CN104703080B - Mems麦克风构件和具有该mems麦克风构件的设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种容性MEMS麦克风构件，其能够可选地运行用于检测声学信号(麦克风模式)或用于检测在限定的频率范围中的超声波信号(超声波模式)。在MEMS麦克风构件的层结构中至少两个承载元件相叠地并相互间隔开地构造，至少两个承载元件用于电容器装置的两个电极侧，该电容器装置用于信号检测。这两个承载元件中的至少一个是声压敏感的，两个电极侧中的至少一个包括能相互独立地电接触的至少两个电极区段，至少两个电极区段连同另一电极侧的至少一个电极形成相互独立的子电容，如果声压敏感的承载元件以限定的频率的超声波被激励进行更高模式的振动，则电极区段的形状和平面延展通过声压敏感的承载元件的振动波腹的位置和延展确定。

Description

MEMS麦克风构件和具有该MEMS麦克风构件的设备
技术领域
本发明涉及一种MEMS(微机电系统)麦克风构件，在其层结构中至少两个承载元件相叠地并且相互间隔开地构造，所述至少两个承载元件用于电容器装置的两个电极侧，所述电容器装置用于信号检测。两个承载元件中的至少一个承载元件是声压敏感的。此外，两个电极侧中的至少一个包括能够相互独立地电接触的至少两个电极区段，所述至少两个电极区段连同另一电极侧的至少一个电极形成相互独立的子电容。
此外，本发明涉及一种具有所述MEMS麦克风构件的设备。
背景技术
在此讨论的类型的容性MEMS麦克风构件由实践已知。麦克风结构通常包括声压敏感的膜片和声学能够穿透的固定的对应元件。麦克风结构的这两个部件用作用于麦克风电容器装置的电极的承载元件。膜片的由声压引起的偏转导致膜片电极与在固定的对应元件上的对应电极之间的间距变化并且因此导致麦克风电容器装置的电容变化，这可以简单地作为电压变化被检测到。由实践已知的容性MEMS麦克风构件通常具有从20赫兹至20千赫兹的平坦的频率响应并且相应地仅仅用于检测声学信号。
在WO 2010/119168 A1中描述了一种具有用于信号检测的电容器装置的MEMS麦克风构件，该电容器装置的一个电极侧包括多个相互电隔离的电极区段。这些电极区段连同另一电极侧的一个或多个电极形成相互独立的子电容。根据WO 2010/119168 A1，这些子电容用于将麦克风敏感性匹配于声学信号的不同的信号电平，也就是音量级。为此，输出信号形成为所述子电容的和，其中，累加的子电容的数量根据相应的音量级选择。音量级越小，则累加的子电容的数量越大。因此，子电容的数量确定音量范围的数量，所述音量范围可以被区分。
发明内容
借助本发明提出一种容性MEMS麦克风构件以及一种用于运行所述MEMS麦克风构件的设备，所述MEMS麦克风构件能够可选地运行用于检测声学信号(麦克风模式)或者用于检测在限定的频率范围中的超声波信号(超声波模式)。
根据本发明，在超声波模式中的运行通过在此讨论的类型的MEMS麦克风构件的电容器装置的至少一个电极侧的电极区段的特殊布局实现。
根据本发明，如果该声压敏感的承载元件以限定的频率的超声波被激励进行更高模式的振动，则所述电极区段的形状和平面延展通过该声压敏感的承载元件的振动波腹的位置和延展确定。
根据本发明已经认识到，具有多个相互独立并且可选地能够相互组合的子电容的电容器装置不仅可以用于将麦克风敏感性匹配于声学信号的信号电平，如在WO 2010/119168 A1中所提出的那样，而且在确定的前提下也用于检测在限定的更高频率范围中的信号。为此根据本发明充分利用：声压敏感的膜片通过声学信号在第一模式中偏转，而膜片通过超声波信号激励进行更高的振动模式。
在第一模式中膜片的中间区域和边缘区域同相地振动，从而中间区域和边缘区域在声作用下沿相同的方向由静止位置偏转。膜片偏转在该情况下可以简单地作为子电容的和检测。
然而，在选择适合的超声波激励频率的情况下中间区域和边缘区域反相地振动，也就是说中间区域和边缘区域在该情况下相反地由静止位置偏转。各个膜片区域的反向偏转可以借助于相应地设置和设计的电极区段单独检测并且单独地分析处理。
因此，借助本发明提出，专门对于超声波模式设计MEMS麦克风构件的子电容，但是不仅用于超声波模式，而且用于检测声学信号，也就是用于麦克风模式。在MEMS麦克风构件的根据本发明的设计中，这两个运行模式实际上仅仅在分别检测的子电容的分析处理方面不同。因此，MEMS构件的同一微机械麦克风结构不仅可以用于在麦克风模式中检测声学信号，而且可以用于在超声波模式中检测超声波信号。如此设计的MEMS麦克风构件的提高了的功能性既不需要在制造中的附加成本而且也不需要附加的结构空间。
超声波模式可以有利地用于器具——例如移动电话或平板电脑——的无接触式控制，例如通过姿态识别，其中，借助于超声波定位手和/或借助于多普勒效应求取手的速度。
原则上具有用于实现具有根据本发明的电极布局的MEMS麦克风构件的多种不同可能性。这不仅涉及麦克风结构而且涉及电极和电极区段在麦克风结构的承载元件上的设置。通常，麦克风结构包括声压敏感的膜片作为用于至少一个可偏转的电极的第一承载元件并且包括声学能够穿透的或多或少固定的对应元件作为用于至少一个对应电极的承载元件。膜片可以在层结构中构造在对应元件上方或下方。膜片可以由不同材料的多个层组成并且可以是或厚或薄。膜片可以具有倒圆或带角的形状并且膜片可以环绕地或者仅仅通过弹簧元件整合到构件的层结构中。所有这些参数影响膜片的振动特性，从而所有这些参数影响电极区段的根据本发明的设计。
根据本发明，麦克风电容器装置的至少一个电极侧包括多个电极区段，所述多个电极区段的布局在限定的超声波激励下匹配于膜片的振动波腹的位置和延展。该电极侧可以或者实现在膜片上或者实现在对应元件上并且与另一电极侧的唯一的平面电极相互作用。但是也可以考虑，麦克风电容器装置的两个电极侧配有根据本发明设计的电极区段。
根据本发明的MEMS麦克风构件的重要优点如已经提及的那样在于其双重功能，亦即麦克风功能和用于姿态识别的超声波模式，该姿态识别可以用于控制器具。为了不仅可以利用根据本发明的MEMS麦克风构件的麦克风模式而且可以利用超声波模式，应该在设备的范畴中运行该MEMS麦克风构件，所述设备具有至少一个可选地能够激活的超声波发送器，其在超声波模式中发送限定的频率的超声波信号，也就是这样的频率，MEMS麦克风构件的电极区段的布局与该频率协调。此外，所述设备有利地包括用于信号分析处理的机构，该机构区分麦克风模式和超声波模式。也就是说，在麦克风模式中检测的子电容与在超声波模式中检测的子电容不同地处理。
在本发明的一个优选实施方式中，可选地能够激活的超声波发送器发送MEMS麦克风构件的声压敏感的膜片的谐振频率的更高模式的超声波信号，优选激励膜片进行第六模式的振动的谐振频率。在该情况下激励模式的谐振峰有助于超声波模式中的灵敏性提高。
在麦克风模式中的信号分析处理可以简单地基于一个子电容或多个或所有子电容的和，因为麦克风膜片在声作用下仅仅在第一模式中被激励并且相应地使膜片的所有区域同向地从静止位置偏转。然而在本发明的一个特别有利的实施方式中，首先对声学信号的信号电平、也就是音量进行分类，以便据此或多或少地累加子电容。通过这种方式，能够简单地将麦克风敏感性匹配于声学信号的音量级。
根据本发明，如此选择超声波激励的频率，使得激励膜片的更高的振动模式，其中，至少使膜片的边缘区域和中间区域反向地偏转。因此，在超声波模式中优选将相应于反向的振动波腹的子电容相移180°地累加。
在超声波模式中的信号分析处理能够实现对象的位置测定或定位。此外可以利用多普勒效应，以便也识别运动的对象的速度和方向。在此可以期望大约1千赫兹的频移，该频移因此还位于激励模式的谐振峰值内。
附图说明
如已经前述的那样，具有有利地构型和改进本发明的教导的不同可能性。为此一方面参考从属于独立权利要求1和4的权利要求并且另一方面借助附图参考对本发明的两个实施例的以下描述。
图1：示出MEMS麦克风构件100的层结构的示意剖面图，该MEMS麦克风构件配有根据本发明的用于信号检测的电容器装置；
图2a、2b：阐明在声作用下(麦克风模式，图2a)和在以限定的激励频率进行超声波激励的情况下(超声波模式，图2b)MEMS麦克风构件100的膜片偏转；
图3：示出MEMS麦克风构件100的对应元件和膜片的透视图，该MEMS麦克风构件具有根据本发明设计的、电容器装置的电极或电极区段，所述电容器装置用于信号检测；
图4：示出根据本发明的具有MEMS麦克风构件100的设备的方框图。
具体实施方式
在图1中示出的MEMS构件100的麦克风结构以层结构实现在衬底1上并且包括用于信号检测的电容器装置的两个电极侧的两个承载元件，也就是声压敏感的膜片11和声学能够穿透的固定的对应元件12。在此示出的实施例中对应元件12实现在衬底1上的厚层2中并且跨越衬底背侧中的圆柱形的腔4。在腔4上方的区域中在对应元件12中构造贯通开口13。膜片11以薄的多晶硅层3形式在对应元件12上方并且与之有一间距地实现，从而膜片能够垂直于MEMS构件100的层平面地偏转。膜片11在此作为电容器装置的可运动的电极起作用，而另一电极侧在此以对应元件12的经结构化的金属涂层5形式实现。膜片包括两个相互同心设置的电极区段51和52，下面根据图2和3进一步阐明所述电极区段的设置、形状和延展。分别在腔4侧面以层结构构造用于电容器装置的两个电极侧的电连接端15和16。
在声作用下、也就是说，通过在20赫兹至20千赫兹之间的频率范围中的声学信号激励圆形的膜片11进行第一模式的振动。在这些振动中所有膜片区域、也就是中间区域110和边缘区域111同向地由静止位置200偏转。相应的膜片形变201通过图2a阐明。
如果给膜片11施加超声波，则激励更高的振动模式。根据激励频率，在此膜片11的中间区域110和边缘区域111反向偏转。图2b示出当膜片以限定的超声波频率——在此为第六模式的谐振频率——被激励时的膜片形变202。
在这里阐明的实施例中，在MEMS构件100的对应元件12上的电极侧具有两个相互分离的电极区段51和52，如果以第六模式的谐振频率激励该膜片，则所述电极区段相应于膜片11的振动波腹的位置和延展。这两个电极区段51和52连同膜片电极11形成两个相互独立的子电容C1和C2。借助于根据本发明设计的电容器装置不仅可以检测麦克风模式的由声学引起的膜片形变201而且可以检测超声波模式的由超声波引起的膜片形变202。为此，在麦克风模式中简单地累加两个子电容或者其变化ΔC1和ΔC2，
ΔC麦克风模式＝ΔC1+ΔC2。
因为膜片11的边缘区域和中间区域在超声波模式中相移180°地偏转，所以在此减去两个子电容或者其变化ΔC1和ΔC2，
ΔC超声波模式＝ΔC1+ΔC2。
两个电极区段51和52在对应元件12上的同心设置再次在图3中示出。图3阐明了，两个电极区段51和52相互电独立并且具有自身的电连接端。内部的电极区段51在此连同其连接线510通过介电材料相对于外部的电极区段52电隔离。但是这样的电分离也可以通过npn结或pnp结或对应元件的相应结构化实现。
图4的方框图阐明了在设备10的范畴中MEMS麦克风构件100的如前述那样的功能方式，所述设备不仅实现了在麦克风模式中的运行而且也实现了在超声波模式中的运行。为此，设备10除MEMS麦克风构件100以外也包括超声波发送器20，该超声波发送器通过控制单元30可选地激活并且也又去活。在超声波模式中激活超声波发送器20，从而该超声波发送器发送限定的频率的超声波信号，亦即这样的频率，MEMS麦克风构件的电极区段51和52的布局与该频率协调。在此在该情况下涉及谐振频率，该谐振频率激励圆形的膜片11进行第六模式的振动。在麦克风模式中又去活超声波发送器20。此外，控制单元30与信号处理单元40通信。该控制单元告知信号处理单元40相应的运行模式，麦克风模式或超声波模式，从而根据运行模式可以不同地再处理所检测的子电容ΔC1和ΔC2。在麦克风模式中，根据音量级输出信号50或者基于仅仅一个子电容ΔC2或者基于两个子电容ΔC1和ΔC2的和。在超声波模式中，两个子电容ΔC1和ΔC2相移180°地累加。

Claims (8)

1.一种MEMS麦克风构件(100)，在所述麦克风构件的层结构中至少两个承载元件(11、12)相叠地并且相互间隔开地构造，所述至少两个承载元件用于电容器装置的两个电极侧，所述电容器装置用于信号检测，
其中，所述两个承载元件中的至少一个承载元件(11)是声压敏感的，
其中，所述两个电极侧中的至少一个包括能够相互独立地电接触的至少两个电极区段(51、52)，所述至少两个电极区段连同另一电极侧的至少一个电极(11)形成相互独立的子电容，
其特征在于，如果所述声压敏感的承载元件(11)以限定的频率的超声波被激励进行更高模式的振动，则所述电极区段(51、52)的形状和平面延展通过所述声压敏感的承载元件的振动波腹的位置和延展确定。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风构件(100)，其具有膜片(11)作为声压敏感的承载元件并且具有声学能够穿透的固定的对应元件(12)作为另一承载元件，其特征在于，其布局与限定的声波频率协调的电极区段(51、52)构造在所述固定的对应元件(12)上。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风构件(100)，其具有膜片作为声压敏感的承载元件并且具有声学能够穿透的固定的对应元件作为另一承载元件，其特征在于，其布局与限定的声波频率协调的电极区段构造在所述膜片上。
4.一种具有根据权利要求1至3中任一项所述的至少一个MEMS麦克风构件(100)的设备(10)，其还包括：
至少一个可选地能够激活的超声波发送器(20)，其发送限定的频率的超声波信号，所述MEMS麦克风构件(100)的电极区段(51、52)的布局与所述限定的频率协调；和
用于可选地相应于所述麦克风模式或相应于所述超声波模式地进行信号分析处理的机构(40)。
5.根据权利要求4所述的设备(10)，其特征在于，所述可选地能够激活的超声波发送器(20)发送所述MEMS麦克风构件(100)的声压敏感的承载元件(11)的谐振频率的更高模式的超声波信号。
6.根据权利要求4或5所述的设备(10)，其特征在于，所述用于信号分析处理的机构(40)如此设计，使得在所述麦克风模式中的信号分析处理基于至少一个子电容，并且在所述超声波模式中相应于作为所述声压敏感的承载元件的膜片的反相的振动波腹的子电容相移180°地累加。
7.根据权利要求4或5所述的设备(10)，其特征在于，所述用于信号分析处理的机构(40)如此设计，使得所述子电容在所述麦克风模式中根据声学信号的信号电平累加。
8.根据权利要求4或5所述的设备(10)，其特征在于，所述用于信号分析处理的机构(40)如此设计，使得所述超声波模式用于对象的定位和/或用于运动识别。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6481265B2 (ja) * 2014-06-18 2019-03-13 新日本無線株式会社 Ｍｅｍｓ素子
GB2557367A (en) * 2016-11-29 2018-06-20 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Mems device
DE102017121705B3 (de) * 2017-09-19 2018-12-20 Infineon Technologies Ag MEMS-Mikrofon
DE102017223869B4 (de) * 2017-12-29 2021-09-02 Infineon Technologies Ag MEMS-Bauelement und mobiles Gerät mit dem MEMS-Bauelement
US10484784B1 (en) 2018-10-19 2019-11-19 xMEMS Labs, Inc. Sound producing apparatus
EP3766589A1 (en) * 2019-07-15 2021-01-20 Infineon Technologies AG Mems sound transducer element
US10771893B1 (en) * 2019-10-10 2020-09-08 xMEMS Labs, Inc. Sound producing apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1874616A (zh) * 2005-06-03 2006-12-06 瑞声声学科技(深圳)有限公司 电容式微机电结构声音传感器
US7536769B2 (en) * 2001-11-27 2009-05-26 Corporation For National Research Initiatives Method of fabricating an acoustic transducer
CN102075840A (zh) * 2009-11-24 2011-05-25 Nxp股份有限公司 微机电系统麦克风

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2695787B1 (fr) * 1992-09-11 1994-11-10 Suisse Electro Microtech Centr Transducteur capacitif intégré.
US5870482A (en) * 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
US6151967A (en) * 1998-03-10 2000-11-28 Horizon Technology Group Wide dynamic range capacitive transducer
US6535460B2 (en) * 2000-08-11 2003-03-18 Knowles Electronics, Llc Miniature broadband acoustic transducer
WO2005084267A2 (en) * 2004-02-27 2005-09-15 Georgia Tech Research Corporation Harmonic cmut devices and fabrication methods
WO2005084284A2 (en) * 2004-02-27 2005-09-15 Georgia Tech Research Corporation Multiple element electrode cmut devices and fabrication methods
DE102005008511B4 (de) * 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
US8247945B2 (en) * 2005-05-18 2012-08-21 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducers
JP4682927B2 (ja) * 2005-08-03 2011-05-11 セイコーエプソン株式会社 静電型超音波トランスデューサ、超音波スピーカ、音声信号再生方法、超音波トランスデューサの電極の製造方法、超音波トランスデューサの製造方法、超指向性音響システム、および表示装置
TWI293851B (en) * 2005-12-30 2008-02-21 Ind Tech Res Inst Capacitive microphone and method for making the same
US20080192962A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Sonion Nederland B.V. Microphone with dual transducers
US20080252595A1 (en) * 2007-04-11 2008-10-16 Marc Boillot Method and Device for Virtual Navigation and Voice Processing
US8850893B2 (en) * 2007-12-05 2014-10-07 Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Device for measuring pressure, variation in acoustic pressure, a magnetic field, acceleration, vibration, or the composition of a gas
US8327711B2 (en) * 2008-02-20 2012-12-11 Omron Corporation Electrostatic capacitive vibrating sensor
IT1392742B1 (it) * 2008-12-23 2012-03-16 St Microelectronics Rousset Trasduttore acustico integrato in tecnologia mems e relativo processo di fabbricazione
US10129656B2 (en) * 2009-01-30 2018-11-13 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Active temperature control of piezoelectric membrane-based micro-electromechanical devices
US8175293B2 (en) 2009-04-16 2012-05-08 Nokia Corporation Apparatus, methods and computer programs for converting sound waves to electrical signals
EP2252077B1 (en) * 2009-05-11 2012-07-11 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
EP2271134A1 (en) * 2009-07-02 2011-01-05 Nxp B.V. Proximity sensor comprising an acoustic transducer for receiving sound signals in the human audible range and for emitting and receiving ultrasonic signals.
DE102010027780A1 (de) * 2010-04-15 2011-10-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Ansteuern eines Ultraschallsensors und Ultraschallsensor
WO2013025199A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Empire Technology Development Llc Techniques for generating audio signals
US9148726B2 (en) * 2011-09-12 2015-09-29 Infineon Technologies Ag Micro electrical mechanical system with bending deflection of backplate structure
DE102012203900A1 (de) * 2012-03-13 2013-09-19 Robert Bosch Gmbh Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur
EP2653845B1 (en) * 2012-04-18 2015-07-15 Nxp B.V. Sensor circuit and calibration method
DE102012215251A1 (de) * 2012-08-28 2013-03-21 Robert Bosch Gmbh MEMS-Bauelement
US9457379B2 (en) * 2012-12-10 2016-10-04 Apple Inc. Ultrasonic MEMS transmitter
WO2014152786A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Robert Bosch Gmbh Digital acoustic low frequency response control for mems microphones
US9510103B2 (en) * 2013-09-09 2016-11-29 Audio Pixels Ltd. Microelectromechanical apparatus for generating a physical effect
KR102163729B1 (ko) * 2013-11-20 2020-10-08 삼성전자주식회사 전기 음향 변환기
US9380384B2 (en) * 2013-11-26 2016-06-28 Qualcomm Incorporated Systems and methods for providing a wideband frequency response

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7536769B2 (en) * 2001-11-27 2009-05-26 Corporation For National Research Initiatives Method of fabricating an acoustic transducer
CN1874616A (zh) * 2005-06-03 2006-12-06 瑞声声学科技(深圳)有限公司 电容式微机电结构声音传感器
CN102075840A (zh) * 2009-11-24 2011-05-25 Nxp股份有限公司 微机电系统麦克风

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