CN104935836A - 固体摄像装置 - Google Patents

固体摄像装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104935836A
CN104935836A CN201410427710.2A CN201410427710A CN104935836A CN 104935836 A CN104935836 A CN 104935836A CN 201410427710 A CN201410427710 A CN 201410427710A CN 104935836 A CN104935836 A CN 104935836A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
bias voltage
bias
row
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410427710.2A
Other languages
English (en)
Inventor
山冈宽明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN104935836A publication Critical patent/CN104935836A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及固体摄像装置，根据一实施方式，像素阵列部沿行方向及列方向以矩阵状配置有蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素，列ADC电路基于从所述像素读出的像素信号与基准电压之间的比较结果，按照每列计算所述像素信号的AD变换值，垂直信号线将从所述像素读出的像素信号按照所述每列向所述列ADC电路传送，负载电路沿所述行方向分散地配置，通过与所述像素之间构成源极跟随器电路，来从所述像素向所述垂直信号线按照所述每列读出像素信号。

Description

固体摄像装置
相关申请的参照：本申请享有2014年3月20日申请的日本专利申请第2014－57618号的优先权利益，本申请中援引该日本专利申请的全部内容。
技术领域
本发明一般地讲涉及固体摄像装置。
背景技术
在固体摄像装置中有在信号读出时通过按照每列在与各像素之间构成源极跟随器电路(source follower circuit)来按照每列并列地读出像素信号的方法。
发明内容
本发明所要解决的课题在于提供一种能够减少由于高强度的光入射而产生的拖尾(streaking)的固体摄像装置。
一实施方式的固体摄像装置中，具备：像素阵列部，沿行方向及列方向以矩阵状配置有蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素；列ADC电路，基于从所述像素读出的像素信号与基准电压之间的比较结果，按照每列计算所述像素信号的AD变换值；垂直信号线，将从所述像素读出的像素信号按照每列向所述列ADC电路传送；以及负载电路，通过与所述像素之间构成源极跟随器电路，来从所述像素向所述垂直信号线按照所述每列读出像素信号；所述负载电路具备：偏置电压产生部，沿所述行方向分散地配置，产生所述源极跟随器电路的偏置电压。
另一实施方式的固体摄像装置中，具备：像素阵列部，沿行方向及列方向以矩阵状配置有蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素；列ADC电路，基于从所述像素读出的像素信号与基准电压之间的比较结果，按照每列计算所述像素信号的AD变换值；垂直信号线，将从所述像素读出的像素信号按照所述每列向所述列ADC电路传送；以及负载电路，通过与所述像素之间构成源极跟随器电路，来从所述像素向所述垂直信号线按照所述每列读出像素信号，所述负载电路具备：第一偏置电压产生部，产生所述源极跟随器电路的偏置电压；以及第二偏置电压产生部，产生所述源极跟随器电路的偏置电压。
根据上述结构的固体摄像装置，能够减少由高强度的光入射产生的拖尾。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的固体摄像装置的概略结构的框图。
图2是表示图1的固体摄像装置的像素的结构例的电路图。
图3是表示图1的固体摄像装置的负载电路的结构例的电路图。
图4是表示图1的像素的读出动作时的各部的电压波形的时序图。
图5(a)是表示图3的负载电路的结构例的框图，图5(b)是表示图5(a)的负载晶体管中流动的电流的变动的图，图5(c)是与偏置电压产生部配置在一处时进行比较地来表示偏置电压产生部分散地配置时的像素信号的信号电平及复位电平的变动的图。
图6(a)是表示第二实施方式所涉及的固体摄像装置中应用的负载电路的结构例的框图，图6(b)是表示图6(a)的负载晶体管中流动的电流的变动的图，图6(c)是表示偏置电压产生部分散地配置时的像素信号的信号电平及复位电平的变动的图。
图7是表示应用了第三实施方式所涉及的固体摄像装置的数字摄像机的概略结构的框图。
具体实施方式
根据一个实施方式，具备像素阵列部、列ADC电路、垂直信号线、负载电路。像素阵列部沿行方向及列方向以矩阵状配置有蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素。列ADC电路按照每列基于从所述像素读出的像素信号与基准电压之间的比较结果来计算所述像素信号的AD变换值。垂直信号线将从所述像素读出的像素信号按照所述每列向所述列ADC电路传送。负载电路通过与所述像素之间构成源极跟随器电路，来从所述像素向所述垂直信号线按照所述每列读出像素信号。在此，负载电路具备沿所述行方向分散地配置、产生所述源极跟随器电路的偏置电压的偏置电压产生部。
以下，参照附图详细地说明实施方式所涉及的固体摄像装置。另外，本发明不受这些实施方式的限制。
(第一实施方式)
图1是表示第一实施方式所涉及的固体摄像装置的概略结构的框图。
图1中，固体摄像装置中设置有像素阵列部1。像素阵列部1中，沿行方向RD及列方向CD以矩阵状配置有m(m为正整数)行×n(n为正整数)列的、蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素PC。此外，在该像素阵列部1中，沿行方向RD设置有进行像素PC的读出控制的水平控制线Hlin，沿列方向CD设置有传送从像素PC读出的信号的垂直信号线Vlin。
此外，固体摄像装置中设置有：沿垂直方向扫描成为读出对象的像素PC的垂直扫描电路2；通过与像素PC之间构成源极跟随器电路来从像素PC向垂直信号线Vlin按照每列读出像素信号的负载电路3；将各像素PC的信号成分通过CDS按照每列进行检测的列ADC电路4；沿水平方向扫描成为读出对象的像素PC的水平扫描电路5；向列ADC电路4输出基准电压VREF的基准电压产生电路6；以及控制各像素PC的读出及蓄积的定时的定时控制电路7。负载电路3中设置有产生用于读出像素信号的源极跟随器电路的偏置电压的偏置电压产生部3A～3E。偏置电压产生部3A～3E沿行方向RD分散地配置。
然后，通过由垂直扫描电路2沿垂直方向扫描像素PC，使得沿行方向RD选择像素PC。然后，在负载电路3中，一边从偏置电压产生部3A～3E接受偏置电压一边与该像素PC之间进行源极跟随器动作，由此，从像素PC读出的像素信号被经由垂直信号线Vlin传送，被传送至列ADC电路4。此外，在基准电压产生电路6中，作为基准电压VREF而设定有斜波(rampwave)，被传送至列ADC电路4。然后，在列ADC电路4中，进行时钟的计数动作，直至从像素PC读出的信号电平和复位电平与斜波的电平一致为止，通过获取此时的信号电平与复位电平的差分，来由CDS检测各像素PC的信号成分，并被作为输出信号S1输出。
在此，通过沿行方向RD分散地配置偏置电压产生部3A～3E，能够抑制偏置电压产生部3A～3E的基准电平的变动从自列传到他列。因而，即使在高强度的光局部地入射到自列的像素PC的情况下，也能够抑制他列的像素信号的电平变动，能够减少拖尾(横纹噪声)。
图2是表示图1的固体摄像装置的像素的结构例的电路图。
图2中，各像素PC中设置有：光电二极管PD、行选择晶体管Ta、放大晶体管Tb、复位晶体管Tr及读出晶体管Td。此外，在放大晶体管Tb、复位晶体管Tr、读出晶体管Td之间的连接点，作为检测节点而形成有浮动扩散区FD。
然后，在像素PC中，读出晶体管Td的源极与光电二极管PD连接，读出晶体管Td的栅极被输入读出信号ΦD。此外，复位晶体管Tr的源极与读出晶体管Td的漏极连接，复位晶体管Tr的栅极被输入复位信号ΦR，复位晶体管Tr的漏极与电源电位VDD连接。此外，行选择晶体管Ta的栅极被输入行选择信号ΦA，行选择晶体管Ta的漏极与电源电位VDD连接。此外，放大晶体管Tb的源极与垂直信号线Vlin连接，放大晶体管Tb的栅极与读出晶体管Td的漏极连接，放大晶体管Tb的漏极与行选择晶体管Ta的源极连接。另外，图1的水平控制线Hlin能够将读出信号ΦD、复位信号ΦR及行选择信号ΦA按照每行向像素PC传送。在图1的负载电路3中，按照每列设置有恒流源GA1，恒流源GA1与垂直信号线Vlin连接。偏置电压产生部3A～3E能够产生各列的恒流源GA1的偏置电压。
图3是表示图1的固体摄像装置的负载电路的结构例的电路图。
图3中，在像素阵列部1中，按照每列设置有垂直信号线Vlin1～Vlinn。在像素阵列部1的各行的像素PC，按照每列设置有放大晶体管Tb1～Tbn。负载电路3中，按照每列设置有负载晶体管MD1～MDn。各负载晶体管MD1～MDn能够作为图2的恒流源GA1进行动作。负载晶体管MD1～MDn例如能够使用N沟道晶体管。负载晶体管MD1～MDn的漏极分别与垂直信号线Vlin1～Vlinn连接，负载晶体管MD1～MDn的源极与基准电位VSS连接，负载晶体管MD1～MDn的栅极与偏置电压传送线LG连接。基准电位VSS例如能够设定为接地电位。
偏置电压产生部3A～3E中分别设置有偏置晶体管MA～ME及电阻RA～RE。偏置晶体管MA～ME例如能够使用N沟道晶体管。偏置晶体管MA～ME的漏极分别经由电阻RA～RE而与电源电位VDD分别连接，偏置晶体管MA～ME的源极与基准电位VSS连接，偏置晶体管MA～ME的栅极与偏置晶体管MA～ME的漏极连接。
然后，从偏置晶体管MA～ME的漏极分别输出的偏置电压VB经由偏置电压传送线LG被施加至负载晶体管MD1～MDn的栅极。
然后，通过由负载晶体管MD1～MDn和放大晶体管Tb1～Tbn按照每列构成源极跟随器电路，使得按照每列并列地输出像素信号Vsig1～Vsign。
图4是表示图1的像素的读出动作时的各部的电压波形的时序图。
图4中，在行选择信号ΦA为低电平的情况下，行选择晶体管Ta成为截止状态，不进行源极跟随动作，因此，信号不被输出至垂直信号线Vlin。此时，若读出信号ΦD和复位信号ΦR成为高电平，则读出晶体管Td导通，原本蓄积在光电二极管PD中的电荷被排出到浮动扩散区FD。然后，经由复位晶体管Tr被排出到电源电位VDD。
在原本蓄积在光电二极管PD中的电荷被排出到电源电位VDD后，若读出信号ΦD成为低电平，则光电二极管PD中开始进行有效的信号电荷的蓄积。
接下来，若复位信号ΦR上升，则复位晶体管Tr导通，浮动扩散区FD中由泄漏电流等产生的多余的电荷被复位。
然后，若行选择信号ΦA成为高电平，则像素PC的行选择晶体管Ta导通，向放大晶体管Tb的漏极施加电源电位VDD，由此，由放大晶体管Tb和恒流源GA1构成源极跟随器。然后，与浮动扩散区FD的复位电平RL相应的电压被施加至放大晶体管Tb的栅极。在此，由放大晶体管Tb和恒流源GA1构成源极跟随器，因此，垂直信号线Vlin的电压追随着施加至放大晶体管Tb的栅极的电压，复位电平RL的像素信号Vsig被经由垂直信号线Vlin向列ADC电路4输出。
此时，作为基准电压VREF而设定斜波WR，比较复位电平RL的像素信号Vsig和基准电压VREF。然后，进行向下计数，直至复位电平RL的像素信号Vsig与基准电压VREF的电平一致为止，由此，复位电平RL的像素信号Vsig被变换为数字值DR而被保持。
接下来，若读出信号ΦD上升，则读出晶体管Td导通，原本蓄积在光电二极管PD中的电荷被传送至浮动扩散区FD，与浮动扩散区FD的信号电平SL相应的电压被施加至放大晶体管Tb的栅极。在此，由放大晶体管Tb和恒流源GA1构成源极跟随器，因此，垂直信号线Vlin的电压追随着施加至放大晶体管Tb的栅极的电压，信号电平SL的像素信号Vsig被经由垂直信号线Vlin向列ADC电路4输出。
此时，作为基准电压VREF而设定斜波WS，比较信号电平SL的像素信号Vsig和基准电压VREF。然后，这次进行向上计数，直至信号电平SL的像素信号Vsig与基准电压VREF的电平一致为止，由此，信号电平SL的像素信号Vsig被变换为数字值DS。然后，保持复位电平RL的像素信号Vsig与信号电平SL的像素信号Vsig之间的差分DR－DS，并作为输出信号S1输出。
图5(a)是表示图3的负载电路的结构例的框图，图5(b)是表示图5(a)的负载晶体管中流动的电流的变动的图，图5(c)是与在一处配置有偏置电压产生部时比较地说明分散地配置有偏置电压产生部时的像素信号的信号电平及复位电平的变动的图。
图5(a)中，设为向像素阵列部1的局部区域1A入射了高强度的光。此时，在局部区域1A的列，负载晶体管MD1～MDn中流动的电流i减少，若将其减少的量设为Δi，则电流变为i－Δi。因而，如图5(b)所示，负载晶体管MD1～MDn中流动的电流i的分布从L1变化为L2。结果，如图5(c)所示，在像素信号Vsig的复位电平RL的检测时的基准电位VSS的分布P1与像素信号Vsig的信号电平SL的检测时的基准电位VSS的分布P2之间产生电压变动ΔVSS。
在此，设为在负载电路3中在一处仅设有偏置电压产生部3A，而没有设置偏置电压产生部3B～3E。该情况下，在像素信号Vsig的复位电平RL的检测时的像素信号VsigA的分布S1与像素信号Vsig的信号电平SL的检测时的像素信号VsigB的分布S3之间产生电压变动ΔVsig。因而，局部区域1A的周边的列也是，像素信号VsigB的电平变动，产生与该电压变动ΔVsig2对应的拖尾1B。
与此相对，设为在负载电路3中沿行方向RD分散地配置有偏置电压产生部3A～3E。该情况下，若在局部区域1A的周边的列产生电压变动ΔVSS，则与局部区域1A的周边的列接近的偏置电压产生部3A～3E的基准电位VSS也变化。因而，局部区域1A的周边的列的负载晶体管MD1～MDn的偏置电压VB变化，由局部区域1A的周边的列的电压变动ΔVSS产生的负载晶体管MD1～MDn的电流的变化被抵消。结果，像素信号Vsig的信号电平SL的检测时的像素信号VsigB的分布从S3变为S2，像素信号Vsig的复位电平RL的检测时的像素信号VsigA的分布S1与像素信号Vsig的信号电平SL的检测时的像素信号VsigB的分布S2之间的电压变动从ΔVsig2变为ΔVsig1。因而，局部区域1A的周边的列中的像素信号VsigB的电平的变动减少，能够减少拖尾1B。
(第二实施方式)
图6(a)是第二实施方式所涉及的固体摄像装置中应用的负载电路的结构例的框图，图6(b)是表示图6(a)的负载晶体管中流动的电流的变动的图，图6(c)是表示分散地配置有偏置电压产生部时的像素信号的信号电平及复位电平的变动的图。
图5(a)的结构中，相对于偏置电压产生部3A～3E，共用地设置有偏置电压传送线LG。与此相对，在图6(a)的结构中，偏置电压传送线LG被按照偏置电压产生部3A～3E分别分割，与偏置电压产生部3A～3E分别对应地设置有偏置电压传送线LA～LE。
然后，设为向像素阵列部1的局部区域1A入射了高强度的光。此时，在局部区域1A的列，负载晶体管MD1～MDn中流动的电流i减少，若将其减少的量设为Δi，则电流变为i－Δi。因而，如图6(b)所示，负载晶体管MD1～MDn中流动的电流i的分布从L1变化为L2。结果，如图6(c)所示，在像素信号Vsig的复位电平RL的检测时的基准电位VSS的分布P1与像素信号Vsig的信号电平SL的检测时的基准电位VSS的分布P2之间产生电压变动ΔVSS。
若在局部区域1A的周边的列产生电压变动ΔVSS，则与局部区域1A的周边的列接近的偏置电压产生部3A～3E的基准电位VSS也变化。因而，局部区域1A的周边的列的负载晶体管MD1～MDn的偏置电压VB变化，由局部区域1A的周边的列的电压变动ΔVSS产生的负载晶体管MD1～MDn的电流的变化被抵消。结果，像素信号Vsig的复位电平RL的检测时的像素信号VsigA的分布S1与像素信号Vsig的信号电平SL的检测时的像素信号VsigB的分布S2之间的电压变动ΔVsig1变小，能够减少在局部区域1A的周边的列中产生的拖尾。
在此，通过按照偏置电压产生部3A～3E分别分割偏置电压传送线LG，能够防止在偏置电压产生部3A～3E之间偏置电压VB的变动发生干涉。
另外，在上述的实施方式中，示出了沿行方向RD分散地配置了5个偏置电压产生部3A～3E的结构，但是也可以是，沿行方向RD分散地配置2个以上偏置电压产生部。
(第三实施方式)
图7是表示应用了第三实施方式所涉及的固体摄像装置的数字摄像机的概略结构的框图。
在图7中，数字摄像机11具有摄像机模块12及后级处理部13。摄像机模块12具有摄像光学系统14及固体摄像装置15。后级处理部13具有图像信号处理器(ISP)16、存储部17及显示部18。另外，也可以是，ISP16的至少一部分结构与固体摄像装置15一起1芯片化。作为固体摄像装置15，能够使用图1或者图6的结构。
摄像光学系统14获取来自被摄像体的光，成像被摄像体像。固体摄像装置15拍摄被摄像体像。ISP16对由固体摄像装置15的摄像得到的图像信号进行信号处理。存储部17保存经过了ISP16的信号处理后的图像。存储部17根据用户的操作等，向显示部18输出图像信号。显示部18根据从ISP16或存储部17输入的图像信号，显示图像。显示部18例如为液晶显示器。另外，摄像机模块12除了数字摄像机11以外，还能够应用到例如带摄像机的移动终端等电子设备中。
以上说明了本发明的若干实施方式，但是这些实施方式只是作为例子提出，不意欲限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式来实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围和主旨内，也包含在权利要求所记载的发明及其等同范围内。

Claims (20)

1.一种固体摄像装置，其中，具备：
像素阵列部，沿行方向及列方向以矩阵状配置有蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素；
列ADC电路，基于从所述像素读出的像素信号与基准电压之间的比较结果，按照每列计算所述像素信号的AD变换值；
垂直信号线，将从所述像素读出的像素信号按照所述每列向所述列ADC电路传送；以及
负载电路，通过与所述像素之间构成源极跟随器电路，来从所述像素向所述垂直信号线按照所述每列读出像素信号；
所述负载电路具备：
偏置电压产生部，沿所述行方向分散地配置，产生所述源极跟随器电路的偏置电压。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
所述负载电路按照所述每列具备作为恒流源进行动作的负载晶体管。
3.如权利要求2所述的固体摄像装置，其中，
所述偏置电压产生部具备产生所述偏置电压的偏置晶体管。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置，其中，
向所述负载晶体管传送所述偏置电压的偏置电压传送线被按照每个所述偏置电压产生部来分割。
5.如权利要求4所述的固体摄像装置，其中，
所述负载晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接，所述负载晶体管的漏极与所述垂直信号线连接，所述负载晶体管的源极与接地电位连接。
6.如权利要求5所述的固体摄像装置，其中，
所述偏置晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接，所述偏置晶体管的漏极经由电阻与电源电位连接，所述偏置晶体管的源极与接地电位连接。
7.如权利要求3所述的固体摄像装置，其中，
向所述负载晶体管传送所述偏置电压的偏置电压传送线在所述偏置电压产生部被共用化。
8.如权利要求7所述的固体摄像装置，其中，
所述负载晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接，所述负载晶体管的漏极与所述垂直信号线连接，所述负载晶体管的源极与接地电位连接。
9.如权利要求8所述的固体摄像装置，其中，
所述偏置晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接，所述偏置晶体管的漏极经由电阻与电源电位连接，所述偏置晶体管的源极与接地电位连接。
10.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
所述像素具备：
光电二极管，蓄积进行了光电变换而得的电荷；
行选择晶体管，沿行方向选择所述像素；
放大晶体管，检测从所述光电二极管读出的信号；
复位晶体管，将从所述光电二极管读出的信号复位；以及
读出晶体管，从所述光电二极管读出信号。
11.一种固体摄像装置，其中，具备：
像素阵列部，沿行方向及列方向以矩阵状配置有蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素；
列ADC电路，基于从所述像素读出的像素信号与基准电压之间的比较结果，按照每列计算所述像素信号的AD变换值；
垂直信号线，将从所述像素读出的像素信号按照所述每列向所述列ADC电路传送；以及
负载电路，通过与所述像素之间构成源极跟随器电路，来从所述像素向所述垂直信号线按照所述每列读出像素信号，
所述负载电路具备：
第一偏置电压产生部，产生所述源极跟随器电路的偏置电压；以及
第二偏置电压产生部，产生所述源极跟随器电路的偏置电压。
12.如权利要求11所述的固体摄像装置，其中，
所述负载电路按照所述每列具备作为恒流源进行动作的负载晶体管。
13.如权利要求12所述的固体摄像装置，其中，
所述第一偏置电压产生部具备产生所述偏置电压的第一偏置晶体管，
所述第二偏置电压产生部具备产生所述偏置电压的第二偏置晶体管。
14.如权利要求13所述的固体摄像装置，其中，
具备：
第一偏置电压传送线，针对所述第一偏置电压产生部设置，向第一列的负载晶体管传送所述偏置电压；以及
第二偏置电压传送线，针对所述第二偏置电压产生部设置，向第二列的负载晶体管传送所述偏置电压。
15.如权利要求14所述的固体摄像装置，其中，
所述第一列的负载晶体管的栅极与所述第一偏置电压传送线连接，所述第一列的负载晶体管的漏极与所述第一列的所述垂直信号线连接，所述第一列的负载晶体管的源极与接地电位连接，
所述第二列的负载晶体管的栅极与所述第二偏置电压传送线连接，所述第二列的负载晶体管的漏极与所述第二列的所述垂直信号线连接，所述第二列的负载晶体管的源极与接地电位连接。
16.如权利要求15所述的固体摄像装置，其中，
所述第一偏置晶体管的栅极与所述第一偏置电压传送线连接，所述第一偏置晶体管的漏极经由第一电阻与电源电位连接，所述第一偏置晶体管的源极与接地电位连接，
所述第二偏置晶体管的栅极与所述第二偏置电压传送线连接，所述第二偏置晶体管的漏极经由第二电阻与电源电位连接，所述第二偏置晶体管的源极与接地电位连接。
17.如权利要求13所述的固体摄像装置，其中，
向所述负载晶体管传送所述偏置电压的偏置电压传送线在所述第一偏置电压产生部及所述第二偏置电压产生部被共用化。
18.如权利要求17所述的固体摄像装置，其中，
所述负载晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接，所述负载晶体管的漏极与所述垂直信号线连接，所述负载晶体管的源极与接地电位连接。
19.如权利要求18所述的固体摄像装置，其中，
所述第一偏置晶体管及所述第二偏置晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接，所述第一偏置晶体管的漏极经由第一电阻与电源电位连接，所述第二偏置晶体管的漏极经由第二电阻与电源电位连接，所述第一偏置晶体管及所述第二偏置晶体管的源极与接地电位连接。
20.如权利要求11所述的固体摄像装置，其中，
所述像素具备：
光电二极管，蓄积进行了光电变换而得的电荷；
行选择晶体管，沿行方向选择所述像素；
放大晶体管，检测从所述光电二极管读出的信号；
复位晶体管，将从所述光电二极管读出的信号复位；以及
读出晶体管，从所述光电二极管读出信号。
CN201410427710.2A 2014-03-20 2014-08-27 固体摄像装置 Pending CN104935836A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-057618 2014-03-20
JP2014057618A JP2015185855A (ja) 2014-03-20 2014-03-20 固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104935836A true CN104935836A (zh) 2015-09-23

Family

ID=54122776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410427710.2A Pending CN104935836A (zh) 2014-03-20 2014-08-27 固体摄像装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9179084B2 (zh)
JP (1) JP2015185855A (zh)
KR (1) KR20150110262A (zh)
CN (1) CN104935836A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112740656A (zh) * 2018-09-21 2021-04-30 浜松光子学株式会社 固体摄像装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6527713B2 (ja) * 2015-02-24 2019-06-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
EP3358830B1 (en) * 2015-09-30 2020-11-25 Nikon Corporation Imaging element, imaging device, and electronic apparatus
JP2020004136A (ja) * 2018-06-28 2020-01-09 株式会社リコー 半導体集積回路および電源供給装置
JP2020078020A (ja) * 2018-11-09 2020-05-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1728784A (zh) * 2004-07-01 2006-02-01 索尼株式会社 物理信息获取方法、物理信息获取设备和半导体器件
US20110019039A1 (en) * 2009-07-22 2011-01-27 Panasonic Corporation Solid-state imaging device and camera
US20110273601A1 (en) * 2010-05-07 2011-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4438437B2 (ja) 2004-02-05 2010-03-24 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2011259407A (ja) * 2010-05-13 2011-12-22 Sony Corp 信号処理回路、固体撮像素子およびカメラシステム
JP2012010008A (ja) 2010-06-23 2012-01-12 Sony Corp 撮像素子及び撮像装置
JP5930651B2 (ja) 2011-10-07 2016-06-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP6152992B2 (ja) * 2012-05-30 2017-06-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP5330581B2 (ja) 2012-09-10 2013-10-30 キヤノン株式会社 撮像装置、及び撮像システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1728784A (zh) * 2004-07-01 2006-02-01 索尼株式会社 物理信息获取方法、物理信息获取设备和半导体器件
US20110019039A1 (en) * 2009-07-22 2011-01-27 Panasonic Corporation Solid-state imaging device and camera
US20110273601A1 (en) * 2010-05-07 2011-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112740656A (zh) * 2018-09-21 2021-04-30 浜松光子学株式会社 固体摄像装置
CN112740656B (zh) * 2018-09-21 2023-08-25 浜松光子学株式会社 固体摄像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150271424A1 (en) 2015-09-24
KR20150110262A (ko) 2015-10-02
US9179084B2 (en) 2015-11-03
JP2015185855A (ja) 2015-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10404933B2 (en) Solid-state imaging apparatus and imaging system
US9407847B2 (en) Solid state imaging apparatus and imaging system with writing memory selecting unit and reading memory selecting unit for outputting signals in an order of spatial arrangement
US10044953B2 (en) Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus
US9025064B2 (en) Solid-state imaging device, imaging device, and signal readout method
CN102202190A (zh) 固态成像器件、用于驱动固态成像器件的方法和电子装置
KR101554096B1 (ko) 고체 촬상 장치
US20150109504A1 (en) Image capturing apparatus, solid-state image sensor, and camera
US20150312491A1 (en) Solid-state imaging device
US20130012263A1 (en) Image sensor and image processing device including the same
CN104935836A (zh) 固体摄像装置
US9070796B2 (en) Solid-state imaging device and imaging apparatus
US20150264286A1 (en) Solid-state imaging device
US20130161487A1 (en) Solid-state image pickup device, image pickup device, and signal reading method
US9888195B2 (en) Imaging device, imaging system, and driving method of imaging device
US9118858B2 (en) Image pickup apparatus, image pickup system and driving method of image pickup apparatus
KR20150110261A (ko) 고체 촬상 장치
US9426391B2 (en) Solid-state imaging apparatus, method of controlling the same, and imaging system
WO2015186509A1 (ja) 信号処理装置、制御方法、撮像素子、並びに、電子機器
US9094626B2 (en) Solid-state imaging device, method for controlling solid-state imaging device, and imaging device
US20170366771A1 (en) Comparing circuit and an image sensor including a current stabilization circuit
US20150334323A1 (en) Solid-state imaging device
JP2016111376A (ja) 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法
JP2017188842A (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
US10153318B2 (en) Image sensor device with first and second source followers and related methods

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150923