CN104763950A - 一种背光源、显示装置及显示装置的背光控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种背光源、显示装置及显示装置的背光控制方法，涉及显示技术领域，能够避免曲面显示时由于彩膜基板和阵列基板的对位出现漏光的现象，提升了显示装置的显示效果。本实施例提供的背光源包括：衬底；设置于衬底上的第一发光层，其中，第一发光层包括多个第一发光组，每个第一发光组包括至少一排有机发光二极管；设置于第一发光层上的第一平坦保护层；设置于第一平坦保护层上的第二发光层，其中，第二发光层包括多个第二发光组，相邻第二发光组之间具有间隙，每个第二发光组包括至少一排有机发光二极管；其中，第二发光层中有机发光二极管以及第一发光层中对应间隙的有机发光二极管构成阵列形式排列的像素基色发光源。

Description

一种背光源、显示装置及显示装置的背光控制方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种背光源、显示装置及显示装置的背光控制方法。

背景技术

随着显示技术的逐渐成熟，显示装置已经从单纯的2D显示装置逐渐过渡为3D显示装置，同时，显示装置的屏幕已经逐渐从直面屏幕过渡为曲面屏幕。其中，曲面屏幕是一种采用柔性塑料的显示屏，具有高弹性，不易破碎等优点。

传统的3D显示装置是由背光源、光栅和薄膜场效应晶体管液晶显示面板组成的，如图1所示，其中，光栅设置于背光源之上，薄膜场效应晶体管液晶显示面板设置于光栅之上。可选的，薄膜场效应晶体管液晶显示面板也可以设置于背光源之上，光栅设置于薄膜场效应晶体管液晶显示面板之上(图中未画出)。然而，传统的3D的显示装置在实现曲面时，由于彩膜基板和阵列基板的对位很难保证完全相对，3D显示装置会出现漏光的现象，影响显示装置的显示效果。

发明内容

本发明的实施例提供一种背光源、显示装置及显示装置的背光控制方法，能够避免曲面显示时由于彩膜基板和阵列基板的对位出现漏光的现象，提升了显示装置的显示效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种背光源，包括：

衬底；

设置于所述衬底上的第一发光层，其中，所述第一发光层包括多个第一发光组，每个所述第一发光组包括至少一排有机发光二极管；

设置于所述第一发光层上的第一平坦保护层；

设置于所述第一平坦保护层上的第二发光层，其中，所述第二发光层包括多个第二发光组，相邻第二发光组之间具有间隙，每个所述第二发光组包括至少一排有机发光二极管；

其中，所述第二发光层中有机发光二极管以及所述第一发光层中对应所述间隙的有机发光二极管构成阵列形式排列的像素基色发光源。

可选的，所述背光源还包括：

设置于所述第二发光层上的第二平坦保护层。

可选的，每个所述有机发光二极管的类型为R型有机发光二极管、G型有机发光二极管和B型有机发光二极管中的任一种。

可选的，所述第一发光组对应所述间隙间隔设置于所述衬底上。

可选的，每个所述第一发光组包括一排有机发光二极管，且同一排有机发光二极管的类型相同；每个所述第二发光组包括一排有机发光二极管，且同一排有机发光二极管的类型相同；

其中，所述R型有机发光二极管与所述G型有机发光二极管和所述B型有机发光二极管相邻，所述G型有机发光二极管与所述B型有机发光二极管相邻。

可选的，所述第一发光组和所述第二发光组的宽度相等；所述第一发光组的宽度与所述间隙的宽度相等。

可选的，所述有机发光二极管为上发光型有机发光二极管或者穿透式有机发光二极管。

可选的，所述穿透式有机发光二极管包括遮光层，以及设置于所述遮光层上的有机发光二极管主体。

本发明实施例提供一种显示装置，包括具有上述任一特征的背光源，以及设置于所述背光源上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板，其中，所述薄膜场效应晶体管液晶显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为不设彩色膜层的封装基板。

可选的，所述薄膜场效应晶体管液晶显示面板为扭曲向列TN型薄膜场效应晶体管液晶显示面板或者高级超维场转换技术ADS型薄膜场效应晶体管液晶显示面板。

本发明实施例还提供一种显示装置的背光控制方法，应用于具有上述任一特征的显示装置，包括：

确定所述显示装置开启2D显示模式或3D显示模式；

在所述显示装置开启2D显示模式时，控制第一发光层和第二发光层开启；

在所述显示装置开启3D显示模式时，控制所述第一发光层开启、且所述第二发光层关闭。

本发明实施例提供的一种背光源、显示装置及显示装置的背光控制方法，背光源包括衬底；设置于衬底上的第一发光层，其中，第一发光层包括多个第一发光组，每个第一发光组包括至少一排有机发光二极管；设置于第一发光层上的第一平坦保护层；设置于第一平坦保护层上的第二发光层，其中，第二发光层包括多个第二发光组，相邻第二发光组之间具有间隙，每个第二发光组包括至少一排有机发光二极管；其中，第二发光层中有机发光二极管以及第一发光层中对应间隙的有机发光二极管构成阵列形式排列的像素基色发光源。基于上述实施例的描述，由于背光源在衬底上设置了两层发光层，组成发光层的有机发光二极管可以发出红、绿、蓝三种颜色的背光，使得背光源之上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板的上基板不用设置彩膜层，因此避免了在曲面显示时彩膜基板和阵列基板的对位使3D显示装置出现漏光的现象，提升了显示装置的显示效果。同时由于背光源设置了两层发光层，因此显示装置可以实现显示装置2D显示和3D显示的自由切换。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术的3D显示装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的背光源的结构示意图一；

图3为本发明实施例提供的背光源的结构示意图二；

图4为本发明实施例提供的背光源的结构示意图三；

图5为本发明实施例提供的背光源的结构示意图四；

图6为本发明实施例提供的上发光型有机发光二极管的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的穿透式有机发光二极管的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的背光源处于2D显示模式的俯视图；

图9为本发明实施例提供的背光源处于3D显示模式的俯视图；

图10为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的显示装置的背光控制方法的流程示意图；

图12为本发明实施例提供的显示装置在2D显示和3D显示的同时显示时的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种背光源1，如图2所示，背光源1包括：

衬底10。

设置于所述衬底10上的第一发光层11，其中，所述第一发光层11包括多个第一发光组110，每个所述第一发光组110包括至少一排有机发光二极管。

设置于所述第一发光层11上的第一平坦保护层12。

设置于所述第一平坦保护层12上的第二发光层13，其中，所述第二发光层13包括多个第二发光组130，相邻第二发光组130之间具有间隙，每个所述第二发光组130包括至少一排有机发光二极管。

其中，本发明实施例提供的背光源1的俯视图如图3所示，以每个所述第一发光组110包括一排有机发光二极管，每个所述第二发光组130包括一排有机发光二极管为例，所述第二发光层13中有机发光二极管以及所述第一发光层11中对应所述间隙的有机发光二极管构成阵列形式排列的像素基色发光源。

进一步地，所述背光源1还包括：设置于所述第二发光层13上的第二平坦保护层14。

进一步地，每个所述有机发光二极管的类型为R型有机发光二极管、G型有机发光二极管和B型有机发光二极管中的任一种。

需要说明的是，每个所述第一发光组110包括至少一排有机发光二极管，每个所述第二发光组130包括至少一排有机发光二极管。第一发光组110或者第二发光组130内的至少一排有机发光二极管也构成阵列形式排列的像素基色发光源。示例性的，若每个所述第一发光组110和每个所述第二发光组130内包括三排有机发光二极管，则三排有机发光二极管构成阵列形式排列的像素基色发光源(即R型有机发光二极管、G型有机发光二极管和B型有机发光二极管)。

还需要说明的是，每个所述有机发光二极管的类型为R型有机发光二极管、G型有机发光二极管和B型有机发光二极管中的任一种，因此有机发光二极管可以发出红、绿、蓝三种颜色的背光，使得背光源之上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板的上基板不用设置彩色膜层，因此避免了在曲面显示时彩膜基板和阵列基板的对位使3D显示装置出现漏光的现象。

需要补充的是，本发明实施例提供的有机发光二极管的类型还可以为R型有机发光二极管、G型有机发光二极管、B型有机发光二极管和W型有机发光二极管中的任一种，本发明不做限制。

进一步地，所述第一发光组110和所述第二发光组130的宽度相等；所述第一发光组110的宽度与所述间隙的宽度相等。

同理可知，所述第二发光组130的宽度与所述间隙的宽度相等。

优选的，如图4所示，为了节省资源，所述第一发光组110可以只对应所述间隙间隔设置于所述衬底10上。

示例性的，如图5所示，每个所述第一发光组110包括一排有机发光二极管，且同一排有机发光二极管的类型相同；每个所述第二发光组130包括一排有机发光二极管，且同一排有机发光二极管的类型相同。

其中，所述R型有机发光二极管与所述G型有机发光二极管和所述B型有机发光二极管相邻，所述G型有机发光二极管与所述B型有机发光二极管相邻。

进一步地，所述有机发光二极管为上发光型有机发光二极管或者穿透式有机发光二极管。

进一步地，所述穿透式有机发光二极管包括遮光层，以及设置于所述遮光层上的有机发光二极管主体。

需要说明的是，上发光型有机发光二极管的结构如图6所示，包括基板A0，设置于基板A0上的有机发光二极管主体A1。其中，有机发光二极管主体A1具体包括金属反射阳极A10，设置于金属反射阳极A10上的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)主体A11，设置于OLED主体A11上的半透明阴极A12。

还需要说明的是，如图7所示，为了不影响显示装置的显示效果，穿透式有机发光二极管包括基板B0，设置于基板B0上的遮光层B1，以及设置于遮光层B1上的有机发光二极管主体B2。其中，有机发光二极管主体B2具体包括ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)透明阳极B20，设置于ITO透明阳极B20上的OLED主体B21，设置于OLED主体B21上的半透明阴极B22。

需要说明的是，上发光型有机发光二极管或者穿透式有机发光二极管设置在本发明实施例提供的背光源1上时，由于背光源1已经设置了衬底10，因此上发光型有机发光二极管或者穿透式有机发光二极管可以不设置基板，本发明不做限制。

进一步地，第一平坦保护层12和第二平坦保护层14的材料为光刻胶或者氮化硅。

需要补充的是，第一平坦保护层12和第二平坦保护层14的材料不仅仅只局限于上述实施例的材料，只要是能够起到保护第一发光层11和第二发光层13作用，且能够使处于同一发光层的有机发光二极管处于同一平面的材料均可，本发明不做限制。

需要说明的是，以每个所述第一发光组110包括一排有机发光二极管，且同一排有机发光二极管的类型相同；每个所述第二发光组130包括一排有机发光二极管，且同一排有机发光二极管的类型相同为例，为了显示装置可以实现显示装置2D显示和3D显示的自由切换，本发明背光源1设置了第一发光层11和第二发光层13。若第一发光层11和第二发光层13包括的至少一排有机发光二极管均开启，则显示装置处于2D显示模式。背光源处于2D显示模式的俯视图如图8所示，此时第一发光层11和第二发光层13包括的至少一排有机发光二极管发出的光形成一道连续的光线射入薄膜场效应晶体管液晶显示面板。若第一发光层11包括的至少一排有机发光二极管开启，且第二发光层13包括的至少一排有机发光二极管关闭，则显示装置处于3D显示模式。背光源处于3D显示模式的俯视图如图9所示，此时第二发光层13包括的至少一排有机发光二极管关闭，相当于传统3D显示装置的光栅，第一发光层11包括的至少一排有机发光二极管发出的光射入薄膜场效应晶体管液晶显示面板，产生裸眼3D显示效果。

还需要补充的是，本发明实施例提供的背光源不仅仅适用于曲面显示的柔性显示装置，还能够适用于普通的直面显示的装置，本发明不做限制。

本发明实施例提供一种背光源，背光源包括衬底；设置于衬底上的第一发光层，其中，第一发光层包括多个第一发光组，每个第一发光组包括至少一排有机发光二极管；设置于第一发光层上的第一平坦保护层；设置于第一平坦保护层上的第二发光层，其中，第二发光层包括多个第二发光组，相邻第二发光组之间具有间隙，每个第二发光组包括至少一排有机发光二极管；其中，第二发光层中有机发光二极管以及第一发光层中对应间隙的有机发光二极管构成阵列形式排列的像素基色发光源。基于上述实施例的描述，由于背光源在衬底上设置了两层发光层，组成发光层的有机发光二极管可以发出红、绿、蓝三种颜色的背光，使得背光源之上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板的上基板不用设置彩膜层，因此避免了在曲面显示时彩膜基板和阵列基板的对位使3D显示装置出现漏光的现象，提升了显示装置的显示效果。同时由于背光源设置了两层发光层，因此显示装置可以实现显示装置2D显示和3D显示的自由切换。

本发明实施例提供一种显示装置，如图10所示，包括具有上述实施例中任意特征的背光源1，以及设置于背光源1上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板2。

其中，所述薄膜场效应晶体管液晶显示面板2包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为不设彩色膜层的封装基板。

需要说明的是，有机发光二极管可以发出红、绿、蓝三种颜色的背光，即有机发光二极管包括R型有机发光二极管、G型有机发光二极管和B型有机发光二极管，使得薄膜场效应晶体管液晶显示面板的第二基板不用设置彩色膜层，因此，第二基板只要是玻璃基板等透明的封装基板即可，从而避免了在曲面显示时彩膜基板和阵列基板的对位使3D显示装置出现漏光的现象。

具体的，薄膜场效应晶体管液晶显示面板2为TN(TwistedNematic，扭曲向列)型薄膜场效应晶体管液晶显示面板或者ADS(Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术)型薄膜场效应晶体管液晶显示面板，本发明不做限制。

进一步地，背光源1与薄膜场效应晶体管液晶显示面板2之间还可以设置一层玻璃基板等透明的封装基板，该封装基板可以保护背光源1的第二平坦保护层不受损坏，本发明不做限制。

本发明实施例提供一种显示装置，显示装置包括具有上述实施例中任意特征的背光源，以及设置于所述背光源上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板，其中，所述薄膜场效应晶体管液晶显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为不设彩色膜层的封装基板。基于上述实施例的描述，由于背光源在衬底上设置了两层发光层，组成发光层的有机发光二极管可以发出红、绿、蓝三种颜色的背光，使得背光源之上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板的上基板不用设置彩膜层，因此避免了在曲面显示时彩膜基板和阵列基板的对位使3D显示装置出现漏光的现象，提升了显示装置的显示效果。同时由于背光源设置了两层发光层，因此显示装置可以实现显示装置2D显示和3D显示的自由切换。

本发明实施例还提供一种显示装置的背光控制方法，应用于具有上述实施例中任意一项特征的显示装置，如图11所示，包括：

S101、显示装置确定显示装置开启2D显示模式或3D显示模式。

S102、在显示装置开启2D显示模式时，显示装置控制第一发光层和第二发光层开启。

需要说明的是，在显示装置开启2D显示模式时，显示装置控制第一发光层和第二发光层开启，此时第一发光层和第二发光层的有机发光二极管发出的光形成一道连续的光线射入薄膜场效应晶体管液晶显示面板，显示装置处于2D显示模式。

S103、在显示装置开启3D显示模式时，显示装置控制第一发光层开启、且第二发光层关闭。

需要说明的是，在所述显示装置开启3D显示模式时，显示装置控制所述第一发光层开启、且所述第二发光层关闭，此时第二发光层的有机发光二极管相当于传统3D显示装置的光栅，第一发光层的有机发光二极管发出的光射入薄膜场效应晶体管液晶显示面板，产生裸眼3D显示效果，显示装置处于3D显示模式。

需要补充的是，本发明实施例提供的显示装置不仅可以实现2D显示和3D显示的自由切换，还能够实现2D显示和3D显示的同时显示。如图12所示，以图中虚线为基准，显示装置的左侧(即虚线左侧)的第一发光层和第二发光层均开启，则显示装置的左侧处于2D显示模式；显示装置的右侧(即虚线右侧)的第一发光层开启、且所述第二发光层关闭，则显示装置的右侧处于3D显示模式。

本发明实施例提供一种显示装置的背光控制方法，显示装置的背光控制方法包括确定所述显示装置开启2D显示模式或3D显示模式；在所述显示装置开启2D显示模式时，控制第一发光层和第二发光层开启；在所述显示装置开启3D显示模式时，控制所述第一发光层开启、且所述第二发光层关闭。基于上述实施例的描述，由于背光源在衬底上设置了两层发光层，组成发光层的有机发光二极管可以发出红、绿、蓝三种颜色的背光，使得背光源之上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板的上基板不用设置彩膜层，因此避免了在曲面显示时彩膜基板和阵列基板的对位使3D显示装置出现漏光的现象，提升了显示装置的显示效果。同时由于背光源设置了两层发光层，因此显示装置可以实现显示装置2D显示和3D显示的自由切换。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种背光源，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底上的第一发光层，其中，所述第一发光层包括多个第一发光组，每个所述第一发光组包括至少一排有机发光二极管；

设置于所述第一发光层上的第一平坦保护层；

设置于所述第一平坦保护层上的第二发光层，其中，所述第二发光层包括多个第二发光组，相邻第二发光组之间具有间隙，每个所述第二发光组包括至少一排有机发光二极管；

其中，所述第二发光层中有机发光二极管以及所述第一发光层中对应所述间隙的有机发光二极管构成阵列形式排列的像素基色发光源。

2.根据权利要求1所述的背光源，其特征在于，所述背光源还包括：

设置于所述第二发光层上的第二平坦保护层。

3.根据权利要求1所述的背光源，其特征在于，每个所述有机发光二极管的类型为R型有机发光二极管、G型有机发光二极管和B型有机发光二极管中的任一种。

4.根据权利要求1所述的背光源，其特征在于，所述第一发光组对应所述间隙间隔设置于所述衬底上。

5.根据权利要求4所述的背光源，其特征在于，每个所述第一发光组包括一排有机发光二极管，且同一排有机发光二极管的类型相同；每个所述第二发光组包括一排有机发光二极管，且同一排有机发光二极管的类型相同；

其中，所述R型有机发光二极管与所述G型有机发光二极管和所述B型有机发光二极管相邻，所述G型有机发光二极管与所述B型有机发光二极管相邻。

6.根据权利要求4所述的背光源，其特征在于，所述第一发光组和所述第二发光组的宽度相等；所述第一发光组的宽度与所述间隙的宽度相等。

7.根据权利要求1所述的背光源，其特征在于，所述有机发光二极管为上发光型有机发光二极管或者穿透式有机发光二极管。

8.根据权利要求7所述的背光源，其特征在于，所述穿透式有机发光二极管包括遮光层，以及设置于所述遮光层上的有机发光二极管主体。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8中任意一项所述的背光源，以及设置于所述背光源上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板，其中，所述薄膜场效应晶体管液晶显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为不设彩色膜层的封装基板。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管液晶显示面板为扭曲向列TN型薄膜场效应晶体管液晶显示面板或者高级超维场转换技术ADS型薄膜场效应晶体管液晶显示面板。

11.一种显示装置的背光控制方法，应用于如权利要求9或10所述的显示装置，其特征在于，包括：

确定所述显示装置开启2D显示模式或3D显示模式；

在所述显示装置开启2D显示模式时，控制第一发光层和第二发光层开启；

在所述显示装置开启3D显示模式时，控制所述第一发光层开启、且所述第二发光层关闭。