KR20100013197A - 잉크젯 인쇄를 이용한 후면전극형 태양전지의 제조방법 및이에 의해 제조된 후면전극형 태양전지 - Google Patents
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Abstract
잉크젯 인쇄를 이용한 후면전극형 태양전지의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 잉크젯 인쇄를 이용한 후면전극형 태양전지의 제조방법은 후면전극형 태양전지의 제조방법에 있어서, 실리콘 산화층의 일부에 p+영역과 n+영역의 형성을 위한 개구부가 구비된 실리콘 웨이퍼의 후면부에 3족원소 함유 잉크조성물 및 5족원소 함유 잉크 조성물 각각을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄함으로써 p+영역과 n+영역을 형성하는 단계; 상기에서 형성된 p+영역과 n+영역 상에 금속 잉크조성물을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄하는 단계; 및 이를 소결함으로써 금속전극을 형성하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 비접촉 방식인 잉크젯 인쇄를 사용하기 때문에 실리콘 기판에 압력을 가하여 전극을 형성할 필요가 없으므로 초박막형 실리콘 기판에 대한 물리적 손상을 최소화시킬 수 있고 사진 식각 공정 단계를 포함하는 공정을 대폭 감소시킬 수 있으므로 제조공정의 효율성을 향상시킬 수 있으며, 낭비되는 원료의 양이 거의 없으며 연속적인 공정이 가능하고 양산성이 높을 뿐만 아니라, 대면적화에 용이하다는 장점이 있다.
Description
본 발명은 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정단계와 시간을 단축할 수 있으며 초박판 실리콘 기판을 사용한 태양전지에 유용하게 사용할 수 있는 잉크젯 인쇄를 이용한 후면전극형 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 후면전극형 태양전지에 관한 것이다.
1839년 프랑스의 물리학자 Edmond Becquerel은 처음으로 전해질 (electrolyte)에 담근 전극(electrode)사이에서 재료들이 빛을 받을 때 작은 양의 전류가 흐르는 것을 발견하였다. 또한, 1876년 Heinrich Hertz가 셀레늄과 같은 고체에서도 같은 현상이 발생됨을 관찰하였다. 이런 현상을 광전효과(photovoltaic effect)라고 하며, 이와 같은 광전효과를 보이는 재료를 태양전지(solar cells or PV cells) 라고 부른다.당시의 빛 전환 전류 효율은 1∼2% 정도였을 뿐이다.
따라서, 태양을 에너지원으로 활용하는 태양광발전시스템의 핵심인 태양전지는 광전효과(photovoltanic effect)를 이용해 빛에너지를 전기에너지로 전환하는 반도체 소자이며, 광전 효과를 이용한 태앙 전지의 상업화는 1940년대와 1950년대 사이에서 이루어졌는데, 이때 1941년 적정한 효율을 내는 실리콘(Si) 태양전지가 연구되었고, 1954년에 이르러 고순도 결정질 실리콘을 생산할 수 있는 Czochralski 방법이 개발되어 벨(Bell) 연구소 에서 4%의 효율을 내는 첫 번째 결정질 실리콘 태양전지가 만들어졌다.
상업용 태양전지는 주로 실리콘을 소재로 하여 pn 접합 구조를 가지며, 빛이 태양전지 내부로 흡수가 잘 되도록 하기 위한 반사방지막(AR Layer)과 실리콘 내부에서 만들어진 전기를 외부로 끌어내기 위한 상부전극 및 하부전극으로 구성된다.
도 1은 종래 기술에 따른 양면전극형 태양 전지의 구조를 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 실리콘 웨이퍼에 5가 원소(인, 비소, 안티몬 등)를 첨가하여 만든 n형 반도체(에미터;3)와, 실리콘 웨이퍼에 3가 원소(붕소, 갈륨, 인듐 등)를 첨가하여 만든 p형 반도체(5)가 접합된 pn접합 구조를 가지며, 상기 pn 접합 구조의 일측면, 즉, 태양광이 입사되는 면에 전면 전극(9)을 배치하고, 상기 전면 전극(9)들 사이에 태양광 반사를 줄여서 실리콘 웨이퍼 내부로 보다 많은 태양광을 흡수할 수 있도록 하는 반사 방지막(7)을 형성 배치하였다. 또한, 상기 pn 접합 구조상의 전면 전극(9)이 배치된 타측면 상에는 상기 전면 전극(9)과 대응하는 후면 전극(1)이 형성 배치되어 있다. 한편, 상기 후면 전극(1)의 상면에는 전자가 후면으로 확산되는 것을 방지하기 위하여 후면전계(Back Surface Field)층(미도시)이 더 형성되어 있을 수 있다.
상기 태양전지의 작동 메커니즘은, 태양광이 상기 전면 전극(9) 상에 입사되 면 상기 pn 접합 구조에서 형성된 전위차에 의하여 전자와 정공이 분리되고, 전자는 상기 전면 전극(9)과 연결된 도선을 따라 이동하며, 정공은 상기 후면 전극(1)과 연결된 도선을 따라 이동하여 전류가 흐르게 되는 것이다.
그러나, 이와 같은 양면전극형 태양전지는 태양광이 입사하는 전면에 전극이 차지하는 표면적이 약 5∼15%이기 때문에 상기 전면 전극에 의해 태양광이 반사되어 실리콘 기판으로 입사되는 양이 감소하게 되어 효율 감소의 원인이 될 수 있다.따라서, 이를 해결하기 위하여 전극을 모두 기판 후면에 형성하는 후면전극형 태양전지가 개발되었다.
도 2에는 통상적인 후면전극형 태양전지의 구조를 도시하였다. 도 2를 참조하면, 후면전극형 태양전지는 p+ 영역과 n+ 영역이 형성된 후면에 후면 실리콘 산화층(14)이 형성되어 있고, 상기 실리콘 산화층(14)을 화학적으로 에칭한 개구부(42)가 형성되어 있으며, 상기 개구부의 하부에 씨드메탈층(44)이 형성되어 있고, 상기 씨드메탈층(44)의 하부에 제1금속 전극(50) 및 제2금속 전극(52)이 형성되어 있는 구조로 이루어져 있다. 한편, 기판의 전면에는 텍스쳐링이 되어 있으며, 일반적으로 최상부부터 반사방지층 및 도핑층으로 이루어진다.
이러한 후면전극형 태양전지의 통상적인 제조방법 중 전면부를 제외한 후면부의 제조흐름도를 도 3 및 도 4에 도시하였다. 상기 도면들을 참조하면, 우선 실리콘 웨이퍼에 실리콘 산화층을 형성한 후(ST1), 사진식각 공정을 통하여 상기 실리콘 산화층의 일부를 식각한 후 원소 P 성분을 증착하고 열확산시켜 n+ 영역을 형성한 다음(ST2), 상기 실리콘 산화층의 다른 일부를 사진식각 공정을 통하여 식각 한 후 원소 B 성분을 증착하고 열확산시켜 p+ 영역을 형성한다(ST3). 그 다음 상기 형성된 n+ 영역과 p+ 영역의 하부에 다시 실리콘 산화층을 형성한다(ST4). 상기 실리콘 산화층은 열산화법에 의하여 형성시킬 수 있다.
그리고, 후면에 형성된 후면 실리콘 산화층(14) 상에 사진식각 공정을 통하여 패턴화된 에칭 레지스트를 형성한 다음, 상기 실리콘 산화층(14)을 화학적으로 에칭하여 컨택 개구부(42) 배열을 형성하고, 에칭레지스트를 제거하여 전극이 형성될 부근을 오프닝(opening)하게 된다(ST5).
다음으로, 금속 전극을 형성하는 단계인데, 상기 금속 전극은 전해 도금 또는 비전해 도금을 이용하여 형성하는 방법과 사진 식각 및 금속층 에칭법을 이용하여 형성하는 방법으로 진행될 수 있다. 우선, 전해 도금을 이용하는 방법을 도 3을 참조하여 설명하면, 상기 컨택 개구부(42)에 얇은 3층의 씨드 메탈 스택인 씨드층(44)을 형성한다(ST6). 이는 도금을 하기 위한 씨앗 층으로써, 약 400nm의 얇은 3층의 금속층들로 이루어져 있는 것이 일반적인데, 예를 들어, Al(ohmic전극)/TiW(또는 Ni, Cr)/Cu로 구성될 수 있다.
그 다음, 씨드층(44) 상에 사진식각 공정을 통하여 패턴화된 플레이팅 레지스트를 형성한다(ST7). 이는 도금할 부근만 남기고, 나머지 부분은 도금이 되지 않도록 하기 위한 레지스트이며, 상기 패턴화된 플레이팅 레지스트가 없는 영역에 메탈층(50)의 두께를 전해 도금 또는 비전해 도금에 의해 증가시킨다(ST8).
마지막으로, 플레이팅 레지스트와 도금된 전도성 라인 사이의 씨드층(44)의 일부를 제거함으로써 p영역과 n영역의 전극을 서로 분리하여 단결정 태양전지의 후 면전극을 제조하게 된다(ST9).
한편, 도 4를 참조하여, 사진 식각 및 금속 에칭에 의하여 전극을 형성하는 공정을 설명하면 이하와 같다. ST1'∼ST5'는 전술한 ST1∼ST5와 동일하기 때문에 생략하고, ST6'부터 설명하면, 제1전극을 형성하기 위하여 금속층을 후면에 적층하고 사진 식각 및 금속 에칭공정을 통하여 제1전극을 형성한다(ST6'). 다음으로, 유전층을 형성한 다음, 사진 식각 및 에칭 공정을 통하여 유전층에 개구부를 형성한다(ST7'). 그 다음, 제2전극을 형성하기 위한 금속층을 적층하고 사진 식각 및 금속 에칭공정을 통하여 제2전극을 형성함으로써 단결정 태양전지의 후면전극을 제조하게 된다(ST8')
이와 같이 종래기술에서는 사진 식각 공정을 최소 4∼6회 사용해야 하기 때문에 제조공정이 복잡하고 고비용이 소요되는 한계가 있었다.
따라서, 대한민국 등록특허 제757797호에는 씨드층의 형성 이전에 스크린 인쇄를 이용하여 패턴화된 마스크를 상기 실리콘 산화층에 형성한 다음, 상기 마스크를 이용하여 씨드층을 형성하고 그 하면에 메탈층을 형성한 다음 상기 마스크를 제거하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법이 개시되어 있으나, 이 역시 사진 식각 공정이 최소 3회 이상 필요하기 때문에 공정이 여전히 복잡하다는 단점이 있었다. 한편, 태양전지 모듈가격의 50% 이상을 실리콘 웨이퍼의 가격이 차지하기 때문에 상기 실리콘 웨이퍼의 두께를 감소시키려는 시도가 행해지고 있는데, 스크린 인쇄법에 의하여 마스크를 형성하는 경우에는 스퀴징 단계에서 가압하는 힘에 의하여 표면 손상을 입을 수 있으며, 실리콘 웨이퍼의 두께가 100㎛ 정도 로 얇아지는 초박막 웨이퍼의 경우에는 스크린 인쇄법을 적용하기 어렵다는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 과제는 초박막 실리콘 웨이퍼에도 안정적으로 적용할 수 있으며, 공정효율이 우수한 잉크젯 인쇄를 이용한 후면전극형 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 과제는 상기 제조방법에 의해 제조된 후면전극형 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여,
후면전극형 태양전지의 제조방법에 있어서,
실리콘 산화층의 일부에 p+영역과 n+영역의 형성을 위한 개구부가 구비된 실리콘 웨이퍼의 후면부에 3족원소 함유 잉크조성물 및 5족원소 함유 잉크 조성물 각각을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄함으로써 p+영역과 n+영역을 형성하는 단계;
상기에서 형성된 p+영역과 n+영역 상에 금속 잉크조성물을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄하는 단계; 및
이를 소결함으로써 금속전극을 형성하는 단계를 포함하는 후면전극형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 3족원소는 B이고, 상기 5족원소는 P인 것일 수 있다.
또한, 상기 금속 잉크조성물을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄하는 단계는 알루미늄을 포함하는 제 1 전극용 금속 잉크조성물과 은을 포함하는 제2 전극용 금속 잉크조성물 각각을 p+영역과 n+영역에 잉크젯 인쇄하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 p+영역과 n+영역은 함몰되어 있으며, 상기 금속 잉크조성물은 상기 함몰부위에 잉크젯 인쇄되어 함몰전극을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 p+영역과 n+영역의 개구부의 형성은 사진식각법, 레이저 식각법 또는 스크린 프린팅에 의한 식각법에 의하는 것일 수 있다.
본 발명은 상기 두 번째 과제를 해결하기 위하여,
상기 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지를 제공한다.
본 발명에 따르면, 비접촉 방식인 잉크젯 인쇄를 사용하기 때문에 실리콘 기판에 압력을 가하여 전극을 형성할 필요가 없으므로 초박막형 실리콘 기판에 대한 물리적 손상을 최소화시킬 수 있고 사진 식각 공정 단계를 포함하는 공정을 대폭 감소시킬 수 있으므로 제조공정의 효율성을 향상시킬 수 있으며, 낭비되는 원료의 양이 거의 없으며 연속적인 공정이 가능하고 양산성이 높을 뿐만 아니라, 대면적화에 용이하다는 장점이 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법은 후면전극형 태양전지의 제조방법에 있어서, 실리콘 산화층의 일부에 p+영역과 n+영역의 형성을 위한 개구부가 구비된 실리콘 웨이퍼의 후면부에 3족원소 함유 잉크조성물 및 5족원소 함유 잉크 조성물 각각을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄함으로써 p+영역과 n+영역을 형성하는 단계; 상기에서 형성된 p+영역과 n+영역 상에 금속 잉크조성물을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄하는 단계; 및 이를 소결함으로써 금속전극을 형성하는 단계를 포함하며, 종래의 후면전극형 태양전지의 제조방법과 달리 비접촉 방식으로 전극을 형성할 수 있고, 사진 식각 공정이 거의 필요 없기 때문에 연속적인 공정으로 양산성을 향상시킬 수 있다는 것을 특징으로 한다. 또한, 다양한 금속 패턴 전극 설계가 가능하다는 장점도 있다.
도 4에는 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지 제조방법의 순서도를 도시하였고 도 5에는 공정을 도시한 단면도를 도시하였는데, 이는 실리콘 웨이퍼의 후면부를 형성하는 공정만 도시하였으며, 전면에 반사방지층, 부동태층 등을 형성하는 공정은 생략하였다. 도 4 및 5를 참조하면, 우선 실리콘 웨이퍼에 실리콘 산화층(14)을 형성시킨 다음, 개구부(42)를 형성한다. 상기 개구부의 형성방법은 사진식각에 의한 에칭공정, 레이저를 이용한 식각공정 또는 스크린 인쇄를 이용한 에칭공정을 사용할 수 있다.
종래 기술에서는 상기 p+영역과 n+영역형성을 위한 개구부를 두 단계의 사진식각에 의한 에칭공정을 거치지만 본 발명에서는 상기 p+영역과 n+영역을 동시에 형성하기 때문에 공정효율이 우수하다.
다음으로, 상기 개구부 각각에 3족원소 함유 잉크조성물 및 5족원소 함유 잉크 조성물 각각을 잉크젯 인쇄를 통하여 동시에 인쇄함으로써 제조 시간을 크게 단축시킬 수 있다. p+영역(43)과 n+영역(45)을 형성하는데 도 5에는 3족원소로서 B(붕소)를 사용하고, 5족원소로서 P(인)을 사용하는 예를 도시하였지만 이에 한정되는 것은 아니며, 3족원소로서는 Al, Ga 등을 사용할 수 있고, 5족원소로서는 As, Sb 등을 사용할 수 있다. 상기 원소들을 함유하는 잉크조성물은 잉크젯 노즐을 통하여 토출되기에 적절한 점도와 표면장력을 가지며, 열처리에 의해 상기 B 또는 P 등의 원소를 제외한 용매 및 기타 성분이 제거될 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 상기 잉크젯 인쇄를 통해 p+영역(43)과 n+영역(45)에 잉크조성물을 인쇄할 때에는 낮은 농도의 잉크조성물을 사용하여 반복하여 인쇄함으로써 필요한 농도를 맞출 수도 있으며, 인쇄가 완료된 이후에는 열처리를 통하여 상기 각각의 원소들이 확산/도핑될 수 있도록 한다. 상기 열처리는 본 단계에서 수행될 수도 있고, 후술하는 금속 잉크조성물을 인쇄한 이후에, 함께 소결시키며 열처리 공정을 수행할 수도 있다.
이 후, 상기에서 형성된 p+영역(43)과 n+영역(45) 상에 잉크젯 인쇄를 통하 여 금속 잉크조성물을 인쇄함으로써 전극(50, 52)을 형성하는데, 상기 금속은 특별히 한정되지 않으며 p+영역 상에는 알루미늄을 포함하는 제 1 전극용 금속 잉크조성물을 인쇄하고 n+영역 상에는 은을 포함하는 제2 전극용 금속 잉크조성물을 인쇄하는 것이 바람직하지만 동일한 금속 잉크조성물을 양 영역 모두에 사용하는 것이 배제되는 것은 아니다. 상기 인쇄시에는 전극이 일정 높이와 선폭을 가지도록 하기 위하여 잉크젯 인쇄공정을 수회 반복하며, 그 반복 간격 사이에 금속 잉크조성물이 건조될 수 있도록 하여 일정 형상을 유지하도록 하는 것이 바람직하다.
상기 금속 잉크조성물에 사용되는 금속입자의 크기는 특별히 제한되지는 않지만 사용되는 잉크젯 장비의 노즐 크기에 의해 결정되는 것이 일반적이다. 현재 상업화되어 있는 잉크젯용 노즐 크기가 20 내지 수백 ㎛ 범위이기 때문에 금속 입자의 입경은 상기 노즐 크기의 5% 이하인 것이 바람직하다. 구체적으로 금속 입자의 입경이 나노 단위일 때에는 벌크 단위의 경우에 비교할 때에 녹는점을 크게 낮출 수 있으며 낮은 온도의 열처리에서도 우수한 전도성을 가지므로 상기 금속 입자의 크기는 1 내지 100nm인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 50nm 이하의 크기가 적절하다. 상기 금속 잉크조성물 내에서 상기 금속입자는 분산매에 분산된 형태로 존재하는데, 이때 사용되는 분산매로는 당업계에서 알려진 통상적인 수계 용매, 유기 용매 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 분산매 내에서 금속 입자의 응집이 방지되도록 계면활성제 등이 추가로 사용될 수도 있다.
마지막으로 상기 금속 잉크조성물을 인쇄한 이후에는 열처리를 통하여 분산 매 및 기타 성분들을 제거하고 순수한 금속전극만 남도록 하는 공정을 수행한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 p+영역과 n+영역은 함몰되어 있으며, 상기 금속 잉크조성물은 상기 함몰부위에 잉크젯 인쇄되어 함몰전극을 형성하는 것이 바람직한데, 그 이유는 상기 함몰부위에 금속 잉크조성물을 잉크젯에 의해 토출하는 경우에는 한번의 토출로도 균일한 선폭의 패턴 형성이 용이하며 웨이퍼 후면 내로 파여진 홈에 전극이 형성됨으로써 캐리어의 수집효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 효과적인 후면전계를 형성시킬 수 있기 때문이다.
본 발명에 사용되는 잉크젯 프린팅 장비는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것인 한 특별히 제한되지 않으며, 연속분사 방식은 물론 드롭-온-디맨드 방식도 가능하다.
도 1은 종래 기술에 따른 양면전극형 태양 전지의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 통상적인 후면전극형 태양전지의 구조를 도시한 단면도이다.
도 3은 종래 기술에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법 중 전면부를 제외한 후면부의 제조흐름도이다.
도 4는 종래 기술에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법 중 전면부를 제외한 후면부의 또 다른 제조흐름도이다.
도 5는 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지 제조방법의 순서도이다.
도 6은 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지 제조방법의 공정을 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 후면전극 3: n형 반도체
5: p형 반도체 7: 반사 방지막
9: 전면전극 14: 실리콘 산화층
42: 개구부 43: P+영역
44: 씨드메탈층 45: n+영역
50: 제1 금속전극 52: 제2 금속전극
Claims (6)
- 후면전극형 태양전지의 제조방법에 있어서,실리콘 산화층의 일부에 p+영역과 n+영역의 형성을 위한 개구부가 구비된 실리콘 웨이퍼의 후면부에 3족원소 함유 잉크조성물 및 5족원소 함유 잉크 조성물 각각을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄함으로써 p+영역과 n+영역을 형성하는 단계;상기에서 형성된 p+영역과 n+영역 상에 금속 잉크조성물을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄하는 단계; 및이를 소결함으로써 금속전극을 형성하는 단계를 포함하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 3족원소는 B이고, 상기 5족원소는 P인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 잉크조성물을 잉크젯 인쇄를 통하여 인쇄하는 단계는 알루미늄을 포함하는 제 1 전극용 금속 잉크조성물과 은을 포함하는 제2 전극용 금속 잉크조성 물 각각을 p+영역과 n+영역에 잉크젯 인쇄하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 p+영역과 n+영역은 함몰되어 있으며, 상기 금속 잉크조성물은 상기 함몰부위에 잉크젯 인쇄되어 함몰전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,p+영역과 n+영역의 개구부의 형성은 사진식각법, 레이저식각법 또는 스크린프린팅에 의한 식각법에 의하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020080074773A KR20100013197A (ko) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 잉크젯 인쇄를 이용한 후면전극형 태양전지의 제조방법 및이에 의해 제조된 후면전극형 태양전지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020080074773A KR20100013197A (ko) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 잉크젯 인쇄를 이용한 후면전극형 태양전지의 제조방법 및이에 의해 제조된 후면전극형 태양전지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100013197A true KR20100013197A (ko) | 2010-02-09 |
Family
ID=42087267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080074773A KR20100013197A (ko) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 잉크젯 인쇄를 이용한 후면전극형 태양전지의 제조방법 및이에 의해 제조된 후면전극형 태양전지 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR20100013197A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8771556B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-07-08 | Hyundai Motor Company | Semiconductor oxide ink composition for inkjet printing, method of manufacturing the same, and method of manufacturing photoelectric conversion element using the same |
| US10732744B2 (en) | 2013-11-28 | 2020-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including touch sensor |
-
2008
- 2008-07-30 KR KR1020080074773A patent/KR20100013197A/ko not_active Application Discontinuation
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| US8771556B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-07-08 | Hyundai Motor Company | Semiconductor oxide ink composition for inkjet printing, method of manufacturing the same, and method of manufacturing photoelectric conversion element using the same |
| US10732744B2 (en) | 2013-11-28 | 2020-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including touch sensor |
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