CN104749901A - 一种调焦调平装置 - Google Patents
一种调焦调平装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104749901A CN104749901A CN201310747393.8A CN201310747393A CN104749901A CN 104749901 A CN104749901 A CN 104749901A CN 201310747393 A CN201310747393 A CN 201310747393A CN 104749901 A CN104749901 A CN 104749901A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- group
- refractive power
- focusing
- leveling device
- power unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 43
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7034—Leveling
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
一种调焦调平装置,包括:测量光线从照明单元出射后,依次经过投影狭缝、投影镜组、被测硅片、探测前组镜组、探测光阑、探测后组镜组、折光单元、中继镜组、光电探测器,光信号经过所述光电探测器转换成带有所述被测硅片表面相关的高度和倾斜度电信号后,传递给运算单元以及调焦调平控制器,产生控制信号,从而控制工件台对所述被测硅片的高度和倾斜度进行相应的调整;其特征在于,所述投影狭缝上具有多个不处于同一直线的标记,入射至所述折光单元的多束光经所述折光单元后生成处于同一直线上的多个光斑。
Description
技术领域
本发明涉及光刻领域,尤其涉及用于光刻机的带有折光单元的自动调焦装置。
背景技术
目前的投影光刻系统中通常包括用以精确探测被测物体表面高度与倾斜的自动调焦调平分系统。调焦调平分系统的一般系统模型如上述专利所示通常包含有一个照明光源、一个具有收集光源发出光线功能的汇聚透镜、一个投影光阑、一个用于将光阑图案沿倾斜方向成像在物体表面的第一光学系统、一个用于将物体表面的像成像在探测光阑上的第二光学系统、一个探测光阑、另有一个光电探测器,用以接收探测光阑传递的光束,并根据所得光束会聚点的位置信息来获得与之相关的物体表面的高度信息和倾斜信息。
美国专利US5414515的一个实施例的技术方案是设计单支光路,产生多个测量光斑,在满足一定测量视场范围的需求下,采用对应的多个CCD技术,上述方案存在的不足之处在于:所用CCD数量较多,CCD对应的图像采集卡及线缆也会较多,成本较高;另外,CCD数量多会造成空间约束比较紧张,不能更好地为整机增加空间约束的自由度。
中国专利CN101710291示出了一种带平行光折光单元透镜的太阳能装置,该装置与本发明方案的不同在于应用上存在区别,CN101710291的技术方案着重于对光束进行能量的汇聚,并无像质的要求,而本发明用于成像位置的调整,且对成像分辨率、畸变、焦深等像质均有要求,故两者存在本质的差别。
发明内容
不同于现有的技术常见的两种结构:第一种,设计多支光路,产生多个测量光斑,并且在较大测量视场的需求下,采用对应的多个线阵CCD技术;第二种,设计单支光路,产生多个测量光斑,并且在较大测量视场的需求下,采用单个面阵CCD技术。本发明在投影光刻机调平调焦分系统中,提出了一种新的结构:通过在光路中引入一种折光单元,以达到只需采用单支光路、单个线阵CCD就能满足大视场、多点测量的系统需求,并且总体上降低了成本,减少了空间占用率。
根据本发明的一种调焦调平装置,包括:测量光线从照明单元出射后,依次经过投影狭缝、投影镜组、被测硅片、探测前组镜组、探测光阑、探测后组镜组、折光单元、中继镜组、光电探测器,光信号经过所述光电探测器转换成带有所述被测硅片表面相关的高度和倾斜度电信号后,传递给运算单元以及调焦调平控制器,产生控制信号,从而控制工件台对所述被测硅片的高度和倾斜度进行相应的调整;
其特征在于,所述投影狭缝上具有多个不处于同一直线的标记,入射至所述折光单元的多束光经所述折光单元后生成处于同一直线上的多个光斑。
其中,所述不处于同一直线的标记数量至少为3个。
其中,还包括一双棱镜组,所述投影狭缝夹在所述双棱镜组的两个棱镜中间。
其中,所述折光单元由折光反射镜组、折光透镜组和折光棱镜组所组成。当不处于同一直线的标记数量至少为3个时,折光单元由折光反射镜为2对(4块)、折光透镜3块、折光棱镜2块组成,中间光束不需经过折光反射镜和折光棱镜,只需通过折光透镜。
其中,所述折光单元还包括平行平板,入射至折光单元的中间光束经过所述折光透镜组后入射至所述平行平板,其他光束均依次经过所述折光反射镜组、折光透镜组和折光棱镜组后与中间光束一起,经过所述中继透镜组后,所有光束被所述光电探测器所接收。
其中,所述折光单元为楔板组,所述楔板组由长斜面对应放置的偶数块楔板构成。
其中,所述楔板组中的第一块楔板中部和下半部的光束所经光路位置上有对应所述投影狭缝标记的小通孔,第二块楔板中部和上半部的光束所经光路位置上有对应所述投影狭缝标记的小通孔。
其中,所述折光单元还包括平行平板,所述中间光束先经过所述第一块楔板和第二块楔板上的中部小通孔,再入射平行平板。
其中,所述光电探测器为线阵CCD。
通过折光单元的使用,根据本发明的调焦装置只需采用单支光路、单个线阵CCD就能满足大视场、多点测量的系统需求,总体上降低了成本,减少了空间占用率。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1所示为投影光刻机调焦调平系统原理图;
图2所示为本发明带有折光单元的调焦调平系统原理图;
图3所示为本发明带有反射镜组折光单元的调焦调平装置原理图;
图4所示为本发明反射镜组折光单元局部图;
图5所示为本发明投影狭缝示意图;
图6所示为本发明折光单元的作用示意图;
图7所示为线阵CCD上的光斑位置示意图;
图8所示为本发明带有楔板组折光单元的调焦调平装置原理图;
图9所示为本发明楔板组折光单元局部图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。
图1所示为投影光刻机调焦调平系统原理图。如图1所示,该投影光刻机调焦调平系统包括投影物镜14和分布于投影物镜14光轴两侧的测量光路。测量光路包括以光路依次连接的照明单元、投影单元、探测单元及中继单元。
照明单元由照明光源1、照明镜组2及光纤(图中未示出)等组成;光源的出射光经透镜组聚光之后,由光纤传送至投影单元,为整个测量装置提供照明光源。
投影单元由投影狭缝3、投影前组透镜组4、反射镜组5及投影后组透镜组6等组成;从照明单元出射的光通过投影狭缝后依次经过投影前组透镜组4、反射镜组5和投影后组透镜组6,在玻璃基板7表面当前曝光区域内形成测量光斑。
探测单元由探测前组透镜组8、反射镜组9、探测后组透镜组10等组成;经过探测单元之后,测量光斑被探测狭缝所接收。
中继单元由中继反射镜11中继透镜组12探测器13、调焦控制器14,运算单元15等组成,经过中继单元的光斑被探测器接收,形成带有被测物表面位置和倾斜信息的光强信号。
第一实施例
图2所示为本发明一种投影光刻机带有折光单元的调焦调平装置。如图所示,该装置包括照明光源101、照明镜组102、投影狭缝103、双棱镜组104、投影前组透镜组105、投影光阑106、投影后组透镜组107、投影反射镜108、被测硅片109、探测前组反射镜110、探测前组透镜组111、探测光阑112、探测后组透镜组113、探测后组反射镜114、折光单元115、中继透镜组116、线阵CCD117、调焦控制器118、运算单元119;光束从照明光源101发出的光束经过照明镜组102后投射到投影狭缝103上,投影狭缝夹在双棱镜组104的两个棱镜中间,由双棱镜组104出射的光束经过投影前组透镜组105、投影光阑106及投影后组透镜组107后,被投影反射镜108反射至被测硅片109上,经被测硅片109反射后到达探测前组反射镜110,再由探测前组反射镜110反射至探测前组透镜组111、探测光阑112及探测后组透镜组113,到达探测后组反射镜114后经过反射,通过折光单元115后,将光斑成像于同一线视场内,经过中继透镜组116后,被线阵CCD117所接收,线阵CCD117经过信息光电转换获得与之相关的物体表面的高度信息和倾斜信息,由调焦控制器118送至运算单元119后,控制工件台120,从而对被测硅片109的高度和倾斜进行相应的调整。
图3为根据本发明第一实施例的一种投影式光刻机调焦调平分系统带有折光单元的调焦调平装置原理图,用于精确且高效地测量硅片表面位置。如图所示,所述装置包括照明光源201、照明镜组202、投影狭缝203、双棱镜组204、投影前组透镜组205、投影光阑206、投影后组透镜组207、投影反射镜208、被测硅片209、探测前组反射镜210、探测前组透镜组211、探测光阑212、探测后组透镜组213、探测后组反射镜214、折光单元反射镜组215、折光单元透镜组216、平行平板217、折光单元棱镜组218、中继透镜组219、线阵CCD220、调焦控制器221以及运算单元222。从照明光源201发出的光束经过照明镜组202后投射到投影狭缝203上,投影狭缝夹在双棱镜组204中间,由双棱镜组204出射的光束经过投影前组透镜组205、投影光阑206及投影后组透镜组207后,被投影反射镜208反射至被测硅片209上,经被测硅片209反射后到达探测前组反射镜210,再由探测前组反射镜210反射至探测前组透镜组211、探测光阑212及探测后组透镜组213,到达探测后组反射镜214后经过反射,分别至折光单元反射镜组215(215a-215h)后,入射折光单元透镜组216(216a-216e),中间光束经过平行平板217,边缘光束均经过折光单元棱镜组218(218a-218d)后与中间光束一起,经过中继透镜组219后,被线阵CCD220所接收,线阵CCD220经过信息光电转换获得与之相关的物体表面的高度信息和倾斜信息,由调焦控制器221送至运算单元222后,控制工件台223,从而对被测硅片209的高度和倾斜进行相应的调整。
图4所示为反射镜折光单元局部图。如图所示,所述折光单元包括折光单元反射镜组215、折光单元透镜组216、平行平板217、折光单元棱镜组218;光束经过折光单元反射镜组215分别反射后,入射折光单元透镜组216,其中中间一路光束经过平行平板217,边缘四路光束均经过折光单元棱镜组218后与中间光束一起,经过中继透镜组219后,被线阵CCD220所接收。
图5所示为投影狭缝结构示意图。投影狭缝被倾斜置于双棱镜组件204中间,且狭缝上标记位置如图中A、B、C、D、E所示。
图6所示为折光单元的作用示意图。如图所示,光束经过折光单元前,像面上光斑位置为A′、B′、C′、D′、E′,光斑位置呈空间分布;经过折光单元后,像面上光斑位置为A″、B″、C″、D″、E″,光斑呈直线型排布;最终经过中继透镜组219,被线阵CCD220所接收,从而起到了将光斑分布从面视场分布转换成线视场分布的作用。
图7所示为线阵CCD上光斑位置示意图。最终CCD上成像光斑为直线型排布的 、、、、。
第二实施例
图8所示为根据本发明第二实施例的一种投影式光刻机调焦调平分系统带有楔板组折光单元的调焦调平装置原理图,用于精确且高效地测量硅片表面位置。如图所示,所述装置包括照明光源301、照明镜组302、投影狭缝303、双棱镜组304、投影前组透镜组305、投影光阑306、投影后组透镜组307、投影反射镜308、被测硅片309、探测前组反射镜310、探测前组透镜组311、探测光阑312、探测后组透镜组313、探测后组反射镜314、平行平板315、折光单元楔板组316、中继透镜组317、线阵CCD318、调焦控制器319、运算单元320。从照明光源301发出的光束经过照明镜组302后投射到投影狭缝303上,投影狭缝夹在双棱镜组304中间,由双棱镜组304出射的光束经过投影前组透镜组305、投影光阑306及投影后组透镜组307后,被投影反射镜308反射至被测硅片309上,经被测硅片309反射后到达探测前组反射镜310,再由探测前组反射镜310反射至探测前组透镜组311、探测光阑312及探测后组透镜组313,后被探测后组反射镜314反射后至折光单元楔板组316后,中间光束经过平行平板315,边缘光束均经过楔板组316后与中间光束一起,经过中继透镜组317后,被线阵CCD318所接收,线阵CCD318经过信息光电转换获得与之相关的物体表面的高度信息和倾斜信息,由调焦控制器319送至运算单元320后,控制工件台321,从而对被测硅片309的高度和倾斜进行相应的调整。
图9所示为楔板组折光单元原理图。如图所示,所述折光单元包括平行平板315和折光单元楔板组316; 光束经过探测后组反射镜314反射后,经过一对特殊的楔板组316成像于同一像面上,并由中继透镜组317最终成像于线阵CCD318上,其中第一块楔板316a的下两路光束所经光路位置的楔板挖去一小孔,用以使得光束经过时不发生偏折,第二块楔板316b上两路光束所经光路位置的楔板挖去一小孔,用以使得光束经过时不发生偏折;而中间光束挖去一小孔使得中间光束不发生偏折,并且在中间光路上增加一块平行平板315用以补偿光程差,多路光束经过楔板组316折射后,使得光斑在经过楔板组316后能在像面上分布方式从面视场排布转变成线视场排布,并经过中继透镜组317后,最终被线阵CCD320所接收。
本说明书中所述的只是本发明的较佳具体实施例,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的限制。凡本领域技术人员依本发明的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案,皆应在本发明的范围之内。
Claims (10)
1.一种调焦调平装置,包括:测量光线从照明单元出射后,依次经过投影狭缝、投影镜组、被测硅片、探测前组镜组、探测光阑、探测后组镜组、折光单元、中继镜组、光电探测器,光信号经过所述光电探测器转换成带有所述被测硅片表面相关的高度和倾斜度电信号后,传递给运算单元以及调焦调平控制器,产生控制信号,从而控制工件台对所述被测硅片的高度和倾斜度进行相应的调整;
其特征在于,所述投影狭缝上具有多个不处于同一直线的标记,入射至所述折光单元的多束光经所述折光单元后生成处于同一直线上的多个光斑。
2.根据权利要求1所述的调焦调平装置,其特征在于,所述不处于同一直线的标记数量至少为3个。
3.根据权利要求1所述的调焦调平装置,其特征在于,还包括一双棱镜组,所述投影狭缝夹在所述双棱镜组的两个棱镜中间。
4.根据权利要求1 所述的调焦调平装置,其特征在于,所述折光单元由折光反射镜组、折光透镜组和折光棱镜组所组成。
5.根据权利要求4 所述的调焦调平装置,其特征在于,所述折光反射镜组由至少2对折光反射镜组成,所述折光透镜组由至少3块折光透镜组成,所述折光棱镜组由至少2块折光棱镜组成。
6.根据权利要求4所述的调焦调平装置,其特征在于,所述折光单元还包括平行平板,入射至折光单元的中间光束经过所述折光透镜组后入射至所述平行平板,其他光束均依次经过所述折光反射镜组、折光透镜组和折光棱镜组后与中间光束一起,经过所述中继透镜组后,所有光束被所述光电探测器所接收。
7.根据权利要求1所述的调焦调平装置,其特征在于,所述折光单元为楔板组,所述楔板组由长斜面对应放置的偶数块楔板构成。
8.根据权利要求7所述的调焦调平装置,其特征在于,所述楔板组中的第一块楔板中部和下半部的光束所经光路位置上有对应所述投影狭缝标记的小通孔,第二块楔板中部和上半部的光束所经光路位置上有对应所述投影狭缝标记的小通孔。
9.根据权利要求8所述的调焦调平装置,其特征在于,所述折光单元还包括平行平板,所述中间光束先经过所述第一块楔板和第二块楔板上的中部小通孔,再入射平行平板。
10. 根据权利要求1至9中任一所述的调焦调平装置,其特征在于,所述光电探测器为线阵CCD。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310747393.8A CN104749901B (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种调焦调平装置 |
SG11201605101PA SG11201605101PA (en) | 2013-12-31 | 2014-12-24 | Focusing leveling device |
PCT/CN2014/094771 WO2015101196A1 (zh) | 2013-12-31 | 2014-12-24 | 一种调焦调平装置 |
EP14876090.3A EP3091396B1 (en) | 2013-12-31 | 2014-12-24 | Focusing leveling device |
KR1020167020790A KR101823616B1 (ko) | 2013-12-31 | 2014-12-24 | 포커싱 레벨링 장치 |
JP2016543596A JP6383794B2 (ja) | 2013-12-31 | 2014-12-24 | 合焦レベリング装置 |
US15/108,886 US9857702B2 (en) | 2013-12-31 | 2014-12-24 | Focusing leveling device |
TW103146044A TWI553430B (zh) | 2013-12-31 | 2014-12-29 | A focusing leveling device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310747393.8A CN104749901B (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种调焦调平装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104749901A true CN104749901A (zh) | 2015-07-01 |
CN104749901B CN104749901B (zh) | 2017-08-29 |
Family
ID=53493194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310747393.8A Active CN104749901B (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种调焦调平装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9857702B2 (zh) |
EP (1) | EP3091396B1 (zh) |
JP (1) | JP6383794B2 (zh) |
KR (1) | KR101823616B1 (zh) |
CN (1) | CN104749901B (zh) |
SG (1) | SG11201605101PA (zh) |
TW (1) | TWI553430B (zh) |
WO (1) | WO2015101196A1 (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017206755A1 (zh) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 调焦调平测量装置及方法 |
CN109443210A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-08 | 苏州亿拓光电科技有限公司 | 光学位置检测装置和方法 |
CN110168712A (zh) * | 2017-02-02 | 2019-08-23 | 相生技术有限公司 | 用于半导体或显示系统领域的移送位置测量用试验模型及利用所述用于半导体或显示系统领域的移送位置测量用试验模型的精密移送测量方法 |
CN111061128A (zh) * | 2018-10-16 | 2020-04-24 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种调焦调平装置、光刻机及调焦调平的方法 |
CN112731773A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种电子束曝光机、调焦方法及装置 |
WO2024198067A1 (zh) * | 2023-03-28 | 2024-10-03 | 纳克微束(北京)有限公司 | 一种自动聚焦检测系统及方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108490742B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-09-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝光设备以及曝光方法 |
IL301550A (en) * | 2020-10-01 | 2023-05-01 | Asml Netherlands Bv | Test mechanism and method |
CN112649435B (zh) * | 2020-12-01 | 2023-07-07 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种焦面测量装置及缺陷检测设备 |
CN114415325B (zh) * | 2022-02-22 | 2023-11-03 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 调焦光学成像系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5414515A (en) * | 1990-02-23 | 1995-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting device |
CN1904737A (zh) * | 2005-02-03 | 2007-01-31 | Asml荷兰有限公司 | 图案形成装置和方法,判断位置的方法、测量设备和光刻装置 |
JP2008021830A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Nikon Corp | 計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
CN101950132A (zh) * | 2010-08-17 | 2011-01-19 | 中国科学院光电技术研究所 | 纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置 |
CN102207694A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 上海微电子装备有限公司 | 成像调整单元及应用其的调焦调平控制系统 |
CN103149608A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-06-12 | 中国科学院光电技术研究所 | 无标记深浮雕微透镜阵列与探测器的对准方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5429977A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Hitachi Ltd | Detection system for position |
JP2910327B2 (ja) * | 1991-05-31 | 1999-06-23 | キヤノン株式会社 | 面位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP3143514B2 (ja) * | 1992-04-01 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 面位置検出装置及びこれを有する露光装置 |
DE69329611T2 (de) * | 1992-08-19 | 2001-05-03 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur Registrierung mittels eines projizierenden optischen System, Belichtungsapparat zu dessen Durchführung und sowie Halbleiter-Herstellungsverfahren das diesen Belichtungsapparat verwendet |
KR100254253B1 (ko) | 1994-12-20 | 2000-05-01 | 유무성 | 스테이지 초점 및 수평조정장치 및 방법 |
JP3713354B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2005-11-09 | 株式会社トプコン | 位置測定装置 |
JP2001042223A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Nikon Corp | 高精度微調整機能を備えた光学装置 |
TW552464B (en) * | 2000-09-06 | 2003-09-11 | Accent Optical Tech Inc | A method of measuring parameters relating to a lithography device |
JP3780221B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-05-31 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
US7239371B2 (en) * | 2005-10-18 | 2007-07-03 | International Business Machines Corporation | Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems |
US8068211B2 (en) | 2007-07-06 | 2011-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
CN101169601B (zh) | 2007-11-21 | 2010-09-15 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平测量系统 |
CN100592214C (zh) | 2007-11-30 | 2010-02-24 | 北京理工大学 | 一种基于微透镜阵列调焦调平的装置与方法 |
CN101710291B (zh) | 2009-11-27 | 2012-12-12 | 中国科学院声学研究所 | 一种优化堆栈空间的寄存器分配方法 |
-
2013
- 2013-12-31 CN CN201310747393.8A patent/CN104749901B/zh active Active
-
2014
- 2014-12-24 JP JP2016543596A patent/JP6383794B2/ja active Active
- 2014-12-24 WO PCT/CN2014/094771 patent/WO2015101196A1/zh active Application Filing
- 2014-12-24 SG SG11201605101PA patent/SG11201605101PA/en unknown
- 2014-12-24 EP EP14876090.3A patent/EP3091396B1/en active Active
- 2014-12-24 US US15/108,886 patent/US9857702B2/en active Active
- 2014-12-24 KR KR1020167020790A patent/KR101823616B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-29 TW TW103146044A patent/TWI553430B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5414515A (en) * | 1990-02-23 | 1995-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting device |
CN1904737A (zh) * | 2005-02-03 | 2007-01-31 | Asml荷兰有限公司 | 图案形成装置和方法,判断位置的方法、测量设备和光刻装置 |
JP2008021830A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Nikon Corp | 計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
CN102207694A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 上海微电子装备有限公司 | 成像调整单元及应用其的调焦调平控制系统 |
CN101950132A (zh) * | 2010-08-17 | 2011-01-19 | 中国科学院光电技术研究所 | 纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置 |
CN103149608A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-06-12 | 中国科学院光电技术研究所 | 无标记深浮雕微透镜阵列与探测器的对准方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017206755A1 (zh) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 调焦调平测量装置及方法 |
US10656507B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-05-19 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Focusing and leveling measurement device and method |
CN110168712A (zh) * | 2017-02-02 | 2019-08-23 | 相生技术有限公司 | 用于半导体或显示系统领域的移送位置测量用试验模型及利用所述用于半导体或显示系统领域的移送位置测量用试验模型的精密移送测量方法 |
CN110168712B (zh) * | 2017-02-02 | 2023-05-12 | 相生技术有限公司 | 用于半导体或显示系统领域的移送位置测量用试验模型及精密移送测量方法 |
CN111061128A (zh) * | 2018-10-16 | 2020-04-24 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种调焦调平装置、光刻机及调焦调平的方法 |
CN109443210A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-08 | 苏州亿拓光电科技有限公司 | 光学位置检测装置和方法 |
CN112731773A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种电子束曝光机、调焦方法及装置 |
CN112731773B (zh) * | 2020-12-31 | 2024-04-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种电子束曝光机、调焦方法及装置 |
WO2024198067A1 (zh) * | 2023-03-28 | 2024-10-03 | 纳克微束(北京)有限公司 | 一种自动聚焦检测系统及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104749901B (zh) | 2017-08-29 |
TW201531820A (zh) | 2015-08-16 |
JP2017503205A (ja) | 2017-01-26 |
TWI553430B (zh) | 2016-10-11 |
WO2015101196A1 (zh) | 2015-07-09 |
EP3091396A4 (en) | 2017-02-22 |
JP6383794B2 (ja) | 2018-08-29 |
US20160327875A1 (en) | 2016-11-10 |
EP3091396B1 (en) | 2018-09-19 |
SG11201605101PA (en) | 2016-07-28 |
EP3091396A1 (en) | 2016-11-09 |
KR20160105473A (ko) | 2016-09-06 |
US9857702B2 (en) | 2018-01-02 |
KR101823616B1 (ko) | 2018-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104749901A (zh) | 一种调焦调平装置 | |
CN101276160B (zh) | 用于光刻机的调焦调平装置及测量方法 | |
US10107624B2 (en) | Geodetic surveying device with a microlens array | |
CN107765426B (zh) | 基于对称离焦双探测器的自聚焦激光扫描投影装置 | |
CN102087483B (zh) | 一种用于投影光刻中焦面检测的光学系统 | |
JPH0762614B2 (ja) | 光センサ | |
US20140160267A1 (en) | Image Pickup Apparatus | |
CN101482706A (zh) | 基于共焦测量技术的调焦调平装置 | |
CN102043352A (zh) | 调焦调平检测装置 | |
JP4884615B2 (ja) | 並列処理光学距離計 | |
CN109443210B (zh) | 光学位置检测装置和方法 | |
CN108318887B (zh) | 激光辅助双目测距系统 | |
CN102207694A (zh) | 成像调整单元及应用其的调焦调平控制系统 | |
CN111272083B (zh) | 一种离轴抛物面镜离轴量的测量装置及测量方法 | |
CN103838088A (zh) | 一种调焦调平装置及调焦调平方法 | |
CN102096337B (zh) | 一种用于投影光刻中球面或曲面的偏心及焦面位置的检测装置 | |
CN109375330B (zh) | 一种光纤阵列与蝇眼透镜的对准系统及方法 | |
TWI658289B (zh) | 調焦調平裝置 | |
KR101911425B1 (ko) | 오토콜리메이터 | |
CN113639665B (zh) | 基于漂移量反馈的高稳定性纳弧度量级角度测量方法与装置 | |
CN105807571B (zh) | 一种光刻机用调焦调平系统及其调焦调平方法 | |
CN112629680B (zh) | 基于夏克-哈特曼波前传感的航空相机检焦装置及方法 | |
CN106814547B (zh) | 一种测校装置及测校方法 | |
CN104460248A (zh) | 对准装置 | |
CN110487516B (zh) | 用于平行光管检焦的角锥自准直扫描装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 201203 Shanghai Zhangjiang High Tech Park of Pudong New Area Zhang Road No. 1525 Patentee after: Shanghai microelectronics equipment (Group) Limited by Share Ltd Address before: 201203 Shanghai Zhangjiang High Tech Park of Pudong New Area Zhang Road No. 1525 Patentee before: Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |