CN104835876B - 气体均匀布气装置 - Google Patents

气体均匀布气装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104835876B
CN104835876B CN201510204533.6A CN201510204533A CN104835876B CN 104835876 B CN104835876 B CN 104835876B CN 201510204533 A CN201510204533 A CN 201510204533A CN 104835876 B CN104835876 B CN 104835876B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
bearing formation
distribution device
even gas
material layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510204533.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104835876A (zh
Inventor
袁向东
许颖
袁瑒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BEIJING JINSHENG YANGGUANG TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
BEIJING JINSHENG YANGGUANG TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIJING JINSHENG YANGGUANG TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical BEIJING JINSHENG YANGGUANG TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201510204533.6A priority Critical patent/CN104835876B/zh
Publication of CN104835876A publication Critical patent/CN104835876A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104835876B publication Critical patent/CN104835876B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Abstract

本发明涉及一种气体均匀布气装置,可用于太阳电池抗PID用臭氧的布气,包括外框架,所述布气装置设置有微孔材料层,微孔材料层与外框架围成布气空间,臭氧等气体从进气孔进入布气空间后,经过多次均匀流通,最后到达最外层的微孔材料层、排出布气装置,起到了均匀布气的效果,从而保证了硅片氧化效果和均匀性。本发明可以对臭氧等气体均匀布气,从根本上解决臭氧布气和硅片氧化不均匀的问题。

Description

气体均匀布气装置
技术领域
本发明涉及一种气体均匀布气装置,可用于太阳电池抗PID用臭氧的布气。
背景技术
所谓的PID现象,是指太阳电池组件长期在高电压作用下使得玻璃、封装材料之间产生漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使得电池片表面的钝化效果恶化,导致FF、Isc、Voc降低,使组件性能低于设计标准。作为解决PID现象的有效方法之一,是利用臭氧对硅片表面进行氧化,在硅片表面形成一层SiO2薄膜,利用SiO2薄膜来增加电池阻挡钠离子的渗透。
现有技术是将臭氧气体通过塑料打孔的多孔板进行布气,这种塑料多孔板的布气孔是间隔排列,从布气孔排出的臭氧气体不能均匀连续分布到硅片表面,况且在实际生产中,硅片是并排5列或8列行进的,这种布气板也很难做到对应每一列硅片的布气均匀一致,从而会导致硅片氧化效果不一致。
为此,申请人发明了一种气体均匀布气装置,可以对臭氧等气体均匀布气,从根本上解决臭氧布气和硅片氧化不均匀的问题。
发明内容
根据以上现有技术的不足,本发明所要解决的技术问题是:提供一种气体均匀布气装置,可以对臭氧等气体均匀布气,从根本上解决臭氧布气和硅片氧化不均匀的问题。
本发明所述的一种气体均匀布气装置,包括外框架,所述布气装置设置有微孔材料层,微孔材料层与外框架围成布气空间。
优选的是,布气空间内设有至少一层匀气层,相邻匀气层之间以及匀气层与微孔材料层之间均设有通过垂直隔离层分隔的若干水平通道。
优选的是,匀气层材质为具有微孔的材料,匀气层上可设有若干上下连通的垂直通道,也可不设垂直通道。
优选的是,匀气层材质为不具有微孔的材料,匀气层上设有若干上下连通的垂直通道。
优选的是,垂直通道交替设置在匀气层上,匀气层下方的每一水平通道至少与匀气层上的一条垂直通道相对应。
优选的是,微孔材料层的材质是微孔陶瓷或微孔塑料。
优选的是,匀气层的材质是微孔陶瓷或微孔塑料。
优选的是,微孔材料层的微孔直径是1~100μm。
优选的是,水平通道的宽度或高度或直径是0.5~10mm,垂直通道的宽度或直径是0.5~5mm。
与现有技术相比,本发明具有的有益效果是:
本发明提供的气体均匀布气装置,使用的是气孔连续分布的微孔板状材料,通过设置匀气层,整体形成层状复合结构,臭氧等气体从进气口进入布气装置后,依次经过垂直通道和水平通道,最后到达最外层的微孔材料层,经过多次均匀流通后,臭氧等气体从最外层的微孔材料层排出布气装置,起到了均匀布气的效果。
附图说明
图1是本发明主视图;
图2是图1中A-A处剖视图;
图3是图1中B-B处剖视图。
图中:1、微孔材料层;2、水平通道;3、匀气层;4、垂直通道;5、外框架;6、进气孔;7、垂直隔离层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例做进一步描述。
如图1~3所示,本气体均匀布气装置,包括外框架5、微孔材料层1、水平通道2、垂直通道4,布气装置设置有微孔材料层1,微孔材料层1与外框架5围成布气空间,微孔材料层1为气体最后通过的层面,在外框架5上设置有进气孔6与布气空间相通。
布气空间内设有至少一层匀气层3,匀气层3与微孔材料层1之间设有若干垂直隔离层7,垂直隔离层7分隔出若干水平通道2;必要时也可设置两层及以上匀气层3,当设置两层以上时,相邻匀气层3以及匀气层3与微孔材料层1之间均设有若干垂直隔离层7。本实施例设置一层匀气层3,匀气层3与微孔材料层1之间的若干垂直隔离层7分隔出若干水平通道2。
匀气层3、微孔材料层1均可采用材质为具有微孔的微孔板状材料,微孔板状材料使用孔径1~100μm的微孔陶瓷,优选10~50μm,与微孔塑料相比,可以有效防止臭氧长期氧化带来的材料老化问题,匀气层3采用微孔材料时,可以设置垂直通道4、也可不设置垂直通道4,外框架5采用抗臭氧的PP材料。
匀气层3材质也可采用不具有微孔的材料,此时,匀气层3上设有若干上下连通的垂直通道4,垂直通道4交替设置在匀气层3上,匀气层3下方的每一水平通道2至少与匀气层3上的一条垂直通道4相对应。水平通道2的宽度或高度或直径是0.5~10mm,垂直通道4的宽度或直径是0.5~5mm。
工作原理及过程:
臭氧等气体从进气孔6进入布气空间后,经过匀气层3的垂直通道4进入水平通道2,然后迅速沿水平通道2扩展匀化,经过多次均匀流通后,最后到达最外层的微孔材料层1,臭氧等气体从最外层的微孔材料层1排出布气装置,起到了均匀布气的效果,从而保证了硅片氧化效果和均匀性。
使用本发明气体均匀布气装置和塑料打孔布气装置的效果对比,见表1。由表1可见,本发明的气体均匀布气装置明显优于塑料打孔布气装置。
表1 PID项目测试结果对比
尽管本发明的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用,它完全可以被适用于各种适合本发明的领域,对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。

Claims (5)

1.一种气体均匀布气装置,包括外框架(5),其特征在于:所述布气装置设置有微孔材料层(1),微孔材料层(1)与外框架(5)围成布气空间;
所述的布气空间内设有至少一层匀气层(3),相邻匀气层(3)之间以及匀气层(3)与微孔材料层(1)之间均设有通过垂直隔离层(7)分隔的若干水平通道(2);
所述的匀气层(3)材质为不具有微孔的材料,匀气层(3)上设有若干上下连通的垂直通道(4);
匀气层(3)下方的每一水平通道(2)至少与匀气层(3)上的一条垂直通道(4)相对应。
2.根据权利要求1所述的气体均匀布气装置,其特征在于:所述的垂直通道(4)交替设置在匀气层(3)上,匀气层(3)下方的每一水平通道(2)至少与匀气层(3)上的一条垂直通道(4)相对应。
3.根据权利要求1所述的气体均匀布气装置,其特征在于:所述的微孔材料层(1)的材质是微孔陶瓷或微孔塑料。
4.根据权利要求1~3任一所述的气体均匀布气装置,其特征在于:所述的微孔材料层(1)的微孔直径是1~100μm。
5.根据权利要求1所述的气体均匀布气装置,其特征在于:所述的水平通道(2)的宽度或高度或直径是0.5~10mm,垂直通道(4)的宽度或直径是0.5~5mm。
CN201510204533.6A 2015-04-27 2015-04-27 气体均匀布气装置 Active CN104835876B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510204533.6A CN104835876B (zh) 2015-04-27 2015-04-27 气体均匀布气装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510204533.6A CN104835876B (zh) 2015-04-27 2015-04-27 气体均匀布气装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104835876A CN104835876A (zh) 2015-08-12
CN104835876B true CN104835876B (zh) 2018-01-05

Family

ID=53813626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510204533.6A Active CN104835876B (zh) 2015-04-27 2015-04-27 气体均匀布气装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104835876B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105734675B (zh) * 2016-04-19 2017-12-19 温州巨亮光伏科技有限公司 一种晶圆氧化用高温扩散炉管
CN105839194A (zh) * 2016-05-20 2016-08-10 苏州中世太新能源科技有限公司 一种光伏电池硅片表面钝化气体喷淋组件及气体钝化设备
CN109285921B (zh) * 2018-12-03 2024-01-26 乐山新天源太阳能科技有限公司 用于太阳能电池抗pid设备的气体混合均化装置
CN109494281B (zh) * 2018-12-03 2024-01-26 乐山新天源太阳能科技有限公司 太阳能电池抗pid装置
CN114737170B (zh) * 2022-04-15 2024-01-19 北京格安利斯气体管道工程技术有限公司 一种用于化学气相沉积的气体管道反应器、使用其制备的材料及用途

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
JP2003007682A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置用の電極部材
US20050284371A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Mcfadden Robert S Deposition apparatus for providing uniform low-k dielectric
CN101144163A (zh) * 2006-09-14 2008-03-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 气体分离装置
CN101770933B (zh) * 2009-01-04 2011-08-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体处理设备及其气体分配装置
TWI430714B (zh) * 2009-10-15 2014-03-11 Orbotech Lt Solar Llc 電漿處理腔之噴撒頭組件及電漿處理腔之噴撒頭組件之氣體電離板之製備方法
KR20120043636A (ko) * 2010-10-26 2012-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 cvd 장치
CN102061458B (zh) * 2010-11-29 2012-05-30 保定天威集团有限公司 基板镀膜设备的气体分布系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104835876A (zh) 2015-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104835876B (zh) 气体均匀布气装置
JP2013149968A5 (zh)
CN104299968A (zh) 电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置
JP2009111371A5 (zh)
CN204657018U (zh) 一种漆包线导体清洗装置
JP2012120999A5 (zh)
TWI630662B (zh) 真空管場效電晶體陣列及其製造方法
JP2012522369A5 (zh)
CN104383709A (zh) 一种低阻力高效塔盘
CN204539069U (zh) 气体均匀布气装置
CN203787219U (zh) 电线冷却装置
CN202948932U (zh) 一种沟槽型igbt版图结构
KR20130132262A (ko) 액정 패널, 액정 패널의 액정 주입 방법, 및 액정 주입 장치
CN102347259A (zh) 超洁净微环境装置
CN202363428U (zh) 超洁净微环境装置
CN203428526U (zh) 一种菲林吸附装置
US10147964B2 (en) Gasket for fuel cell
CN106220958B (zh) 一种防滴头部分开裂聚乙烯滴灌带及其制造方法
CN103774120B (zh) 一种用于pecvd系统的匀气装置
CN202888138U (zh) 玻封二极管用晶片吸盘的面板
CN202585358U (zh) 气浴装置、真空抽排装置以及半导体设备
CN104121792A (zh) 间接蒸发冷却芯体
CN106110845A (zh) 蜂窝式等离子放电单元及放电盘
CN104134807A (zh) 一种交错互通网状多孔结构板及其制造方法与应用
RU2010128866A (ru) Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant