CN206313470U - 一种手机充电过压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种手机充电过压保护电路，包括三极管Q1、MOS管Q2、稳压管D1、电阻R1、R2、R3；三极管Q1的发射极与MOS管Q2的源极连接后与USB电源输入端VBUS连接，稳压管D1的负极通过一限流电阻R1与USB电源输入端VBUS连接，稳压管D1的正极接地，三极管Q1的基极通过一偏置电阻R2与稳压管D1的负极连接，三极管Q1的集电极与MOS管Q2的栅极连接后通过一电阻R3接地，MOS管Q2的漏极与手机充电IC输入端V_Charge连接。本实用新型电路设计简洁巧妙，无需采用专用过压保护IC，成本低，实用性强。
Description
技术领域
本实用新型涉及保护电路，尤其涉及一种用于手机充电的过压保护电路。
背景技术
随着智能手机快充的普及以及电池容量的增大，大大满足了人们对电子产品电池充电速度及电池电量的需求。而电子产品充电环境非常复杂，且电网波动也会造成充电回路过压，从而导致充电IC或电源管理模块等被烧坏的情况时有发生，所以对电子产品充电电路的过压保护十分关键。
目前常用的过压保护方案主要是在主板充电路径增加过压保护 IC，如FairchildFPF2280，但这种IC成本较高。因此，如何设计一种低成本的过压保护方案已成为业内亟待解决的技术问题。
实用新型内容
为了解决上述现有技术中存在的问题，本实用新型提出一种手机充电过压保护电路。
本实用新型提供的手机充电过压保护电路包括三极管Q1、MOS管Q2、稳压管D1、电阻R1、R2、R3；三极管Q1的发射极与MOS管Q2的源极连接后与USB电源输入端VBUS连接，稳压管D1的负极通过一限流电阻R1与USB电源输入端VBUS连接，稳压管D1的正极接地，三极管Q1的基极通过一偏置电阻R2与稳压管D1的负极连接，三极管Q1的集电极与MOS管Q2的栅极连接后通过一电阻R3接地，MOS管Q2的漏极与手机充电IC输入端V_Charge连接。
在一实施例中，三极管Q1为PNP形三极管，MOS管Q2为PMOS管。
与现有技术相比，本实用新型采用一三极管、一MOS管以及一稳压管即设计实现了一中简单过压保护电路，电路设计巧妙，无需采用专用过压保护IC，成本低，实用性强。
附图说明
图1为本实用新型电路图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对实用新型进行详细的说明。
如图1所示，本实用新型提供的手机充电过压保护电路包括三极管Q1、MOS管Q2、稳压管D1、电阻R1、R2、R3；三极管Q1的发射极与MOS管Q2的源极连接后与USB电源输入端VBUS连接，稳压管D1的负极通过一限流电阻R1与USB电源输入端VBUS连接，稳压管D1的正极接地，三极管Q1的基极通过一偏置电阻R2与稳压管D1的负极连接，三极管Q1的集电极与MOS管Q2的栅极连接后通过一电阻R3接地，MOS管Q2的漏极与手机充电IC输入端V_Charge连接。
在一实施例中，三极管Q1为PNP形三极管，MOS管Q2为PMOS管。
电路的工作原理具体如下：
过压保护点电压为稳压管D1反向击穿电压和三极管Q1的基极-发射极正偏电压之和。一般为0.7V，与稳压管型号相关。故保护点电压主要由稳压管决定。
正常工作时，PNP三极管Q1处于截止状态，PMOS管Q2处于导通状态，USB电源VBUS经过PMOS管Q2给手机充电。
当电网波动或充电适配器异常导致VBUS电压超过时，稳压管D1被击穿，三极管Q1基极电压被拉低，Q1处于导通状态，电阻R3将PMOS管Q2栅极电压拉高，Q2处于截止状态，VBUS电压将不能通过Q2到达充电IC，从而避免VBUS的异常电压造成主板充电IC损坏。
本电路主要电子元器件的选型要求具体如下：
稳压管D1反向击穿电压决定了过压保护点电压，当用5V充电器充电时，可以选=5V的稳压管，此时=5.7V（+），即VBUS电压超过5.7V时，充电回路关闭。当用9V充电器充电时，可以选=12V的稳压管，此时=12.7V（+），即VBUS电压超过12.7V时，充电回路关闭。
PMOS管 Q2导通电阻过大时会导致充电回路阻抗增加，影响充电效率，一般要求≦50mΩ。漏-源电压≧20V可满足5-12V适配器。
本实用新型采用一三极管、一MOS管以及一稳压管即设计实现了一简单过压保护电路，电路设计巧妙，无需采用专用过压保护IC，成本低，实用性强。
上述实施例仅用于说明本实用新型的具体实施方式。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和变化，这些变形和变化都应属于本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.一种手机充电过压保护电路，其特征在于，包括三极管Q1、MOS管Q2和稳压管D1，三极管Q1的发射极与MOS管Q2的源极连接后与USB电源输入端连接，稳压管D1的负极通过一限流电阻R1与USB电源输入端连接，稳压管D1的正极接地，三极管Q1的基极通过一偏置电阻R2与稳压管D1的负极连接，三极管Q1的集电极与MOS管Q2的栅极连接后通过一电阻R3接地，MOS管Q2的漏极与手机充电IC输入端连接。
2.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述三极管Q1为PNP形三极管，所述MOS管Q2为PMOS管。
Priority Applications (1)
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| CN201621177472.5U CN206313470U (zh) | 2016-11-03 | 2016-11-03 | 一种手机充电过压保护电路 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206313470U true CN206313470U (zh) | 2017-07-07 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN201621177472.5U Active CN206313470U (zh) | 2016-11-03 | 2016-11-03 | 一种手机充电过压保护电路 |
Country Status (1)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107508272A (zh) * | 2017-08-29 | 2017-12-22 | 王莹 | 一种超低功耗的车载电源保护电路 |
| CN108494036A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-04 | 安克创新科技股份有限公司 | 充电装置 |
| CN110858711A (zh) * | 2018-08-22 | 2020-03-03 | 三星电子株式会社 | 通用串行总线接口中用于过压保护的电路和方法 |
| CN111313364A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-06-19 | 南通同洲电子有限责任公司 | 一种过压保护装置及过压保护方法 |
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2016
- 2016-11-03 CN CN201621177472.5U patent/CN206313470U/zh active Active
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| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 253000 No. 6596, Dongfanghong East Road, Yuanqiao Town, economic and Technological Development Zone, De Zhou City, Shandong Province (e-n-303-46, Dezhou Zhongyuan science and technology innovation and entrepreneurship Park) Patentee after: Yingwang Technology (Shandong) Co.,Ltd. Address before: 518000 Room 501, building D, No. 11, Xili Dakan industrial Second Road, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: INONE TECHNOLOGY (SHENZHEN) Co.,Ltd. |