CN104810432A - 一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,包括正电极主栅和正电极细栅,还包括用于印刷正电极主栅的弯曲式压电喷墨头、用于印刷正电极细栅的推压式压电喷墨头和计算机设备,上述两墨头分别与计算机设备电连接;弯曲式压电喷墨头和推压式压电喷墨头的油墨槽里装有含银导电油墨,所述计算机设备通过CAD/CAM成像讯号驱动弯曲式压电喷墨头沿横向印刷、驱动推压式压电喷墨头沿竖向印刷。本发明使用计算机CAD/CAM成像讯号,高分辨率喷墨头以及含银导电油墨,含银导电油墨可在短时间内喷射数千个迭加量,因此大大提高了正电极细栅的高度,减少了正电极细栅的宽度,从而增加了正电极细栅的高宽比(遮光面积减少),进而提高太阳能电池转换效率。

Description

一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域,更具体的是涉及一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备。
背景技术
太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junction)上,形成新的空穴-电子对(V-E pair),在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件,故又称太阳能电池或光伏电池,是太阳能电池阵电源系统的重要组件。太阳能电池主要有晶硅(Si)电池,三五族半导体电池(GaAs,Cds/Cu2S,Cds/CdTe,Cds/InP,CdTe/Cu2Te),无机电池,有机电池等,其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。晶硅太阳能电池的基本材料为纯度达99.9999%、电阻率在10Ω-cm以上的P型单晶硅,包括正面绒面、正面p-n结、正面减反射膜、正背面电极等部分。在组件封装为正面受光照面加透光盖片(如高透玻璃及EVA)保护,防止电池受外层空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。
晶硅太阳能电池的制造工艺有6道工序,分别为制绒,扩散,去磷硅玻璃和背结,镀膜,丝网印刷,烧结。在太阳能电池的制备工艺中,最主要的就是电池的印刷。目前国际上大多数晶体硅太阳能电池都采用丝网印刷,其中丝网印刷用来制造太阳能电池的电极,它分为背电极印刷,铝背场印刷和正电极印刷三个步骤。背电极印刷是指在电池背面印刷银浆,烘干后形成背电极,用来汇集和传导电流。铝背场印刷是指在电池背面除了背电极和边缘以外的部分印刷铝浆,烘干后形成铝背场。正电极印刷是指在电池正面印刷银浆,烧结后形成正电极主栅和正电极细栅,用来汇集和传导电流。
但是丝网印刷技术也存在一些不足,例如太阳光的能量不能得到很好的利用,形成所谓的“死层”。前表面的金属电极不能做得很窄,否则遮挡了光在硅片内的有效吸收等。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,本发明的生产设备相较于传统丝网印刷设备具有结构设计新颖和制作简单,含银导电油墨成本低廉以及网板适合多层、多成分结构大批量生产等优点。
为了解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,包括正电极,正电极包含正电极主栅和正电极细栅,生产设备还包括用于印刷正电极主栅的弯曲式压电喷墨头、用于印刷正电极细栅的推压式压电喷墨头和计算机设备,弯曲式压电喷墨头和推压式压电喷墨头分别与计算机设备电连接;所述弯曲式压电喷墨头和所述推压式压电喷墨头的油墨槽里装有含银导电油墨,所述计算机设备通过CAD/CAM成像讯号驱动弯曲式压电喷墨头沿横向印刷、驱动推压式压电喷墨头沿竖向印刷。
优选的,所述弯曲式压电喷墨头包括压电陶瓷、膜片和油墨槽,所述压电陶瓷与膜片连接且通电后产生形变,挤压油墨槽内的含银导电油墨由喷嘴口喷出。
优选的,所述弯曲式压电喷墨头分辨率为300至600dpi,喷墨量为30至40pL,墨滴数量为500至1000个/秒。
优选的,所述推压式压电喷墨头包括压电棒、膜片和油墨槽,所述压电棒与膜片连接且通电后产生形变,挤压油墨槽内的含银导电油墨由喷嘴口喷出。
优选的,所述推压式压电喷墨头分辨率为1200至2400dpi,喷墨量为3至6pL,墨滴数量为2000至3000个/秒。
优选的,所述压电棒与膜片之间还连接有传感器底座。
优选的,所述含银导电油墨的含量(wt%)包括:金属银粉:80至92;玻璃粉:1至5;高分子树脂:1至5;溶剂:5至18。
优选的,所述金属银粉为球状银粉且颗粒粒径为50至100nm,玻璃粉为无铅玻璃粉,含银导电油墨烧结温度为785至825℃,所述含银导电油墨电阻系数为1至3μΩ·cm。
优选的,所述正电极细栅呈竖直方向设置,所述正电极主栅沿横向连接在多条正电极细栅上;其中,正电极主栅数量为:2<正电极主栅<6,正电极细栅数量为:96<正电极细栅<116;正电极主栅的宽度为1至1.3mm,正电极细栅的宽度为10至20μm。
优选的,所述正电极还包括正电极防断栅,正电极防断栅设置在两主栅之间;正电极防断栅设为分段连接或者连续直线连接在正电极细栅上,正电极防断栅数量为2<正电极防断栅<6。
与现有技术相比,本发明所述一种抗电势诱导衰减太阳能电池的制备方法的有益效果为:
1、本发明喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备的优点是:它采用精密计算机设计正电极图形通过CAD/CAM成像讯号驱动弯曲式压电喷墨头沿横向印刷、驱动推压式压电喷墨头沿竖向印刷;再有,它比传统的丝网印刷有更高的分辨力,分辨力可以达到5μm;高分辨率喷墨头以及含银纳米级导电油墨,导电墨滴可在短时间内喷射数千个迭加量,因此大大提高了正电极细栅的高度,减少了正电极细栅的宽度,从而增加了正电极细栅的高宽比,遮光面积减少(遮光面积减少),进而提高太阳能电池转换效率。同时,正电极采用防断栅设计,可防止正电极细栅出现断栅。
2、本发明采用含银导电油墨,油墨含有80至92的金属银粉大大提高了正电极的导电性能。
附图说明
图1为喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备及弯曲式压电喷墨头的结构示意图;
图2为喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备及推压式压电喷墨头的结构示意图;
图3为正电极设计的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
下面结合附图具体描述根据本发明实施例的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备。
如图1至图3所示:一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,包括正电极,正电极包含正电极主栅11和正电极细栅12,生产设备还包括用于印刷正电极主栅11的弯曲式压电喷墨头100、用于印刷正电极细栅12的推压式压电喷墨头200和计算机300设备;弯曲式压电喷墨头100和推压式压电喷墨头200分别与计算机设备300电连接;弯曲式压电喷墨头100和推压式压电喷墨头200的油墨槽103、203里装有含银导电油墨400,计算机300设备通过CAD/CAM成像讯号驱动弯曲式压电喷墨头100沿横向印刷、驱动推压式压电喷墨头200沿竖向印刷。印刷过程中,精密计算机300CAD/CAM成像讯号利用电压脉冲驱动压电陶瓷101组件(简称PZT)使之产生形变,挤压含银导电油墨400槽内的墨水。当产生瞬间的压力足以克服流体的表面张力时,含银导电油墨400由弯曲式压电喷墨头100的喷嘴口和推压式压电喷墨头200的喷嘴口喷射而出,在墨滴喷出的过程中,由于移除电压时所造成的压电陶瓷101组件反方向的应力会使墨滴串产生颈缩现象,从而致使墨滴脱离喷嘴口。使用精密计算机300CAD/CAM成像讯号,高分辨率喷墨头以及含银纳米级导电油墨400,含银导电油墨400滴可在短时间内喷射数千个迭加量,因此大大提高了正电极细栅12的高度,减少了正电极细栅12的宽度,从而增加了正电极细栅12的高宽比(遮光面积减少),进而提高太阳能电池转换效率。
参照图1所示:弯曲式压电喷墨头100包括压电陶瓷101、膜片102和油墨槽103,压电陶瓷101与膜片102连接且通电后产生形变,挤压油墨槽103内的含银导电油墨400由喷嘴口喷出,弯曲式压电喷墨头100分辨率为300至600dpi,喷墨量为30至40pL,墨滴数量为500至1000个/秒。
参照图2所示:推压式压电喷墨头200包括压电棒201、膜片202和油墨槽203,压电棒201与膜片202连接且通电后产生形变,挤压油墨槽203内的含银导电油墨400由喷嘴口喷出,推压式压电喷墨头200分辨率为1200至2400dpi,喷墨量为3至6pL,墨滴数量为2000至3000个/秒。压电棒201与膜片202之间还连接有传感器底座204。
含银导电油墨400的含量(wt%)包括:金属银粉:80至92;玻璃粉:1至5;高分子树脂:1至5;溶剂:5至18。其中,所述金属银粉为球状银粉且颗粒粒径为50至100nm,玻璃粉为无铅玻璃粉。所述含银导电油墨400烧结温度为785至825℃。所述含银导电油墨400电阻系数为1至3μΩ·cm。
参照图3所示:正电极细栅12呈竖直方向设置,所述正电极主栅11沿横向连接在多条正电极细栅12上;其中,正电极主栅11数量为2<正电极主栅<6,正电极细栅12数量为96<正电极细栅<116;正电极主栅11的宽度为1至1.3mm,正电极细栅12的宽度为10至20μm。
正电极还包括正电极防断栅13,正电极防断栅13设置在两正电极主栅11之间;正电极防断栅13设为分段连接或者连续直线连接在正电极细栅12上,正电极防断栅13数量为2<正电极防断栅<6。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,包括正电极,正电极包含正电极主栅和正电极细栅,其特征在于:生产设备还包括用于印刷正电极主栅的弯曲式压电喷墨头、用于印刷正电极细栅的推压式压电喷墨头和计算机设备,弯曲式压电喷墨头和推压式压电喷墨头分别与计算机设备电连接;所述弯曲式压电喷墨头和所述推压式压电喷墨头的油墨槽里装有含银导电油墨,所述计算机设备通过CAD/CAM成像讯号驱动弯曲式压电喷墨头沿横向印刷、驱动推压式压电喷墨头沿竖向印刷。
2.根据权利要求1所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述弯曲式压电喷墨头还包括压电陶瓷和膜片,所述压电陶瓷与膜片连接且通电后产生形变,挤压油墨槽内的含银导电油墨由喷嘴口喷出。
3.根据权利要求2所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述弯曲式压电喷墨头分辨率为300至600dpi,喷墨量为30至40pL,墨滴数量为500至1000个/秒。
4.根据权利要求1所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述推压式压电喷墨头还包括压电棒和膜片,所述压电棒与膜片连接且通电后产生形变,挤压油墨槽内的含银导电油墨由喷嘴口喷出。
5.根据权利要求4所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述推压式压电喷墨头分辨率为1200至2400dpi,喷墨量为3至6pL,墨滴数量为2000至3000个/秒。
6.根据权利要求4所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述压电棒与膜片之间还连接有传感器底座。
7.根据权利要求1所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述含银导电油墨的含量(wt%)包括:金属银粉:80至92;玻璃粉:1至5;高分子树脂:1至5;溶剂:5至18。
8.根据权利要求7所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述金属银粉为球状银粉且颗粒粒径为50至100nm,玻璃粉为无铅玻璃粉,含银导电油墨烧结温度为785至825℃,所述含银导电油墨电阻系数为1至3μΩ·cm。
9.根据权利要求1所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述正电极细栅呈竖直方向设置,所述正电极主栅沿横向连接在多条正电极细栅上;其中,正电极主栅数量为:2<正电极主栅<6,正电极细栅数量为:96<正电极细栅<116;正电极主栅的宽度为1至1.3mm,正电极细栅的宽度为10至20μm。
10.根据权利要求1或9所述的一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备,其特征在于,所述正电极还包括正电极防断栅,正电极防断栅设置在两主栅之间;正电极防断栅设为分段连接或者连续直线连接在正电极细栅上,正电极防断栅数量为2<正电极防断栅<6。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105856807A (zh) * 2016-04-06 2016-08-17 广东爱康太阳能科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池两次印刷设备、印刷工艺及其电池
CN112670367A (zh) * 2019-10-15 2021-04-16 浙江爱旭太阳能科技有限公司 Perc太阳能电池及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102085766A (zh) * 2010-11-29 2011-06-08 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种太阳能电池片栅线的喷墨印刷工艺
CN103625114A (zh) * 2013-11-19 2014-03-12 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种制备太阳能电池超细主副栅线的喷墨装置
CN204668334U (zh) * 2015-05-05 2015-09-23 广东爱康太阳能科技有限公司 一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102085766A (zh) * 2010-11-29 2011-06-08 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种太阳能电池片栅线的喷墨印刷工艺
CN103625114A (zh) * 2013-11-19 2014-03-12 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种制备太阳能电池超细主副栅线的喷墨装置
CN204668334U (zh) * 2015-05-05 2015-09-23 广东爱康太阳能科技有限公司 一种喷墨印刷晶硅太阳能电池正电极的生产设备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
马清霞: ""硅基太阳能电池金属栅极的喷墨印刷技术"", 《工程科技Ⅱ辑》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105856807A (zh) * 2016-04-06 2016-08-17 广东爱康太阳能科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池两次印刷设备、印刷工艺及其电池
CN112670367A (zh) * 2019-10-15 2021-04-16 浙江爱旭太阳能科技有限公司 Perc太阳能电池及其制备方法

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