CN104851770A - 一种测定离子束流平行度的装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种测定离子束流平行度的装置和方法，该装置包括：一基板放置单元，以放置基板于其上；一离子束流透过单元，具有允许离子束流通过的多条细缝，并和所述基板放置单元上放置的基板平行；一电流收集单元，测量基板上的电流；以及，一位置对照单元，以与测量的基板上的电流的位置进行对照。通过测定离子束流平行度的装置或方法，能够直接简单的获得离子束流平行度，避免了传统方法中判断电阻值均匀性时受到离子在硅晶片中的通道效应、离子激活设备温度均匀性以及电阻值测量设备准确度影响，且离子束流透过单元可以重复使用，能够节省购买硅晶片的成本。

Description

一种测定离子束流平行度的装置和方法

技术领域

本发明涉及一种测定离子束流平行度的装置和方法。

背景技术

随着半导体集成电路制造工艺的越来越微细化，对半导体制造设备的性能要求也越来越高。离子束注入机是半导体器件制造中非常重要的掺杂设备。为了保证整个晶片上的器件性能的一致性，在离子注入前需对离子束流进行平行度确认，以保证束流均为垂直注入多晶硅层，否则会影响多晶硅中离子的浓度分布，进而影响多晶硅面内的电阻值均匀性和TFT电流均匀性。

在离子束注入的生产工艺中，将离子束注入机固定，将待注入的基板依次经过离子束，从而使离子束扫描基板。反之，也可将等待注入的基板固定，使离子束移动从而使离子束扫描基板。由此，在基板运行方向上，离子束的注入不会有过大的差异。但是，在基板面内的与基板运行方向垂直的方向上，如果离子束流不平行，则会产生非常大的影响。因此，对离子束流平行度的控制主要体现在对基板面内的与基板运行方向垂直的方向上的平行度的控制。

目前，测定离子束流是否平行的方法，如图1、2所示，是在基板11的不同位置（图1中是3处不同位置）上粘贴需注入的硅晶片12，通过高温激活硅晶片中掺杂的离子后测量硅晶片的电阻值，从电阻值的均匀性来判断离子束流注入角度的一致性。

但是，该方法所测得的电阻值均匀性受到硅晶片本身所引起的通道效应影响（单晶硅原子规律排布，部分离子在注入路径上受到硅原子的阻碍小，使离子注入的深度比正常受到硅原子阻挡的深，深度不一致会导致电阻值均匀性判断受干扰），且还受离子激活设备的温度均匀性、电阻测量设备的准确度的影响，因此，有可能导致判断结果不准确。另外，使用硅晶片还增加了实验成本。

因此，需要一种准确、简便、便宜的测定在基板面内的与基板运行方向垂直的方向上的离子束流平行度的装置和方法。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的测定离子束流是否平行的方法的判断结果不准确、成本高、不简便的缺陷，提供一种准确、简便、便宜的测定离子束流平行度的装置和方法。

本发明人通过锐意研究发现，使离子束流通过具有细缝的离子束流透过单元，并照射与所述离子束流透过单元平行放置的基板，并通过测量基板上的电流，由此可以判断离子束流是否平行且垂直于基板入射，从而完成了本发明。

本发明提供了一种测定离子束流平行度的装置，其特征在于，其包括：一基板放置单元，以放置基板于其上；一离子束流透过单元，具有允许离子束流通过的多条细缝，并和所述基板放置单元上放置的基板平行；一电流收集单元，测量基板上的电流；以及，一位置对照单元，以与测量的基板上的电流的位置进行对照。

采用本发明的测定离子束流平行度的装置，能够直接简单的获得离子束流平行度，避免了传统方法中判断电阻值均匀性时受到离子在硅晶片中的通道效应、离子激活设备温度均匀性以及电阻值测量设备准确度影响，且离子束流透过单元可以重复使用，能够节省购买硅晶片的成本。

本发明还提供了一种测定离子束流平行度的方法，其特征在于，其包括：一照射离子束流的步骤，该步骤使离子束流通过具有多条细缝的离子束流透过单元，并照射与所述离子束流透过单元平行放置的基板；一测量电流的步骤，该步骤测量上述基板上的电流；一离子束流平行度判断步骤，该步骤判断离子束流是否平行，当所测量的电流的位置与能够与所测量的电流的位置进行对照的位置对照单元一致，则判断离子束流是相互平行地垂直于基板入射。

采用本发明的测定离子束流平行度的方法，能够直接简单的获得离子束流平行度，避免了传统方法中判断电阻值均匀性时受到离子在硅晶片中的通道效应、离子激活设备温度均匀性以及电阻值测量设备准确度影响，且离子束流透过单元可以重复使用，能够节省购买硅晶片的成本。

附图说明

图1是表示现有技术的测定离子束流平行度的方法的图，图中示出了基板正面图，并且，硅晶片尺寸是六英寸，基板尺寸是730mm*920mm。

图2是表示现有技术的测定离子束流平行度的方法的图，图中示出了基板侧面图。

图3是表示本发明的测定离子束流平行度的装置和方法的一个实例的图。

图4是表示通过本发明的测定离子束流平行度的装置和方法的一个实例进行测定而在基板上收集到的离子束流电流强度图。

图5是表示本发明的测定离子束流平行度的装置和方法的另一个实例的图。

图6是表示通过本发明的测定离子束流平行度的装置和方法的另一个实例进行测定而在基板上收集到的离子束流电流强度图。

其中，附图标记说明如下：

11  基板              12硅晶片

31  离子束流透过单元  33电流收集单元

具体实施方式

以下，针对本发明结合附图进行详细的说明。

如图3及图5所示，本发明的测定离子束流平行度的装置，其包括：一基板放置单元（未图示），其放置基板11于其上；一离子束流透过单元31（31，），其具有多条细缝（图3中是7条，图5中是3条），并和所述基板放置单元上放置的基板11平行；一电流收集单元33，其测量基板11上不同位置的电流；以及，一位置对照单元（未图示），以与测量的基板上的电流的位置进行对照。

采用本发明的测定离子束流平行度的装置，使离子束流通过具有多条细缝的离子束流透过单元，并照射与所述离子束流透过单元平行放置的基板，然后，测量基板上的电流，当所测量的电流位置与位置对照单元一致，则判断离子束流是相互平行地垂直于基板入射。由此，能够直接简单的测定离子束流平行度，避免了传统方法中判断电阻值均匀性时受到离子在硅晶片中的通道效应、离子激活设备温度均匀性以及电阻值测量设备准确度影响，且离子束流透过单元可以重复使用，能够节省购买硅晶片的成本。

本发明中所述的“平行度”是指离子束流之间是否完全平行，并没有刻意地判断平行的程度。根据不同的工艺对平行程度的要求不同，例如，可以举出将平行程度的偏差控制在2%以下（即，在基板上偏移的距离除以细缝间距得出的数值在2%以下）。

本发明中所述的“位置对照单元”，没有特别的限定，只要是在测量离子束流时能够判断该离子束流通过离子束流透过单元的细缝入射到基板上的位置与当离子束流垂直入射时到达基板上的位置是否重合即可，可以是在基板上设置的标准位置线，也可以是在基板上设置的标准位置点，也可以是在基板上设置的标准位置线和在基板上设置的标准位置点的结合。

所述标准位置线，是指在基板上设置的与离子束流透过单元的细缝的中间线两者之间构成的平面与基板面垂直的线。当离子束流通过离子束流透过单元的细缝平行且垂直入射基板时，通过细缝入射在基板上的位置的中心线与标准位置线重合。所述标准位置点，是指在基板上设置的与离子束流透过单元的细缝的中间线两者之间构成的平面与基板面垂直的点。当离子束流通过离子束流透过单元的细缝平行且垂直入射基板时，标准位置点位于通过细缝入射在基板上的位置的中心线上。

从能够更直观地获得所测量的电流的位置与位置对照单元是否一致的角度考虑，优选采用标准位置线。

虽然每一条离子束流透过单元的细缝都能够对应于一条标准位置线，但是，对标准位置线的设置条数，并没有特别限定，可以设置一条或多条，但从准确性高且不过多增加工艺成本的角度考虑，优选设置3～10条。

当所述标准位置线设置多条时，仅通过判断离子束流通过离子束流透过单元入射到基板上的位置的中心线与相对应的标准位置线是否都能够分别重合，就能够确定离子束流是否平行地垂直于基板入射。当离子束流入射到基板上的位置的中心线与对应的标准位置线都能够分别重合，则能够确定离子束流平行地垂直于基板入射，当离子束流入射到基板上的位置的中心线与对应的标准位置线不是都能够重合，则能够确定离子束流并非平行地垂直于基板入射。

当所述标准位置线设置一条时，可以结合所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断。另外，在所述标准位置线设置多条时，也可以借助于所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断。在结合所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断时，当所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距相等，则能够确定离子束流平行地垂直于基板入射，当所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距不相等，则能够确定离子束流并非平行地垂直于基板入射。

本发明中所述的“所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距相等”，是指测量的所有电流条带之间的位置间距与所对应的所有细缝之间的间距相等，举例来说，如图3所示，从上往下数第1条细缝和第2条细缝之间的间距，与基板上的从上往下数第1条电流带与第2条电流带之间的间距相等，从上往下数第2条细缝和第3条细缝之间的间距，与基板上的从上往下数第2条电流带与第3条电流带之间的间距相等，以此类推，所有的间距均相等。

所述细缝可以是2条或3条以上，并没有特别限定。但是，当为3条以上时，与细缝为2条时相比，能够扩大测量的离子束流的范围，能够更加准确地判断离子束流是否平行，因此，优选为3条以上。另外，如果细缝条数太多，会增加工艺成本，因此，优选为10条以下。

另外，虽然本说明书中对标准位置线的设置条数与对细缝的设置条数的限定是相互独立地进行的，但是，标准位置线是对应于细缝而设置的，因此，标准位置线的设置条数小于等于细缝的设置条数。

所述细缝之间的间距可以相等或不相等，并没有特别限定。但是，当细缝之间的间距相等，离子束流平行地垂直入射时，则反馈在基板上的电流的间距之间也相等。此时，当设置有一条标准位置线时，在判断所测量的电流位置与标准位置线是否一致以外，只需判断两条细缝之间的间距与两条电流之间的间距是否相等，就能够准确地判断离子束流是否平行地垂直入射。当设置有多条标准位置线时，在判断所测量的电流位置与标准位置线是否一致以外，只需判断两条细缝之间的间距与两条电流之间的间距是否相等，就能够更加准确地判断离子束流是否平行地垂直入射。由此可见，当细缝之间的间距相等时，能够更方便、直观地判断离子束流是否平行地垂直入射。

上述对于使用标准基准线作为位置对照单元的结构及判断的原理进行了详细的说明，使用标准位置点的情形与使用标准基准线的情形基本相同。

在使用标准位置点时，与标准位置线同样地，对于标准位置点的设置个数，并没有特别限定，可以设置一个或多个，但从准确性高且不过多增加工艺成本的角度考虑，优选设置3～10个。但是，需要说明的是，设置多个标准位置点时，该多个标准位置点是指对应于不同的离子束流透过单元的细缝的多个点。

当所述标准位置点设置多个时，仅通过判断离子束流通过离子束流透过单元入射到基板上的位置的中心线与相对应的标准位置点是否都能够分别重合，就能够确定离子束流是否平行地垂直于基板入射。当离子束流入射到基板上的位置的中心线与对应的标准位置点都能够分别重合，则能够确定离子束流平行地垂直于基板入射，当离子束流入射到基板上的位置的中心线与对应的标准位置点不是都能够重合，则能够确定离子束流并非平行地垂直于基板入射。

当所述标准位置点设置一个时，可以结合所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断。另外，在所述标准位置点设置多个时，也可以借助于所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断。在结合所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断时，当所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距相等，则能够确定离子束流平行地垂直于基板入射，当所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距不相等，则能够确定离子束流并非平行地垂直于基板入射。

另外，当所述位置对照单元是在基板上设置的标准位置线和标准位置点的结合时，其结构与判断的原理与上述基本相同。但是，需要说明的是，标准位置点位于标准位置线上则不能起到位置对照的作用，因此，标准位置点不能位于标准位置线上。

所述离子束流透过单元可以是石墨治具、碳化硅治具、不锈钢治具等，没有特别限定。但是，从耐热性、耐束流侵蚀性能优异且细缝保持性能强的角度考虑，优选是石墨治具。

所述离子束流透过单元的细缝的宽度，没有特别限定，优选是5～10mm，在该范围内能够更好地保证离子束流的精细度，便于电流收集单元测量基板上不同位置的电流。

所述细缝之间的间距，没有特别限定，优选是80～100mm，在该范围内能够更好地保证通过细缝的离子束流之间不会发生相互干涉，从而使电流收集单元能够更加准确地测量基板上不同位置的电流。

所述离子束流透过单元与基板之间的距离，没有特别限定，优选大于1米，由此，能够进一步避免离子束流发散带来的干扰，更加准确地判断离子束流是否平行且垂直于基板入射。

所述电流收集装置，并没有特别限定，例如可以使用霍尔电流传感器等本领域公知的电流收集装置。

本发明的测定离子束流平行度的方法，其包括：一照射离子束流的步骤，该步骤使离子束流通过具有多条细缝的离子束流透过单元，并照射与所述离子束流透过单元平行放置的基板；一测量电流的步骤，该步骤测量上述基板上的电流；一离子束流平行度判断步骤，该步骤判断离子束流是否平行，当所测量的电流的位置与能够与所测量的电流的位置进行对照的位置对照单元一致，则判断离子束流是相互平行地垂直于基板入射。

采用本发明的测定离子束流平行度的方法，使离子束流通过具有多条细缝的离子束流透过单元，并照射与所述离子束流透过单元平行放置的基板，然后测量上述基板上的电流，当所测量的电流位置与位置对照单元一致，则判断离子束流是相互平行地垂直于基板入射。由此，能够直接简单的测定离子束流平行度，避免了传统方法中判断电阻值均匀性时受到离子在硅晶片中的通道效应、离子激活设备温度均匀性以及电阻值测量设备准确度影响，且离子束流透过单元可以重复使用，能够节省购买硅晶片的成本。

本发明中所述的“平行度”是指离子束流之间是否完全平行，并没有刻意地判断平行的程度。根据不同的工艺对平行程度的要求不同，例如，可以举出将平行程度的偏差控制在2%以下（即，在基板上偏移的距离除以细缝间距得出的数值在2%以下）。

本发明中所述的“位置对照单元”，没有特别的限定，只要是在测量离子束流时能够判断该离子束流通过离子束流透过单元的细缝入射到基板上的位置与当离子束流垂直入射时到达基板上的位置是否重合即可，可以是在基板上设置的标准位置线，也可以是在基板上设置的标准位置点，也可以是在基板上设置的标准位置线和在基板上设置的标准位置点的结合。

本发明中所述的“所测量的电流位置与位置对照单元一致”，是指通过该一致能够确定离子束流通过离子束流透过单元的细缝入射到基板上的位置与当该离子束流垂直入射时到达基板上的位置重合。特别地，当所述位置对照单元是在基板上设置的标准位置线或标准位置点时，所述“所测量的电流位置与位置对照单元一致”是指所测量的电流位置与标准位置线重合，或标准位置点位于所测量的电流位置线上。

所述标准位置线，是指在基板上设置的与离子束流透过单元的细缝的中间线两者之间构成的平面与基板面垂直的线。当离子束流通过离子束流透过单元的细缝平行且垂直入射基板时，通过细缝入射在基板上的位置的中心线与标准位置线重合。所述标准位置点，是指在基板上设置的与离子束流透过单元的细缝的中间线两者之间构成的平面与基板面垂直的点。当离子束流通过离子束流透过单元的细缝平行且垂直入射基板时，标准位置点位于通过细缝入射在基板上的位置的中心线上。

从能够更直观地获得所测量的电流的位置与位置对照单元是否一致的角度考虑，优选采用标准位置线。

虽然每一条离子束流透过单元的细缝都能够对应于一条标准位置线，但是，对标准位置线的设置条数，并没有特别限定，可以设置一条或多条，但从准确性高且不过多增加工艺成本的角度考虑，优选设置3～10条。

当所述标准位置线设置多条时，仅通过判断离子束流通过离子束流透过单元入射到基板上的位置的中心线与相对应的标准位置线是否都能够分别重合，就能够确定离子束流是否平行地垂直于基板入射。当离子束流入射到基板上的位置的中心线与对应的标准位置线都能够分别重合，则能够确定离子束流平行地垂直于基板入射，当离子束流入射到基板上的位置的中心线与对应的标准位置线不是都能够重合，则能够确定离子束流并非平行地垂直于基板入射。

当所述标准位置线设置一条时，可以结合所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断。另外，在所述标准位置线设置多条时，也可以借助于所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断。在结合所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断时，当所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距相等，则能够确定离子束流平行地垂直于基板入射，当所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距不相等，则能够确定离子束流并非平行地垂直于基板入射。

本发明中所述的“所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距相等”，是指测量的所有电流条带之间的位置间距与所对应的所有细缝之间的间距相等，举例来说，如图3所示，从上往下数第1条细缝和第2条细缝之间的间距，与基板上的从上往下数第1条电流带与第2条电流带之间的间距相等，从上往下数第2条细缝和第3条细缝之间的间距，与基板上的从上往下数第2条电流带与第3条电流带之间的间距相等，以此类推，所有的间距均相等。

所述细缝可以是2条或3条以上，并没有特别限定。但是，当为3条以上时，与细缝为2条时相比，能够扩大测量的离子束流的范围，能够更加准确地判断离子束流是否平行，因此，优选为3条以上。另外，如果细缝条数太多，会增加工艺成本，因此，优选为10条以下。

另外，虽然本说明书中对标准位置线的设置条数与对细缝的设置条数的限定是相互独立地进行的，但是，标准位置线是对应于细缝而设置的，因此，标准位置线的设置条数小于等于细缝的设置条数。

所述细缝之间的间距可以相等或不相等，并没有特别限定。但是，当细缝之间的间距相等，离子束流平行地垂直入射时，则反馈在基板上的电流的间距之间也相等。此时，当设置有一条标准位置线时，在判断所测量的电流位置与标准位置线是否一致以外，只需判断两条细缝之间的间距与两条电流之间的间距是否相等，就能够准确地判断离子束流是否平行地垂直入射。当设置有多条标准位置线时，在判断所测量的电流位置与标准位置线是否一致以外，只需判断两条细缝之间的间距与两条电流之间的间距是否相等，就能够更加准确地判断离子束流是否平行地垂直入射。由此可见，当细缝之间的间距相等时，能够更方便、直观地判断离子束流是否平行地垂直入射。

上述对于使用标准基准线作为位置对照单元的结构及判断的原理进行了详细的说明，在使用标准位置点的情形下与此基本相同。

在使用标准位置点时，与标准位置线同样地，对于标准位置点的设置个数，并没有特别限定，可以设置一个或多个，但从准确性高且不过多增加工艺成本的角度考虑，优选设置3～10个。但是，需要说明的是，设置多个标准位置点时，该多个标准位置点是指对应于不同的离子束流透过单元的细缝的多个点。

当所述标准位置点设置多个时，仅通过判断离子束流通过离子束流透过单元入射到基板上的位置的中心线与相对应的标准位置点是否都能够分别重合，就能够确定离子束流是否平行地垂直于基板入射。当离子束流入射到基板上的位置的中心线与对应的标准位置点都能够分别重合，则能够确定离子束流平行地垂直于基板入射，当离子束流入射到基板上的位置的中心线与对应的标准位置点不是都能够重合，则能够确定离子束流并非平行地垂直于基板入射。

当所述标准位置点设置一个时，可以结合所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断。另外，在所述标准位置点设置多个时，也可以借助于所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断。在结合所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距是否相等来进行进一步的判断时，当所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距相等，则能够确定离子束流平行地垂直于基板入射，当所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距不相等，则能够确定离子束流并非平行地垂直于基板入射。

另外，当所述位置对照单元是在基板上设置的标准位置线和标准位置点的结合时，其结构与判断的原理与上述基本相同。但是，需要说明的是，标准位置点位于标准位置线上则不能起到位置对照的作用，因此，标准位置点不能位于标准位置线上。

所述离子束流透过单元可以是石墨治具、碳化硅治具、不锈钢治具等，没有特别限定。但是，从耐热性、耐束流侵蚀性能优异且细缝保持性能强的角度考虑，优选是石墨治具。

所述离子束流透过单元的细缝的宽度，没有特别限定，优选是5～10mm，在该范围内能够更好地保证离子束流的精细度，便于电流收集单元测量基板上不同位置的电流。

所述细缝之间的间距，没有特别限定，优选是80～100mm，在该范围内能够更好地保证通过细缝的离子束流之间不会发生相互干涉，从而使电流收集单元能够更加准确地测量基板上不同位置的电流。

所述离子束流透过单元与基板之间的距离，没有特别限定，优选大于1米，由此，能够进一步避免离子束流发散带来的干扰，更加准确地判断离子束流是否平行且垂直于基板入射。

所述测量电流的步骤，只要能够测出基板上的电流即可，并没有特别限制，例如，可以使用电流收集装置沿着与细缝的长度方向垂直的方向从基板的一个边缘向另一个边缘扫描。所述电流收集装置，并没有特别限定，例如可以使用霍尔电流传感器等本领域公知的电流收集装置。

下面，通过实施例对本发明进行更详细的说明。

实施例1

如图3所示，使待测定的离子束流1（离子束流注入机型号Magic-I70、生产厂家MES-Afty公司，离子源BF3，电压80KeV）通过离子束流透过单元31射向在基板放置单元上放置的玻璃基板11，并通过电流收集单元（离子束流注入机中自带）33测量玻璃基板11上的电流，并且，所述基板放置单元上放置的玻璃基板11与所述离子束流透过单元31平行。

所述离子束流透过单元31是石墨治具，所述细缝的宽度是8mm，所述细缝之间的间距是100mm。

所述玻璃基板11的尺寸是730mm*920mm。

并且，所述离子束流透过单元31与玻璃基板11之间的距离1.5米。

所测定的结果如图4所示，在图4中，横轴表示离子束流位置（mm），并且将玻璃基板11上的与离子束流透过单元的中间细缝对应的标准位置线的位置表示0mm，并且相应地将两侧的与各细缝对应的标准位置线的位置表示-300mm、-200mm、-100mm、100mm、200mm、300mm；纵轴表示离子束流电流强度（mA/cm）。并且，在图4中，在对应于细缝的宽度8mm的位置上均检测到了电流，将该电流的中心位置表示为离子束流的位置。

由图4中可见，电流收集单元测量的离子束流通过细缝入射在基板上的位置与玻璃基板上的相应的标准位置线分别重合，并且基板上的电流的位置间距和离子束流透过单元的细缝间距相等，能够判断离子束流平行且垂直于基板入射。

实施例2

如图5所示，使待测定的离子束流2（离子束流注入机型号Magic-I70、生产厂家MES-Afty公司，离子源BF3，电压80KeV）通过离子束流透过单元31，，射向在基板放置单元上放置的玻璃基板11，并通过电流收集单元（离子束流注入机中自带）33测量玻璃基板11上的电流，并且，所述基板放置单元上放置的玻璃基板11与所述离子束流透过单元31，平行。

所述离子束流透过单元31，是石墨治具，所述细缝的宽度是8mm，所述细缝之间的间距是200mm。

并且，所述玻璃基板11的尺寸是730mm*920mm

并且，所述离子束流透过单元31，与玻璃基板11之间的距离1.5米。

所测定的结果如图6所示，在图6中，横轴表示离子束流位置（mm），并且将玻璃基板11上的与离子束流透过单元的中间细缝对应的标准位置线的位置表示0mm，并且相应地将两侧的与各细缝对应的标准位置线的位置表示-200mm、200mm；纵轴表示离子束流电流强度（mA/cm）。并且，在图6中，在对应于细缝的宽度8mm的位置上均检测到了电流，将该电流的中心位置表示为离子束流的位置。

由图6中可见，电流收集单元测量的离子束流通过细缝入射在基板上的位置与玻璃基板上的相应的标准位置线并不重合（均偏移了6mm），但是基板上的电流的位置间距和离子束流透过单元的细缝间距相等，能够判断离子束流虽然平行但并非垂直于基板入射（即发生了整体偏移）。

尽管结合示例性实施例对本发明进行了描述，然而，应当理解，本发明不应局限于所公开的示例性实施例，相反，凡在本发明所附权利要求的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种测定离子束流平行度的装置，其特征在于，其包括：

一基板放置单元，以放置基板于其上；

一离子束流透过单元，具有允许离子束流通过的多条细缝，并和所述基板放置单元上放置的基板平行；

一电流收集单元，测量基板上的电流；以及，

一位置对照单元，以与测量的基板上的电流的位置进行对照。

2.根据权利要求1所述的测定离子束流平行度的装置，其中，所述位置对照单元是在基板上设置的标准位置线和/或在基板上设置的标准位置点。

3.根据权利要求2所述的测定离子束流平行度的装置，其中，所述标准位置线设置有3条以上且10条以下，所述标准位置点设置有3个以上且10个以下。

4.根据权利要求2所述的测定离子束流平行度的装置，其中，所述细缝设置有3条以上且10条以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的测定离子束流平行度的方法，其中，所述细缝之间的间距相等。

6.一种测定离子束流平行度的方法，其特征在于，其包括：

一照射离子束流的步骤，该步骤使离子束流通过具有多条细缝的离子束流透过单元，并照射与所述离子束流透过单元平行放置的基板；

一测量电流的步骤，该步骤测量上述基板上的电流；

一离子束流平行度判断步骤，该步骤判断离子束流是否平行，当所测量的电流的位置与能够与所测量的电流的位置进行对照的位置对照单元一致，则判断离子束流是相互平行地垂直于基板入射。

7.根据权利要求6所述的测定离子束流平行度的方法，其中，所述位置对照单元是在基板上设置的多条标准位置线和/或在基板上设置的多个标准位置点。

8.根据权利要求6所述的测定离子束流平行度的方法，其中，当所测量的电流位置与位置对照单元一致，并且所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距相等，则判断离子束流是相互平行地垂直于基板入射。

9.根据权利要求8所述的测定离子束流平行度的方法，其中，所述位置对照单元是在基板上设置的标准位置线和/或在基板上设置的标准位置点。

10.根据权利要求7或9所述的测定离子束流平行度的方法，其中，所述标准位置线设置有3条以上且10条以下，所述标准位置点设置有3个以上且10个以下。