CN104714594A - 一种带隙基准的启动电路 - Google Patents

一种带隙基准的启动电路 Download PDF

Info

Publication number
CN104714594A
CN104714594A CN201510142050.8A CN201510142050A CN104714594A CN 104714594 A CN104714594 A CN 104714594A CN 201510142050 A CN201510142050 A CN 201510142050A CN 104714594 A CN104714594 A CN 104714594A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor
oxide
metal
band
electric capacity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510142050.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104714594B (zh
Inventor
成俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Sinochip Semiconductors Co Ltd
Original Assignee
Xian Sinochip Semiconductors Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Sinochip Semiconductors Co Ltd filed Critical Xian Sinochip Semiconductors Co Ltd
Priority to CN201510142050.8A priority Critical patent/CN104714594B/zh
Publication of CN104714594A publication Critical patent/CN104714594A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104714594B publication Critical patent/CN104714594B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明涉及一种带隙基准的启动电路，电阻R1、电容C1和电容C2的一端均接地，MOS管M7的栅端与源端连接后接地，电阻R1的另一端、MOS管M4的漏端和MOS管M5的栅端连接于d点，MOS管M5的漏端、MOS管M6的栅端、电容C1的另一端以及MOS管M7的漏端连接于e点，MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的源端均与VDD电源连接，MOS管M4的栅端接VDD电源，MOS管M6的漏端以及电容C2的另一端均与带隙基准连接。本发明解决了现有的带隙基准的启动电路始终存在一个静态功耗、版图面积大的技术问题。当带隙基准启动完成后，本发明启动电路没有静态电流，节省了功耗。

Description

一种带隙基准的启动电路
技术领域
本发明涉及一种带隙基准的启动电路。
背景技术
如图1所示，带隙基准的启动电路由电阻R1和R2，MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和一个反相器组成。当带隙基准没有启动时，带隙基准中某个偏置电流管的栅极电压I_feedback镜像给M1的电流为零，a点被电阻R1拉高，a点为高电平，所以M2导通。M2导通后把b点拉为低电平，b点经过反相器后，c点为高电平，所以M3导通。M3从带隙基准拉电流，使带隙基准摆脱初始态并启动。带隙基准启动后，I_feedback镜像给M1电流，M1管导通并把a点拉低，a点拉低后M2关断，b点被R2冲高，经过反相器后c点为底，M3关断，这样在带隙基准启动完成后，启动电路对带隙基准没有影响。但是因为MOS管M1导通，所以一直有一个电流流过M1，启动电路存在功耗。为了减小这个电流，降低功耗，现有的做法就是增大电阻R1的阻值。虽然通过增大电阻R1的阻值可以减小启动电路的静态功耗，但是还存在以下缺点：
1、启动电路依然存在一个静态功耗；
2、启动电阻R1的阻值较大，占用较多版图layout面积。
发明内容
为了解决现有的带隙基准的启动电路始终存在一个静态功耗、版图面积大的技术问题，本发明提供一种没有静态电流的带隙基准的启动电路。
本发明的技术解决方案：
一种带隙基准的启动电路，其特殊之处在于：包括MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、电阻R1、电容C1和电容C2，所述电阻R1、电容C1和电容C2的一端均接地，所述MOS管M7的栅端与源端连接后接地，所述电阻R1的另一端、MOS管M4的漏端和MOS管M5的栅端连接于d点，所述MOS管M5的漏端、MOS管M6的栅端、电容C1的另一端以及MOS管M7的漏端连接于e点，所述的MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的源端均与VDD电源连接，所述MOS管M4的栅端接VDD电源，所述MOS管M6的漏端以及电容C2的另一端均与带隙基准连接，所述MOS管M5的宽长比小于MOS管M6的宽长比。
上述电容C1和/或电容C2采用MOS管电容。
MOS管M6的宽长比是MOS管M5的宽长比的50-300倍。
上述MOS管M5的宽长比为0.6u/300u，所述MOS管M6的宽长比为2u/6u。
一种带隙基准的启动电路，其特殊之处在于：包括MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M0、电容C3和电容C4，所述MOS管M0的源端、电容C3和电容C4的一端均接地，所述MOS管M11的栅端与源端连接后接地，所述MOS管M8的漏端、MOS管M9的栅端和MOS管M0的漏端连接于f点，所述MOS管M9的漏端、MOS管M10的栅端、电容C3的另一端以及MOS管M11的漏端连接于g点，所述的MOS管M8、MOS管M9和MOS管M10的源端均与VDD电源连接，所述MOS管M8的栅端接VDD电源，所述MOS管M10的漏端以及电容C4的另一端均与带隙基准连接，所述MOS管M0的栅端接带隙基准中偏执电流管的栅极电压I_feedback，所述MOS管M9的宽长比小于MOS管M10的宽长比。
上述电容C3和/或电容C4采用MOS管电容。
MOS管M10的宽长比是MOS管M9的宽长比的50-300倍。
上述MOS管M9的宽长比为0.6u/300u，所述MOS管M10的宽长比为2u/6u。
本发明所具有的优点：
1、当带隙基准启动完成后，本发明启动电路没有静态电流，节省了功耗。
2、本发明启动电路中没有大阻值的电阻，节省了版图面积。
附图说明
图1为典型的带隙基准的启动电路示意图；
图2为本发明的一种启动电路结构图；
图3为本发明的另一种启动电路结构图。
具体实施方式
本发明的带隙基准启动电路见图2。在VDD没有启动时，VDD、d点和e点都为低电平，M5和M6都是关断状态。在VDD从0到VDD启动的过程中，M5和M6会慢慢导通。在电路设计时，M5是一个宽长比非常小的管子,比如0.6u/300u；因为M5的宽长比非常小，所以在VDD上升过程中，M5对e点的充电非常缓慢，e点保持低电平，M6在这个过程中会导通。M6的宽长比相对较大，比如2u/6u；当然也可以选择其他值，这个根据设计需要决定。M6导通后，通过VS1对带隙基准冲电流，使其摆脱简并态并启动。带隙基准启动完成后，VDD也保持在恒定的高电平，d点通过R3拉为低电平，M5导通，在较长过程中把e点缓慢冲为高电平，这样M6关断。M6关断后，不对带隙基准起作用，启动完成。图3是本发明的另一种实现形式。VDD没有启动时，VDD、f点和g点都为低电平，M9和M10都是关断状态。在VDD从0到VDD启动的过程中，M9和M10会慢慢导通。在电路设计时，M9是一个宽长比非常小的管子,比如0.6u/300u；因为M9的宽长比非常小，所以在VDD上升过程中，M9对g点的充电非常缓慢，g点保持低电平，M10在这个过程中会导通。M10的宽长比相对较大，比如2u/6u；M10导通后，通过VS1对带隙基准充电流，使其摆脱简并态并启动。带隙基准启动完成后，VDD保持在恒定的高电平，带隙基准通过I_feedback镜像电流给M0，M0有电流流过，把f点拉为低电平，M9导通，在较长过程中把g点缓慢冲为高电平，这样M10关断。M10关断后，不对带隙基准起作用，启动完成。

Claims (8)

1.一种带隙基准的启动电路，其特征在于：包括MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、电阻R1、电容C1和电容C2，所述电阻R1、电容C1和电容C2的一端均接地，所述MOS管M7的栅端与源端连接后接地，所述电阻R1的另一端、MOS管M4的漏端和MOS管M5的栅端连接于d点，所述MOS管M5的漏端、MOS管M6的栅端、电容C1的另一端以及MOS管M7的漏端连接于e点，所述的MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的源端均与VDD电源连接，所述MOS管M4的栅端接VDD电源，所述MOS管M6的漏端以及电容C2的另一端均与带隙基准连接，所述MOS管M5的宽长比小于MOS管M6的宽长比。
2.根据权利要求1所述的带隙基准的启动电路，其特征在于：所述电容C1和/或电容C2采用MOS管电容。
3.根据权利要求1或2所述的带隙基准的启动电路，其特征在于：MOS管M6的宽长比是MOS管M5的宽长比的50-300倍。
4.根据权利要求3所述的带隙基准的启动电路，其特征在于：所述MOS管M5的宽长比为0.6u/300u，所述MOS管M6的宽长比为2u/6u。
5.一种带隙基准的启动电路，其特征在于：包括MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M0、电容C3和电容C4，所述MOS管M0的源端、电容C3和电容C4的一端均接地，所述MOS管M11的栅端与源端连接后接地，所述MOS管M8的漏端、MOS管M9的栅端和MOS管M0的漏端连接于f点，所述MOS管M9的漏端、MOS管M10的栅端、电容C3的另一端以及MOS管M11的漏端连接于g点，所述的MOS管M8、MOS管M9和MOS管M10的源端均与VDD电源连接，所述MOS管M8的栅端接VDD电源，所述MOS管M10的漏端以及电容C4的另一端均与带隙基准连接，所述MOS管M0的栅端接带隙基准中偏执电流管的栅极电压I_feedback，所述MOS管M9的宽长比小于MOS管M10的宽长比。
6.根据权利要求5所述的带隙基准的启动电路，其特征在于：所述电容C3和/或电容C4采用MOS管电容。
7.根据权利要求5或6所述的带隙基准的启动电路，其特征在于：MOS管M10的宽长比是MOS管M9的宽长比的50-300倍。
8.根据权利要求7所述的带隙基准的启动电路，其特征在于：所述MOS管M9的宽长比为0.6u/300u，所述MOS管M10的宽长比为2u/6u。
CN201510142050.8A 2015-03-27 2015-03-27 一种带隙基准的启动电路 Active CN104714594B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510142050.8A CN104714594B (zh) 2015-03-27 2015-03-27 一种带隙基准的启动电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510142050.8A CN104714594B (zh) 2015-03-27 2015-03-27 一种带隙基准的启动电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104714594A true CN104714594A (zh) 2015-06-17
CN104714594B CN104714594B (zh) 2016-03-23

Family

ID=53414011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510142050.8A Active CN104714594B (zh) 2015-03-27 2015-03-27 一种带隙基准的启动电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104714594B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105912060A (zh) * 2016-05-31 2016-08-31 杭州旗捷科技有限公司 一种墨盒芯片
CN106647910A (zh) * 2016-12-23 2017-05-10 长沙景美集成电路设计有限公司 一种用于超低功耗基准源的启动电路
CN107608444A (zh) * 2016-07-12 2018-01-19 意法半导体国际有限公司 分数带隙基准电压发生器
CN108279729A (zh) * 2018-01-18 2018-07-13 四川和芯微电子股份有限公司 用于带隙基准电路的启动电路
CN109613951A (zh) * 2018-11-30 2019-04-12 宁波德晶元科技有限公司 一种带自启动电路的带隙基准源电路

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0372956B1 (en) * 1988-12-09 1995-08-23 Fujitsu Limited Constant current source circuit
JP2001154748A (ja) * 1999-09-14 2001-06-08 Toshiba Microelectronics Corp 定電流回路
CN101482761A (zh) * 2008-01-09 2009-07-15 辉芒微电子（深圳）有限公司 基准源启动电路
CN102609031A (zh) * 2012-03-09 2012-07-25 深圳创维－Rgb电子有限公司 一种高度集成的低功耗基准源
CN103135655A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 上海华虹Nec电子有限公司 带隙基准源的启动电路
CN204480099U (zh) * 2015-03-27 2015-07-15 西安华芯半导体有限公司 一种带隙基准的启动电路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0372956B1 (en) * 1988-12-09 1995-08-23 Fujitsu Limited Constant current source circuit
JP2001154748A (ja) * 1999-09-14 2001-06-08 Toshiba Microelectronics Corp 定電流回路
CN101482761A (zh) * 2008-01-09 2009-07-15 辉芒微电子（深圳）有限公司 基准源启动电路
CN103135655A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 上海华虹Nec电子有限公司 带隙基准源的启动电路
CN102609031A (zh) * 2012-03-09 2012-07-25 深圳创维－Rgb电子有限公司 一种高度集成的低功耗基准源
CN204480099U (zh) * 2015-03-27 2015-07-15 西安华芯半导体有限公司 一种带隙基准的启动电路

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105912060A (zh) * 2016-05-31 2016-08-31 杭州旗捷科技有限公司 一种墨盒芯片
CN107608444A (zh) * 2016-07-12 2018-01-19 意法半导体国际有限公司 分数带隙基准电压发生器
CN107608444B (zh) * 2016-07-12 2020-03-17 意法半导体国际有限公司 基准电压发生器电路和电子系统
CN106647910A (zh) * 2016-12-23 2017-05-10 长沙景美集成电路设计有限公司 一种用于超低功耗基准源的启动电路
CN106647910B (zh) * 2016-12-23 2018-05-04 长沙景美集成电路设计有限公司 一种用于超低功耗基准源的启动电路
CN108279729A (zh) * 2018-01-18 2018-07-13 四川和芯微电子股份有限公司 用于带隙基准电路的启动电路
CN109613951A (zh) * 2018-11-30 2019-04-12 宁波德晶元科技有限公司 一种带自启动电路的带隙基准源电路
CN109613951B (zh) * 2018-11-30 2024-01-23 宁波德晶元科技有限公司 一种带自启动电路的带隙基准源电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN104714594B (zh) 2016-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104714594B (zh) 一种带隙基准的启动电路
CN104518654A (zh) 高压启动电路
CN109613951A (zh) 一种带自启动电路的带隙基准源电路
CN204480099U (zh) 一种带隙基准的启动电路
CN108646837A (zh) 一种用于低压差线性稳压器的瞬态响应改善电路
CN104158516A (zh) 电压比较器
CN113595046A (zh) 一种基于分立器件的防浪涌的热插拔控制电路
CN206313470U (zh) 一种手机充电过压保护电路
CN103631303B (zh) 用于稳压电源芯片的软启动电路
CN104375545A (zh) 带隙参考电压电路与其电子装置
WO2017139953A1 (zh) 一种 dc-dc 电源控制电路及电子设备
CN107294516B (zh) 一种无静态功耗的上电复位电路
CN207150553U (zh) 一种用于mos管的限流电路及mos开关装置
CN104345851A (zh) 电源电路
CN104333722A (zh) 一种低功耗启动电路及一种液晶电视
CN107992144B (zh) 带隙基准源的启动电路
CN113552917B (zh) 一种用低压工艺器件实现高压应用的电压基准电路及方法
CN207691781U (zh) 电平转换电路
CN107276575A (zh) 自启动的偏置电流源电路
CN206850404U (zh) 一种具有迟滞窗口宽范围输入的电源欠压保护电路
CN106292823B (zh) 一种高低压转化集成电路
CN202133922U (zh) 一种基准电压电路
CN111224648B (zh) 无静态功耗的上下电复位控制电路
CN103078597B (zh) 一种偏置电路
CN103246310A (zh) Cmos带隙基准源电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 710055 Shaanxi City, Xi'an province high tech Road No. 38, innovation center, A, block, floor 4

Applicant after: XI'AN UNIIC SEMICONDUCTORS Co.,Ltd.

Address before: 710055 Shaanxi City, Xi'an province high tech Road No. 38, innovation center, A, block, floor 4

Applicant before: Xi'an Sinochip Semiconductors Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant