CN104730785A - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示面板及其制造方法。液晶显示面板包括相对而置的彩膜基板和阵列基板，填充于两者之间的液晶层；所述液晶层包括在垂直电场作用下可扭转的液晶；所述彩膜基板包括第一衬底基板，多个像素和公共电极；所述多个像素呈阵列状排列在所述第一衬底基板与阵列基板相对的表面，所述公共电极覆盖所述像素和像素之间的间隔；所述阵列基板包括与像素一一相对设置的像素电极和设置在所述像素电极之间的间隔处的遮蔽电极，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值。制造方法是上述液晶显示面板的制造方法。本发明的液晶显示面板及其制造方法，解决了液晶显示面板的液晶交错区域的宽度较大的技术问题。

Description

液晶显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种液晶显示面板及其制造方法。

背景技术

现有的多畴液晶显示面板，如图1所示，包括相对而置的彩膜基板10和阵列基板20，填充于两者之间的负性液晶30，负性液晶分子具有所需的预倾角。彩膜基板包括第一玻璃基板11，形成于之上的网格状黑矩阵，形成于每一个网格内的像素及覆盖像素和黑矩阵的公共电极12。阵列基板20包括第二玻璃基板21，形成于之上的与像素一一相对设置的像素电极22。相对像素电极和公共电极之间形成垂直电场，负性液晶在垂直电场作用下，负性液晶分子会发生扭转；如图1所示，位于像素电极22之间间隔和像素之间间隔之间的负性液晶由于受到垂直电场的影响，在像素电极之间间隔和像素之间间隔之间的负性液晶呈现无序排列，形成较宽的液晶交错区域，导致液晶显示面板的透过率不高。上述缺陷同样存在于单畴的液晶显示模式中。

发明内容

本发明提供了一种液晶显示面板及其制造方法，与现有技术相比，解决了液晶交错区域的宽度较大的技术问题。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种液晶显示面板，包括相对而置的彩膜基板和阵列基板，填充于两者之间的液晶层；所述液晶层包括在垂直电场作用下可扭转的液晶；

所述彩膜基板包括第一衬底基板，多个像素和公共电极；所述多个像素呈阵列状排列在所述第一衬底基板与阵列基板相对的表面，所述公共电极覆盖所述像素和像素之间的间隔；

所述阵列基板包括与像素一一相对设置的像素电极和设置在所述像素电极之间的间隔处的遮蔽电极，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值。

优选的，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值不超过像素电极与公共电极电势差的绝对值的20％。

优选的，所述遮蔽电极与公共电极电连接。

优选的，所述遮蔽电极是金属电极。

优选的，所述液晶层还包括网格结构，所述网格结构的格条形成在第一间隔和第二间隔之间，所述网格结构用于固定其内的液晶分子；其中，所述第一间隔是像素之间的间隔，所述第二间隔是像素电极之间的间隔。

优选的，所述网格结构是固化的高分子光敏材料形成的网格结构。

本发明还提供以下技术方案：

一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：

在第一衬底基板的第一板面形成多个呈阵列状排列的像素；

形成覆盖所述像素和像素之间间隔的公共电极，形成彩膜基板；

在第二衬底基板的第一板面形成与所述像素一一对应的像素电极；

在像素电极之间的间隔处形成遮蔽电极，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值，形成阵列基板；

对盒所述彩膜基板和阵列基板使像素和与之一一对应的像素电极相对设置，在所述彩膜基板和阵列基板之间填充液晶层，所述液晶层包括在垂直电场作用下可扭转的液晶。

优选的，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值的具体包括如下步骤：

将所述遮蔽电极与公共电极电连接。

优选的，在像素电极之间的间隔处形成遮蔽电极的步骤中，遮蔽电极是金属溅射形成的。

优选的，所述液晶层还包括高分子光敏材料，所述液晶层是在垂直电场作用下可扭转的液晶和高分子光敏材料的混合体；

所述制造方法还包括如下步骤：

在彩膜基板的外侧设置第一掩膜版使像素之间的间隔与第一掩膜版的曝光孔正对；

在阵列基板的外侧设置第二掩膜版使像素电极之间的间隔与第二掩膜版的曝光孔正对；

采用紫外光对第一掩膜版和第二掩膜版进行曝光，将液晶层中的高分子光敏材料固化，形成网格结构。

本发明提供的液晶显示面板及其制造方法，液晶显示面板相对设置的阵列基板的像素电极和彩膜基板的公共电极之间形成垂直电场，液晶在垂直电场作用下，液晶分子会发生扭转；由于屏蔽电极和公共电极相对设置且两者电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值，这样，屏蔽电极和公共电极之间形成屏蔽电场，减小了像素电极与公共电极形成的垂直电场对位于屏蔽电极和公共电极之间的液晶的影响，屏蔽电极和公共电极之间的液晶分子偏离其所需的预倾角的程度越小，降低屏蔽电极和公共电极之间的液晶的无序排列，进而因无序排列导致的液晶交错区域的宽度变小，液晶显示面板的透过率提高。

附图说明

图1为现有的多畴液晶显示面板的液晶形成交错区域的示意图；

图2为本发明的一个实施例的液晶显示面板的示意图；

图3为图2所示液晶显示面板的液晶形成交错区域的示意图；

图4为图2所示液晶显示面板的制造方法的流程图；

图5为本发明的另一个实施例的液晶显示面板的示意图；

图6为图5所示液晶显示面板的液晶形成交错区域的示意图；

图7为图5所示液晶显示面板的制造方法中固化高分子光敏材料的示意图。

主要元件附图标记说明：

背景技术中：

10彩膜基板，11第一玻璃基板，12公共电极，

20阵列基板，21第二玻璃基板，22像素电极，30负性液晶；

本发明中：

100彩膜基板，110第一衬底基板，120公共电极，

200阵列基板，210第二衬底基板，220像素电极，230遮蔽电极，

310负性液晶，321格条。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

本发明的第一个实施例的液晶显示面板，其液晶显示模式是多畴液晶显示模式，如图2和图3所示，包括相对而置的彩膜基板100和阵列基板200，填充于两者之间的液晶层；所述液晶层包括负性液晶310；

所述彩膜基板100包括第一衬底基板110，多个像素和公共电极120；所述多个像素呈阵列状排列在所述第一衬底基板与阵列基板相对的表面，所述公共电极覆盖所述像素和像素之间的间隔；

所述阵列基板200包括第二衬底基板210，所述第二衬底基板与彩膜基板相对的表面设置有与像素一一相对设置的像素电极220和设置在所述像素电极之间的间隔处的遮蔽电极230，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值。

本实施例的液晶显示面板，相对设置的阵列基板的像素电极和彩膜基板的公共电极之间形成垂直电场，负性液晶在垂直电场作用下，负性液晶分子会发生扭转；由于屏蔽电极和公共电极相对设置且两者电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值，这样，屏蔽电极和公共电极之间形成屏蔽电场，减小了像素电极与公共电极形成的垂直电场对位于屏蔽电极和公共电极之间的负性液晶的影响，屏蔽电极和公共电极之间的负性液晶分子偏离其所需的预倾角的程度越小，降低屏蔽电极和公共电极之间的负性液晶的无序排列，进而因无序排列导致的液晶交错区域的宽度变小，液晶显示面板的透过率提高。

本实施例的液晶显示面板的制造方法，如图4所示，包括如下步骤：

在第一衬底基板的第一板面形成多个呈阵列状排列的像素；

形成覆盖所述像素和像素之间间隔的公共电极，形成彩膜基板；

在第二衬底基板的第一板面形成与所述像素一一对应的像素电极；

在像素电极之间的间隔处形成遮蔽电极，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值，形成阵列基板；

对盒所述彩膜基板和阵列基板使像素和与之一一对应的像素电极相对设置，在所述彩膜基板和阵列基板之间填充液晶层，所述液晶层包括负性液晶。

通过上述液晶显示面板的制造方法制造出的液晶显示面板，屏蔽电极和公共电极之间形成屏蔽电场，减小了像素电极与公共电极形成的垂直电场对位于屏蔽电极和公共电极之间的负性液晶的影响，降低屏蔽电极和公共电极之间的负性液晶的无序排列，进而因无序排列导致的液晶交错区域的宽度变小，液晶显示面板的透过率提高。

需要说明的是，负性液晶只是在垂直电场作用下可扭转的液晶的一种，仅用于举例说明，只要是在垂直电场作用下可扭转的液晶都适用于本发明。

需要说明的是，上述液晶显示面板同样可以适用于单畴液晶显示模式的液晶显示面板。

需要说明的是，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值越小越好。所述遮蔽电极与公共电极电势差越小，像素电极与公共电极形成的垂直电场对位于屏蔽电极和公共电极之间的液晶的影响越小，屏蔽电极和公共电极之间的液晶的无序排列越低，液晶交错区域的宽度越小，液晶显示面板的透过率提高的越多。作为一种可选的方式，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值不超过像素电极与公共电极电势差的绝对值的20％。

作为一种优选的方式，所述遮蔽电极与公共电极电连接。这样，所述遮蔽电极与公共电极的电势差基本是最小的。

作为一种可选的方式，遮蔽电极可以是金属电极，还可以是金属氧化物电极，上述两种材料的遮蔽电极仅用于举例，只要是导电性能符合要求的材料均可作为遮蔽电极的材料。当遮蔽电极是金属电极时，可以采用金属溅射的方式形成，这样的金属电极的宽度可以控制的精确。

进一步的，为了防止有光线穿过液晶交错区域从彩膜基板的像素之间漏光，液晶显示面板还可以包括形成于所述第一衬底基板与阵列基板相对的表面的网格状黑矩阵，每个网格内形成一个所述像素，所述公共电极覆盖所述像素和黑矩阵。由于液晶交错区域变小了，用于防止有光线穿过液晶交错区域从彩膜基板的像素之间漏光的黑矩阵的宽度也相应的变小了，增加了液晶显示面板的开口率。

为了实现所述遮蔽电极与公共电极电连接，在制造方法中，还需要包括如下步骤：

将所述遮蔽电极与公共电极电连接。

实施例二

本发明的第二个实施例的彩膜基板，在第一个实施例的基础上，如图5和图6所示，所述液晶层还包括网格结构，所述网格结构的格条321形成在第一间隔和第二间隔之间，所述网格结构用于固定其内的液晶分子；其中，所述第一间隔是相邻像素之间的间隔，所述第二间隔是相邻像素电极之间的间隔。

本实施例的第一间隔和第二间隔之间的负性液晶分子固定在网格结构内，进一步减小了像素电极与公共电极形成的垂直电场对位于第一间隔和第二间隔之间即位于屏蔽电极和公共电极之间的负性液晶的影响，进一步降低了屏蔽电极和公共电极之间的负性液晶的无序排列，进而因无序排列导致的液晶交错区域的宽度变得更小，液晶显示面板的透过率进一步提高。

本实施例的液晶显示面板的制造方法，其与第一个实施例液晶显示面板的制造方法的区别在于：

在所述彩膜基板和阵列基板之间填充液晶层时，所述液晶层包括负性液晶和高分子光敏材料的混合体；

本实施例的液晶显示面板的制造方法，还包括如下步骤：

在彩膜基板的外侧设置第一掩膜版使像素之间的间隔与第一掩膜版的曝光孔正对；

在阵列基板的外侧设置第二掩膜版使像素电极之间的间隔与第二掩膜版的曝光孔正对；

如图7所示，采用紫外光对第一掩膜版和第二掩膜版进行曝光，将液晶层中的高分子光敏材料固化，形成网格结构，即所述网格结构是固化的高分子光敏材料形成的网格结构；其中，像素之间的间隔是第一间隔；像素电极之间的间隔是第二间隔。

这样，在曝光过程中，第一间隔和第二间隔之间的高分子光敏材料固化形成网格结构，将位于第一间隔和第二间隔之间的负性液晶分子固定在网格结构内。通过曝光将第一间隔和第二间隔之间的高分子光敏材料固化形成网格结构，对不需要进行曝光的高分子光敏材料进行遮盖。这样，网格结构的制造工艺简单，易于操作，对液晶面板的其他元件没有影响。

需要说明的是，采用上述制造方法制造网格结构只是一种优选的方式，只要是能制造出网格结构即可。如可以是液晶层包括负性液晶和热敏材料的混合体，通过将第一间隔和第二间隔之间的热敏材料热固化也可以形成网格结构。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括相对而置的彩膜基板和阵列基板，填充于两者之间的液晶层；所述液晶层包括在垂直电场作用下可扭转的液晶；

所述彩膜基板包括第一衬底基板，多个像素和公共电极；所述多个像素呈阵列状排列在所述第一衬底基板与阵列基板相对的表面，所述公共电极覆盖所述像素和像素之间的间隔；

所述阵列基板包括与像素一一相对设置的像素电极和设置在所述像素电极之间的间隔处的遮蔽电极，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值。

2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值不超过像素电极与公共电极电势差的绝对值的20％。

3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮蔽电极与公共电极电连接。

4.根据权利要求1或2或3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮蔽电极是金属电极。

5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶层还包括网格结构，所述网格结构的格条形成在第一间隔和第二间隔之间，所述网格结构用于固定其内的液晶分子；其中，所述第一间隔是像素之间的间隔，所述第二间隔是像素电极之间的间隔。

6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述网格结构是固化的高分子光敏材料形成的网格结构。

7.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在第一衬底基板的第一板面形成多个呈阵列状排列的像素；

形成覆盖所述像素和像素之间间隔的公共电极，形成彩膜基板；

在第二衬底基板的第一板面形成与所述像素一一对应的像素电极；

在像素电极之间的间隔处形成遮蔽电极，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值，形成阵列基板；

对盒所述彩膜基板和阵列基板使像素和与之一一对应的像素电极相对设置，在所述彩膜基板和阵列基板之间填充液晶层，所述液晶层包括在垂直电场作用下可扭转的液晶。

8.根据权利要求7所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值的具体包括如下步骤：

将所述遮蔽电极与公共电极电连接。

9.根据权利要求7或8所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，在像素电极之间的间隔处形成遮蔽电极的步骤中，遮蔽电极是金属溅射形成的。

10.根据权利要求9所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述液晶层还包括高分子光敏材料，所述液晶层是在垂直电场作用下可扭转的液晶和高分子光敏材料的混合体；

所述制造方法还包括如下步骤：

在彩膜基板的外侧设置第一掩膜版使像素之间的间隔与第一掩膜版的曝光孔正对；

在阵列基板的外侧设置第二掩膜版使像素电极之间的间隔与第二掩膜版的曝光孔正对；

采用紫外光对第一掩膜版和第二掩膜版进行曝光，将液晶层中的高分子光敏材料固化，形成网格结构。