CN104750294B - 触摸屏的制作方法、触摸屏以及具有其的触控装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种触摸屏的制作方法，包括以下步骤：提供基板；在基板之上形成边框矩阵；以及在边框矩阵中形成触摸屏电极，其中，具体包括：在边框矩阵中形成氧化铟锡ITO图形，其中，ITO图形包括多行ITO单元和多列ITO单元，其中，每行行ITO单元的相邻两个ITO单元之间具有间隙；在间隙之上形成第一局域保护胶；在第一局域保护胶之上形成导电桥，导电桥的长度大于第一局域保护胶的长度，以连接相邻两个ITO单元；在导电桥之上形成第二局域保护胶，第二局域保护胶覆盖导电桥。根据本发明实施例的触摸屏的制作方法，具有透光率高的优点。本发明还公开了一种触摸屏及具有其的触控装置。
Description
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域，具体涉及一种触摸屏的制作方法、触摸屏以及具有其的触控装置。
背景技术
随着技术日益发展，主流的G/G（Glass/Glass，玻璃/玻璃）触摸屏逐渐被OGS（OneGlass Solution,一体化玻璃）触摸屏取代。OGS触摸屏仅有一块玻璃板，ITO导电膜及传感器直接形成在该玻璃板上，即一块玻璃同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用。OGS触摸屏较G/G触摸屏而言具备以下优势：结构简单，轻、薄、透光性好；省掉一片玻璃基板以及贴合工序，有利于降低生产成本、提高产品良率。
现有的OGS触摸屏制作工艺具有一些缺陷，例如：由于ITO导电薄膜之上涂覆的保护胶较厚而导致触摸屏透光率下降。以及现有的触摸屏边框矩阵采用的是一次性固化得到的。这种方法制得的边框矩阵的附着力通常不够高，影响了边框矩阵与玻璃基板的附着性，容易掉色或脱离，以及影响了后工序其他材料与玻璃基板的附着效果。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的透光率不高的技术问题。
为此，本发明的第一个目的在于提出一种透光率高的触摸屏的制作方法。本发明的第二个目的在于提出一种透光率高的触摸屏。本发明的第三个目的在于提出一种屏幕透光率高的触控装置。
为了实现上述目的，根据本发明第一方面的实施例的触摸屏的制作方法，包括以下步骤：提供基板；在所述基板之上形成边框矩阵；以及在所述边框矩阵中形成触摸屏电极，其中，具体包括：在所述边框矩阵中形成氧化铟锡ITO图形，其中，所述ITO图形包括多行ITO单元和多列ITO单元，其中，每行所述行ITO单元的相邻两个ITO单元之间具有间隙；在所述间隙之上形成第一局域保护胶；在所述第一局域保护胶之上形成导电桥，所述导电桥的长度大于所述第一局域保护胶的长度，以连接相邻两个ITO单元；在所述导电桥之上形成第二局域保护胶，所述第二局域保护胶覆盖所述导电桥。
根据本发明实施例的触摸屏的制作方法，第二局域保护胶使得导电桥隐蔽不可见，在使用时人眼不会看到整齐有序排列的导电桥的阴影。同时，由于第二局域保护胶仅仅覆盖导电桥，而不是全面积涂覆，能够提高触摸屏的透光率。
另外，根据本发明实施例的触摸屏的制作方法还可以具有如下附加技术特征：
在本发明的一个实施例中，所述在所述基板之上形成边框矩阵具体包括：并在所述基板之上形成光阻胶层；对所述光阻胶层进行加热，以进行第一次固化；对所述光阻胶层进行曝光及显影处理，以形成触摸屏的边框矩阵；对所述边框矩阵进行加热，以进行第二次固化，其中，所述第二次固化的温度大于所述第一次固化的温度。边框矩阵通过二次固化得到的，边框矩阵对基板的附着力很强，具有不易脱落、不易受损、稳定可靠的优点。
在本发明的一个实施例中，所述第一次固化的温度为180-190℃，所述第二次固化的温度为260-270℃。在上述温度范围先后进行两次高温固化可以实现较好的固化效果。
在本发明的一个实施例中，在所述在边框矩阵中形成触摸屏电极之前，还包括：在所述边框矩阵及所述边框矩阵的区域内形成第三保护胶。提前涂覆第三保护胶有利于保护已经制作好的边框矩阵以及基板不受加工触摸屏电极的影响，有利于提高良率。
在本发明的一个实施例中，所述导电桥为铝钼合金。铝钼合金具有导电性好、化学稳定、硬度达标，具有良好的力学性能和结合性能。
为了实现上述目的，根据本发明第二方面的实施例的触摸屏，包括：基板；位于所述基板之上的边框矩阵；以及位于所述边框矩阵中的触摸屏电极，其中，所述触摸屏电极具体包括：氧化铟锡ITO图形，氧化铟锡ITO图形位于所述边框矩阵中，其中，所述ITO图形包括多行ITO单元和多列ITO单元，其中，每行所述行ITO单元的相邻两个ITO单元之间具有间隙；第一局域保护胶，所述第一局域保护胶位于所述间隙之上；导电桥，所述导电桥位于所述第一局域保护胶之上，所述导电桥的长度大于所述第一局域保护胶的长度，以连接相邻两个ITO单元；第二局域保护胶，所述第二局域保护胶在所述导电桥之上形成第二局域保护胶，所述第二局域保护胶覆盖所述导电桥。
根据本发明实施例的触摸屏，触摸屏中的第二局域保护胶使得导电桥隐蔽不可见，在使用时人眼不会看到整齐有序排列的导电桥的阴影。同时，由于第二局域保护胶仅仅覆盖导电桥，而不是全面积涂覆，能够提高触摸屏的透光率。
另外，根据本发明实施例的触摸屏还可以具有如下附加技术特征：
在本发明的一个实施例中，所述边框矩阵是由形成在所述基板之上的光阻胶层二次固化形成得到的。边框矩阵通过二次固化得到的，边框矩阵对基板的附着力很强，具有不易脱落、不易受损、稳定可靠的优点。
在本发明的一个实施例中，所述第一次固化的温度为180-190℃，所述第二次固化的温度为260-270℃。在上述温度范围先后进行两次高温固化可以实现较好的固化效果。
在本发明的一个实施例中，还包括：位于所述边框矩阵中且位于所述触摸屏电极与所述基板之间的第三保护胶。该第三保护胶有利于保护已经制作好的边框矩阵以及基板不受加工触摸屏电极的影响，有利于提高良率。
在本发明的一个实施例中，所述导电桥为铝钼合金。铝钼合金具有导电性好、化学稳定、硬度达标，具有良好的力学性能和结合性能。
为了实现上述目的，根据本发明第三方面的实施例的触控装置，该触控装置包括上文公开的任一种触摸屏。相应地，该触控装置也具有屏幕透光率高的优点。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明实施例的触摸屏的制作方法的流程图。
图2至图7是本发明实施例的触摸屏的制作方法的具体过程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
如图1所示，根据本发明第一方面的实施例的触摸屏的制作方法，可以包括以下步骤：
步骤S1.提供基板。
步骤S2.在基板之上形成边框矩阵。
步骤S3.在边框矩阵中形成触摸屏电极。
步骤S3具体可以包括：
步骤S31.在边框矩阵中形成氧化铟锡ITO图形，其中，ITO图形包括多行ITO单元和多列ITO单元，其中，每行行ITO单元的相邻两个ITO单元之间具有间隙。
步骤S32.在间隙之上形成第一局域保护胶。
步骤S33.在第一局域保护胶之上形成导电桥，导电桥的长度大于第一局域保护胶的长度，以连接相邻两个ITO单元；
步骤S34.在导电桥之上形成第二局域保护胶，第二局域保护胶覆盖导电桥。
根据本发明实施例的触摸屏的制作方法，第二局域保护胶使得导电桥隐蔽不可见，在使用时人眼不会看到整齐有序排列的导电桥的阴影。同时，由于第二局域保护胶仅仅覆盖导电桥，而不是全面积涂覆，能够提高触摸屏的透光率。
在本发明的一个实施例中，步骤S2具体可以包括：并在所述基板之上形成光阻胶层；对所述光阻胶层进行加热，以进行第一次固化；对所述光阻胶层进行曝光及显影处理，以形成触摸屏的边框矩阵；对所述边框矩阵进行加热，以进行第二次固化，其中，所述第二次固化的温度大于所述第一次固化的温度。边框矩阵通过二次固化得到的，边框矩阵对基板的附着力很强，具有不易脱落、不易受损、稳定可靠的优点。
在本发明的一个实施例中，第一次固化的温度为180-190℃，第二次固化的温度为260-270℃。在上述温度范围先后进行两次高温固化可以实现较好的固化效果。第一次固化的时间控制在15分钟，这样可以使材料的结构保持在半固化状态，使得第二次固化的效果非常好，使得材料固化后光滑细腻，没有粗糙感。
在本发明的一个实施例中，在边框矩阵中形成触摸屏电极之前，还包括：在边框矩阵及边框矩阵的区域内形成第三保护胶。提前涂覆第三保护胶有利于保护已经制作好的边框矩阵以及基板不受加工触摸屏电极的影响，有利于提高良率。需要说明的是，第三保护胶与第一局域保护胶和第二局域保护胶有两方面不同：（1）第三保护胶位于ITO图形下方，第一局域保护胶和第二局域保护胶位于ITO图形上方。（2）第三保护胶通常为全区域的，而第一局域保护胶和第二局域保护胶为局部区域的。
在本发明的一个实施例中，在边框矩阵中形成触摸屏电极具体包括：在边框矩阵中形成氧化铟锡ITO图形，其中，ITO图形包括多行ITO单元和多列ITO单元，其中，每行行ITO单元的相邻两个ITO单元之间具有间隙；在间隙之上形成第一局域保护胶；在局域保护胶之上形成导电桥，导电桥的长度大于第一局域保护胶的长度，以连接相邻两个ITO单元。该实施例的触摸屏电极的行方向的相邻两个ITO单元之间通过导电桥连接。
在本发明的一个实施例中，导电桥为铝钼合金。铝钼合金具有导电性好、化学稳定、硬度达标的优点，具有良好的力学性能和结合性能。
在本发明的一个实施例中，边框矩阵为彩色边框矩阵。彩色边框矩阵具有颜色亮丽，用户体验好的优点。
在本发明的一个实施例中，基板为玻璃基板。玻璃基板具有成本较低，易于获得的优点。
为使本领域技术人员更好地理解本发明，下面结合图2至图7详细描述在玻璃基板上制备彩色边框矩阵的OGS触摸屏的过程。
选择合适的彩色光阻胶，光阻胶的材料可以为树脂类的颜料分散性光阻胶。在透明的玻璃基板上涂布一层该彩色光阻胶，涂布的具体方式为：先在玻璃基板表面刮涂一层光阻胶，如图2所示。然后通过高速旋转的方式将光阻胶均匀的摊平分布在玻璃基板表面，厚度大约0.5-1.4μm，如图3所示。接着在185℃进行首次固化处理，增加光阻胶与玻璃基板之间的粘附性，及初步固化光阻胶。随后对产品进行曝光处理，如图4所示。其中图4（a）为曝光过程中的俯视图，图4（b）为曝光过程中的侧视图。再进行显影处理，保留需要的边框矩阵，去除其它区域的光阻胶，得到所需要的边框矩阵图案的光阻胶。接着对边框矩阵图案的光阻胶在265℃下进行完全再次固化处理，以提高边框矩阵与玻璃基板的附着性，并且彻底固化。按照上述步骤，可以在透明玻璃基板上面形成彩色的边框矩阵。该彩色矩阵的边缘垂直于玻璃基板，笔直性良好，如图5所示。接下来涂布全区域的第三保护胶（也称OC保护胶，OC表示Over Coat）。制作ITO图形，如图6所示。在ITO图形的间隙位置涂布第一局域保护胶，该第一局域保护胶主要的作用是绝缘，如图7（a）所示。在第一局域保护胶上面制作导电桥，导电桥的长度大于第一局域保护胶的长度，如图7（b）所示。导电桥主要的作用是联通两侧的ITO图形。最后在涂布第二局域保护胶以覆盖整个导电桥，如图7（c）所示。起到防漏电的保护作用。
根据本发明第二方面的实施例的触摸屏，可以包括：基板；位于基板之上的边框矩阵；以及位于边框矩阵中的触摸屏电极。其中，触摸屏电极具体包括：氧化铟锡ITO图形，氧化铟锡ITO图形位于边框矩阵中，其中，ITO图形包括多行ITO单元和多列ITO单元，其中，每行行ITO单元的相邻两个ITO单元之间具有间隙；第一局域保护胶，第一局域保护胶位于间隙之上；导电桥，导电桥位于第一局域保护胶之上，导电桥的长度大于第一局域保护胶的长度，以连接相邻两个ITO单元；第二局域保护胶，第二局域保护胶在导电桥之上形成第二局域保护胶，第二局域保护胶覆盖导电桥。
根据本发明实施例的触摸屏，触摸屏中的第二局域保护胶使得导电桥隐蔽不可见，在使用时人眼不会看到整齐有序排列的导电桥的阴影。同时，由于第二局域保护胶仅仅覆盖导电桥，而不是全面积涂覆，能够提高触摸屏的透光率。
在本发明的一个实施例中，边框矩阵是由形成在基板之上的光阻胶层二次固化形成得到的。边框矩阵通过二次固化得到的，边框矩阵对基板的附着力很强，具有不易脱落、不易受损、稳定可靠的优点。
在本发明的一个实施例中，第一次固化的温度为180-190℃，第二次固化的温度为260-270℃。在上述温度范围先后进行两次高温固化可以实现较好的固化效果。
在本发明的一个实施例中，还包括：位于边框矩阵中且位于触摸屏电极与基板之间的第三保护胶。该第三保护胶有利于保护已经制作好的边框矩阵以及基板不受加工触摸屏电极的影响，有利于提高良率。需要说明的是，第三保护胶与第一局域保护胶和第二局域保护胶有两方面不同：（1）第三保护胶位于ITO图形下方，第一局域保护胶和第二局域保护胶位于ITO图形上方。（2）第三保护胶通常为全区域的，而第一局域保护胶和第二局域保护胶为局部区域的。
在本发明的一个实施例中，导电桥为铝钼合金。铝钼合金具有导电性好、化学稳定、硬度达标，具有良好的力学性能和结合性能。
为了实现上述目的，根据本发明第三方面的实施例的触控装置，该触控装置包括上文公开的任一种触摸屏。相应地，该触控装置也具有屏幕透光率高的优点。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (9)
1.一种触摸屏的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板之上形成边框矩阵；以及
在所述边框矩阵中形成触摸屏电极，其中，具体包括：
在所述边框矩阵中形成氧化铟锡ITO图形，其中，所述ITO图形包括多行ITO单元和多列ITO单元，其中，每行所述行ITO单元的相邻两个ITO单元之间具有间隙；
在所述间隙之上形成第一局域保护胶；
在所述第一局域保护胶之上形成导电桥，所述导电桥的长度大于所述第一局域保护胶的长度，以连接相邻两个ITO单元；
在所述导电桥之上形成第二局域保护胶，第二局域保护胶仅仅覆盖导电桥，而不是全面覆盖，且所述第二局域保护胶覆盖所述导电桥；
且所述在所述基板之上形成边框矩阵具体包括：
在所述基板之上形成光阻胶层；
对所述光阻胶层进行加热，以进行第一次固化；
对所述光阻胶层进行曝光及显影处理，以形成触摸屏的边框矩阵；
对所述边框矩阵进行加热，以进行第二次固化，其中，所述第二次固化的温度大于所述第一次固化的温度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次固化的温度为180-190℃，所述第二次固化的温度为260-270℃。
3.如权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，在所述在边框矩阵中形成触摸屏电极之前，还包括：
在所述边框矩阵及所述边框矩阵的区域内形成第三保护胶。
4.如权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，所述导电桥为铝钼合金。
5.一种触摸屏，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板之上的边框矩阵；以及
位于所述边框矩阵中的触摸屏电极，其中，所述触摸屏电极具体包括：
氧化铟锡ITO图形，氧化铟锡ITO图形位于所述边框矩阵中，其中，所述ITO图形包括多行ITO单元和多列ITO单元，其中，每行所述行ITO单元的相邻两个ITO单元之间具有间隙；
第一局域保护胶，所述第一局域保护胶位于所述间隙之上；
导电桥，所述导电桥位于所述第一局域保护胶之上，所述导电桥的长度大于所述第一局域保护胶的长度，以连接相邻两个ITO单元；
第二局域保护胶，第二局域保护胶仅仅覆盖导电桥，而不是全面覆盖，且所述第二局域保护胶在所述导电桥之上形成，所述第二局域保护胶覆盖所述导电桥；
且所述边框矩阵是由形成在所述基板之上的光阻胶层二次固化形成得到的。
6.如权利要求5所述的触摸屏，其特征在于，第一次固化的温度为180-190℃，第二次固化的温度为260-270℃。
7.如权利要求5-6中任一项所述的触摸屏，其特征在于，还包括：位于所述边框矩阵中且位于所述触摸屏电极与所述基板之间的第三保护胶。
8.如权利要求5-6中任一项所述的触摸屏，其特征在于，所述导电桥为铝钼合金。
9.一种触控装置，其特征在于，包括权利要求5-8中任一项所述的触摸屏。
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Owner name: SHENZHEN BYD ELECTRONIC COMPONENT CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: BIYADI CO., LTD. Effective date: 20150831 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20150831 Address after: 518119 Guangdong province Shenzhen City Dapeng new Kwai town Yanan Road No. 1 building experimental Byd Co Applicant after: Shenzhen BYD Electronic Component Co., Ltd. Address before: BYD 518118 Shenzhen Road, Guangdong province Pingshan New District No. 3009 Applicant before: Biyadi Co., Ltd. |
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 518119 Guangdong province Shenzhen City Dapeng new Kwai town Yanan Road No. 1 building experimental Byd Co Patentee after: Shenzhen helitai photoelectric Co., Ltd Address before: 518119 Guangdong province Shenzhen City Dapeng new Kwai town Yanan Road No. 1 building experimental Byd Co Patentee before: SHENZHEN BYD ELECTRONIC COMPONENT Co.,Ltd. |