CN104752595A - 倒装led芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装led芯片 - Google Patents
倒装led芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装led芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104752595A CN104752595A CN201310731970.4A CN201310731970A CN104752595A CN 104752595 A CN104752595 A CN 104752595A CN 201310731970 A CN201310731970 A CN 201310731970A CN 104752595 A CN104752595 A CN 104752595A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- flip led
- led chips
- film
- packing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- QVLAWKAXOMEXPM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrachloroethane Chemical class ClCC(Cl)(Cl)Cl QVLAWKAXOMEXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种倒装LED芯片的封装方法，先制作倒装LED芯片的外延片；将薄膜固定在该外延片的顶部；在该外延片上制作电极，以形成倒装LED芯片；在一个基板上设置锡膏，使该LED芯片的两个电极分别与该锡膏接触，之后对该基板及其上的LED芯片进行回流焊，使得LED芯片的电极被焊接在该基板上；该薄膜在回流焊的过程中受热熔化并包覆该LED芯片，之后冷却固化形成封装层。同时，还提供了一种使用该封装方法的倒装LED芯片。该倒装LED芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装LED芯片具有生产工艺简单的优点。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，特别涉及一种倒装LED芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装LED芯片。
背景技术
LED的封装方法比较多，目前一种业界常见的封装方法是：先通过焊接芯片、然后涂覆荧光粉两步来完成的。例如2013年6月26号公布的专利申请号为201110431854.1的发明，即揭示了一种白光LED的封装工艺。该白光LED的封装工艺包括如下步骤：a、提供封装支架、透光封盖及蓝色LED倒装芯片；b、固晶，将蓝色LED倒装芯片固定于封装支架上；c、焊线，将蓝色LED倒装芯片的正、负极分别与封装支架上的第一电极和第二电极电性相连；d、点胶，将已配好的荧光胶填充入封装支架内；e、密封，将透光封盖组装于封装支架顶部；f、离心沉淀，通过离心力的作用将荧光胶中的荧光粉沉淀到封装支架的底部表面及LED芯片表面上，形成一层高浓度的荧光粉层；g、烘烤，将经过离心沉淀的LED放入烘烤装置进行烘烤完成。这种工艺流程存在需要大量的设备投入、生产效率低等缺点。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种生产工艺简单的倒装LED芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装LED芯片。
一种倒装LED芯片的封装方法，包括如下步骤：先制作倒装LED芯片的外延片；将薄膜固定在该外延片的顶部；在该外延片上制作电极，以形成倒装LED芯片；在一个基板上设置锡膏，使该LED芯片的两个电极分别与该锡膏接触，之后对该基板及其上的LED芯片进行回流焊，使得LED芯片的电极被焊接在该基板上；该薄膜在回流焊的过程中受热熔化并包覆该LED芯片，之后冷却固化形成封装层。
一种倒装LED芯片，该倒装LED芯片设置在基板上，该倒装LED芯片的封装方法包括如下步骤：先制作倒装LED芯片的外延片；将薄膜固定在该外延片的顶部；在该外延片上制作电极，以形成倒装LED芯片；在一个基板上设置锡膏，使该LED芯片的两个电极分别与该锡膏接触，之后对该基板及其上的LED芯片进行回流焊，使得LED芯片的电极被焊接在该基板上；该薄膜在回流焊的过程中受热熔化并包覆该LED芯片，之后冷却固化形成封装层。
与现有技术相比，该倒装LED芯片的封装方法利用先形成该薄膜，而后该薄膜在回流焊的过程中受热熔化并整体包覆该LED芯片最后冷却固化形成封装层，且同时该LED芯片的电极已被焊接在该基板上，从而实现对该LED芯片的完整封装。由于封装时无需先通过焊接芯片、然后涂覆荧光粉两步来完成的，使得该倒装LED芯片的封装方法具有工艺简单的优点。
附图说明
图1是本发明倒装LED芯片的封装方法第一实施例中将薄膜固定在外延片上的结构示意图；图2是图1所示倒装LED芯片的封装方法切割后形成的倒装LED芯片的示意图；
图3是图2所示倒装LED芯片焊接在基板上未包含围坝的示意图；
图4是图3所示倒装LED芯片的薄膜融化后形成的封装结构的剖面示意图。
附图标记说明：
11薄膜 12外延片 13电极
10LED芯片 20锡膏 30基板
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
图1至图4是本发明倒装LED芯片的封装方法的相关结构示意图。请参考图4，该倒装LED芯片10设置在基板30上，包括封装层，该封装层将该LED芯片10封装在该基板30上。
请参考图4，该封装层由设置在该倒装LED芯片10的外延片12上的薄膜11在将该LED芯片10焊接到基板30上时受热熔化包覆该LED芯片10后固化形成。该薄膜11包括位于底部的第一层及位于该第一层的熔化层（图未示），该第一层的熔点高于回流焊的最高温，该第一层直接与该外延片12连接。该熔化层的温度为该回流焊的高温段温度，以便在回流焊的高温段受热熔化。该薄膜11对该外延片12的顶部具有良好的浸润性。该薄膜11中混合有荧光粉，所述荧光粉将该LED芯片10发出的光转换并混合形成白光。该薄膜11的顶部对应每个要成型的LED芯片10分别设有十字形或与LED芯片10顶部相似的四边形沟槽。该基板30上围绕每个LED芯片10分别设有一个圆环形围坝31，该围坝31的高度低于该LED芯片10的高度，该围坝31用于阻挡薄膜11熔化后形成的液体。该薄膜11的制作方法为，将聚对苯二甲酸乙二醇酯溶于四氯乙烷形成溶液，并将荧光粉加入溶液中分散均匀，之后，将溶剂蒸发制得该薄膜11。
请参照图1至图4，本发明第一实施例的倒装LED封装方法包括如下步骤：
首先，制作倒装LED芯片的外延片12。
其次，请参照图1，将薄膜11固定在该外延片12的顶部，在该外延片12上制作多对电极13。
请参照图2，切割该薄膜11及该外延片12形成多个倒装LED芯片10。
请参照图3，在一个基板30上设置锡膏20，使该LED芯片10的两个电极13分别与该锡膏20接触。
最后，请参照图4，对该基板30及其上的LED芯片10进行回流焊，使得LED芯片10的电极13被焊接在该基板30上，该薄膜11的熔化层的熔化温度为该回流焊的高温段温度，该薄膜11在回流焊的过程中受热熔化并包覆该LED芯片10，之后冷却固化形成封装层。
经过上述封装步骤，即可以得到本发明第一实施例的倒装LED芯片。
综上所述，该倒装LED芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装LED芯片，利用先形成该薄膜11，而后该薄膜11在回流焊的过程中受热熔化并整体包覆该LED芯片10，最后冷却固化形成封装层，且同时该LED芯片10的电极13已被焊接在该基板30上，从而实现对该LED芯片10的完整封装。由于封装时无需先通过焊接芯片、然后涂覆荧光粉两步来完成的，使得该倒装LED芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装LED芯片具有工艺简单的优点。
在该薄膜11顶部设置十字形或四边形凹槽可以使该熔化层熔化时液体向四方滑落，从而均匀包覆该LED芯片10。该围坝31的设置使得该薄膜11可以做得更厚，熔化形成的液体更多，从而均匀包覆该LED芯片10。该薄膜11的熔化温度可以设置为200至260摄氏度。该薄膜11的第一层与熔化层的设置，使得回流焊时，该第一层不会熔化，从而保证该LED芯片10的顶面出光均匀。当然，在工艺能达到要求的前提下，该薄膜11可以为单层结构，其熔化温度为该回流焊的高温段温度。熔化时，仍有部分液体留在该LED芯片10顶部，从而完全包覆该LED芯片10。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，任何本领域人员在不脱离本方案技术范围内，利用上述揭露的技术内容作些许改动的为同等变化的等效实施例。但凡脱离本发明技术方案内容，依据本发明技术实质对以上实施例所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：先制作倒装LED芯片的外延片；将薄膜固定在该外延片的顶部；在该外延片上制作电极，以形成倒装LED芯片；在一个基板上设置锡膏，使该LED芯片的两个电极分别与该锡膏接触，之后对该基板及其上的LED芯片进行回流焊，使得LED芯片的电极被焊接在该基板上；该薄膜在回流焊的过程中受热熔化并包覆该LED芯片，之后冷却固化形成封装层。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：该薄膜中混合有荧光粉，所述荧光粉将该LED芯片发出的光转换并混合形成白光。
3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：该外延片上制作有多对电极，还包括切割该薄膜及该外延片形成多个LED芯片的步骤。
4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：该薄膜的顶部对应每个要成型的LED芯片分别设有十字形或与LED芯片顶部相似的四边形沟槽。
5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：该薄膜的制作方法为，将聚对苯二甲酸乙二醇酯溶于四氯乙烷形成溶液，并将荧光粉加入该溶液中分散均匀，之后，将溶剂蒸发制得该薄膜。
6.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：该薄膜包括位于底部的第一层及位于该第一层的熔化层，该第一层的熔点高于回流焊的最高温，该第一层直接与该外延片连接。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：该基板上围绕每个LED芯片分别设有一个圆环形围坝，该围坝的高度低于该LED芯片的高度，该围坝用于阻挡薄膜熔化后形成的液体。
8.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：该薄膜的熔化温度为该回流焊的高温段温度。
9.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：该薄膜对该外延片的顶部具有良好的浸润性。
10.一种倒装LED芯片，该倒装LED芯片设置在基板上，其特征在于，该倒装LED芯片通过权利要求1至9中任一项所述方法封装在该基板上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310731970.4A CN104752595B (zh) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 倒装led芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310731970.4A CN104752595B (zh) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 倒装led芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装led芯片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104752595A true CN104752595A (zh) | 2015-07-01 |
| CN104752595B CN104752595B (zh) | 2017-12-29 |
Family
ID=53591975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310731970.4A Active CN104752595B (zh) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 倒装led芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装led芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104752595B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108601214A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-28 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备、电子设备的电路板装置及其制备方法 |
| CN110828646A (zh) * | 2018-08-09 | 2020-02-21 | 汕头超声显示器技术有限公司 | 一种微led显示器的制造方法 |
| CN113039653A (zh) * | 2018-11-13 | 2021-06-25 | 科锐Led公司 | 发光二极管封装 |
| CN113436980A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-24 | 南昌黑鲨科技有限公司 | 一种器件封装方法以及应用该封装方法封装的封装结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101567411A (zh) * | 2009-05-26 | 2009-10-28 | 晶科电子（广州）有限公司 | 发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法 |
| CN101958389A (zh) * | 2010-07-30 | 2011-01-26 | 晶科电子（广州）有限公司 | 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构及其封装方法 |
| CN102451808A (zh) * | 2010-10-18 | 2012-05-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 荧光粉涂布方法 |
-
2013
- 2013-12-26 CN CN201310731970.4A patent/CN104752595B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101567411A (zh) * | 2009-05-26 | 2009-10-28 | 晶科电子（广州）有限公司 | 发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法 |
| CN101958389A (zh) * | 2010-07-30 | 2011-01-26 | 晶科电子（广州）有限公司 | 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构及其封装方法 |
| CN102451808A (zh) * | 2010-10-18 | 2012-05-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 荧光粉涂布方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108601214A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-28 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备、电子设备的电路板装置及其制备方法 |
| CN110828646A (zh) * | 2018-08-09 | 2020-02-21 | 汕头超声显示器技术有限公司 | 一种微led显示器的制造方法 |
| CN113039653A (zh) * | 2018-11-13 | 2021-06-25 | 科锐Led公司 | 发光二极管封装 |
| CN113436980A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-24 | 南昌黑鲨科技有限公司 | 一种器件封装方法以及应用该封装方法封装的封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104752595B (zh) | 2017-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105895785B (zh) | 倒装led芯片集成封装的光源组件结构及其制作方法 | |
| CN104851961B (zh) | 发光器件的芯片级封装方法及结构 | |
| EP2984686B1 (en) | Method of fabricating led with high thermal conductivity particles in phosphor conversion layer | |
| CN104993040B (zh) | 一种倒装焊接芯片及其焊接方法 | |
| CN106449542B (zh) | 一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构 | |
| CN104393154A (zh) | 一种led芯片级白光光源的晶圆级封装方法 | |
| CN104752595A (zh) | 倒装led芯片的封装方法及使用该封装方法的倒装led芯片 | |
| CN103762298A (zh) | Led晶片组合封装材料及工艺 | |
| CN102593327A (zh) | 圆片级发光二级管倒装封装工艺 | |
| CN104979452A (zh) | 在晶圆上制造和封装发光二极管芯片的工艺方法 | |
| CN103872212B (zh) | 一种led封装方法 | |
| CN102931328B (zh) | 一种led封装体的制作方法 | |
| CN103872223A (zh) | 一种led晶片级封装方法 | |
| CN203746898U (zh) | 一种led封装体及照明装置 | |
| CN107819065A (zh) | 一种倒装led发光器件及其制备方法 | |
| CN204289505U (zh) | 一种印刷式led倒装封装结构 | |
| CN103855278A (zh) | 一种led封装结构及照明设备 | |
| CN107516705A (zh) | 一种基于ncsp封装技术的新型制作工艺 | |
| CN104269491B (zh) | Led芯片的封装方法及使用该封装方法的led封装结构 | |
| CN205723615U (zh) | 一种基于ncsp封装技术的封装装置 | |
| CN104465427A (zh) | 封装结构及半导体工艺 | |
| CN204088362U (zh) | 一种倒装芯片式led灯丝 | |
| CN103855283B (zh) | 一种led封装体及照明装置 | |
| TWM500997U (zh) | Ｌｅｄ覆晶封裝結構 | |
| CN106299039B (zh) | 一种复合led玻璃基面板的封装工艺方法和面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170120 Address after: Xingtai Industrial Park Economic Development Zone, Changtai County, Fujian city of Zhangzhou province 363999 Applicant after: ZHANGZHOU LIDAXIN PHOTOELECTRON TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 363999 Xingda Road, Fujian city of Zhangzhou province Changtai Xingtai County Development Zone Applicant before: Leedarson Green Lighting Co., Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |