发明内容
有鉴于此,有必要提供一种触控显示面板结构,通过电性连接金属辅助电极与共用电极,有效减少触控感应单元上的电流对于其他电流信号的干扰。
一种触控显示面板结构,包含基板、多个像素结构以及多条信号线。每个像素结构包含数据线、扫描线、主动元件、第一绝缘层、像素电极、第二绝缘层、共用电极以及金属辅助电极。数据线设置于基板上。扫描线设置于基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。第一绝缘层至少覆盖数据线与主动元件。像素电极设置于第一绝缘层上并电性连接主动元件。第二绝缘层设置于第一绝缘层上并覆盖像素电极。共用电极设置于二绝缘层上。金属辅助电极设置于第二绝缘层上且电性连接共用电极。多个像素结构的共用电极形成触控感应单元,且触控感应单元的数量为多个。信号线分别电性连接触控感应单元。
在本发明的一个或多个实施方式中,信号线设置于第一绝缘层与第二绝缘层之间,第二绝缘层具有多个通孔,共用电极具有多个导通部,导通部设置于通孔中,触控感应单元分别通过导通部电性连接信号线,金属辅助电极分别设置于共用电极上。
在本发明的一个或多个实施方式中,金属辅助电极在基板上的正投影与数据线在基板上的正投影至少部份重叠。
在本发明的一个或多个实施方式中,金属辅助电极在基板上的正投影与扫描线在基板上的正投影至少部份重叠。
一种触控显示面板结构,包含基板、多个像素结构以及多条信号线。每个像素结构包含数据线、扫描线、主动元件、第一绝缘层、共用电极、金属辅助电极、第二绝缘层以及像素电极。数据线设置于基板上。扫描线设置于基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。第一绝缘层覆盖数据线、扫描线以及主动元件。共用电极设置于第一绝缘层上。金属辅助电极设置于第一绝缘层上,且电性连接共用电极。第二绝缘层设置于第一绝缘层上,并覆盖共用电极与金属辅助电极。像素电极设置于第二绝缘层上,并电性连接主动元件。多个像素结构的共用电极形成触控感应单元,且触控感应单元的数量为多个。信号线分别电性连接触控感应单元。
在本发明的一个或多个实施方式中,信号线为平行设置。
在本发明的一个或多个实施方式中,信号线在基板上的正投影与数据线在基板上的正投影至少部份重叠。
在本发明的一个或多个实施方式中,金属辅助电极的阻抗为约0.05Ω/m2至约0.3Ω/m2。
在本发明的一个或多个实施方式中,金属辅助电极分别设置于共用电极上,信号线分别设置于共用电极的一侧。
在本发明的一个或多个实施方式中,金属辅助电极分别设置于共用电极的顶面的边缘上。
上述实施方式通过电性连接金属辅助电极与共用电极,由于金属辅助电极的阻抗较小,所以分布于触控感应单元上的大部份电流将会流至金属辅助电极。因为金属辅助电极的分布范围没有触控感应单元这么广,因此将能有效减少触控感应单元上的电流对于其他电流信号的干扰。
具体实施方式
下面结合具体的实施例及附图对本发明进行详细的描述,以使其更加清楚。但是,本发明的技术方案可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
图1所示为根据本发明一实施方式的触控显示面板结构100的局部的俯视示意图。图2所示为图1的局部M的俯视示意图。本发明不同实施方式提供一种触控显示面板结构100。触控显示面板结构100为内嵌式(In-Cell)触控面板结构。
图3所示为根据本发明一实施方式的触控显示面板结构100的剖面示意图,其剖面位置为沿图2的线段3。如图2与图3所示,触控显示面板结构100包含基板110、多个像素结构120以及多条信号线190。每个像素结构120包含数据线121、扫描线122、主动元件170、第一绝缘层124、像素电极125、第二绝缘层126、共用电极127以及金属辅助电极128。数据线121设置于基板110上。扫描线122设置于基板110上。主动元件170电性连接扫描线122与数据线121。第一绝缘层124至少覆盖数据线121与主动元件170。像素电极125设置于第一绝缘层124上并电性连接主动元件170。第二绝缘层126设置于第一绝缘层124上并覆盖像素电极125。共用电极127设置于第二绝缘层126上。金属辅助电极128设置于第二绝缘层126上且电性连接共用电极127。
具体而言,共用电极127的材质可为氧化铟锡(Indium Tin Oxide)。应了解到,以上所举的共用电极127的材质仅为举例,并非用以限制本发明,本发明本领域普通技术人员,应视实际需要,弹性选择共用电极127的材质。
如图1与图2所示,多个像素结构120的共用电极127形成触控感应单元180,且触控感应单元180的数量为多个。信号线190分别通过电性连接触控感应单元180。此处需要注意的是,图1为了明显示出触控感应单元180与信号线190的电性连接关系,因此仅示出触控感应单元180与信号线190这两个组件。另外,接触点181代表触控感应单元180与信号线190的电性连接位置,每个触控感应单元180与每条信号线190有两个接触点181。
触控感应单元180为自容式感应电极,且每个触控感应单元180除了在每个像素电极125上方具有开口123的外,其为一分布于多个像素电极125(换句话说,多个子像素)上方的整片结构。由于触控感应单元180具有触控功能,因此在进行触控感应时会有变动的电流分布于触控感应单元180上,而触控感应单元180的分布位置极广,因此在其上的变动电流对于其他电流信号的干扰极为严重。为此,电性连接金属辅助电极128与共用电极127,由于金属辅助电极128的阻抗较小,所以分布于触控感应单元180上的大部份电流将会流至金属辅助电极128,因为金属辅助电极128并非整片结构,其分布范围没有触控感应单元180这么广,因此将能有效减少触控感应单元180上的电流对于其他电流信号的干扰。
如图1所示,信号线190为平行设置,用以分别传递触控感应单元180上的电流信号。如图2与图3所示,信号线190在基板110上的正投影与数据线121在基板110上的正投影至少部份重叠。在本实施方式中,信号线190在基板110上的正投影基本上与数据线121在基板110上的正投影重叠。于是,信号线190将不会影响相关的出光效率。
具体而言,信号线190设置于第一绝缘层124与第二绝缘层126之间,第二绝缘层126具有多个通孔126t,共用电极127具有多个导通部127c,导通部127c设置于通孔126t中,共用电极127(即触控感应单元180)分别通过导通部127c电性连接信号线190,金属辅助电极128分别设置于共用电极127上。此处需要注意的是,在每个触控感应单元180中,仅有两个共用电极127与信号线190电性连接,其他的共用电极127没有与信号线190电性连接。应了解到,以上所举的第二绝缘层126、共用电极127、金属辅助电极128以及信号线190的具体实施方式仅为举例,并非用以限制本发明,本发明本领域普通技术人员,应视实际需要,弹性选择第二绝缘层126、共用电极127、金属辅助电极128以及信号线190的具体实施方式。
具体而言,金属辅助电极128在基板110上的正投影可与数据线121在基板110上的正投影至少部份重叠,且金属辅助电极128在基板110上的正投影可与扫描线122在基板110上的正投影至少部份重叠。在本实施方式中,金属辅助电极128在基板110上的正投影基本上与数据线121在基板110上的正投影重叠,且金属辅助电极128在基板110上的正投影基本上与扫描线122在基板110上的正投影重叠。于是,金属辅助电极128将不会影响相关的出光效率。
具体而言,金属辅助电极128的阻抗为约0.05Ω/m2至约0.3Ω/m2。更具体地说,金属辅助电极128的阻抗为约0.2Ω/m2。由于氧化铟锡的阻抗为约100Ω/m2,因此金属辅助电极128的阻抗远小于共用电极127的阻抗。
具体而言,像素电极125的材质可为氧化铟锡。应了解到,以上所举的像素电极125的材质仅为举例,并非用以限制本发明,本发明本领域普通技术人员,应视实际需要,弹性选择像素电极125的材质。
具体而言,基板110包含底板111与第三绝缘层112,主动元件170包含闸极171、非晶硅层172、源极173以及漏极174。闸极171设置于底板111上。第三绝缘层112设置于底板111上且覆盖闸极171。非晶硅层172设置于第一绝缘层124与第三绝缘层112之间,且非晶硅层172在底板111上的正投影与闸极171在底板111上的正投影至少部份重叠。源极173与漏极174设置于非晶硅层172上,且源极173与漏极174在底板111上的正投影设置于闸极171在底板111上的正投影的两侧。漏极174电性连接像素电极125。触控显示面板结构100为横向电场效应(In Panel Switching,IPS)架构。
具体而言,第一绝缘层124具有多个通孔124t,像素电极125具有多个导通部125c,导通部125c设置于通孔124t中,像素电极125分别通过导通部125c电性连接漏极174。
图4所示为根据本发明另一实施方式的触控显示面板结构100的剖面示意图,其剖面位置为沿图2的线段3。本实施方式的触控显示面板结构100与上述实施方式的触控显示面板结构100大致相同,以下仅描述其不同之处。
基板110包含底板111、第四绝缘层113以及第五绝缘层114,主动元件170包含多晶硅层175、闸极171、源极173以及漏极174。多晶硅层175设置于底板111上。第四绝缘层113设置于底板111上且覆盖多晶硅层175。闸极171设置于第四绝缘层113上,且闸极171在底板111上的正投影与多晶硅层175在底板111上的正投影至少部份重叠。第五绝缘层114设置于第四绝缘层113上且覆盖闸极171。源极173与漏极174设置于第五绝缘层114上,且源极173与漏极174在底板111上的正投影设置于闸极171在底板111上的正投影的两侧。漏极174电性连接像素电极125。触控显示面板结构100为低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon,LTPS)架构。
图5所示为根据本发明又一实施方式的触控显示面板结构100的局部的俯视示意图。图6所示为根据本发明又一实施方式的触控显示面板结构100的剖面示意图,其剖面位置为沿图5的线段6。本实施方式的触控显示面板结构100与上述的触控显示面板结构100大致相同,以下主要描述其不同之处。
如图5与图6所示,共用电极127设置于第一绝缘层124上。金属辅助电极128设置于第一绝缘层124上,且电性连接共用电极127。第二绝缘层126设置于第一绝缘层124上,并覆盖共用电极127与金属辅助电极128。像素电极125设置于第二绝缘层126上,并电性连接主动元件170。多个像素结构120的共用电极127通过金属辅助电极128的导通部127c互相电性连接而形成触控感应单元180(见图1),且触控感应单元180的数量为多个。信号线190分别电性连接触控感应单元180。
此处需要注意的是,在本实施方式中,因为各个共用电极127为设置于数据线121与扫描线122之间,因此由共用电极127所形成的触控感应单元180并非一整片结构。然而,因为多个共用电极127的分布位置仍然极广,所以在其上的变动电流仍会严重干扰其他电流信号。通过电性连接金属辅助电极128与共用电极127,于是分布于触控感应单元180上的大部份电流将会流至金属辅助电极128,因为金属辅助电极128的分布范围没有触控感应单元180这么广,因此将能有效减少触控感应单元180上的电流对于其他电流信号的干扰。
具体而言,金属辅助电极128分别设置于共用电极127上。更具体地说,金属辅助电极128分别设置于共用电极127的顶面127t的边缘上。于是,通过分别设置金属辅助电极128于共用电极127的顶面127t的边缘上,将能有效减少相关出光效率的影响。应了解到,以上所举的金属辅助电极128的具体实施方式仅为举例,并非用以限制本发明,本发明本领域普通技术人员,应视实际需要,弹性选择金属辅助电极128的具体实施方式。
具体而言,信号线190分别设置于共用电极127的一侧。此处需要注意的是,在每个触控感应单元180中,仅有两个共用电极127与信号线190电性连接,其他的共用电极127没有与信号线190电性连接。应了解到,以上所举的共用电极127与信号线190的具体实施方式仅为举例,并非用以限制本发明,本发明本领域普通技术人员,应视实际需要,弹性选择共用电极127与信号线190的具体实施方式。
由于金属辅助电极128与信号线190分别设置于共用电极127上与共用电极127的一侧,因此金属辅助电极128与信号线190可以在形成共用电极127后再使用同一道制程形成,因而可以简化制程,进而降低制造成本与提升良率。
具体而言,本实施方式的触控显示面板结构100为横向电场效应架构。主动元件170的具体结构与图3的触控显示面板结构100大致相同,以下仅描述其不同之处。
具体而言,第一绝缘层124与第二绝缘层126分别具有通孔124t’、126t’,像素电极125具有多个导通部125c’,导通部125c’设置于通孔124t’、126t’中,像素电极125分别通过导通部125c’电性连接漏极174。
图7所示为根据本发明再一实施方式的触控显示面板结构100的剖面示意图,其剖面位置为沿图5的线段6。本实施方式的触控显示面板结构100与图6的触控显示面板结构100大致相同,主要区别在于,本实施方式的触控显示面板结构100为低温多晶硅架构,换句话说,本实施方式的主动元件170的具体结构与图4的主动元件170的具体结构大致相同。
本发明上述实施方式通过电性连接金属辅助电极128与共用电极127,由于金属辅助电极128的阻抗较小,所以分布于触控感应单元180上的大部份电流将会流至金属辅助电极128。因为金属辅助电极128的分布范围没有触控感应单元180这么广,因此将能有效减少触控感应单元180上的电流对于其他电流信号的干扰。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。