CN104802479B - 导热emi抑制组合物 - Google Patents

Abstract

一种用于抑制电磁和射频辐射的接口垫片，包括大体相对的第一和第二侧面，第一和第二侧面限定了它们之间的厚度，其中在20℃下，所述接口垫片呈现出热导性、电阻性以及在10‑70肖氏00之间的硬度。所述接口垫片能够衰减通常与电子部件的干扰相关联的电磁和/或射频辐射。

Description

导热EMI抑制组合物

技术领域

本发明一般地涉及电磁和射频辐射抑制材料，尤其涉及供与发热电设备和散热结构结合使用的导热接口产品，其中，接口产品附加地起到抑制电磁和射频辐射通过其传播的作用。本发明进一步地涉及用于形成具有分立的功能层的接口产品的方法，以使得能够在提供电隔离接口的同时，抑制电磁和射频干扰。

背景技术

在电子工业中，导热接口材料被广泛地用于可操作地将发热电子部件耦接到散热结构。最典型地，这样的导热接口材料与诸如集成电路(IC)、中央处理单元(CPU)以及包含相对高密度的导电迹线和电阻器元件的其它电子部件之类的发热电子部件结合使用。特别地，热接口材料通常被用于可操作地将这样的发热电子设备耦接到散热结构，诸如翅片式散热结构。以这样的方式，由电子部件生成的过量热能可以经由热接口材料被排出到散热结构。

某些电子设备，除了生成过量热能之外，还会产生各种频率的电磁辐射。这样的辐射可能具有这样的效果，即引起与易受电磁或射频波形影响和/或调谐到接收电磁或射频波形的其它电子设备的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。对电磁和射频干扰敏感的设备包括例如蜂窝电话、便携式无线电设备和膝上型计算机等。

随着对电磁和/或射频干扰敏感的便携式电子设备的流行程度的增加，这样的设备的内部电子部件制造商已经将电磁辐射吸收物质引入到与产生电磁辐射的设备邻近布置的导热接口材料中。因此，具有吸收、反射、或以其它方式抑制通过该接口的电磁和/或射频辐射透射的操作特性的构造已经被实现在热接口材料中。作为结果，这样的热接口材料结构在抑制来自热接口材料所针对的对应电子部件的电磁和/或射频辐射的透射的同时，起到提供热释放路径的作用。

然而，至今提出的用于提供这样的特性的热接口材料构造利用的是辐射抑制物质在热接口材料主干基质内的均匀或准均匀的分散。在这样做时，所得的组合物使得整体构造具有低电阻。传统的电磁和/或射频干扰抑制构造的相对低的电阻率不能充分地电隔离经由该接口可操作地耦接到相应的生成热和干扰辐射的电子部件的结构(诸如散热器)。然而，存在许多应用，其中这样的电隔离是优选或必需的。

常规的EMI抑制材料也往往是相对刚性的，从而降低了其作为导热体的有效性。常规的EMI抑制接口中的顺应性(compliance)的缺乏导致了在EMI抑制接口与所连接的部件之间的空气间隙。这样的空气间隙作为相对热障，降低了接口的整体导热性。而且，相对不顺应的常规接口结构可能导致在组装散热装置时损坏易碎的电部件，特别是在散热器或外部EMI屏蔽件被压紧配合到EMI抑制接口上时。

发明内容

因此，本发明的一个目的在于提供一种电隔离的热接口材料，其起到可操作地抑制电磁和/或射频辐射的透射的作用。

本发明进一步的目的在于提供一种并入有电磁和射频干扰抑制组合物的电隔离的热接口材料构造，其中该电磁和射频干扰抑制组合物被限制为仅位于该热接口构造的预定部分中。

本发明更进一步的目的在于提供一种导热接口产品，其由多个不同的材料层形成，并且这些层中仅有预定层包含电磁和射频辐射抑制材料。

本发明的另一个目的在于提供一种电隔离的导热接口产品，其具有由电绝缘且导热的材料制造的第一和第二主要暴露表面，以及仅被包含在该接口产品的介于其电绝缘部分之间的一部分内的电磁和射频干扰抑制材料。

本发明进一步的目的在于提供一种构造具有电磁和射频辐射抑制特性的导热接口材料的方法，所述方法涉及分别地层叠具有完全不同的组合物的不同材料层。

本发明的又一个目的在于提供一种电隔离的热接口，其有效地抑制电磁和/或射频辐射，并且呈现出低模量，从而是顺应的以用于改进的导热性，并且是软的以在组装过程中保护电部件。

借助于本发明，来自电子部件的电磁和射频辐射发射可以通过被包含和/或反射而被抑制，以减少和/或消除其到辐射敏感设备的传输。本发明的电磁和射频干扰抑制装置引入了与集成电路应用结合时有用的构造，因为在提供电磁和射频干扰抑制特性的同时，所述构造提供可以被放置为与集成电路组件直接接触的电绝缘主体。而且，接口可以优选呈现相对低的体积模量，以便是软的且顺从的。

在一个特定的实施例中，本发明的一种接口垫片包括具有第一表面和大体相对的第二表面的主体，第一表面和第二表面限定了它们之间的厚度。所述主体呈现出通过所述厚度的至少1W/m·K的热导率、在20℃处的10-70肖氏00之间的硬度、至少10⁸Ω·m的体电阻率、以及波形频率在1-10GHz之间的辐射的至少1dB的衰减。

在另一个实施例中，一种电磁干扰抑制装置包括具有第一表面和大体相对的第二表面的主体，第一表面和第二表面限定了它们之间的厚度。所述主体呈现出通过所述厚度的至少1W/m·K的热导率、在20℃处的10-70肖氏00之间的硬度、和至少10⁸Ω·m的体电阻率。所述主体包括第一部分和第二部分，其中第一部分包括电磁辐射抑制材料，其选自磁性金属粉末、磁性金属合金粉末、碳纤维、石墨、聚丙烯腈纤维、磁性陶瓷、Mn-Zn、Ni-Zn、Fe-Co、Fe-Si、以及其组合。

在另一个的实施例中，一种电磁干扰抑制装置包括被固定到基板上并限定了壳体的屏蔽构件，和在所述壳体内被安装在基板上的电子部件。所述装置进一步包括能够使波形频率在1-10GHz之间的辐射衰减至少1dB的干扰抑制主体。干扰抑制主体呈现出至少1W/m·K的热导率、在20℃处的10-70肖氏00之间的硬度、和至少10⁸Ω·m的体电阻率。干扰抑制主体在壳体中被设置在电子部件和屏蔽构件之间。

在另一个实施例中，本发明的一种电磁干扰抑制装置包括具有第一表面和大体相对的第二表面的主体，第一表面和第二表面限定了它们之间的厚度，所述主体还包括第一部分和第二部分，其中第一部分包括分散于聚合物基质中的电磁辐射抑制材料。电磁辐射抑制材料选自磁性金属粉末、磁性金属合金粉末、碳纤维、石墨、聚丙烯腈纤维、磁性陶瓷、Mn-Zn、Ni-Zn、Fe-Co、Fe-Si、以及其组合。第一部分与第一和第二表面中的至少一个隔开，并且在20℃处具有10-70肖氏00之间的硬度。第二部分与第一和第二表面中的至少一个具有相同的边界范围，并且在20℃处具有10-70肖氏00之间的硬度。

附图说明

图1是本发明的接口产品的截面图；

图2是本发明的接口产品的截面图；

图3是本发明的接口产品的截面图；

图4是图3中所示的接口产品的透视图；

图5是电磁干扰抑制装置中使用的现有技术抑制接口的示意性截面图示；

图6是本发明的电磁干扰抑制装置的示意性截面图示；

图7A是示出了对本发明的电磁干扰抑制装置测试得到的辐射回波损耗的曲线图；

图7B是示出了对本发明的电磁干扰抑制装置测试得到的辐射插入损耗的曲线图；

图7C示出了对本发明的电磁干扰抑制装置测试得到的辐射回波损耗的曲线图；以及

图7D是示出了对本发明的电磁干扰抑制装置测试得到的辐射插入损耗的曲线图。

具体实施方式

现在根据参照附图描述的详细实施例来说明上面列举的目标和优点，以及本发明所表现的其它目标、特征和优点，附图旨在表示本发明各种可能的配置。本发明的其它实施例和方面被认为是在本领域的普通技术人员的掌握之内的。

出于本申请的目的，术语“电磁辐射”、“电磁干扰”、“射频辐射”、“射频干扰”、“EMI”和“RFI”是指能够干扰诸如处理器、发射机和接收机等的电子部件的正常操作的辐射。这种辐射通常可以在1-10GHz的范围内。上面列出的术语以及其它类似的术语是指在该频率范围中的辐射，并且因此可以被可互换地使用来限定被本发明的材料影响(吸收、反射、包含等)的辐射传输。

现在参照附图，首先参照图1，本发明的接口垫片10包括彼此呈大体相对关系的第一侧面12和第二侧面14，在它们之间限定了垫片10的厚度“T”。接口垫片10优选地包括沿着第一侧面12设置的第一部分18、沿着第二侧面14设置的第二部分20、和介于第一部分18和第二部分20之间的第三部分22。在优选实施例中，接口垫片10包括电磁和/或射频干扰抑制材料32，其被限制为仅位于第三部分22中。抑制材料32优选是分散于第三部分22的热塑性或热固性聚合物基质中的颗粒填料的形式。这样的干扰抑制材料32可以选自多种多样的电磁和射频辐射吸收或反射物质。可用于在宽的频率范围上吸收电磁辐射的材料包括磁性金属粉末，诸如铁或铁合金。其它磁性金属、磁性金属氧化物陶瓷、石墨/碳粉末和金属合金填料可以作为铁或铁合金粉末的附加或替代而被使用。而且，非金属填料可以用作电磁干扰抑制材料。

有用的干扰抑制材料32的具体说明性实例包括Mn-Zn、Ni-Zn、Fe-Ni、Fe-Si、Fe-Al、Fe-Co、铁的合金、导电金属和非金属填料(诸如银、铜、碳和石墨)，以及聚合物基质主干内孤立的磁性陶瓷、石墨、氮化硼和聚丙烯腈。上述材料仅仅是示例性的，而不是旨在限制本领域中已知的各种干扰抑制材料的使用。通常，干扰抑制材料32的形式是具有有效地将通过接口的辐射传输减小到所希望的程度的装载浓度的颗粒物质。辐射抑制材料的示例颗粒装载浓度为大约120phr。

抑制材料32优选分散在热塑性或热固性聚合物基质内。可用在第三部分22的聚合物基质中的热塑性和热固性树脂的实例包括例如硅树脂、丙烯酸树脂、氨基甲酸乙酯、环氧树脂、聚硫化物、聚异丁烯、和聚乙烯基或聚烯烃基聚合物。由这样的热塑性或热固性树脂开发的聚合物基质提供相对软且柔韧的基板，其中抑制材料32可以以第三部分22的大约5％至85％之间的体积浓度分散。

在本发明的一些实施例中，第三部分22可以进一步包括用于帮助热能通过其传递的导热填料材料。这样的导热填料在本领域中是公知的，其包括例如矾土、氮化铝、氢氧化铝、氧化铝、氮化硼、氮化锌和碳化硅。本发明预期其它的导热颗粒填料材料可用于接口垫片10的各种导热部分中，每种导热填料物质都被广泛利用且是本领域公知的。导热填料材料可以以大约5％到90％之间的体积浓度分散在第三部分22内，以向第三部分22提供至少大约0.25W/m·K的热导率值，更优选的是在大约1.0到5.0W/m·K之间的热导率值。

在图1中所示的实施例中，第一部分18和第二部分20优选地由电绝缘材料制成，以由此向接口垫片10提供电隔离特性。出于本申请的目的，术语“电隔离”和“电绝缘”是指材料具有足够的电阻率以使得最小化或消除在电子设备(诸如计算机、蜂窝电话、计算机服务器、电视和计算机监视器、平板计算机等)中通常可以找到的电子部件的正常操作电压下通过该接口的电传输。本发明的接口(诸如接口垫片10)的示例体电阻率可以是至少大约10⁸Ω·m。在一些实施例中，希望的体电阻率可以是大约10¹⁰Ω·m。因此，第一部分18和第二部分20优选地被制造为相对软且柔韧的、电绝缘的基板，诸如硅树脂、聚乙烯、聚丁二烯、丙烯酸树脂、环氧树脂和氨基甲酸乙酯。

本发明的一个方面在于电磁和射频辐射抑制材料32可以被限制到仅仅第三部分22，而不被引入到接口垫片10的例如第一部分18和第二部分20中。以这种方式，第一部分18和第二部分20通过不在其中引入导电抑制材料32而保持其电绝缘性质。

然而，优选地，第一部分18和第二部分20中的一个或多个可以包括选自上面参照第三部分22描述的材料的导热填料材料。这样，第一部分18和第二部分20优选地提供热接口介质，使得当第一侧面12和第二侧面14中的一者或两者被设置为与相应的电子部件可操作地接触时，热能可以从发热部件被汲取并输送到散热部件。在其中第一部分18、第二部分20和第三部分22中的每个都包括导热填料材料的优选实施例中，通过接口垫片10的厚度“T”提供了完整且高效的热路径，其中厚度“T”的尺寸在大约0.01至0.5英寸之间。换句话说，对于例如将第一侧面12放置为与发热电子部件相邻设置的应用，高效的热路径顺序地经由第一部分18、第三部分22和第二部分20而从第一侧面12到第二侧面14被建立，并且进一步地到与接口垫片10的与第二侧面14相邻放置的散热部件。

优选地，在第一部分18、第二部分20和第三部分22的每个中使用的主干材料向接口垫片10提供了整体软且柔韧的特性。具体而言，接口垫片10优选地呈现出小于大约5MPa的整体模量，更优选地呈现出小于1MPa的体积模量，以及大约10肖氏00(Shore 00)到50肖氏A(Shore A)之间的体积硬度，更优选地呈现出10肖氏00到70肖氏00之间的体积硬度(以上全部在20℃的室温下)。接口垫片可以甚至更优选地在20℃下呈现出15肖氏00到30肖氏00之间的硬度。在一些实施例中，硬度可以表示接口垫片10的整体，而在其它实施例中，硬度值可以应用到外表面层以便顺应地与电子部件和/或散热器以及屏蔽构件接触。这样的柔韧性和软度使得接口垫片10能够被应用到相应电子部件的不平坦表面，而不会在接口垫片10的第一侧面12和第二侧面14分别与对应的电子部件和散热器之间形成间隙。由接口垫片10的低的模量和硬度值引起的其顺从性方面在确保热接口材料和相关联的电子部件之间的连续接触区域方面是重要的，从而最大化热传递效率，以及最小化在散热器和/或屏蔽件相对于所述电子部件的组装中经由热传递和EMI屏蔽接口损坏所述电子部件的风险。为此，在接口垫片10的第一侧面12和第二侧面14处构成外围边界的材料优选在室温下是软的，而且可以甚至在20℃下是可液态分散的。

除了有利于热传递和最小化在组装过程中损坏电子部件的风险，本发明的接口材料的软和顺应的特性还可以通过能够“包绕”发射电磁辐射或者易受由其它辐射源引起的干扰影响的电子部件结构而提供增强的电磁屏蔽/抑制。图5和图6描述了本发明的接口和常规EMI抑制接口之间的图示对比，其中现有技术的接口900是相对刚性的并被固定在安装到电路板960上的电子部件950与散热器/辐射屏蔽件970之间。在该典型布置中，现有技术的接口900被定位在电子部件950的第一表面952处。由于现有技术的接口900的相对刚性和硬度，很可能在接口900与第一表面952之间以及在接口900与屏蔽件970之间留有空气间隙。而且，将屏蔽件970组装到基板/电路板960可能导致针对接口900施加力，由于接口900相对刚性，该力被传递到电子部件950。在一些情况下，这样的力可能损坏电子部件950。

本发明的接口在图6中被表示为接口310，其优选是软的、柔韧的且顺应的，达到使得当将屏蔽件/散热器970安装到基板/电路板960时上述安装力的传递最小化的程度。由于接口310软且顺应的性质，取代于安装力被传递到电子部件950，而是安装力在接口310的变形中被吸收。而且，软的、柔韧且顺应的接口310优选地与电子部件950的第一表面952相符合，并与屏蔽件/散热器970的内表面972相符合，以最小化或消除阻碍热传递的空气间隙。因此，接口310建立了电子部件950与屏蔽件/散热器970之间的更高效的热桥。

图6说明了本发明的接口310的另外一个优点，其中接口310的软度和柔韧性允许端部320“包绕”电子部件950。作为结果，从电子部件950的侧表面954发射的潜在干扰辐射也由接口310吸收、包含或反射。以这种方式，柔韧的接口垫片310可以在电子部件950周围基本上形成辐射抑制封装，以更充分地阻止来自部件950的潜在干扰辐射的发射。可以理解的是，接口构件310也可以或替代地保护电子部件950免于经受可能干扰部件950操作的进来的辐射。因此，接口310可以用作对发出的和进来的干扰辐射两者的抑制屏蔽。

尽管接口310可以足够软且柔韧以“包绕”或基本上封装电子部件950，优选的是，其体积模量或体积硬度性质允许接口310的可操作性。换句话说，希望接口310具有在提供上述顺应性和柔韧性益处的可工作范围内的软度，并且具有足够的硬度以在操作和组装时尺寸相对稳定。申请人已经发现，上述硬度范围，包括在10-70肖氏00之间的硬度，在辐射屏蔽和热传递结合其操作易用性(包括通过自动化设备操作)方面取得了有用的平衡。在一些实施例中，接口310可以是在室温下尺寸相对稳定的自支撑主体，或者可以较不粘稠，包括用于现场成型应用的可液态分散的情况。上述硬度和模量范围旨在应用于在室温下安装的本发明的接口。在温度升高的操作条件下，本发明的接口的硬度值可能会降低，特别是在相变材料被采用在本发明接口的聚合物基质中的情况下。

第一部分18、第二部分20和第三部分22中的每个的聚合物基质可以按应用的需要由相同或不同的材料制成，其中接口垫片10的整体模量和硬度是重要的方面。根据如下所描述的按顺序形成层的方法，相应填料材料可以根据需要在接口垫片10的相应部分内被混合和匹配。

由于设置在垫片10的第一侧面12和第二侧面14处的电绝缘部分18、20的引入，参照图1描述的接口垫片10的构造提供了一种电隔离结构。作为结果，接口垫片10可以用在其中希望相应部件彼此电隔离的应用中。而且，由于在第三部分22内包括抑制材料32，接口垫片10的构造使得能够实现电隔离以及电磁和射频辐射抑制这两者。因此，从例如在垫片10的第一侧面12处耦接的部件发出的电磁和/或射频干扰在很大程度上由第三部分22吸收或反射，从而不透射通过垫片10的厚度“T”。优选地，至少大约10％及上至大约90％的EMI和RFI要么被吸收要么朝向位于例如第一侧面12处的源被反射回。因此，少于大约90％的EMI或RFI被允许透过本发明的接口垫片10。在本发明的一些实施例中，由接口垫片实现了至少1dB的辐射衰减。屏蔽有效性的该量度可以由如下关系来衡量:

S＝-20log T_i/I_o

其中，S为屏蔽有效性，T_i为透过辐射，I_o为入射辐射。

屏蔽有效性的该度量在本领域中是公知的，其用于确定材料屏蔽电磁辐射的有效性。

如上所描述的，接口垫片10的进一步的用处是其至少某些部分的导热性。在优选实施例中，第一部分18、第二部分20和第三部分22中的每个都包括设置在其中的导热填料材料，以使接口垫片10的整体厚度“T”具有相对高的热导率值(>1W/m·k)。以这种方式，热能被允许通过接口垫片10，而EMI和RFI的透射基本上被抑制。

在图2所示的本发明的另一个实施例中，接口垫片110包括如上参照接口垫片10所描述的结构，并且该结构包括设置在其第一侧面112和第二侧面114之间的电绝缘加强构件134。加强构件134优选由电绝缘材料制成，诸如由玻璃、石墨等制成的织物。因此，加强构件134提供了对通过接口垫片110的厚度“T”的电导的附加的障碍。另外，加强构件134作为相对固态的基板层，其向接口垫片10提供物理加强。在图2所示的实施例中，加强构件134可以优选地布置在第一部分118或第二部分120中，但是可以替代地设置在第三部分122内。另外，按应用需要，多个不同的加强构件134可以被引入到接口垫片110内。

加强构件134优选地遍布由长度“L”和宽度“W”限定的接口垫片10的整个区域而延伸，但是替代地，也可以仅遍布接口垫片10的部分区域而延伸。

在图3中，本发明进一步的实施例被示出为接口垫片210，其包括设置在其第一侧面212和第二侧面214之间的干扰抑制部分222。干扰抑制部分222优选地是由参照图1的第三部分22所描述的材料形成。然而，干扰抑制部分222仅部分地遍及接口垫片210的有效区域而延伸。图4进一步示出了干扰抑制部分222的封闭性质，其中干扰抑制材料232被限制到仅仅干扰抑制部分222。

如在下文中进一步描述的，本发明的接口垫片，诸如接口垫片210，可以被制备为多个不同的材料层的组合。这样，接口垫片210包括：第一层203，其包括如上所描述的电绝缘材料；第二层204，其具有多个相互不同的部分205、206和222；以及第三层207，其包括如上所描述的电绝缘材料。第二层204的不同部分205、206优选为分立的电绝缘材料块，其被放置到接口垫片210中并与干扰抑制部分222分开。

示例

制备了接口垫片的两组样品，其中第一组的厚度尺寸为1mm(“薄”样品)，第二组样品的厚度尺寸为3mm(“厚”样品组)。在其它方面，两组样本在组成上是一致的，除了其中接口垫片是根据如下组成制备的。

填料被分布在硅树脂中，硅树脂被涂覆在0.06毫米厚的织造玻璃纤维层的两个侧面上，织造玻璃纤维层名义上在最终构造的中间平面中。

使用S波段和G波段的矩形波导部分来测量样品，其中在2.60-5.85GHz之间的辐射源是HP85-10。结合校正与双端口系统相关联的串扰和反射的12项误差模型来使用后处理TRL校准。样品被切割以适合位于每个波导样品固定器内。由于材料的柔软性，记录了在样品固定器中样品放置的一些缺陷。

针对辐射回波损耗和插入损耗，样品被测试并以dB来衡量。每组样品内的多个样品被测量，其结果一起被平均。材料的回波损耗与所测量的反射系数(Γ)直接相关，如下所示：

RL＝20log₁₀(Γ)

可以使用所测量的传输系数以类似的方式来得到插入损耗。所测量的反射系数由来自样品的两个面的反射(在能量传播通过时)组成。一般而言，随着回波损耗(RL)接近零，更多的能量被样品反射回来。图7A示出了厚的和薄的样品从2.60到3.95GHz的RL。在薄样品中看到的RL在大约3.5GHz处的下陷被认为是由样品扭曲和放置引起的人工痕迹。

图7B示出了S波段(2.60-3.95GHz)中的插入损耗，并且表明有较少的能量传输通过厚的样品，如所预期的那样。厚样品大约两倍有效地衰减了传播辐射。

图7C和7D分别示出了在4.0-5.85GHz之间的G波段辐射中所测量的样品的回波损耗和插入损耗。

结果表明，本发明的样品在最可能出现在电子设备应用中的频率范围中衰减辐射传输方面是有效的。

在此相当详细地描述了本发明以符合专利法，并向本领域的技术人员提供应用该新颖的原理以及根据需要构造和使用本发明的实施例所需的信息。然而，应当理解，可以实现各种修改而不偏离本发明本身的范围。

Claims (6)

1.一种电磁干扰抑制装置，包括具有第一表面和相对的第二表面的主体，所述第一表面和所述第二表面限定了它们之间的厚度，所述主体呈现出通过所述厚度的至少1W/m·K的热导率、在20℃下的10-70肖氏00之间的硬度、至少10⁸Ω·m的体电阻率，所述主体具有第一部分和第二部分，

所述第一部分是电磁辐射吸收和导热层，包括仅由Mn-Zn铁氧体粉末组成的电磁辐射抑制材料和导热颗粒材料，所述导热颗粒材料选自矾土、三水合铝、氮化铝、氢氧化铝、氧化铝、氮化硼、氮化锌、碳化硅、及其组合，所述Mn-Zn铁氧体粉末和所述导热颗粒材料均分散在聚合物基质中，并且所述第一部分与所述第一表面和所述第二表面中的至少一个隔开，

所述第二部分是导热层，包括分散在聚合物基质中的导热颗粒材料，所述导热颗粒材料选自矾土、三水合铝、氮化铝、氢氧化铝、氧化铝、氮化硼、氮化锌、碳化硅、及其组合，以及加强构件，所述加强构件与所述第一表面和所述第二表面隔开。

2.如权利要求1所述的电磁干扰抑制装置，其中所述电磁辐射抑制材料被限制到所述主体的所述第一部分。

3.如权利要求2所述的电磁干扰抑制装置，其中所述聚合物基质选自硅树脂、聚乙烯、聚丁二烯、丙烯酸树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯、聚硫化物、聚异丁烯、聚烯烃基聚合物、及其组合。

4.如权利要求1所述的电磁干扰抑制装置，其中所述第一部分与所述第一表面和所述第二表面两者都隔开。

5.如权利要求3所述的电磁干扰抑制装置，其中所述第一部分与所述第二表面隔开，所述第二部分与所述第二表面有相同边界范围，并且所述加强构件与所述第一表面和第二表面隔开。

6.如权利要求5所述的电磁干扰抑制装置，其中所述加强构件是电绝缘的。