CN104821328B - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件，其包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管阵列；设置在薄膜晶体管阵列上的有机电致发光器件层；滤光层；其中，在所述滤光层和所述有机电致发光器件层之间设置光学薄膜层，所述光学薄膜层具有由纳米粒子形成的周期性不平坦的表面结构。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
现有技术中有机电致发光器件(OLED)作为新型的平板显示器与LCD相比，具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点。有机电致发光器件(OLED)由于具有其他显示器不可比拟的优势得到了本领域技术人员的注意。
现有技术中，有机电致发光器件(OLED)是由阳极、阴极以及有机层组成。如图1所示，其示出了现有技术中的有机电致发光器件20，其包括：基板25；设置在基板上的薄膜晶体管阵列(TFT)24；设置在薄膜晶体管阵列上的有机电致发光器件层(OLED)23；滤光层22；以及封装层21。但是，上述结构的有机电致发光器件层(OLED)23的光利用率较低，高效率的白光难以获得。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的问题和缺陷的至少一个方面。
本发明提供一种有机电致发光器件，其包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管阵列；设置在薄膜晶体管阵列上的有机电致发光器件层；滤光层；其中，在所述滤光层和所述有机电致发光器件层之间设置光学薄膜层，所述光学薄膜层具有由纳米粒子形成的周期性不平坦的表面结构。
在本发明的实施方式中，所述滤光层包括红色滤光层、绿色滤光 层以及蓝色滤光层。
在本发明的实施方式中，所述光学薄膜层设置在所述红色滤光层、绿色滤光层以及蓝色滤光层中的任意一个下方或者任意两个下方或者任意三个下方。
在本发明的实施方式中，所述光学薄膜层由高分子纳米粒子形成。
在本发明的实施方式中，所述高分子纳米粒子为聚苯乙烯纳米粒子。
在本发明的实施方式中，所述光学薄膜层为孔状结构。
在本发明的实施方式中，在红色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径大于在蓝色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径，在所述蓝色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径介于上述两者之间。
在本发明的实施方式中，在红色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径为500-600nm；在蓝色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径为300-400nm。
另一方面，本发明提供一种有机电致发光器件的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供基板；在基板上形成薄膜晶体管阵列；在薄膜晶体管阵列上形成有机电致发光器件层；在所述有机电致发光器件层上形成光学薄膜层；在光学薄膜层上形成滤光层，所述光学薄膜层具有由纳米粒子形成的周期性不平坦的表面结构。
在本发明的实施方式中，在所述有机电致发光器件层上旋涂高分子纳米粒子以形成所述光学薄膜层。
利用本发明所提出的技术方案，其取得下述有益的技术效果的至少一个方面，通过设置光学薄膜层，其改变了正负极之间的结构，有助于打破有机电致发光器件层的表面的微腔效应，从而可以获得高效率的白光。具体而言，由于在所述滤光层和所述有机电致发光器件层之间设置光学薄膜层，所述光学薄膜层具有由纳米粒子形成的周期性不平坦的表面结构，从而使得照射到机电致发光器件层的表面的光由全反射转变成折射，从而提高了出光率。
附图说明
本发明的这些和/或其他方面和优点从下面结合附图对优选实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是现有技术中的有机电致发光器件的结构示意图；
图2是根据本发明的有机电致发光器件的结构示意图；
图3是根据本发明的有机电致发光器件的一种实施方式的示意图；
图4是根据本发明的有机电致发光器件的制备方法示意图。
具体实施方式
下面将参照附图详细描述本发明的实施例，其中相同的标号对应相同的元件。但是，本发明有很多不同的实施方案，不能解释为将本发明限定在所述的实施例；而只是通过提供本发明的实施例，使本公开内容全面而完整，并向本领域技术人员完全的传达本发明的概念。
如图2所示，其示出了根据本发明的有机电致发光器件的结构，具体的，根据本发明的有机电致发光器件10，其包括：基板16；设置在基板上的薄膜晶体管阵列(TFT)15；设置在薄膜晶体管阵列上的有机电致发光器件层(OLED)14；滤光层12；其中，在所述滤光层12和所述有机电致发光器件层14之间设置光学薄膜层13，光学薄膜层13具有由纳米粒子形成的周期性不平坦的表面结构。这里的周期性不平坦的表面结构可以是任意的不平坦的结构，但是其变化应是周期性的，上述结构可以提高光学薄膜层表面的折射率，以尽量将射入到有机电致发光器件层的光以折射的方式射出而不是全反射，从而获得效率更高的OLED显示器件。
在本发明的实施方式中，所述滤光层12包括红色滤光层、绿色滤光层以及蓝色滤光层。
在本发明的实施方式中，所述光学薄膜层设置在所述红色滤光层、绿色滤光层以及蓝色滤光层任意一个下方或者任意两个下方或者任意三个下方。如图3所示，光学薄膜层131设置在绿色滤光层下方，光学薄膜层132设置在蓝色滤光层下方。
上述设置方式不是对本发明的限定，例如，可以在红色滤光层、绿色滤光层以及蓝色滤光层下方都设置光学薄膜层；也可以只在红色滤 光层和蓝色滤光层下方设置光学薄膜层；也可以只在红色滤光层和绿色滤光层下方设置光学薄膜层；也可以仅在红色滤光层、绿色滤光层以及蓝色滤光层任一个下方设置光学薄膜层。
在本发明的实施方式中，所述光学薄膜层由高分子纳米粒子形成，例如，聚苯乙烯纳米粒子形成。当然，本领域技术人员也可以采用其他材料来形成光学薄膜层。所述光学薄膜层为孔状结构。通过在有机电致发光器件(OLED)的表面设置光学薄膜层，有助于改变其表面的折射系数，即，尽量将射入到有机电致发光器件层的光以折射的方式射出而不是全反射，从而提升有机电致发光器件的出光率。通过控制孔状结构直径，从而控制OLED在不同位置的波长，从而获得色域更广，效率更高的OLED显示器件。
光学薄膜层的不同直径的纳米粒子对不同波长的光的增益效果不同，粒子直径较小时，更有助于蓝色光的发射，粒子直径较大时，更有助于红光和绿光的发射。
因此，在本发明的实施方式中，在不同颜色的滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径不同，具体的，在红色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径大于在蓝色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径，在所述蓝色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径介于上述两者之间。
通过控制光学薄膜层粒子的直径，使得在有机电致发光器件(OLED)的表面的不同位置的折射系数不同，从而使得有机电致发光器件在显示面板的不同位置发射波长不同，可以得到色域更广的有机电致发光显示器件。
根据本发明的另外一个方面，其提出了一种有机电致发光器件的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供基板；在基板上形成薄膜晶体管阵列；在薄膜晶体管阵列上形成有机电致发光器件层；在所述有机电致发光器件层上形成光学薄膜层；在光学薄膜层上形成滤光层，所述光学薄膜层具有由纳米粒子形成的周期性不平坦的表面结构。
在本发明的实施方式中，在所述有机电致发光器件层上旋涂高分子纳米粒子以形成所述光学薄膜层。当然上述形成方式不是对本发明的技术方案的限定，本领域技术人员也可以采用其他方式来形成所述光学 薄膜层，例如印刷等。
具体地，如图4所示，在(a)中示出了基板，在提供基板，在基板上形成薄膜晶体管阵列(TFT)，在薄膜晶体管阵列上形成有机电致发光器件层(OLED)；接着，如(b)所示，在有机电致发光器件层(OLED)表面旋涂红色树脂；如(c)所示，通过曝光和显影等工艺形成红色滤光层；接着，如(d)所示，在前述表面旋涂聚苯乙烯纳米粒子，粒子直径为500-600nm；接着，如(e)所示，在前述表面旋涂绿色树脂；接着，如(f)所示，通过曝光和显影等工艺形成绿色滤光层，光学薄膜层设置在绿色滤光层与有机电致发光器件层(OLED)表面之间；接着，如(g)所示，在前述表面旋涂聚苯乙烯纳米粒子，粒子直径为300-400nm；接着，如(h)所示，在前述表面旋涂绿色树脂；接着，如(i)所示，通过曝光和显影等工艺形成蓝色滤光层，光学薄膜层设置在蓝色滤光层与有机电致发光器件层(OLED)表面之间；最后，对前述表面旋涂封装层。
通过上述方法获得的有机电致发光器件，其在绿色滤光层以及蓝色滤光层与有机电致发光器件层(OLED)表面之间形成光学薄膜层，并且，在绿色滤光层以及蓝色滤光层两者下面的光学薄膜层的粒子直径不同。
上述方法不是对本发明的限定，本领域技术人员可以根据实际需要改变上述步骤的顺序，以及在不同的滤光层下方设置不同粒子直径的纳米粒子，此外，本领域技术人员也可以改用其他合适的材料来作为光学薄膜层。
尽管对本发明的实施例进行了展示和描述，但本领域技术人员将会理解在不偏离本发明的原理和实质的情况下，可对这些实施例进行改变，其范围也落入本发明的权利要求及其等同物所限定的范围内。

Claims (9)

1.一种有机电致发光器件，其包括：
基板；
设置在基板上的薄膜晶体管阵列；
设置在薄膜晶体管阵列上的有机电致发光器件层；
滤光层；
其中，在所述滤光层和所述有机电致发光器件层之间设置光学薄膜层，所述光学薄膜层具有由纳米粒子形成的周期性不平坦的表面结构；
其中，所述光学薄膜层为孔状结构，所述孔状结构的直径被设置为改变所述有机电致发光器件层发出的光的波长。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，
所述滤光层包括红色滤光层、绿色滤光层以及蓝色滤光层。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其中，
所述光学薄膜层设置在所述红色滤光层、绿色滤光层以及蓝色滤光层中的任意一个下方或者任意两个下方或者任意三个下方。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，
所述光学薄膜层由高分子纳米粒子形成。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其中，
所述高分子纳米粒子为聚苯乙烯纳米粒子。
6.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其中，
在红色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径大于在蓝色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径，在所述绿色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径介于在红色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径和在蓝色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径之间。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其中，
在红色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径为500-600nm；在蓝色滤光层下方设置的光学薄膜层的粒子直径为300-400nm。
8.一种有机电致发光器件的制备方法，所述方法包括如下步骤：
提供基板；
在基板上形成薄膜晶体管阵列；
在薄膜晶体管阵列上形成有机电致发光器件层；
在所述有机电致发光器件层上形成光学薄膜层；
在光学薄膜层上形成滤光层，所述光学薄膜层具有由纳米粒子形成的周期性不平坦的表面结构；
其中，所述光学薄膜层被形成为孔状结构，所述孔状结构的直径被设置为改变所述有机电致发光器件层发出的光的波长。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，在所述有机电致发光器件层上旋涂高分子纳米粒子以形成所述光学薄膜层。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104821328B (zh) 2015-05-04 2018-11-16 合肥京东方光电科技有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN107393944A (zh) * 2017-07-12 2017-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法
CN111430570B (zh) * 2020-04-02 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示面板的制造方法
CN113707684A (zh) * 2020-05-21 2021-11-26 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种oled显示结构、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102771188A (zh) * 2010-02-25 2012-11-07 夏普株式会社 发光元件、显示器和显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4626515B2 (ja) * 2003-04-23 2011-02-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
DE102009014808A1 (de) * 2009-03-25 2010-10-07 Continental Automotive Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern eines eine Ansprechverzögerung aufweisenden Steuerelements einer Antriebseinrichtung
JPWO2013145914A1 (ja) * 2012-03-27 2015-12-10 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JPWO2013154133A1 (ja) * 2012-04-13 2015-12-17 シャープ株式会社 光散乱体、光散乱体膜、光散乱体基板、光散乱体デバイス、発光デバイス、表示装置、および照明装置
US20150171372A1 (en) * 2012-07-04 2015-06-18 Sharp Kabushiki Kaisha Fluorescent material, fluorescent coating material, phosphor substrate, electronic apparatus, and led package
JPWO2014084012A1 (ja) * 2012-11-30 2017-01-05 シャープ株式会社 散乱体基板
CN203179892U (zh) 2013-04-09 2013-09-04 北京京东方光电科技有限公司 一种量子点发光二极管显示器件及显示装置
CN103227189B (zh) * 2013-04-09 2015-12-02 北京京东方光电科技有限公司 一种量子点发光二极管显示器件及显示装置
US9262487B2 (en) * 2013-07-25 2016-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd Method and apparatus for guided acquisition and tracking in global navigation satellite system receivers
CN104821328B (zh) 2015-05-04 2018-11-16 合肥京东方光电科技有限公司 有机电致发光器件及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102771188A (zh) * 2010-02-25 2012-11-07 夏普株式会社 发光元件、显示器和显示装置

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Publication number Publication date
CN104821328A (zh) 2015-08-05
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WO2016176941A1 (zh) 2016-11-10

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