CN104865752A - 显示基板及其制作方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示基板及其制作方法以及显示装置，该显示基板包括：多个像素，多个狭缝图形，设置在多个像素中至少两个像素之间，包括多个沿摩擦方向设置的狭缝。根据本发明的技术方案，通过设置狭缝图形，而狭缝图形中包括沿摩擦方向的狭缝，在进行摩擦取向工艺时，狭缝图形可以引导摩擦布沿着摩擦方向运动，避免摩擦过程中取向发生变化，以形成良好的取向层，避免摩擦工艺产生的Mura，并延长摩擦布的使用寿命。

Description

显示基板及其制作方法以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、一种显示装置和一种显示基板制作方法。
背景技术
目前，硬屏显示面板ADS产品的摩擦(Rubbing)工艺主要有几种取向性不良容易产生，具体如下：
1.周边Block(块)：Panel(面板)之间Dummy(虚拟)区域影响Rubbing布状态，当Glass(玻璃基板)在Rubbing机台存在小至0.1°的偏移时即产生；
2.V-Block(V形块)：由于ET Test Pad区域影响Rubbing布状态，造成对应区域V-Block；
3.Pad区V-Block：Bonding Pad(粘接垫)区域引线形态影响Rubbing布状态，造成Panel中间宽条状V-Block；
4.Cell(晶胞)污染/Drop(压降)Mura：SD Shadow(数据线阴影区)区域Rubbing效果差导致漏光产生不良；
5.Rubbing Mura：其他原因导致的Rubbing不均匀，产生竖向Mura；
以上种种Rubbing相关不良，根本原因在于基板的形态差异影响了Rubbing布状态，因此造成了取向差异。
Rubbing Mura工艺中产生的一个严重的品质问题，严重影响产品的画面品质，并且ET检出率较低，造成后端严重的资材浪费以及品质问题。尤其是ADS等高端产品，随着客户体验的要求提高，对Rubbing Mura的限度要求越来越严，所以改善Rubbing Mura意义重大。但是该不良的根本原因并不在于Rubbing工艺，工艺的优化改善效果有限。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，如何避免摩擦取向工艺造成的Mura。
为此目的，本发明提出了一种显示基板，包括：
多个像素，
多个狭缝图形，分别设置在所述多个像素中至少两个像素之间，包括多个沿摩擦方向设置的狭缝。
优选地，包括多个功能膜层，
其中，所述多个狭缝图形设置在所述多个功能膜层中的至少一个功能膜层上。
所述多个功能膜层包括：源漏极层、栅极金属层、半导体层、钝化层、像素电极层、公共电极层和彩膜层。
优选地，所述狭缝图形包括：
在栅线上沿摩擦方向设置的多个沟道，所述沟道的深度小于所述栅线的厚度；
设置在所述栅线之上的栅绝缘层；
设置在栅绝缘层之上的钝化层；
设置在所述钝化层之上的电极层。
优选地，所述狭缝图形包括：
沿摩擦方向设置的多条金属线，
其中，所述多条金属线与所述多个像素中的源漏极处于同一层；
设置在所述多条金属线之上和相邻金属线之间的钝化层；
设置在所述钝化层之上的电极层。
优选地，所述狭缝图形包括：
沿摩擦方向设置的多条半导体线，
其中，所述多条半导体线与所述多个像素中的有源层处于同一层；
设置在所述多条半导体线之上和相邻半导体线之间的钝化层；
设置在所述钝化层之上的电极层。
优选地，所述狭缝图形包括：
沿摩擦方向设置的多条半导体线，
其中，所述多条半导体线与所述多个像素中的有源层处于同一层；
设置在所述多条半导体线之上，且沿摩擦方向的多条金属线，
其中，所述多条金属线与所述多个像素中的源漏极处于同一层；
设置在所述多条金属线之上和相邻金属线之间的钝化层；
设置在所述钝化层之上的电极层。
优选地，所述狭缝图形设置在所述多个功能膜层中最上方的膜层中与栅线对应的位置。
优选地，所述狭缝图形中每条狭缝的宽度为13μm至15μm。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示基板。
本发明还提出了一种显示基板制作方法，包括：
在形成多个像素时，在所述多个像素中至少两个像素之间，形成具有沿摩擦方向的多个狭缝的多个狭缝图形。
优选地，形成所述多个狭缝图形包括：
在所述多个功能膜层中的至少一个功能膜层上形成所述多个狭缝图形。
优选地，形成所述狭缝图形包括：
形成所述多个像素中的栅线之后，对所述栅线进行蚀刻，以在所述栅线上形成沿摩擦方向的多个沟道，所述沟道的深度小于所述栅线的厚度；
在所述栅线之上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层之上形成钝化层；
在所述钝化层之上形成电极层。
优选地，形成所述狭缝图形包括：
在形成所述多个像素中的源漏极时，在所述多个像素中相邻像素之间，沿摩擦方向形成多条金属线；
在所述多条金属线之上和相邻金属线之间形成钝化层；
在所述钝化层之上形成电极层。
优选地，形成所述狭缝图形包括：
在形成所述多个像素中的有源层时，在所述多个像素中相邻像素之间，沿摩擦方向形成多条半导体线；
在所述多条半导体线之上和相邻半导体线之间形成钝化层；
在所述钝化层之上形成电极层。
优选地，形成所述狭缝图形包括：
在形成所述多个像素中的有源层时，在所述多个像素中相邻像素之间，沿摩擦方向形成多条半导体线；
在形成所述多个像素中的源漏极时，在所述多条半导体线之上，沿摩擦方向形成多条金属线；
在所述多条金属线之上和相邻金属线之间形成钝化层；
在所述钝化层之上形成电极层。
优选地，形成所述狭缝图形包括：
在所述多个功能膜层中最上方的膜层中与栅线的位置形成所述狭缝图形。
根据上述技术方案，通过设置沿摩擦方向的狭缝图形，而狭缝图形中包括沿摩擦方向的狭缝，在进行摩擦取向工艺(形成取向层)时，狭缝图形可以引导摩擦布沿着摩擦方向运动，避免摩擦过程中取向发生变化，以形成良好的取向层，避免摩擦工艺产生的Mura，并延长摩擦布的使用寿命。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1示出了现有技术中显示面板的结构示意图；
图2示出了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图；
图3示出了根据本发明一个实施例的显示面板沿AA’的截面示意图；
图4示出了根据本发明又一个实施例的显示面板沿AA’的截面示意图；
图5示出了根据本发明又一个实施例的显示面板沿AA’的截面示意图；
图6示出了根据本发明又一个实施例的显示面板沿AA’的截面示意图；
图7示出了根据本发明一个实施例的形成狭缝图形的示意流程图；
图8示出了根据本发明一个实施例的形成狭缝图形的示意流程图；
图9示出了根据本发明又一个实施例的形成狭缝图形的示意流程图；
图10示出了根据本发明又一个实施例的形成狭缝图形的示意流程图。
附图标号说明：
1-像素；2-狭缝图形；21-基底；22-栅极金属层；23-栅绝缘层；24-金属线；25-钝化层；26-电极层；27-半导体线。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
如图2所示，根据本发明一个实施例的显示基板，包括：
多个像素1，
多个狭缝图形2，分别设置在多个像素1中至少两个像素1之间，包括多个沿摩擦方向设置的狭缝。
图1示出了现有技术中显示面板的结构，在图1中，由于基板上没有任何能予以摩擦布引导的结构，摩擦布在摩擦取向工艺中，在沿着摩擦方向运动时，容易因为基板自身结构因素和外界因素的影响，发生运动方向的偏移，导致摩擦工艺产生Mura。
由于狭缝图形2具有多个沿摩擦方向的狭缝，其中，摩擦方向即摩擦取向工艺中摩擦布的预定运动方向，在进行摩擦取向工艺时，狭缝图形2可以引导摩擦布沿着摩擦方向运动，防止摩擦布在摩擦过程中取向发生变化，从而形成良好的取向层，避免摩擦工艺产生的Mura，提高产品良率。
而且，将狭缝图形2设置在多个像素的相邻像素之间，可以保证摩擦布在摩擦取向过程中，能够连续地被狭缝图形2所引导，保证摩擦取向方向的准确性，进一步避免摩擦工艺产生的Mura。还可以避免摩擦布在摩擦工艺中沿着非摩擦方向发生摩擦而损伤摩擦布，从而延长摩擦布的使用寿命。
图1中所示的结构中，狭缝图形2仅设置在与栅线对应的位置(即横向设置)，实际上根据需要，还可以将狭缝图形2设置在与数据线对应的位置(即纵向设置)，但是狭缝图形2中的狭缝都是沿摩擦方向设置的。
优选地，包括多个功能膜层，
其中，多个狭缝图形设置在多个功能膜层中的至少一个功能膜层上。
优选地，多个功能膜层包括：源漏极层、栅极金属层、半导体层、钝化层、像素电极层、公共电极层和彩膜层。
如图3所示，优选地，狭缝图形2包括：
在栅线(与栅极金属层22处于同一层)上沿摩擦方向设置的多个沟道，沟道的深度小于栅线的厚度；
设置在栅线之上的栅绝缘层23；
设置在栅绝缘层之上的钝化层25；
设置在钝化层之上的电极层26。
栅线中沟道的深度小于栅线的厚度，可以保证栅线不会断裂，以便正常传输扫描信号。
由于栅线上的沟道沿摩擦方向设置，在其上形成栅绝缘层23时，即会形成在栅线的正上方，也会形成在沟道中，从而在沟道对应位置形成凹槽，凹槽与沟道平行，即也沿着摩擦方向，在栅绝缘层23上形成钝化层25时，也会在凹槽对应位置形成凹槽，进一步地，形成在钝化层25之上的电极层26在钝化层25的凹槽处也会形成沿着摩擦方向的凹槽，从而形成狭缝图形2。
由于狭缝图形2沿摩擦方向设置，在进行摩擦工艺时，狭缝图形2可以引导摩擦布沿着摩擦方向运动，防止摩擦布在摩擦过程中取向发生变化，从而形成良好的取向层，避免摩擦工艺产生的Mura。
如图4所示，优选地，狭缝图形2包括：
沿摩擦方向设置的多条金属线24，
其中，多条金属线24与多个像素1中的源漏极(图中未示出)处于同一层，将金属线24与源漏极同层形成，可以简化制作工艺；
设置在多条金属线24之上和相邻金属线24之间的钝化层25；
设置在钝化层25之上的电极层26。
由于多条金属线24沿摩擦方向设置，在其上形成钝化层25时，既会形成在金属线24的正上方，也会形成于相邻金属线24之间，而相邻金属线24之间的钝化层25相对金属线24正上方的钝化层25较低，从而在相邻金属线24之间形成凹槽，凹槽与多条金属线24平行，即也是沿着摩擦方向的，进一步地，形成在钝化层25之上的电极层26在钝化层25的凹槽处也会形成沿着摩擦方向的凹槽，从而形成狭缝图形2。
由于狭缝图形2沿摩擦方向设置，在进行摩擦工艺时，狭缝图形2可以引导摩擦布沿着摩擦方向运动，防止摩擦布在摩擦过程中取向发生变化，从而形成良好的取向层，避免摩擦工艺产生的Mura。
如图5所示，优选地，狭缝图形2包括：
沿摩擦方向设置的多条半导体线27，
其中，多条半导体线27与多个像素1中的有源层(图中未示出)处于同一层，将半导体线27与有源层同层形成可以简化制作工艺；
设置在多条半导体线27之上和相邻半导体线27之间的钝化层25；
设置在钝化层25之上的电极层26。
由于多条半导体线27沿摩擦方向设置，在其上形成钝化层25时，既会形成在半导体线27的正上方，也会形成于相邻半导体线27之间，而相邻半导体线27之间的钝化层25相对半导体线27正上方的钝化层25较低，从而在相邻半导体线27之间形成凹槽，凹槽与多条半导体线27平行，即也是沿着摩擦方向的，进一步地，形成在钝化层25之上的电极层26在钝化层25的凹槽处也会形成沿着摩擦方向的凹槽，从而形成狭缝图形2。
由于狭缝图形2沿摩擦方向设置，在进行摩擦工艺时，狭缝图形2可以引导摩擦布沿着摩擦方向运动，防止摩擦布在摩擦过程中取向发生变化，从而形成良好的取向层，避免摩擦工艺产生的Mura。
如图6所示，优选地，狭缝图形2包括：
沿摩擦方向设置的多条半导体线27，
其中，多条半导体线27与多个像素1中的有源层处于同一层，将半导体线27与有源层同层形成可以简化制作工艺；
设置在多条半导体线27之上，且沿摩擦方向的多条金属线24，
其中，多条金属线24与多个像素1中的源漏极处于同一层，将金属线24与源漏层同层形成可以简化制作工艺；
设置在多条金属线24之上和相邻金属线24之间的钝化层25；
设置在钝化层25之上的电极层26。
由于多条半导体线27和多条金属线24均沿摩擦方向设置，在多条金属线24上形成钝化层25时，既会形成在多条金属线24的正上方，也会形成于相邻金属线24之间，以及相邻半导体线27之间，而相邻半导体线27之间和相邻金属线24之间的钝化层25相对金属线24正上方的钝化层25较低，从而形成凹槽，凹槽与多条半导体线27和多条金属线24平行，即也是沿着摩擦方向的，进一步地，形成在钝化层25之上的电极层26在钝化层25的凹槽处也会形成沿着摩擦方向的凹槽，从而形成狭缝图形2。
优选地，狭缝图形2设置在多个功能膜层中最上方的膜层中与栅线对应的位置。
将狭缝图形2设置在多个功能膜层中最上方的膜层(例如公共电极)中，可以使得摩擦取向工艺中，摩擦布直接与狭缝图形2相接触，使得狭缝图形2良好地引导摩擦布沿着摩擦方向运动。并且将狭缝图形2设置在与栅线对应的位置，可以狭缝图形2中的狭缝紧密排列，从而良好地引导摩擦取向工艺。
另外，摩擦工艺的摩擦方向一般与栅线相垂直，将狭缝图形2设置在与栅线对应的公共电极上，可以保证具有狭缝图形2的公共电极与栅线对应，从而在每个像素1中都设置有狭缝图形2，保证摩擦布在摩擦取向过程中，能够连续地被狭缝图形2所引导，保证摩擦取向方向的准确性，进一步避免摩擦工艺产生的Mura。
优选地，狭缝图形2中每条狭缝的宽度为13μm至15μm。
宽度为13μm至15μm的狭缝与当前摩擦工艺中摩擦布的直径相匹配，可以更加顺利地引导摩擦布运动。当然，狭缝的具体宽度也可以根据需要设置。
上述显示基板包括但不仅限于ADS和TN类型的基板，对应不同类型的基板，可以根据需要设置形成狭缝图形2所在的层。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项的显示基板。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明还提出了一种显示基板制作方法，包括：
在形成多个像素1时，在多个像素1中至少两个像素1之间，形成具有沿摩擦方向形成的多个狭缝的多个狭缝图形2。
形成多个狭缝图形包括：
在多个功能膜层中的至少一个功能膜层上形成多个狭缝图形。
如图7所示，形成狭缝图形包括：
A1，形成多个像素中的栅线之后，对栅线进行蚀刻，以在栅线上形成沿摩擦方向的多个沟道，沟道的深度小于栅线的厚度；
A2，在栅线之上形成栅绝缘层；
A3，在栅绝缘层之上形成钝化层；
A4，在钝化层之上形成电极层。
如图8所示，优选地，形成狭缝图形2包括：
B1，在形成多个像素1中的源漏极时，在多个像素1中相邻像素1之间，沿摩擦方向形成多条金属线24；
B2，在多条金属线24之上和相邻金属线24之间形成钝化层25；
B3，在钝化层25之上形成电极层26。
如图9所示，优选地，形成狭缝图形2包括：
C1，在形成多个像素1中的有源层时，在多个像素1中相邻像素之间，沿摩擦方向形成多条半导体线27；
C2，在多条半导体线27之上和相邻半导体线27之间形成钝化层25；
C3，在钝化层25之上形成电极层26。
如图10所示，优选地，形成狭缝图形2包括：
D1，在形成多个像素1中的有源层时，在多个像素中相邻像素1之间，沿摩擦方向形成多条半导体线27；
D2，在形成多个像素1中的源漏极时，在多条半导体线27之上，沿摩擦方向形成多条金属线24；
D3，在多条金属线24之上和相邻金属线24之间形成钝化层25；
D4，在钝化层25之上形成电极层26。
优选地，形成狭缝图形2包括：
在多个功能膜层中最上方的膜层中与栅线对应的位置形成狭缝图形2。
其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到现有技术中，摩擦工艺中存在多种不良因素，会造成摩擦取向的差异。根据本发明的技术方案，通过设置狭缝图形，而狭缝图形中包括沿摩擦方向的狭缝，在进行摩擦取向工艺时，狭缝图形可以引导摩擦布沿着摩擦方向运动，避免摩擦过程中取向发生变化，以形成良好的取向层，避免摩擦工艺产生的Mura，并延长摩擦布的使用寿命。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中，术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
多个像素，
多个狭缝图形，分别设置在所述多个像素中至少两个像素之间，包括多个沿摩擦方向设置的狭缝。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，包括多个功能膜层，
其中，所述多个狭缝图形设置在所述多个功能膜层中的至少一个功能膜层上。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述多个功能膜层包括：源漏极层、栅极金属层、半导体层、钝化层、像素电极层、公共电极层和彩膜层。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述狭缝图形包括：
在栅线上沿摩擦方向设置的多个沟道，所述沟道的深度小于所述栅线的厚度；
设置在所述栅线之上的栅绝缘层；
设置在栅绝缘层之上的钝化层；
设置在所述钝化层之上的电极层。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述狭缝图形包括：
沿摩擦方向设置的多条金属线，
其中，所述多条金属线与所述多个像素中的源漏极处于同一层；
设置在所述多条金属线之上和相邻金属线之间的钝化层；
设置在所述钝化层之上的电极层。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述狭缝图形包括：
沿摩擦方向设置的多条半导体线，
其中，所述多条半导体线与所述多个像素中的有源层处于同一层；
设置在所述多条半导体线之上和相邻半导体线之间的钝化层；
设置在所述钝化层之上的电极层。
7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述狭缝图形包括：
沿摩擦方向设置的多条半导体线，
其中，所述多条半导体线与所述多个像素中的有源层处于同一层；
设置在所述多条半导体线之上，且沿摩擦方向的多条金属线，
其中，所述多条金属线与所述多个像素中的源漏极处于同一层；
设置在所述多条金属线之上和相邻金属线之间的钝化层；
设置在所述钝化层之上的电极层。
8.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述狭缝图形设置在所述多个功能膜层中最上方的膜层中与栅线对应的位置。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述狭缝图形中每条狭缝的宽度为13μm至15μm。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的显示基板。
11.一种显示基板制作方法，其特征在于，包括：
在形成多个像素时，在所述多个像素中至少两个像素之间，形成具有沿摩擦方向的多个狭缝的多个狭缝图形。
12.根据权利要求11所述的显示基板制作方法，其特征在于，形成所述多个狭缝图形包括：
在所述多个功能膜层中的至少一个功能膜层上形成所述多个狭缝图形。
13.根据权利要求12所述的显示基板制作方法，其特征在于，形成所述狭缝图形包括：
形成所述多个像素中的栅线之后，对所述栅线进行蚀刻，以在所述栅线上形成沿摩擦方向的多个沟道，所述沟道的深度小于所述栅线的厚度；
在所述栅线之上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层之上形成钝化层；
在所述钝化层之上形成电极层。
14.根据权利要求12所述的显示基板制作方法，其特征在于，形成所述狭缝图形包括：
在形成所述多个像素中的源漏极时，在所述多个像素中相邻像素之间，沿摩擦方向形成多条金属线；
在所述多条金属线之上和相邻金属线之间形成钝化层；
在所述钝化层之上形成电极层。
15.根据权利要求12所述的显示基板制作方法，其特征在于，形成所述狭缝图形包括：
在形成所述多个像素中的有源层时，在所述多个像素中相邻像素之间，沿摩擦方向形成多条半导体线；
在所述多条半导体线之上和相邻半导体线之间形成钝化层；
在所述钝化层之上形成电极层。
16.根据权利要求12所述的显示基板制作方法，其特征在于，形成所述狭缝图形包括：
在形成所述多个像素中的有源层时，在所述多个像素中相邻像素之间，沿摩擦方向形成多条半导体线；
在形成所述多个像素中的源漏极时，在所述多条半导体线之上，沿摩擦方向形成多条金属线；
在所述多条金属线之上和相邻金属线之间形成钝化层；
在所述钝化层之上形成电极层。
17.根据权利要求12所述的显示基板制作方法，其特征在于，形成所述狭缝图形包括：
在所述多个功能膜层中最上方的膜层中与栅线对应的位置形成所述狭缝图形。
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