CN104701634B - 一种太赫兹准光功率合成与放大装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种太赫兹准光功率合成与放大装置，适用于太赫兹频段的功率合成与放大。其结构包括：微波发射喇叭天线、介质透镜A、微波放大阵列芯片、太赫兹倍频阵列芯片、介质透镜B、太赫兹喇叭接收天线。利用介质透镜A的聚焦作用，将微波发射喇叭天线输入的球面电磁波信号转换为平面波信号传输至微波放大阵列芯片，实现放大和输出。放大后的微波信号传输至太赫兹倍频阵列芯片，实现倍频和输出。倍频后的太赫兹信号通过介质透镜B，以准光波束聚焦的形式在空间合成大功率信号，与太赫兹喇叭接收天线实现耦合匹配。利用该准光功率合成结构可以输出高功率的太赫兹信号，结构简单、调试方便。
Description
技术领域
本发明涉及一种太赫兹准光功率合成与放大装置，具体来讲，是一种适用于太赫兹频段的高效率空间功率合成与放大技术领域。
背景技术
随着科学技术的发展，太赫兹频段的系统由于其传输信号容量大、结构紧凑以及具有更高的分辨率等特点越来越多的应用在微波遥感、医学成像、雷达、空间通信等领域。然而太赫兹技术的发展还面临诸多困难。其一，随着频率不断升高，在太赫兹频段，各种传输线如波导、微带等都存在尺寸变小、损耗增大、承受功率减小、加工难度大和成本高等缺点。其二，太赫兹电磁波的光学特性逐渐显现，传统全波电磁场研究方法出现局限性，需要借助准光理论完善。因此在现有结构及加工制造技术不能满足需要的情况下，寻求一种结构简单、低成本、设计和加工简单的太赫兹准光功率合成与放大装置尤为重要。
随着电磁波应用的频段逐渐升高，电磁波的光学特性逐渐显现，传统电磁场研究方法暴露出局限性。
发明内容
本发明针对当前太赫兹频段辐射功率低的问题，提供一种太赫兹准光功率合成与放大装置，该装置包括微波喇叭发射天线、介质透镜A、N级微波放大阵列芯片、太赫兹倍频阵列芯片、介质透镜B和太赫兹喇叭接收天线。
微波喇叭发射天线馈入的微波球面波信号经介质透镜A在空间聚焦，变换为平面波信号并传输到N级微波放大阵列芯片。微波信号在空间由N级微波放大阵列芯片逐级放大并由太赫兹倍频阵列芯片将放大后的微波信号倍频至太赫兹频段输出。输出的太赫兹信号经介质透镜B在空间二次聚焦，空间传输的太赫兹平面波以高斯波束的形式传播，实现空间功率合成，最终由太赫兹喇叭接收天线接收信号。
为实现上述的目的，本发明所采用的技术方案是：
本发明的一种太赫兹准光功率合成与放大装置，包括微波喇叭发射天线、介质透镜A、N级微波放大阵列芯片、太赫兹倍频阵列芯片、介质透镜B和太赫兹喇叭接收天线；N为自然数；N级微波放大阵列芯片包括第一级微波放大阵列芯片、第二级微波放大阵列芯片、……、第N级微波放大阵列芯片；
所述的微波喇叭发射天线辐射微波球面波信号传输至介质透镜A；
所述的介质透镜A将馈入的的微波球面波信号转换为平面波信号；
所述的第一级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成，每个子单元集成了微波接收天线、微波耦合微带线、微波放大电路和微波辐射缝隙；其中，微波接收天线被用于接收前级馈入的信号，微波放大电路被用于将信号放大。芯片正面的微波耦合微带线将微波放大电路放大的信号耦合至芯片背面的微波辐射缝隙输出。
所述的第二级以后的微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成，每个子单元集成了微波耦合微带线、微波放大电路和微波辐射缝隙；其中一段微波耦合微带线被用于耦合前级微波辐射缝隙输出的信号，微波放大电路被用于将信号放大。另一段微波耦合微带线将微波放大电路放大的信号耦合至芯片背面的微波辐射缝隙输出。该微波放大阵列芯片N级级联工作，每个芯片等间距放置，微波信号在空间传输并通过N级级联的阵列芯片逐级放大，这样既保证了有效的链路增益，又保证了输出功率。m为自然数，n为自然数；
该太赫兹倍频阵列芯片置于N级微波放大阵列芯片级联结构之后，由p×q个子单元组成，每个子单元集成了微波耦合微带线、太赫兹倍频器、太赫兹一分M等功分器和太赫兹辐射缝隙。其中，微波耦合微带线被用于耦合前级微波辐射缝隙输出的信号，太赫兹倍频器被用于将微波信号倍频至太赫兹信号，太赫兹一分M等功分器将倍频器输出的太赫兹信号等分成M路相参信号，M路太赫兹等幅相参信号经过太赫兹一分M等功分器中的太赫兹耦合微带线将太赫兹信号耦合至芯片背面的太赫兹辐射缝隙输出。p为自然数，q为自然数；
所述的介质透镜B将太赫兹平面波信号聚焦为高斯波束形式的太赫兹信号；
所述的太赫兹喇叭接收天线用于接收太赫兹信号；
本发明解决了太赫兹频段辐射功率低的问题。
该微波喇叭发射天线辐射微波球面波信号传输至介质透镜A；
该介质透镜A将微波喇叭发射天线馈入的的微波球面波信号转换为平面波信号输出；
该N级微波放大阵列芯片包括该第一级微波放大阵列芯片、第二级微波放大阵列芯片、第三级微波放大阵列芯片、……、第N级微波放大阵列芯片；
其中，第一级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了微波接收天线、微波耦合微带线、微波放大电路和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有微波接收天线、微波放大电路和微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与微波耦合微带线成十字正交关系；
微波接收天线接收介质透镜A馈入的平面波信号，然后将信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给微波耦合微带线，微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至第二级微波放大阵列芯片正面的第一段微波耦合微带线；
第二级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了第一段微波耦合微带线、微波放大电路、第二段微波耦合微带线和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有第一段微波耦合微带线、微波放大电路和第二段微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与第二段微波耦合微带线成十字正交关系；第一段微波耦合微带线与第一级微波放大阵列芯片背面的微波辐射缝隙成十字正交关系；
第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线，第二段微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至下一级微波放大阵列芯片；
第三级微波放大阵列芯片、……、第N-1级微波放大阵列芯片与第二级微波放大阵列芯片的结构和传输方式均相同；
第N级微波放大阵列芯片与第二级微波放大阵列芯片的结构相同；传输方式如下：
第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线，第二段微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至太赫兹倍频阵列芯片的微波耦合微带线；
该太赫兹倍频阵列芯片由p×q个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了微波耦合微带线、太赫兹倍频器、太赫兹一分M等功分器和M个太赫兹辐射缝隙；
在介质基片的正面有微波耦合微带线、太赫兹倍频器和太赫兹一分M等功分器；在介质基片的背面有M个太赫兹辐射缝隙，M个太赫兹辐射缝隙与太赫兹一分M等功分器中的太赫兹耦合微带线一一对应且成十字正交关系；
微波耦合微带线将耦合到的信号传输给太赫兹倍频器，太赫兹倍频器将信号倍频至太赫兹频段，输出太赫兹信号，并将输出的太赫兹信号传输给太赫兹一分M等功分器，太赫兹一分M等功分器将太赫兹信号等分为M路相参信号，M路等幅相参信号耦合至与其一一对应的太赫兹辐射缝隙；太赫兹辐射缝隙输出太赫兹信号。
所述的介质透镜B将太赫兹倍频阵列芯片输出的太赫兹平面波信号聚焦为高斯波束形式的太赫兹信号，实现空间功率合成；
所述的太赫兹喇叭接收天线位于介质透镜B的焦点处，接收介质透镜B聚焦后的太赫兹信号。
一种太赫兹准光功率合成与放大装置，该放大装置包括介质透镜A、第一级微波放大阵列芯片、第二级微波放大阵列芯片、第三级微波放大阵列芯片、……、第N级微波放大阵列芯片、太赫兹倍频阵列芯片和介质透镜B；
其中，第一级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了微波接收天线、微波耦合微带线、微波放大电路和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有微波接收天线、微波放大电路和微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与微波耦合微带线成十字正交关系；
微波喇叭发射天线发射的微波信号经过介质透镜A后被微波接收天线接收，微波接收天线将信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给微波耦合微带线，微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至第二级微波放大阵列芯片正面的第一段微波耦合微带线；
第二级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了第一段微波耦合微带线、微波放大电路、第二段微波耦合微带线和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有第一段微波耦合微带线、微波放大电路和第二段微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与第二段微波耦合微带线成十字正交关系；第一段微波耦合微带线与第一级微波放大阵列芯片背面的微波辐射缝隙成十字正交关系；
第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线，第二段微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至下一级微波放大阵列芯片；
第三级微波放大阵列芯片、……、第N-1级微波放大阵列芯片与第二级微波放大阵列芯片的结构和传输方式均相同；
第N级微波放大阵列芯片与第二级微波放大阵列芯片的结构相同；传输方式如下：
第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线，第二段微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至太赫兹倍频阵列芯片的微波耦合微带线；
太赫兹倍频阵列芯片由p×q个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了微波耦合微带线、太赫兹倍频器、太赫兹一分M等功分器和M个太赫兹辐射缝隙；
在介质基片的正面有微波耦合微带线、太赫兹倍频器和太赫兹一分M等功分器；在介质基片的背面有M个太赫兹辐射缝隙，M个太赫兹辐射缝隙与太赫兹一分M等功分器中的太赫兹耦合微带线一一对应且成十字正交关系；
微波耦合微带线将耦合到的信号传输给太赫兹倍频器，太赫兹倍频器将信号倍频至太赫兹频段，输出太赫兹信号，并将输出的太赫兹信号传输给太赫兹一分M等功分器，太赫兹一分M等功分器将太赫兹信号等分为M路相参信号，M路等幅相参信号耦合至与其一一对应的太赫兹辐射缝隙；太赫兹辐射缝隙输出太赫兹信号经过介质透镜B后由太赫兹喇叭接收天线接收。
有益效果
本发明的装置与常规的功率合成技术相比具有合成损耗小、承受功率高、加工难度相对低、合成路数多、工作频段宽等优点。
该微波耦合带线与微波辐射缝隙之间、该前级芯片背面的微波辐射缝隙与后级芯片正面的微波耦合微带线之间、该太赫兹一分M等功分器中的太赫兹耦合微带线与太赫兹辐射缝隙之间均采用正交耦合的方式传输信号，这样降低了传输损耗，提高了耦合效率；
该微波放大阵列芯片集成了m×n个子单元，便于通过稳定的工艺手段实现各子单元间一致性的要求；
该N级微波放大阵列芯片级联结构实现了微波信号功率空间逐级放大，既保证了放大链路的有效增益，又提高了输出功率；
该太赫兹倍频阵列芯片集成了p×q个子单元，每个子单元包含一分M等功分器，并将等功分后的M路相参太赫兹信号耦合至芯片背面太赫兹辐射缝隙输出，这样增大了太赫兹信号辐射缝隙数量，提高了辐射功率；
准光技术利用空间聚束的方式传递信号，可使系统的欧姆损耗最小化，同时能够承载高功率，并且方便灵活的实现多波束多极化工作。与利用光线描述光波特性相类似，准光技术基于高斯波束表征高频电磁波的传输特性。
介质透镜A具备聚焦特性，能够将空间馈入的球面波信号转换为平面波信号；
介质透镜B具备聚焦特性，能够将前级馈入的太赫兹平面波信号聚焦为高斯波束形式的太赫兹信号，实现准光空间功率合成，提高了太赫兹频段装置的输出功率。
附图说明
图1是本发明的太赫兹准光功率合成与放大装置的组成示意图；
图2是本发明的芯片通过金属载体进行固定的结构示意图；
图3a是本发明实施例中的第一级微波放大阵列芯片的主视图；
图3b是本发明实施例中的第一级微波放大阵列芯片的后视图；
图4a是本发明实施例中的第一级微波放大阵列芯片的正面结构示意图；
图4b是本发明实施例中的第一级微波放大阵列芯片的背面结构示意图；
图5a是本发明实施例中的第二级微波放大阵列芯片的主视图；
图5b是本发明实施例中的第二级微波放大阵列芯片的后视图；
图6a是本发明实施例中的第二级微波放大阵列芯片的正面结构示意图；
图6b是本发明实施例中的第二级微波放大阵列芯片的背面结构示意图；
图7a是本发明实施例中的太赫兹倍频阵列芯片的主视图；
图7b是本发明实施例中的太赫兹倍频阵列芯片的后视图；
图8a是本发明实施例中的太赫兹倍频阵列芯片的正面结构示意图；
图8b是本发明实施例中的太赫兹倍频阵列芯片的背面结构示意图；
图9是本发明中阵列芯片在散热载体上的装配示意图；
图10为本发明实施例中微波经过阵列芯片的过程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实例对本发明作进一步的说明。应该指出，所述实施例仅视为说明目的，而不是对本发明的限制。
实施例
如图1和图10所示，一种太赫兹准光功率合成与放大装置，该装置包括微波喇叭发射天线、介质透镜A、第一级微波放大阵列芯片、第二级微波放大阵列芯片、第三级微波放大阵列芯片、太赫兹倍频阵列芯片、介质透镜B和太赫兹喇叭接收天线；微波喇叭发射天线位于介质透镜A的焦点处；太赫兹喇叭接收天线位于介质透镜B的焦点处，接收介质透镜B聚焦后的太赫兹信号。
如图1所示，介质透镜A由硅材料制成，介质透镜B由硅材料制成；
该微波喇叭发射天线辐射微波球面波信号传输至介质透镜A，介质透镜A将馈入的微波球面波信号转换为平面波信号输出；
如图4(a)和图4(b)所示，第一级微波放大阵列芯片由4×4个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了微波接收天线、微波耦合微带线、微波放大电路和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有微波接收天线、微波放大电路和微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与微波耦合微带线成十字正交关系；
微波接收天线接收介质透镜A馈入的微波平面波信号，然后将信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给微波耦合微带线，微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至第二级微波放大阵列芯片正面的第一段微波耦合微带线；
如图10所示，所述的介质透镜A馈入的微波信号频率为90GHz、功率PMW为20dBm；
经过微波放大电路放大后的微波信号频率为90GHz、功率为25dBm；
如图6(a)和图6(b)所示，第二级微波放大阵列芯片由4×4个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了第一段微波耦合微带线、微波放大电路、第二段微波耦合微带线和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有第一段微波耦合微带线、微波放大电路和第二段微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与第二段微波耦合微带线成十字正交关系；第一段微波耦合微带线与第一级微波放大阵列芯片背面的微波辐射缝隙成十字正交关系；
第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线，第二段微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至下一级微波放大阵列芯片；
所述的经过微波放大电路放大后的微波信号频率为90GHz、功率为30dBm；
第二级微波放大阵列芯片由4×4个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了第一段微波耦合微带线、微波放大电路、第二段微波耦合微带线和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有第一段微波耦合微带线、微波放大电路和第二段微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与第二段微波耦合微带线成十字正交关系；第一段微波耦合微带线与第一级微波放大阵列芯片背面的微波辐射缝隙成十字正交关系；
第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线，第二段微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至太赫兹倍频阵列芯片的微波耦合微带线；
所述的经过微波放大电路放大后的微波信号频率为90GHz、功率为35dBm；
如图8(a)和图8(b)所示，太赫兹倍频阵列芯片由4×4个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了微波耦合微带线、太赫兹2倍频器、太赫兹一分四等功分器和四个太赫兹辐射缝隙，太赫兹倍频阵列芯片上的所有的太赫兹辐射缝隙组成8×8缝隙阵列；
在介质基片的正面有微波耦合微带线、太赫兹2倍频器和太赫兹一分四等功分器；在介质基片的背面有四个太赫兹辐射缝隙，四个太赫兹辐射缝隙与太赫兹一分四等功分器中的太赫兹耦合微带线一一对应且成十字正交关系；
微波耦合微带线将耦合到的信号传输给太赫兹2倍频器，太赫兹2倍频器将信号倍频至太赫兹频段，倍频损耗ΔP为15dB，输出180GHz的太赫兹信号，并将输出的180GHz的太赫兹信号传输给太赫兹一分四等功分器，太赫兹一分四等功分器将太赫兹信号等分为四路相参信号，四路等幅相参信号耦合至与其一一对应的太赫兹辐射缝隙；太赫兹辐射缝隙输出功率PTHz为20dBm的太赫兹平面波信号，20dBm的太赫兹平面波信号经过介质透镜B后由太赫兹喇叭接收天线接收，介质透镜B将太赫兹倍频阵列芯片输出的太赫兹平面波信号聚焦为高斯波束形式的太赫兹电磁波，传输损耗10dB，实现空间功率合成，合成后的信号功率为10dBm；
上述的所有微波耦合微带线宽度均为20μm，阻抗均为50Ohm。
上述三级微波放大阵列芯片中的微波放大电路均为GaN内匹配功率放大电路；
所述的太赫兹2倍频器采用GaAs肖特基二极管，倍频损耗为15dB；
与没有3级微波放大阵列芯片相比，该装置可以提高15dB的太赫兹功率放大。
上述的第一级微波放大阵列芯片、第二级微波放大阵列芯片、第三级微波放大阵列芯片和太赫兹倍频阵列芯片分别通过金属载体进行固定，如图2所示；金属载体的边缘有定位导轨槽，金属载体的凹槽与阵列芯片的尺寸一致；
安装在金属载体上的第一级微波放大阵列芯片的主视图如图3(a)和图3(b)所示；
安装在金属载体上的第二级微波放大阵列芯片的主视图如图5(a)和图5(b)所示；
安装在金属载体上的太赫兹倍频阵列芯片的主视图如图7(a)和图7(b)所示；
三级微波放大阵列芯片和太赫兹倍频阵列芯片通过导电胶粘接在散热载体上，如图9所示，散热载体采用AlN材料，散热载体可以和芯片进行较好的热膨胀匹配和热传导。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡是在本发明权利要求范围内所作的均等变化与修饰，均应属于本发明权利要求的涵盖范围。
Claims (3)
1.一种太赫兹准光功率合成与放大装置，其特征在于：该放大装置包括介质透镜A、第一级微波放大阵列芯片、第二级微波放大阵列芯片、第三级微波放大阵列芯片、……、第N级微波放大阵列芯片、太赫兹倍频阵列芯片和介质透镜B；
其中，第一级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了微波接收天线、微波耦合微带线、微波放大电路和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有微波接收天线、微波放大电路和微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与微波耦合微带线成十字正交关系；
位于介质透镜A的焦点处的发射源发射的微波信号经过介质透镜A后被微波接收天线接收，微波接收天线将信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给微波耦合微带线，微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至第二级微波放大阵列芯片正面的第一段微波耦合微带线；
第二级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了第一段微波耦合微带线、微波放大电路、第二段微波耦合微带线和微波辐射缝隙；在介质基片的正面有第一段微波耦合微带线、微波放大电路和第二段微波耦合微带线；在介质基片的背面有微波辐射缝隙，微波辐射缝隙与第二段微波耦合微带线成十字正交关系；第一段微波耦合微带线与第一级微波放大阵列芯片背面的微波辐射缝隙成十字正交关系；
第二级微波放大阵列芯片的第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线，第二段微波耦合微带线将信号耦合至第二级微波放大阵列芯片的微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至下一级微波放大阵列芯片；
第三级微波放大阵列芯片、……、第N-1级微波放大阵列芯片与第二级微波放大阵列芯片的结构和传输方式均相同；
第N级微波放大阵列芯片与第二级微波放大阵列芯片的结构相同；传输方式如下：
第N级微波放大阵列芯片的第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路，微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线，第二段微波耦合微带线将信号耦合至第N级微波放大阵列芯片的微波辐射缝隙，微波辐射缝隙将信号耦合至太赫兹倍频阵列芯片的微波耦合微带线；
太赫兹倍频阵列芯片由p×q个子单元组成，每个子单元在介质基片上集成了微波耦合微带线、太赫兹倍频器、太赫兹一分M等功分器和M个太赫兹辐射缝隙；
在介质基片的正面有微波耦合微带线、太赫兹倍频器和太赫兹一分M等功分器；在介质基片的背面有M个太赫兹辐射缝隙，M个太赫兹辐射缝隙与太赫兹一分M等功分器中的太赫兹耦合微带线一一对应且成十字正交关系；
太赫兹倍频阵列芯片的微波耦合微带线将耦合到的信号传输给太赫兹倍频器，太赫兹倍频器将信号倍频至太赫兹频段，输出太赫兹信号，并将输出的太赫兹信号传输给太赫兹一分M等功分器，太赫兹一分M等功分器将太赫兹信号等分为M路相参信号，M路等幅相参信号耦合至与其一一对应的太赫兹辐射缝隙；太赫兹辐射缝隙输出太赫兹信号经过介质透镜B后由位于介质透镜B焦点处的接收设备接收。
2.根据权利要求1所述的一种太赫兹准光功率合成与放大装置，其特征在于：接收设备为太赫兹喇叭接收天线。
3.根据权利要求1所述的一种太赫兹准光功率合成与放大装置，其特征在于：发射源为微波喇叭发射天线。
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