CN104807567A

CN104807567A - 具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统以及方法

Info

Publication number: CN104807567A
Application number: CN201510038748.5A
Authority: CN
Inventors: T·考茨施; H·弗雷利施; M·福格特; M·施特格曼; A·罗特; B·温克勒; B·宾德
Original assignee: Infineon's Technology Dresden Co Ltd
Current assignee: Infineon's Technology Dresden Co Ltd; Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG
Priority date: 2014-01-24
Filing date: 2015-01-26
Publication date: 2015-07-29
Anticipated expiration: 2035-01-26
Also published as: CN108168765B; DE102015101008A1; CN104807567B; CN108168765A; US9752943B2; US20150210535A1

Abstract

本发明的各实施方式总体上涉及具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统以及方法。具体地，各实施例涉及传感器，并且更具体地涉及用于形成传感器的结构以及形成上述传感器的方法，上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。在实施例中，传感器包括用于薄片、薄膜或者其它可移动元件的支撑结构。支撑结构包括支持或者承载可移动元件的多个支撑元件。支撑元件可以包括单独的具有直侧壁或凹形侧壁的圆柱形点或者类足元件，而不是常规的互连框架，这实现了可移动元件的改进的运动、在制造期间更容易移除可移动元件和基片之间的牺牲层以及更有利的偏转比率，以及其它益处。

Description

具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统以及方法

相关申请的交叉引用

本申请是2014年1月24提交的第14/163,205号申请的部分继续申请(continuation-in-part)，上述申请据此通过引用完全结合于此。

技术领域

本发明总体上涉及传感器，并且更具体地涉及用于形成包括可移动元件(诸如薄膜或者薄片)的传感器的结构以及形成上述传感器的方法，上述传感器更容易制造为集成部件并且提供薄膜或者薄片的改进的偏转(deflection)。

背景技术

传感器通常用于各种应用中，这些应用包括电子产品、汽车和消费品，以及其它应用。一些类型的传感器包括响应于被感测或测量的物理量而弯曲、变形或者移动的薄膜、薄片或者其它合适结构。这样的传感器的一个示例是压力传感器，其可以感测或者测量与气体、流体、机械或者其它力相关的压力。可以通过各种技术(包括电容、压阻、压电、电磁、光学或者某一其它技术)以及根据以上技术确定的相关压力来感测传感器的可移动部分(例如薄膜、薄片或者其它结构)的弯曲、变形和/或移动。例如，压力传感器可以包括当存在压力时弯曲或者变形的柔性薄膜。可以通过布置在薄膜附近的电极电容性地检测薄膜的弯曲，因为薄膜和电极之间的电容随着薄膜下垂或者扩张而改变。

无论何种类型，传感器通常作为更大系统的部分来操作，并且因此可以集成在这些系统内。在一些应用(诸如汽车气囊传感器)中，压力传感器可以集成在气囊专用集成电路(ASIC)内。随着制造ASIC的工艺的改进和发展，将传感器与ASIC的制造集成而不增加基础制造工艺的复杂度或者不必改变基础制造工艺，可能是有挑战性的。例如，很多ASIC使用CMOS(互补金属氧化物半导体)技术被构造，并且将压力传感器构造集成到合适的CMOS工艺中可能是复杂的和/或昂贵的，有时需要改变常规工艺步骤或技术，或者需要附加步骤。例如，集成包括多晶硅薄片的压力传感器结构的一种尝试需要至少五个掩膜平面以及用于移除薄片和基片之间的牺牲层以使得薄片能够弯曲或移动的复杂工艺，并且不能成功集成到CMOS工艺中。

发明内容

实施例涉及传感器，并且更具体地涉及用于形成传感器的结构以及形成上述传感器的方法，上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。

在实施例中，传感器器件包括基片；彼此间隔开并且布置在基片上的多个支撑元件，多个支撑元件中的每个支撑元件成圆柱形；以及由多个支撑元件支撑在基片上并且与基片间隔开的可移动元件，其中可移动元件、基片以及多个支撑元件限定腔体，可移动元件能够响应于由传感器器件感测的物理量而偏转到腔体中。

在实施例中，传感器器件包括基片；彼此间隔开并且布置在基片上的多个支撑元件，多个支撑元件中的每个支撑元件具有圆周顶面、圆周底面以及在圆周顶面和圆周底面之间的单个凹形径向侧壁；以及由多个支撑元件支撑在基片上并且与基片间隔开的可移动元件，其中可移动元件、基片以及多个支撑元件限定腔体，可移动元件能够响应于由传感器器件感测的物理量而偏转到腔体中。

在实施例中，一种方法包括：提供基片；提供由彼此间隔开的多个支撑元件支撑在基片上的可移动元件，多个支撑元件中的每个支撑元件具有圆周顶面、圆周底面以及在圆周顶面和圆周底面之间的单个侧壁；以及通过可移动元件朝着基片进入由基片、可移动元件以及多个支撑元件限定的腔体中的偏转来感测物理量。

附图说明

结合附图考虑本发明的各种实施例的以下具体描述可以更完整地理解本发明，其中：

图1是常规传感器的侧横截面图。

图2A是根据实施例的传感器的侧横截面图。

图2B是根据另一实施例的传感器的侧横截面图。

图2C是根据实施例的支撑元件的顶视图。

图2D是根据实施例的图2C的支撑元件的局部侧视图。

图2E是根据另一实施例的支撑元件的透视图。

图2F是根据实施例的可移动元件的照片。

图2G是根据实施例的可移动元件和支撑元件的透明详细视图。

图2H是图2G的可移动元件和支撑元件的应力仿真。

图2I是根据实施例的可移动元件的照片。

图2J是图2I的可移动元件的局部放大图。

图3A是根据实施例的传感器的可移动元件和支撑元件的局部透明顶视图。

图3B是根据实施例的传感器的可移动元件和支撑元件的局部透明顶视图。

图3C是根据实施例的传感器的可移动元件和支撑元件的局部透明顶视图。

图4A是根据实施例的传感器的仿真结果。

图4B是根据实施例的传感器的仿真结果。

图4C是根据实施例的传感器阵列的仿真结果。

图4D是常规传感器的仿真结果。

图5是形成根据实施例的传感器的方法的流程图。

虽然本发明能够经受各种修改和备选形式的检验，但是已经在附图中通过示例的方式示出了其细节，并且将详细描述这些细节。然而，应该理解的是，意图不是将本发明限于所描述的具体实施例。相反地，意图是覆盖落在由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等效以及备选。

具体实施方式

实施例涉及传感器，并且更具体地涉及用于形成传感器的结构以及形成上述传感器的方法，上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。在实施例中，传感器包括用于薄片、薄膜或者其它可移动元件的支撑结构。支撑结构包括支持或者承载可移动元件的多个支撑元件。支撑元件可以包括单独的点或者类足元件，而不是常规的互连框架，这实现了可移动元件的改进的运动、在制造期间更容易移除可移动元件和基片之间的牺牲层以及更有利的偏转比率，以及其它益处。

参照图1，描述了传感器10。传感器10包括基片12、薄片14以及腔体16。薄片14由框架18支撑，框架18围绕薄片14在薄片14和基片12的浅沟道隔离(STI)部分13之间的周界延伸。在一个实施例中，传感器10包括压力传感器，并且薄片14是压敏的，响应于压力的变化而移动(例如通过向下或者向上弯曲)。传感器10可以包括在其它实施例中的另一类型的传感器。

在实施例中，若干掩膜平面(例如在一些情况下为五个或六个)以及用于移除薄片14之下的牺牲层以形成腔体16的复杂工艺在传感器10的制造中是必须的，这使得将传感器10的制造与诸如CMOS之类的常规处理进行集成是困难的或者不可能的。例如，包括例如诸如碳之类的可以被干法刻蚀的牺牲材料的牺牲层可以被沉积在基片12上并且在薄片14之前被构造，该薄片包括例如多晶硅，在基片12上被沉积或者形成在牺牲层上方。该工艺导致框架18的阶梯20。在沉积薄片14之后，牺牲层可以诸如通过材料的灰化以及经由在一个实施例中形成在薄片14中的小孔的后续移除而被移除，以形成腔体16，该腔体使得薄片14能够在操作中移动或者弯曲。以此方式移除牺牲层(即，经由形成于薄片14中的小孔，诸如在角落附近)严重限制了传感器10的横向尺寸，因为这样的方案中的净宽度(clearing width)是有限的。

阶梯20可能是不利的，因为它是应力点，导致薄片14在薄片14与框架18相交处的弯折移动。该弯折移动可以引起薄片14的下垂，这取决于各种各样的因素，除了所期望的压力之外，还包括传感器10的几何形状、应力以及温度，使得下垂作为不良的、非线性因素被包括在压力传感器特性数据中。

在实施例中，传感器10通常是正方形的，具有大约5μm到大约15μm的横向尺寸(例如，在一个示例实施例中，图1中的传感器10的宽度为大约10μm并且长度(进入页面内的尺寸)为大约10μm)。传感器10的与大小相关的特性为薄片14在加压期间的最大偏转与薄片的平均偏转的比率。总体上，并且由于与传感器10的线性和生产(即，腔体16的构造)有关的理由，最大偏转不应该超过腔体16的高度的大约10％，这能够导致更大和更厚的薄片14，其由于大小限制和成本约束是不可取的。另一方面，平均偏转与电容传感器信号有关。一种配置因此可能是有利的，在该配置中，最大偏转与平均偏转的比率尽可能小。

参照图2A，描述了另一传感器100。相似于之前讨论的传感器10，传感器100包括诸如半导体或者其它合适材料之类的基片102以及诸如薄片、薄膜或者其它合适结构之类的可移动元件104。然而，与传感器10的框架18相比，传感器100包括支撑结构，支撑结构包括多个支撑元件122。每个支撑元件122包括布置在基片102的隔离沟道部分103上的点状结构或者“足”，与其它支撑元件间隔开并且独立于其它支撑元件。虽然大小和配置可以不同，但是在实施例中，每个支撑元件122通常是正方形的并且具有小于大约3000nm的横向尺寸，诸如大约500nm乘以大约500nm或者大约1000nm乘以大约1000nm的横向尺寸或直径，以及大约20nm到大约400nm的高度，虽然在其它实施例中，支撑元件可以更大或者更小和/或具有某一其它形状(例如圆形、三角形、椭圆形、长方形、六边形、某一其它单边或多边形状等)。例如，在一个实施例中，传感器100成三角形并且包括三个支撑元件122。

在另一实施例中，并且参照图2B、图2C、图2D和图2E，支撑元件122被磨圆并且弄弯，当从顶部(图2C)和侧面看时具有圆周，该圆周是凹形的或者径向地向里逐渐变细(如在图2B的侧横截面图以及图2D的局部详细视图中所见)，以形成在侧面与顶面和底面中的每个面之间形成曲线过渡。换言之，在实施例中，支撑元件122可以包括圆周顶面(例如在图2B中将每个支撑元件122耦合到可移动元件104并且在图2C和图2D中可见的表面)、圆周底面(例如在图2B中将每个支撑元件122耦合到基片102和/或隔离沟道部分103的表面)以及在圆周顶面和圆周底面之间的单个凹形径向侧壁(例如在图2B中可见以及在图2D中部分可见)。凹形径向侧壁因此指的是通常为圆柱形的结构。圆柱形形状因此可以宽泛地包括若干结构，包括由圆形凸面的垂直平移引起的那些结构，以使得圆柱形形状的投影面可以包括非圆形的圆凸投影面，例如包括椭圆面。在实施例中，侧壁可以沿着顶面和底面之间的曲线变窄或变细。该曲线是凹形的，并且凹面具有至少一个半径。曲线可以是规则的(例如在沿曲线具有单一半径的侧面中形成凹形半圆)或者不规则的，其中在例如顶圆周面与支撑元件的高度的中点之间的曲度比在底圆周面与高度的中点之间的曲度大，使得沿凹形径向侧壁存在至少两个不同半径。在又另一实施例中，侧壁的将支撑元件122耦合到可移动元件104的部分可以具有凹面，而在支撑元件122的底部接近基片102的部分是直的而不是凹的。在一些实施例中，支撑元件122在支撑元件122的两端具有带直的、非弯曲的侧面的圆周(图2E)。因此，在各个实施例中，支撑元件122可以具有直的或者凹的侧壁。

顶面和底面的直径d在实施例中可以相同或者不同，尽管直径通常会与方形支撑元件122的横向尺寸大致相同(例如小于大约3000nm，诸如在一个实施例中大约500nm的直径d)。高度在实施例中也可能大致相同。半径r或者侧面从顶面和底面向内变细的程度可以根据腔体106的高度来选择，该腔体将基片102与可移动元件104分离并且由两者限定。在一个实施例中，半径r约等于高度。在其它实施例中，半径r介于高度的大约50％和大约100％之间，诸如大约70％和大约90％之间或者大约80％和大约100％之间。支撑元件122的高度限定腔体106的高度(即，可移动元件104的底面和基片102的顶面之间的距离)，并且在一些实施例中，该高度可以在大约20nm到大约200nm的范围内。在实施例中，支撑元件122的高度可以小于大约500nm，诸如大约100nm，这与支撑元件122的高度相同。

在实施例中，圆形和/或弯曲的支撑元件122可以提供优点，诸如可移动元件104中减小的应力梯度，其可以造成裂缝以及其它缺陷的形成。最高应力梯度可以在支撑元件122的拐角处形成，这些支撑元件在此处与可移动元件104相交。这例如可以在图2F中看出来，图2F示出了在可移动元件104中因方形支撑元件122形成的裂缝130。然而，如图2G中的经弄圆和/或弯曲的支撑元件122可以更均匀地分配应力，这可以使得能够容忍增加的应力(例如，在没有本征应变并且被归一化为大约4.5nm的最大变形的情况下高达大约70MPa)，如在图2I和图2J的结构的图2H的仿真中可以看出的，其中所描述的金属化层M1没有裂缝。因此，经弄圆和/或弯曲的支撑元件122可以减小或消除造成裂缝以及其它缺陷的形成的应力，并且使得能够将可移动元件104的最大偏转与平均偏转的比例优化为尽可能的小。

在一个实施例中，部分103包括氧化物或者其它合适材料，并且支撑元件122(如同可移动元件104)可以包括诸如在一个实施例中的多晶硅之类的硅。本文讨论的各种元件的材料、尺寸以及其它特性仅是示例并且可以与在其它实施例中描述(通常不按比例)和讨论的特性不同而没有限制，除非另外提到。

虽然单个传感器100可以形成在基片122上，但是在一些实施例中，传感器100的阵列将形成在基片102上。图3A和图3B描述了传感器100的示例阵列101的顶视图，其中可移动元件104是透明的以便看到下面的支撑元件122。任何阵列101的传感器100的数目可以与图3A和图3B中描述的数目不同，并且实际而言，可能显著大于所描述的三十个传感器100，但是也可能小于所描述的三十个传感器100。例如，在一个实施例中，阵列101包括400个传感器100，其以10x 40的配置被布置。在实施例中，支撑元件122的数目大于20，诸如在一些实施例中大于50，并且在其它实施例中大于100。在其它实施例中，大小不同的传感器100可以在任何阵列101内被形成，或者可以使用不同的阵列配置。

每个传感器100通常是正方形的并且由四个支撑元件122支撑，虽然在其它实施例中可以实施其它配置(即，不同的传感器形状和/或更多或者更少的支撑元件122)。例如，图3C描述了另一实施例，其中阵列101的三个支撑元件122被布置为形成基本上三角形的传感器100。如本领域技术人员将意识到的，其它单侧面或多侧面传感器配置可以通过以各种配置布置支撑元件122来形成。此外，这些各种其它配置可以包括支撑元件122的不同于通过示例具体描述的形状或配置的形状或配置；可以在大小、数量或布局方面不同；或者可以具有与本文讨论和/或请求保护的各种其它实施例相关联的其它特征。因此，在图3A-图3C中，每个传感器100部分地由多个支撑元件122限定，该多个支撑元件支撑可移动元件104的部分。在一些实施例中，支撑元件122可以以规则的方式(诸如以规则矩阵)被布置。在一些实施例中，每个支撑元件122可以具有到相邻支撑元件122相同的距离，并且该距离在实施例中可以在大约2μm到大约20μm的范围内，虽然该距离在其它实施例中也可以更大或者更小。

在一些实施例中，支撑元件122可以以不规则的方式被布置，即，具有到一个或者多个相邻支撑元件122的变化的距离。这可以例如增加测量范围或者定制(tailor)传感器行为，因为具有到下一个支撑元件122的更大的距离的支撑元件122可以提供更高的灵敏度，而到下一个支撑元件122的更短的距离的支撑元件122可以提供在更高压力下进行测量的能力。例如，在实施例中，相邻支撑元件122之间的距离可以在大约2μm到大约20μm的范围内变化，并且可以随着支撑元件的不同而变化。在其它实施例中，该距离也可以更大或者更小。

对于规则布置以及不规则布置，相邻支撑元件122之间的距离的选择可以用于针对传感器或者应用的一个或者多个需要而特别定制传感器。例如，高压力传感器可以被设计为具有相邻支撑元件122之间的更小的距离，而低压力传感器可以被设计为具有相邻支撑元件122之间的更大的距离。宽测量范围传感器可以被设计为具有跨传感器的在相邻支撑元件之间的距离的宽的变化。

在实施例中，在具有增加的张应力的区域或者在期望或者需要附加支撑的地方可以以阵列101实施附加支撑元件122。例如，在一些实施例中，附加支撑元件122沿着阵列101的周界或外侧边缘或者沿着该阵列的某一内部部分被提供。可移动元件104可以包括单个连续结构，在各种实施例中，该单个连续结构耦合到多个支撑元件122、施加在多个支撑元件122上、或者与多个支撑元件122一起成形。每个传感器100也包括基片102(见图2)的与可移动元件104以及其它未特别描述或者不可见的元件(诸如电极、连线、焊盘、控制电路以及其它部件)相对的对应部分。

对于单个传感器100或者传感器100的阵列101，在实施例中提供了众多优势。第一，经由宽得多并且容易进入得多的传感器100或者阵列101的侧面或者边缘，使得移除基片102和可移动元件104之间的牺牲层更容易，上述侧面或者边缘是打开的并且未被如图1中的框架18关闭，虽然在移除牺牲层之后，其可能被介电层或者其它层或结构密封。这去除了对传感器大小和配置的约束，这些约束之前是必须的，以便保证可以移除整个牺牲层。

此外，改进了可移动元件104的最大偏转与可移动元件104的平均偏转的比率。在一个示例中，图1中的传感器10的该比率是大约3.5，然而图2或者图3中的传感器100的同一比率减少到大约1.65，这是显著的改进。图4A和图4B描述了阵列内的传感器100的仿真结果，并且图4C针对阵列101，同时具有一个压力条，在无本征应力的情况下施加该压力。为了比较，在图4D中也包括了图1中的传感器10的仿真结果。图4A和图4D的比较示出了图4A的实施例中的改进的偏转。可移动元件104的最大偏转的中心区域(在该仿真中约为4.7nm，其中传感器100为大约8μm乘以8μm)更大并且与图4D中的薄片14的最大偏转的中心区域的形状不同。这些改进的比率对于包括经弄圆和/或弯曲的支撑元件122的实施例(如以上参照图2B-图2J所讨论的)而言可能仍然较大。

虽然改进的比率可以提供关于传感器性能的优势，诸如增加的线性和/或灵敏度，但是这两个优势的组合实现了优势传感器100和传感器阵列101的构造和形成，其不需要之前必须的限制了大小和配置的清空孔洞，并且使得将传感器100或者传感器100的阵列101与其它结构和工艺(包括CMOS处理)进行集成成为可能。

因此，在一个实施例中并且参照图5的流程图500，在502处，提供基片。在504处，在基片上构造腔体，并且在506处，在基片上形成支撑元件。在其中支撑元件被弄圆和/或弯曲(如例如在图2B-图2E中)的实施例中，经弄圆的边缘可以在牺牲层(例如包括碳)被蚀刻以形成支撑元件时被形成。在508处，可移动元件通过支撑元件耦合到该结构。在一些实施例中，诸如通过沉积形成支撑元件和可移动元件的单层来共同执行506和508。这由图5中的虚线所图示。在510处，介电层被施加在基片和可移动元件之间以密封腔体。该过程、其内容和/或各种动作的顺序可以根据实施例和/或用于形成电路(例如ASIC)或结构(传感器100或者阵列101与其或者在其中集成)的工艺而变化。

例如，在遵循与图5的工艺相似的工艺的一个实施例中，执行了牺牲层的沉积和构造(例如以形成腔体)，包括形成用于支持元件的孔洞。接着，形成并且构造诸如多晶硅之类的层以形成支撑元件和可移动元件。然后，施加诸如在一个实施例中的高密度等离子体(HDP)氧化物之类的氧化物层用于排空并且用于形成横向密封层。

在实施例中，传感器100和/或传感器100的阵列101可以包括压力传感器。在操作中并且响应于所施加的或者存在的压力，可移动元件104诸如通过下垂、弯曲或者偏转而移动到腔体106中并且朝着基片102移动。可以诸如通过因分离可移动元件104和基片102的距离改变导致的电容改变来感测该移动，并且可以根据该电容改变来确定所施加的或者存在的压力。在其它实施例中，传感器100和/或阵列101可以包括除压力传感器之外的传感器(例如加速度、力等)和/或可以依靠除电容之外的效应(例如压阻、压电、电磁、光或者某一其它技术)。

本文已经描述了系统、器件以及方法的各种实施例。仅通过示例的方式给出这些示例并且不旨在限制本发明的范围。此外，应该理解的是，已经描述的实施例的各种特征可以通过各种方式进行组合，以产生众多附加实施例。此外，虽然为了用于所公开的实施例已经描述了各种材料、尺寸、形状、配置以及位置等，但是除了这些公开的内容，也可以利用其它内容而不超出本发明的范围。

相关领域普通技术人员将意识到，本发明可以包括比在上述任何单独实施例示出的更少的特征。本文所描述的实施例不意在是可以组合本发明的各种特征的方式的详尽展示。因此，这些实施例不是相互排斥的特征组合；相反，如本领域普通技术人员所理解的那样，本发明可以包括从不同单独实施例选取的不同单独特征的组合。此外，关于一个实施例所描述的元件可以在其它实施例中执行，即使当未在这样的实施例中描述时(除非另外指出)。虽然从属权利要求在权利要求书中可能指的是与一个或者多个其它权利要求的特定组合，但是其它实施例也可能包括从属权利要求与每个其它从属权利要求的主题的组合，或者一个或多个特征与其它从属或独立权利要求的组合。本文提出这样的组合，除非声明特定组合不是预期的。此外，还旨在包括任何其它独立权利要求中的权利要求的特征，即使该权利要求不直接从属于独立权利要求。

限制了上文任何通过文件引用的并入，使得没有并入与本文的明确公开相反的主题。进一步限制了上文任何通过文件引用的并入，使得文件中包括的权利要求没有通过引用并入本文。还进一步限制了上文任何通过文件引用的并入，使得文件中提供的任何定义未通过引用并入本文，除非明确地包括在本文中。

出于解释本发明的权利要求的目的，明确期望的是，将不援用35U.S.C.的第112节第六段的条款，除非在权利要求中记载了特定术语“用于……的装置”或者“用于……的步骤”。

Claims

1.一种传感器器件，包括：

基片；

多个支撑元件，彼此间隔开并且布置在所述基片上，所述多个支撑元件中的每个支撑元件成圆柱形；以及

可移动元件，由所述多个支撑元件支撑在所述基片上并且与所述基片间隔开，其中所述可移动元件、所述基片以及所述多个支撑元件限定腔体，所述可移动元件能够响应于由所述传感器器件感测的物理量而偏转进入所述腔体。

2.根据权利要求1所述的传感器器件，其中所述可移动元件包括薄膜或者薄片。

3.根据权利要求2所述的传感器器件，其中所述可移动元件包括硅或者多晶硅。

4.根据权利要求1所述的传感器器件，其中所述传感器器件包括压力传感器器件，并且其中待感测的所述物理量是压力。

5.根据权利要求4所述的传感器器件，其中所述压力通过感测所述可移动元件和所述基片之间的电容而被感测。

6.根据权利要求1所述的传感器器件，其中所述多个支撑元件包括点状结构。

7.根据权利要求6所述的传感器器件，其中点状结构的直径小于大约3000纳米(nm)。

8.根据权利要求7所述的传感器器件，其中所述点状结构具有大约1000nm的直径。

9.根据权利要求1所述的传感器器件，其中所述传感器器件包括多个传感器，所述多个传感器中的每个传感器包括多个支撑元件以及所述可移动元件的被支撑在所述多个支撑元件上的部分。

10.根据权利要求9所述的传感器器件，其中所述多个传感器中的相邻传感器共同具有所述多个支撑元件中的至少一个支撑元件。

11.根据权利要求1所述的传感器器件，其中所述可移动元件的最大偏转与所述可移动元件的平均偏转的比率小于大约2。

12.根据权利要求1所述的传感器器件，其中所述可移动元件和所述多个支撑元件彼此整体成形。

13.一种传感器器件，包括：

基片；

多个支撑元件，彼此间隔开并且布置在所述基片上，所述多个支撑元件中的每个支撑元件具有圆周顶面、圆周底面以及在所述圆周顶面和所述圆周底面之间的单个凹形径向侧壁；以及

可移动元件，由所述多个支撑元件支撑在所述基片上并且与所述基片间隔开，其中所述可移动元件、所述基片以及所述多个支撑元件限定腔体，所述可移动元件能够响应于由所述传感器器件感测的物理量而偏转到所述腔体中。

14.根据权利要求13所述的传感器器件，其中所述多个支撑元件的高度约等于所述单个凹形径向侧壁的半径。

15.根据权利要求13所述的传感器器件，其中所述单个凹形径向侧壁包括具有第一半径的第一部分以及具有不同于所述第一半径的第二半径的第二部分。

16.根据权利要求13所述的传感器器件，其中所述多个支撑元件中的每个支撑元件的直径小于大约3000纳米(nm)。

17.一种方法，包括：

提供基片；

提供由彼此间隔开的多个支撑元件支撑在所述基片上的可移动元件，所述多个支撑元件中的每个支撑元件具有圆周顶面、圆周底面以及在所述圆周顶面和所述圆周底面之间的单个侧壁；以及

通过所述可移动元件朝着所述基片进入由所述基片、所述可移动元件以及所述多个支撑元件限定的腔体中的偏转来感测物理量。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述单个侧壁是径向凹形的。

19.根据权利要求17所述的方法，其中对于所述多个支撑元件中的每个支撑元件，到所述多个支撑元件中的相邻支撑元件的距离在大约2微米(μm)到大约20μm的范围内。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述可移动元件包括硅层。