP膜层的金属线排布方向为x(透过y方向偏振光)。
此外，考虑到本发明主要针对ADS模式的液晶显示面板，其他模式类型的也可以设置类似的半透半反膜层，只是偏振光的方向并没有限定的那么具体，因此，本发明中一种优选地方案，第一基板11中的第一WGP膜层112中金属线的排布方向与液晶层13中液晶长轴的初始排布方向平行或垂直。
仍以图2(b)所示的第二基板为例，优选地，可以包括以下两种具体膜层结构：
结构一：
如图4(a)所示，第二基板12a中的第二WGP膜层122a具有第一图案，其中，第二WGP膜层122a中保留的膜层区域在第二基板12a上的正投影位于相应的像素的有效显示区域内；该第二基板12a还包括：第二基底121a，位于未保留有第二WGP膜层122a的区域的黑矩阵123a，位于第二WGP膜层122a以及黑矩阵123a之上的第二绝缘膜层124a，位于第二绝缘膜层124a之上的栅线125a和公共电极线126a，以及第一透明电极127a，位于栅线125a和公共电极线126a之上的平坦化层128a，位于平坦化层128a之上的第二透明电极129a。
需要说明的是，之所以将第二基板设置为结构一的形式，是因为，WGP膜层属于金属膜层，若直接在该WGP膜层上设置绝缘层及栅线gate等金属走线，金属走线会与该WGP膜层发生耦合效应，影响金属走线传输信号，进而影响正常显示。因此，在第二基底上直接形成WGP膜层之后，需要对该WGP膜层进行图案化处理，具体地，利用掩膜板，将涉及到金属走线的区域的WGP膜层刻蚀掉，保留的WGP膜层区域A对应各个像素的有效显示区域，如图5所示。同时，考虑到在刻蚀掉WGP膜层的区域会产生漏光现象，因此，在此区域需要以黑矩阵B填充，以防止光线穿过面板造成漏光。
鉴于上述问题的存在，在对WGP膜层进行图案化处理时，需要结合方案本身的倾向效果，决定图案化的大小程度。若希望能够较好的解决金属走线与WGP膜层之间的耦合效应，则可以将图案化的效果增强，即刻蚀WGP膜层的区域较大，这样，在金属走线区域的WGP膜层几乎不存在，能够较好的改善耦合效应。若希望能够较好的解决漏光问题，则可以将图案化的效果弱化，即刻蚀WGP膜层的区域较小，从而，可以不设置黑矩阵也可以避免漏光。
结构二：
如图4(b)所示，第二基板12b中的第二WGP膜层122b呈面状结构；该第二基板还包括：第二基底121b，位于第二WGP膜层122b之上的第二绝缘膜层123b，位于第二绝缘膜层123b之上的栅线124b。此外，还包括位于栅线124b之上的平坦化层125b，位于平坦化层125b之上的透明电极126b。其他结构与现有技术中的膜层结构类似，在此不作赘述。
在该结构二中，由于第二基板12b中的第二WGP膜层122b呈面状结构，因此，可以将其作为公共电极使用，不必在后续的膜层工艺流程中额外制作公共电极，节省了工艺流程。
在本发明实施例中，优选地，如图6所示，该第一基板11还可以包括：覆盖第一WGP膜层112的第一绝缘膜层113；位于第一绝缘膜层113之上的图案化的黑矩阵114以及RGB彩色光阻115。另外，还可以包括覆盖黑矩阵114和RGB彩色光阻115的保护层116。
通过上述实施例，结合图6所示，作为阵列基板的第二基板12的具体结构未完全示出，但是，其具体结构可参照图4(a)和图4(b)所示，当未对该面板施加电压时，如图6所示，背光经过第二基板12后形成x方向(第二WGP膜层中金属条沿y方向排布)的偏振光，由于此时液晶未发生偏转，因此，x方向的偏振光透过之后仍为x方向的偏振光，但是，作为彩膜基板的第一基板11中第一WGP膜层中金属条沿x方向排布，因此，其只能透过y方向的偏振光，将x方向的偏振光反射回去。当对该面板施加电压时，具体参照图7所示，背光经过第二基板12后形成x方向偏振光，施加的电压驱使液晶发生偏转，x方向偏振光经过液晶的旋光作用之后，形成y方向偏振光，恰巧作为彩膜基板的第一基板中第一WGP膜层中金属条沿x方向排布，可以透过y方向偏振光，形成用于显示的透射光T；同时，外界的自然光进入第一基板表面，将平行于第一WGP膜层中金属条排布方向的光反射至外界，形成反射光R。从而，在很好的实现镜面显示的同时，还不必额外增加偏光片以及保护层，实现了抗划伤、轻薄等较好性能，而且，由于半透半反膜层位于第一基板中靠近液晶层的一侧面，因此，在曲面镜面显示技术中，能够避免基底的弯曲造成偏振光的相位偏移，进而避免不必要的漏光等现象，实现了很好的曲面镜面显示效果。
与此同时，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，与上述显示面板属于同一发明构思。
如图8所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图，该方法主要包括以下步骤：
步骤21：制作第一基板。在本发明实施例中，即制作彩膜基板。
步骤22：制作第二基板。该第二基板为阵列基板。
步骤23：将第一基板与第二基板对位贴合，并在第一基板与第二基板之间填充液晶层。在本步骤23中，可利用现有技术中的对位贴合等成盒技术，将彩膜基板和阵列基板对位贴合形成液晶盒，并填充液晶。
其中，步骤21具体包括：提供第一基底，在第一基底的一侧面形成具有偏振作用的第一半透半反膜层。第一基底可以为曲面玻璃基底，也可以为普通的基底。其玻璃的材料构成与现有技术类似，在此不做赘述。优选地，步骤21还包括：形成覆盖第一WGP膜层的第一绝缘膜层，在第一绝缘膜层之上形成图案化的黑矩阵以及RGB彩色光阻。
优选地，步骤22具体包括：提供第二基底，在第二基底的一侧面形成具有偏振作用的第二半透半反膜层，其中，第二半透半反膜层的偏振方向与第一半透半反膜层的偏振方向正交。
优选地，第二基板中的第二WGP膜层具有第一图案，其中，第二WGP膜层中保留的膜层区域在第二基板上的正投影位于相应的像素的有效显示区域内；则步骤22还包括：在未保留有第二WGP膜层的区域形成黑矩阵，在第二WGP膜层以及黑矩阵之上形成第二绝缘膜层，在第二绝缘膜层之上形成栅线和公共电极，在栅线和公共电极之上形成平坦化层，在平坦化层之上形成像素电极。或者，第二基板中的第二WGP膜层呈面状结构；步骤22还包括：在第二WGP膜层之上形成第二绝缘膜层，在第二绝缘膜层之上形成栅线。
优选地，第一半透半反膜层和第二半透半反膜层均为金属线栅偏振WGP膜层，其中，WGP膜层利用纳米压印技术形成。具体地，在玻璃基板上沉积金属层，例如金属铝，然后用喷涂设备喷涂树脂，接着通过掩膜板对树脂层进行压印、UV光照并形成图案，最后通过刻蚀工艺来实现图案化，即形成多个条状金属线。其中，第一WGP膜层和第二WGP膜层中，金属线的宽度取值范围为：100nm-150nm，金属线的高度取值范围为：100nm-300nm，相邻金属线的间距取值范围为：40nm-60nm。
优选地，第一基板中的第一WGP膜层中金属线的排布方向与液晶层中液晶长轴的方向平行或垂直。
在本发明实施例中，还提供了一种显示装置，包括上述任意一种显示面板。其中，所述显示装置可以为液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。尤其涉及一种曲面镜面显示装置，从而，可以利用贴附在液晶盒内侧的半透半反膜层实现镜面显示，避免了现有技术中由于基底弯曲而造成的相位偏差，以及进一步导致的漏光等问题。
另外，上述涉及的显示装置除了能够实现镜面显示之外，还可以借助外界的辅助装备实现非镜面显示。具体地，佩戴具有偏光作用的穿戴设备(例如，眼镜)，该穿戴设备的偏振方向与显示装置的彩膜基板中WGP膜层的金属条排布方向垂直，从而，可以将显示装置反射的偏振光遮挡住，防止进入人眼，仅透过由背光透射而出的偏振光，从而可以实现具有更高的对比度的非镜面显示。总之，该显示装置的使用范围并不限于上述应用场景。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (19)

1.一种显示面板，包括第一基板，与所述第一基板相对设置的第二基板，以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，其特征在于，
所述第一基板具体包括：第一基底，位于所述第一基底中靠近液晶层的一侧的具有偏振作用的第一半透半反膜层。
2.如权利要求1所述的面板，其特征在于，所述第二基板具体包括：第二基底，位于所述第二基底中靠近液晶层的一侧的具有偏振作用的第二半透半反膜层；
其中，所述第二半透半反膜层的偏振方向与所述第一半透半反膜层的偏振方向正交。
3.如权利要求1或2所述的面板，其特征在于，所述第一半透半反膜层和所述第二半透半反膜层均为金属线栅偏振WGP膜层。
4.如权利要求3所述的面板，其特征在于，所述第二基板中的第二WGP膜层具有第一图案，其中，所述第二WGP膜层中保留的膜层区域在所述第二基板上的正投影位于相应的像素的有效显示区域内。
5.如权利要求4所述的面板，其特征在于，所述第二基板还包括：
位于未保留有第二WGP膜层的区域的黑矩阵；
位于所述第二WGP膜层以及黑矩阵之上的第二绝缘膜层；
位于所述第二绝缘膜层之上的栅线和公共电极线，以及第一透明电极；
位于所述栅线和公共电极线之上的平坦化层；
位于所述平坦化层之上的第二透明电极。
6.如权利要求3所述的面板，其特征在于，所述第二基板中的第二WGP膜层呈面状结构；
所述第二基板还包括：
位于所述第二WGP膜层之上的第二绝缘膜层；
位于所述第二绝缘膜层之上的栅线。
7.如权利要求3所述的面板，其特征在于，所述第一基板中的第一WGP膜层中金属线的排布方向与液晶层中液晶长轴的初始排布方向平行或垂直。
8.如权利要求3所述的面板，其特征在于，所述第一基板还包括：
覆盖所述第一WGP膜层的第一绝缘膜层；
位于所述第一绝缘膜层之上的图案化的黑矩阵以及RGB彩色光阻。
9.如权利要求4-8任一所述的面板，其特征在于，所述第一WGP膜层和所述第二WGP膜层中，金属线的宽度取值范围为：100nm-150nm，金属线的高度取值范围为：100nm-300nm，相邻金属线的间距取值范围为：40nm-60nm。
10.一种显示面板的制作方法，包括：制作第一基板，以及制作第二基板，将所述第一基板与所述第二基板对位贴合，并在所述第一基板与所述第二基板之间填充液晶层，其特征在于，
制作第一基板的方式具体包括：提供第一基底，在所述第一基底的一侧面形成具有偏振作用的第一半透半反膜层。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，制作第二基板的方式具体包括：提供第二基底，在所述第二基底的一侧面形成具有偏振作用的第二半透半反膜层；
其中，所述第二半透半反膜层的偏振方向与所述第一半透半反膜层的偏振方向正交。
12.如权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述第一半透半反膜层和所述第二半透半反膜层均为金属线栅偏振WGP膜层，其中，所述WGP膜层利用纳米压印技术形成。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二基板中的第二WGP膜层具有第一图案，其中，所述第二WGP膜层中保留的膜层区域在所述第二基板上的正投影位于相应的像素的有效显示区域内。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述制作第二基板的方式还包括：
在未保留有第二WGP膜层的区域形成黑矩阵；
在所述第二WGP膜层以及黑矩阵之上形成第二绝缘膜层；
在所述第二绝缘膜层之上形成栅线和公共电极线，以及第一透明电极；
在所述栅线和公共电极线之上形成平坦化层；
在所述平坦化层之上形成第二透明电极。
15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二基板中的第二WGP膜层呈面状结构；
所述制作第二基板的方式还包括：
在所述第二WGP膜层之上形成第二绝缘膜层；
在所述第二绝缘膜层之上形成栅线。
16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一基板中的第一WGP膜层中金属线的排布方向与液晶层中液晶长轴的初始排布方向平行或垂直。
17.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述制作第一基板的方式还包括：
形成覆盖所述第一WGP膜层的第一绝缘膜层；
在所述第一绝缘膜层之上形成图案化的黑矩阵以及RGB彩色光阻。
18.如权利要求13-17任一所述的方法，其特征在于，所述第一WGP膜层和所述第二WGP膜层中，金属线的宽度取值范围为：100nm-150nm，金属线的高度取值范围为：100nm-300nm，相邻金属线的间距取值范围为：40nm-60nm。
19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的显示面板。
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