CN104733554A - 底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池,首先在金属电极表面采用磁控溅射沉积方式沉积周期性金属纳米颗粒，然后再沉积一层硅基薄膜，从而形成底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池。当太阳光入射至该结构并穿透硅基薄膜到达底部的金属纳米颗粒处，会激励出局域表面等离子体激元。局域表面等离子体激元的近场增强效应和光汇聚作用可以有效地增强硅基薄膜的光吸收能力，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明所设计的太阳能电池结构具有结构紧凑、光电转换效率高的特点。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池应用技术领域，尤其涉及一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是利用半导体材料的光生伏特效应将太阳能转化为直流电能的光电器件，它通常也被称为光伏电池，太阳能电池单元是大面积光伏应用设施的基础。据国际能源组织估计，2012年世界光伏生产总量已经超过40千兆瓦(GW),预计到2050年，光伏电池的发电量将会占到全球发电量的11％从而使得二氧化碳的全球排放量每年降低2.3亿吨(Gt)。目前，用来发电的半导体材料主要有：单晶硅、多晶硅、非晶硅、碲化镉、多元化合物、有机半导体、氧化钛纳米晶、敏化染料等等。
由太阳能电池的工作原理可知，任何一种衬底材料的极限光电转换效率是考虑了自身本征特性(能带间隙)之后的理想效果，为了趋近其极限转换效率，应该做到以下两个方面：一方面是减少电学损失，即选择合适的衬底材料，采用高质量的制造技术(如低缺陷、低光生载流子的复合)和精细的器件结构设计(有利于光生载流子的产生、分离与收集)；另一方面是充分吸收太阳光谱中的能量，即充分利用每一个光子的能量，要求电池表面无反射损失及采用理想的陷光技术以达到最大光吸收。虽然砷化镓(GaAs)材料的吸收谱与太阳光谱(300nm～900nm)最匹配的，基于GaAs的单接面太阳能电池的极限光电转换效率最高，但考虑到它的毒性及加工技术的复杂性，一般将单晶硅、非晶硅等硅基材料作为研究的重点。
太阳能电池的成本、材料毒性、转换效率及应用波段等制约了其大规模推广。近年来提出的硅基薄膜太阳能电池是只有几百纳米厚度的半导体材料，它可以降低成本、减少原料消耗，便于大规模推广。但由硅材料的本征吸收特性可知，单晶硅在600nm～1100nm波段的吸收率较低(文献1，Harry A.Atwaterand Albert Polman，表面等离子体激元增强光伏电池，自然材料，9(205)，2010)，其光电转换效率只有约10％。
发明内容
本发明的目的在于提供一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，能够解决传统的太阳能电池光电转换效率较低的问题。
为解决上述问题，本发明提供一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，包括：
金属电极；
硅基薄膜，形成在所述金属电极表面；
周期性金属纳米颗粒，形成在所述金属电极和硅基薄膜的交界面。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述硅基薄膜的材料为单晶Si。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述硅基薄膜的厚度为100nm～500nm。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述金属电极的材料为Cu、Ag或Au。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述周期性金属纳米颗粒的周期为正方形。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述周期性金属纳米颗粒的周期长度为200nm～400nm。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述周期性金属纳米颗粒的材料为Cu、Ag或Au。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述周期性金属纳米颗粒的形状为圆柱体、半球体或圆球体。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述周期性金属纳米颗粒的直径为80nm～300nm。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述周期性金属纳米颗粒的高度为20nm～60nm。
进一步的，在上述底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池中，所述周期性金属纳米颗粒和硅基薄膜的形成方法为磁控溅射沉积方式。
与现有技术相比，本发明在太阳能电池中引入金属纳米颗粒结构，将金属纳米颗粒所激励的局域表面等离子体激元效应与太阳能电池的光电效应相结合，设计出一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池。当太阳光入射至该结构并穿透硅基薄膜到达底部的金属纳米颗粒处，会激励出局域表面等离子体激元(LSP)。局域表面等离子体激元的近场增强效应和光汇聚作用可以有效地增强硅基薄膜的光吸收能力，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明具有结构紧凑、光电转换效率高的特点。
附图说明
图1为本发明一实施例的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池在一个正方形周期内的立体图；
图2为本发明一实施例的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池在一个正方形周期内的侧面剖视图；
图3为本发明一实施例的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池和底部无金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池的等效光谱功率图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1和2所示，本发明提供一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，包括：
金属电极12；
硅基薄膜11，形成在所述金属电极表面；
周期性金属纳米颗粒13，形成在所述金属电极12和硅基薄膜11的交界面。在此，本实施例中，可首先在金属电极12表面采用磁控溅射沉积方式沉积周期性金属纳米颗粒13，然后再沉积一层硅基薄膜11，从而形成底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池。
本发明一优选的实施例中，所述硅基薄膜11的材料为单晶Si。
本发明一优选的实施例中，所述硅基薄膜11的厚度为100nm～500nm。
本发明一优选的实施例中，所述金属电极12的材料为Cu、Ag或Au。
本发明一优选的实施例中，所述周期性金属纳米颗粒13的周期为正方形。图1所示为本发明一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池在一个正方形周期内的立体图。图2为本发明一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池在一个正方形周期内的侧面剖视图。
本发明一优选的实施例中，所述周期性金属纳米颗粒13的周期长度为200nm～400nm。
本发明一优选的实施例中，所述周期性金属纳米颗粒13的材料为Cu、Ag或Au。
本发明一优选的实施例中，所述周期性金属纳米颗粒13的形状为圆柱体、半球体或圆球体。
本发明一优选的实施例中，所述周期性金属纳米颗粒13的直径为80nm～300nm。
本发明一优选的实施例中，所述周期性金属纳米颗粒13的高度为20nm～60nm。
本发明一优选的实施例中，所述周期性金属纳米颗粒13和硅基薄膜11的形成方法为磁控溅射沉积方式。
在本发明一具体应用的实施例中，可选用厚度为200nm的金属银(Ag)作为金属薄膜材料，采用磁控溅射沉积方式在金属薄膜上制备具有正方形周期(周期长度为300nm)的金属银(Ag)纳米颗粒(颗粒为圆柱体，直径180nm，高度40nm)。然后在该结构上采用磁控溅射沉积方式沉积一层厚度为100nm的单晶硅(Si)硅基薄膜，从而形成底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池。基于上述材料及结构参数的一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池的等效光谱功率由图3给出。在图3中同时给出了底部无金属纳米颗粒结构，厚度为100nm的单晶硅(Si)的硅基薄膜太阳能电池的等效光谱功率。两条等效光谱功率曲线已经与AM 1.5的太阳辐射照度作了归一化处理。计算得到光汇聚因子即光吸收率提高了20.1％。
综上所述，本发明在太阳能电池中引入金属纳米颗粒结构，将金属纳米颗粒所激励的局域表面等离子体激元效应与太阳能电池的光电效应相结合，设计出一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池。当太阳光入射至该结构并穿透硅基薄膜到达底部的金属纳米颗粒处，会激励出局域表面等离子体激元(LSP)。局域表面等离子体激元的近场增强效应和光汇聚作用可以有效地增强硅基薄膜的光吸收能力，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明具有结构紧凑、光电转换效率高的特点。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，包括：
金属电极；
硅基薄膜，形成在所述金属电极表面；
周期性金属纳米颗粒，形成在所述金属电极和硅基薄膜的交界面。
2.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述硅基薄膜的材料为单晶Si。
3.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述硅基薄膜的厚度为100nm～500nm。
4.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述金属电极的材料为Cu、Ag或Au。
5.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述周期性金属纳米颗粒的周期为正方形。
6.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述周期性金属纳米颗粒的周期长度为200nm～400nm。
7.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述周期性金属纳米颗粒的材料为Cu、Ag或Au。
8.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述周期性金属纳米颗粒的形状为圆柱体、半球体或圆球体。
9.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述周期性金属纳米颗粒的直径为80nm～300nm。
10.如权利要求1所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述周期性金属纳米颗粒的高度为20nm～60nm。
11.如权利要求1至10任一项所述的底部具有金属纳米颗粒结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述周期性金属纳米颗粒和硅基薄膜的形成方法为磁控溅射沉积方式。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106057955A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-10-26 | 北京理工大学 | 一种增强量子效率的PtSi红外探测器及其制备方法 |
| CN106098802A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-09 | 北京理工大学 | 一种局域表面等离子增强的PtSi红外探测器及其制备方法 |
| CN106129185A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-11-16 | 常州天合光能有限公司 | 激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法 |
| CN107302034A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-10-27 | 南开大学 | 一种表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池 |
| CN107302038A (zh) * | 2017-03-23 | 2017-10-27 | 南开大学 | 一种实现表面等离子激元增强型纳米结构薄膜太阳电池的方法 |
| CN107846833A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-03-27 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种光吸收结构 |
| CN110491951A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-11-22 | 嘉兴学院 | 一种提高薄膜太阳能电池转化效率的双层金属超材料 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110068508A (ko) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | 이화여자대학교 산학협력단 | 투명 도전 산화물층/금속 박막 구조를 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| CN102315290A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-01-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种全光谱吸收增强的氢化非晶硅薄膜太阳能电池 |
| JP2012164980A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光電変換装置とその製造方法 |
| CN202434536U (zh) * | 2011-12-15 | 2012-09-12 | 东南大学 | 一种利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器 |
| CN102947952A (zh) * | 2010-06-23 | 2013-02-27 | 吉坤日矿日石能源株式会社 | 光电转换元件 |
| CN103000709A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-03-27 | 北京大学深圳研究生院 | 背电极、背电极吸收层复合结构及太阳能电池 |
| CN103035755A (zh) * | 2012-10-18 | 2013-04-10 | 詹兴华 | 全息太阳能光伏电池及其制造方法 |
| CN103337544A (zh) * | 2013-07-04 | 2013-10-02 | 江苏大学 | 一种高效薄膜太阳能光伏板的设计方法 |
-
2015
- 2015-04-10 CN CN201510171092.4A patent/CN104733554A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110068508A (ko) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | 이화여자대학교 산학협력단 | 투명 도전 산화물층/금속 박막 구조를 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| CN102947952A (zh) * | 2010-06-23 | 2013-02-27 | 吉坤日矿日石能源株式会社 | 光电转换元件 |
| JP2012164980A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光電変換装置とその製造方法 |
| CN102315290A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-01-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种全光谱吸收增强的氢化非晶硅薄膜太阳能电池 |
| CN202434536U (zh) * | 2011-12-15 | 2012-09-12 | 东南大学 | 一种利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器 |
| CN103035755A (zh) * | 2012-10-18 | 2013-04-10 | 詹兴华 | 全息太阳能光伏电池及其制造方法 |
| CN103000709A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-03-27 | 北京大学深圳研究生院 | 背电极、背电极吸收层复合结构及太阳能电池 |
| CN103337544A (zh) * | 2013-07-04 | 2013-10-02 | 江苏大学 | 一种高效薄膜太阳能光伏板的设计方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106057955A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-10-26 | 北京理工大学 | 一种增强量子效率的PtSi红外探测器及其制备方法 |
| CN106098802A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-09 | 北京理工大学 | 一种局域表面等离子增强的PtSi红外探测器及其制备方法 |
| CN106129185A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-11-16 | 常州天合光能有限公司 | 激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法 |
| CN107302034A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-10-27 | 南开大学 | 一种表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池 |
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