CN104810447A - 一种GaN基LED的电子阻挡层结构及其外延生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明就EBL层提出一种新的生长结构和方法，解决了目前生长的p型AlGaN电子阻挡层(EBL)产生的不利影响。该GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，其中电子阻挡层为p型AlGaN电子阻挡层，在InGaN/GaN量子阱垒结构层上外延生长，在p层AlGaN电子阻挡层的生长过程中控制Al组分的含量先升后降形成双向渐变。通过生长双向Al组分变化的p型AlGaN电子阻挡层(DGEBL)，能够更好的减少电子阻挡层和之前材料的界面极化和晶格适配，并且能够降低p层空穴的注入势能，极大的增大了有源区量子阱层的电子和空穴有效发光复合几率，提升发光效率，同时也降低了正向电压。
Description
技术领域：
本发明涉及一种GaN基LED外延生长方法。
背景技术：
以GaN为基本材料的III族氮化物是最重要的宽带隙半导体材料体系之一，它们特有的带隙范围，优良的光、电学性质和优异的材料机械性质使其在光学器件，电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域有着广泛的应用前景。早在上世纪70年代，研究者们就对GaN基半导体材料进行了大量的研究，到了20世纪90年代，GaN材料的研究在生长和p型掺杂方面都取得了巨大的突破，这使得对其研究也引起了更大的兴趣，目前已成为国际上的一大热门研究课题。目前传统的GaN基LED外延生长结构过程为：先在蓝宝石衬底上生长一层低温GaN缓冲层，然后接着高温下生长一层未掺杂GaN,接着生长一层n型掺杂层，掺杂材料一般为硅烷，提供LED复合发光所需要的电子，然后接着生长几个周期的厚度分别为3nm和15nm左右的InGaN/GaN量子阱和量子垒作为LED的发光层，n掺杂区的电子和p掺杂区的空穴在这个区域复合发光，接着继续生长一层掺杂镁的AlGaN层，Al组分一般较高且含量恒定。起到阻挡电子的作用，最后生长一层掺杂镁的GaN层，这一层提供复合发光的空穴。
目前LED外延生长过程中，采用掺杂镁的p型AlGaN层作为电子阻挡层(EBL)，避免多余的电子直接发射到p层从而影响电子和空穴的有效复合效率，通过生长p型AlGaN层，能够阻挡住多余发射电子进入p层，可提升发光效率。但是这种生长方法同时引入一些问题，如直接生长高Al的p型AlGaN层会使得材料界面产生严重晶格失配和大的应力，从而影响发光层能带发生较大畸变，造成电子和空穴复合量降低；同时目前的高Al组分p型AlGaN层会使得p层空穴的注入势能变高，不利于空穴向量子阱有源区的注入，不但会降低光效，还会使电压升高。
发明内容：
为了解决目前生长的p型AlGaN电子阻挡层(EBL)产生的不利影响，本发明就EBL层提出一种新的生长结构和方法。
本发明的技术方案如下：
一种GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，所述电子阻挡层为p型AlGaN电子阻挡层，在InGaN/GaN量子阱垒结构层上外延生长，有别于现有技术的是：在p层AlGaN电子阻挡层的生长过程中控制Al组分的含量先升后降形成双向渐变，即Al组分含量的时域曲线具有凸起(一个峰值)。
基于以上方案，本发明还作了如下参数优化限定：
p型AlGaN电子阻挡层中Al组分含量的峰值为30％—50％。
p型AlGaN电子阻挡层厚度为30-50nm，其中Al组分含量的峰值维持厚度占整个p型AlGaN电子阻挡层厚度的5％-15％，以2-5nm为佳。
双向渐变的含量升高阶段与含量降低阶段相对称。
Al组分双向渐变采用均匀渐变或梯度渐变的形式。均匀渐变是由0线性增加再线性减小到0；梯度变化例如：从0-20之间的某值开始持续生长一段时间，然后下一个梯度以20-40之间的某值持续生长一段时间，以此类推，直至到峰值梯度，再梯度递减。
升高阶段的起点和降低阶段的终点的Al组分含量可相同，也可不同。对于均匀渐变方式，最好都由0开始均匀增加，然后增大到某值再均匀减小到0，其中从0增加到某值的增加速率和从某值减小到0的减小速率可以相同也可以不同。对于梯度渐变方式，最好自0-20之间的某值开始生长，到最后以0-20之间的某值结束生长，某值可以相同，也可以不同。
相应的，本发明还提供一种按照上述方法制得的GaN基LED的外延结构，包括在蓝宝石衬底上依次生长的低温GaN缓冲层、高温无掺杂GaN、掺杂硅烷的n型GaN层、InGaN/GaN量子阱垒结构层、p型AlGaN电子阻挡层以及掺杂镁的p型GaN层；所述p层AlGaN电子阻挡层中Al组分双向渐变，在中间阶段层达到含量峰值。
上述Al组分双向渐变最好采用均匀渐变或梯度渐变的形式。
应当认识到，该GaN基LED的外延结构只是应用上述方法的一种产品示例，并非是对本发明适用产品结构的限定。
本发明具有以下有益效果：
通过生长双向Al组分变化的p型AlGaN电子阻挡层(DGEBL)，能够更好的减少电子阻挡层和之前材料的界面极化和晶格适配，并且能够降低p层空穴的注入势能，极大的增大了有源区量子阱层的电子和空穴有效发光复合几率，提升发光效率，同时也降低了正向电压。
附图说明：
图1为外延整体结构示意图。
图2为双向Al组分均匀渐变型DGEBL的生长示意图。
图3为双向Al组分梯度变化型DGEBL的生长示意图。
具体实施方式：
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详述。
本发明利用现有的金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)设备和外延生长技术，采用三甲基镓(TMGa)，三乙基镓(TEGa)，和三甲基铟(TMIn),三甲基铝(TMAl)和氨气(NH3)硅烷(SiH4)和二茂镁(cp2mg)分别提供生长所需要的镓源，铟源，铝源，和氮源，其中硅烷和镁源分别用于n层和p层的掺杂。
先在蓝宝石衬底上530℃左右生长一层低温GaN缓冲层，接着在高温下1020℃左右生长一层未掺杂的GaN，接着在1050℃左右生长一层掺杂硅烷的n型GaN层，然后生长8个周期左右的InGaN/GaN量子阱垒结构层，然后接着生长双向Al组分变化p型AlGaN电子阻挡层(DGEBL)；最后生长一层掺杂镁的p型GaN层。其中，p型AlGaN电子阻挡层生长过程优选以下两种模式：
一种是均匀渐变：生长的p层AlGaN电子阻挡层Al组分均匀逐渐升高然后再均匀逐渐降低。
另一种是梯度渐变：生长的p层AlGaN电子阻挡层Al组分是梯度变化，先几个梯度的上升再几个梯度减小。
实例一
如图2，双向Al组分均匀渐变型DGEBL外延结构生长方法：
1.将蓝宝石衬底特殊清洗处理后，放入MOCVD设备在1100℃烘烤8分钟。
2.在温度530℃生长一层厚度25nm的低温GaN层，生长压力为500torr。
3.升温到1020℃生长一层高温厚度1.0um的未掺杂GaN层，生长压力为300torr。
4.在温度1050℃生长一层高温掺杂SiH4的n型GaN层1.2um，压力200torr。
5.在氮气氛围下，在400torr，850℃生长一层12nm GaN和750℃生长一层3nm的InGaN的量子垒阱结构GaN/InGaN，共重复生长8个周期。
6.温度升至950℃，150torr，生长一层双向Al组分渐变的p型AlGaN电子阻挡层。具体生长为：保持TMGa为30sccm流量不变，将TMAl流量从0sccm逐渐均匀增加到90sccm，然后保持TMGa为30sccm，TMAl流量90sccm生长2-10nm左右,保持TMGa为30sccm流量不变，将TMAl流量从90sccm逐渐均匀减小到0sccm，总的双向Al组分渐变的p型AlGaN电子阻挡层厚度大约30nm。
7.在920℃，200torr生长一层掺镁GaN层，厚度200nm.
8.在氮气氛围下，退火15分钟。
实例二
如图3，双向Al组分梯度变化型DGEBL外延结构生长方法：
1.将蓝宝石衬底特殊清洗处理后，放入MOCVD设备在1100℃烘烤8分钟。
2.在温度530℃生长一层厚度25nm的低温GaN层，生长压力为500torr。
3.升温到1020℃生长一层高温厚度1.0um的未掺杂GaN层，生长压力为300torr。
4.在温度1050℃生长一层高温掺杂SiH4的n型GaN层1.2um，压力200torr。
5.在氮气氛围下，在400torr,850℃生长一层12nm GaN和750℃生长一层3nm的InGaN的量子垒阱结构GaN/InGaN，共重复生长8个周期。
6.温度升至950℃，150torr，生长一层双向Al组分梯度变化的p型AlGaN电子阻挡层。具体生长为：保持TMGa为30sccm流量不变，TMAl流量先变为0-20sccm生长2-5nm，然后将TMAl流量变为20-40sccm生长2-5nm，然后将TMAl流量变为40-60sccm生长2-5nm，然后将TMAl流量变为60-90sccm生长2-5nm，然后保持TMGa为30sccm，TMAl流量90sccm生长2-10nm左右。继续保持TMGa为30sccm流量不变，TMAl流量先变为60-90sccm生长2-5nm，然后将TMAl流量变为40-60sccm生长2-5nm，然后将TMAl流量变为20-40sccm生长2-5nm.，然后将TMAl流量变为0-20sccm生长2-5nm，总的双向Al组分渐变的p型AlGaN电子阻挡层厚度大约30nm。
7.在920℃，200torr生长一层掺镁GaN层，厚度200nm。
8.在氮气氛围下，退火15分钟。
经实验对照分析：
本发明的外延生长方法生长的外延片相同工艺制得芯片发光强度较传统的芯片提升了大约10％-25％，其中双向Al组分均匀渐变型DGEBL外延结构生长方法提升大约25％，双向Al组分梯度变化p型AlGaN电子阻挡层DGEBL提升15％。
正向电压较传统的工艺制作降低了8％-15％，其中双向Al组分均匀渐变型DGEBL外延结构生长方法降低大约10％，双向Al组分梯度变化p型AlGaN电子阻挡层DGEBL大约降低15％。
Claims (10)
1.一种GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，所述电子阻挡层为p型AlGaN电子阻挡层，在InGaN/GaN量子阱垒结构层上外延生长，其特征在于：在p层AlGaN电子阻挡层的生长过程中控制Al组分的含量先升后降形成双向渐变。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，其特征在于：p型AlGaN电子阻挡层中Al组分含量的峰值为30％-50％。
3.根据权利要求2所述的GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，其特征在于：p型AlGaN电子阻挡层厚度为30-50nm，其中Al组分含量峰值时的维持厚度占整个p型AlGaN电子阻挡层厚度的5％-15％。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，其特征在于：所述双向渐变的Al组分含量升高阶段与含量降低阶段相对称。
5.根据权利要求1至4任一所述的GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，其特征在于：所述Al组分双向渐变采用均匀渐变或梯度渐变的形式。
6.一种GaN基LED的外延结构，包括在蓝宝石衬底上依次生长的低温GaN缓冲层、高温无掺杂GaN、掺杂硅烷的n型GaN层、InGaN/GaN量子阱垒结构层、p型AlGaN电子阻挡层以及掺杂镁的p型GaN层；其特征在于：所述p层AlGaN电子阻挡层中Al组分双向渐变，在中间阶段层达到含量峰值。
7.根据权利要求6所述的GaN基LED的外延结构，其特征在于：p型AlGaN电子阻挡层中Al组分含量的峰值为30％-50％。
8.根据权利要求7所述的GaN基LED的外延结构，其特征在于：p型AlGaN电子阻挡层厚度为30-50nm，其中Al组分含量峰值时的维持厚度占整个p型AlGaN电子阻挡层厚度的5％-15％。
9.根据权利要求6所述的GaN基LED的外延结构，其特征在于：所述双向渐变的Al组分含量升高阶段与含量降低阶段相对称。
10.根据权利要求6-9任一所述的GaN基LED的外延结构，其特征在于：所述Al组分双向渐变采用均匀渐变或梯度渐变的形式。
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195744A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-22 | 光宝光电(常州)有限公司 | 深紫外光发光二极管芯片 |
| CN108447951A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-24 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种提高发光效率的led外延生长方法 |
| CN108511565A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-09-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延层生长方法 |
| CN108682722A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-10-19 | 华南师范大学 | 一种AlGaN基紫外LED外延片及其制备方法 |
| CN109300980A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-02-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法 |
| CN109524523A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-03-26 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | 一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 |
| CN109616561A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-04-12 | 广东工业大学 | 深紫外led芯片、深紫外led外延片及其制备方法 |
| CN109802022A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-05-24 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN110047980A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-07-23 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | 一种紫外led外延结构及其制备方法 |
| CN110828621A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-21 | 李丹丹 | 医疗杀菌消毒用外延结构制备方法 |
| CN111477729A (zh) * | 2020-05-30 | 2020-07-31 | 海南师范大学 | 带有五阶梯型量子阱和v型电子阻挡层结构的发光二极管 |
| CN111477730A (zh) * | 2020-05-30 | 2020-07-31 | 海南师范大学 | 带有五阶梯型量子阱和倒v型电子阻挡层的发光二极管 |
| CN111477731A (zh) * | 2020-05-30 | 2020-07-31 | 海南师范大学 | 带有五阶梯型量子阱和三角形电子阻挡层的发光二极管 |
| CN112382710A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-19 | 苏州紫灿科技有限公司 | 一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外led及制备方法 |
| CN114188449A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-03-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种电子阻挡层生长方法、外延层及led芯片 |
| CN114639760A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-06-17 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| WO2023082129A1 (zh) * | 2021-11-11 | 2023-05-19 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种电子阻挡层生长方法、外延层及led芯片 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102544285A (zh) * | 2012-01-16 | 2012-07-04 | 北京大学 | 利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件 |
| CN102623599A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-01 | 华灿光电股份有限公司 | 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 |
| CN102820394A (zh) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 山东华光光电子有限公司 | 一种采用铝组分渐变电子阻挡层的led结构 |
| CN103730557A (zh) * | 2014-01-03 | 2014-04-16 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种具有新型的p型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法 |
-
2015
- 2015-03-13 CN CN201510112077.2A patent/CN104810447A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102820394A (zh) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 山东华光光电子有限公司 | 一种采用铝组分渐变电子阻挡层的led结构 |
| CN102544285A (zh) * | 2012-01-16 | 2012-07-04 | 北京大学 | 利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件 |
| CN102623599A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-01 | 华灿光电股份有限公司 | 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 |
| CN103730557A (zh) * | 2014-01-03 | 2014-04-16 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种具有新型的p型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195744B (zh) * | 2016-03-15 | 2020-03-27 | 光宝光电(常州)有限公司 | 深紫外光发光二极管芯片 |
| CN107195744A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-22 | 光宝光电(常州)有限公司 | 深紫外光发光二极管芯片 |
| CN108447951A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-24 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种提高发光效率的led外延生长方法 |
| CN108511565A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-09-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延层生长方法 |
| CN108682722A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-10-19 | 华南师范大学 | 一种AlGaN基紫外LED外延片及其制备方法 |
| CN109300980A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-02-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法 |
| CN109524523A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-03-26 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | 一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 |
| CN109616561A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-04-12 | 广东工业大学 | 深紫外led芯片、深紫外led外延片及其制备方法 |
| CN109616561B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-04-28 | 广东工业大学 | 深紫外led芯片、深紫外led外延片及其制备方法 |
| CN109802022A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-05-24 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN110047980A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-07-23 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | 一种紫外led外延结构及其制备方法 |
| CN110828621A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-21 | 李丹丹 | 医疗杀菌消毒用外延结构制备方法 |
| CN111477730A (zh) * | 2020-05-30 | 2020-07-31 | 海南师范大学 | 带有五阶梯型量子阱和倒v型电子阻挡层的发光二极管 |
| CN111477729A (zh) * | 2020-05-30 | 2020-07-31 | 海南师范大学 | 带有五阶梯型量子阱和v型电子阻挡层结构的发光二极管 |
| CN111477731A (zh) * | 2020-05-30 | 2020-07-31 | 海南师范大学 | 带有五阶梯型量子阱和三角形电子阻挡层的发光二极管 |
| CN111477730B (zh) * | 2020-05-30 | 2023-04-07 | 海南师范大学 | 带有五阶梯型量子阱和倒v型电子阻挡层的发光二极管 |
| CN111477731B (zh) * | 2020-05-30 | 2023-04-07 | 海南师范大学 | 带有五阶梯型量子阱和三角形电子阻挡层的发光二极管 |
| CN112382710A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-19 | 苏州紫灿科技有限公司 | 一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外led及制备方法 |
| CN114188449A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-03-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种电子阻挡层生长方法、外延层及led芯片 |
| WO2023082129A1 (zh) * | 2021-11-11 | 2023-05-19 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种电子阻挡层生长方法、外延层及led芯片 |
| CN114639760A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-06-17 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
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