CN103346375B - 扩展波导空间功率分配合成器 - Google Patents

扩展波导空间功率分配合成器 Download PDF

Info

Publication number
CN103346375B
CN103346375B CN201310264446.0A CN201310264446A CN103346375B CN 103346375 B CN103346375 B CN 103346375B CN 201310264446 A CN201310264446 A CN 201310264446A CN 103346375 B CN103346375 B CN 103346375B
Authority
CN
China
Prior art keywords
waveguide
power
expansion
expansion waveguide
microstrip probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310264446.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103346375A (zh
Inventor
宁曰民
姜万顺
祝庆霖
孙国泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CLP Kesiyi Technology Co Ltd
Original Assignee
CETC 41 Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 41 Institute filed Critical CETC 41 Institute
Priority to CN201310264446.0A priority Critical patent/CN103346375B/zh
Publication of CN103346375A publication Critical patent/CN103346375A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103346375B publication Critical patent/CN103346375B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

一种基于微带探针阵列的单面双脊扩展波导空间功率分配合成器,其采用具有低损耗、宽频带特性的扩展波导空间功率分配合成结构,扩展波导主要由同轴台阶状阻抗变换结构和八路具有高幅相一致性和高功率分配合成效率的单面双脊矩形波导构成,每一路矩形波导均可通过波导-微带探针阵列转换结构在微带电路上实现功率的单路放大,最终的功率合成在扩展波导内完成。该技术将功率放大器的增益放大电路和功率放大电路置于扩展波导外,不但有效地解决了散热问题,而且大大提高了系统的功率容量。该技术的适用频率范围可覆盖微波毫米波多个频段,输出功率可根据不同频段的带宽要求结合具体的功率器件灵活调整。

Description

扩展波导空间功率分配合成器
技术领域
本发明涉及一种单面双脊扩展波导空间功率分配合成器。
背景技术
微波毫米波固态功率放大器作为微波毫米波雷达、制导及通信等系统的一个重要组成部分,已经成为微波毫米波领域研究的重要课题。随着对放大器输出功率要求的不断提高,单个放大芯片的输出功率已不再能够满足系统工作的需要,因此,必须采用多路放大、功率合成的技术以有效提高整个放大电路的输出功率。
由于传统的平面电路功率分配合成技术所采用的技术方案在结构实现上都比较复杂,降低损耗和有效散热问题都很难解决,因而合成效率和合成功率并不十分理想。基于波导的空间功率合成技术可以有效地防止辐射损耗,具有频带宽、损耗低、散热快、幅相一致性高及功率容量大等优点,较好地弥补了平面电路功率合成技术的不足。因而,基于波导的功率合成技术逐渐成为毫米波空间功率合成技术的研究热点。
目前空间功率分配合成技术主要采用波导内叠片方式,通过放置于每层叠片上的有源鳍线天线实现功率的放大。功率的分配和合成借助于有源鳍线天线阵在波导内实现,典型的实现结构如图1所示。这种结构的优点是结构紧凑,但是其最大的缺点是无法达到有效的散热,同时,也容易激起高次模,从而大大影响了其功率合成的效率。同时,在毫米波频段由于波导内空间非常狭小,无法放置放大芯片,因此,该结构只适合于微波频段,无法在毫米波频段实现多路的功率分配与合成。
随着微波毫米波技术在雷达、制导及通信等领域的广泛应用,对微波毫米波信号源的带宽、增益及输出功率等指标都提出了越来越高的要求。微波毫米波固态功放芯片虽然具有尺寸小、重量轻、可靠性高及电路结构紧凑等优点,但由于目前单个固态器件的输出功率受自身半导体物理特性的影响以及散热、加工工艺、阻抗匹配等问题的限制而远远达不到实际工程中要求的输出功率,因而无法满足微波毫米波大功率通信系统的要求。因此,在单个器件输出功率有限的情况下,采用多个固态器件的功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法。而目前国内外功率分配合成技术所遇到的普遍问题是如何进一步有效地提高功率分配合成效率、降低损耗、增大工作带宽及提高功率容量等。
本发明要解决的技术问题就是有效提高功率分配合成器的宽频带、大容量、高效率及低损耗等技术难题。
发明内容
本发明通过对国内外微波毫米波空间功率分配合成技术的深入分析和研究,提出了一种新型的基于微带探针阵列的单面双脊扩展波导空间功率分配合成技术。该技术采用具有低损耗、宽频带特性的扩展波导空间功率分配合成结构,扩展波导主要由同轴台阶状阻抗变换结构和八路具有高幅相一致性和高功率分配合成效率的单面双脊矩形波导构成,每一路矩形波导均可通过波导-微带探针阵列转换结构在微带电路上实现功率的单路放大,最终的功率合成在扩展波导内完成。该技术将功率放大器的增益放大电路和功率放大电路置于扩展波导外,不但有效地解决了散热问题,而且大大提高了系统的功率容量。该技术的适用频率范围可覆盖微波毫米波多个频段,输出功率可根据不同频段的带宽要求结合具体的功率器件灵活调整。
本发明的技术方案是:一种单面双脊扩展波导空间功率分配合成器,电磁波首先由同轴波导进入宽带扩展波导,然后由扩展波导进入每个单面双脊矩形波导,完成功率分配,进入矩形波导的每一路信号通过矩形波导-微带探针阵列转换结构进入微带平面电路,在该平面电路上,通过增益放大和功率放大将放大后的电磁波能量由微带探针阵列-波导转换结构再进入每一路单面双脊矩形波导,八路脊波导的输出功率最终在扩展波导中完成收集与合成,合成后的信号最后通过同轴波导输出;通过合理设计同轴及波导尺寸、微带探针尺寸与位置以及扩展波导内台阶过渡结构的尺寸,即可在微波及毫米波不同频段内实现宽带功率分配与合成,这种功率分配与合成的实现方式由于采用了金属波导结构,因而大大降低了功率分配与合成中的能量损耗,有效提高了合成效率;这种扩展波导由于采用了轴对称的径向辐射状结构,因此,使得散热效率大大提高;扩展波导与同轴线一样,也可存在TEM模,由扩展波导的相关理论可知,它是一种柱面TEM模,在半径为R的圆周上电场相同,电场只有轴向分量,在半径为R的圆周上磁场大小相等,方向沿圆周切向,扩展波导TEM模的电磁场分布具有径向对称性;扩展波导功率合成器的中心探针采用了台阶过渡的结构,该结构根据最小反射理论及传输线模型进行了优化设计,同时,为了提高各端口的隔离度、改善端口驻波以及有效解决扩展波导在毫米波频段存在的高次模干扰问题,采用扩展波导与单面双脊波导相结合的方法来抑制高次模的传输;单面双脊矩形波导-微带探针阵列转换结构中的微带探针采用高频专用微波基片实现,微带探针到50欧姆标准阻抗微带线的过渡根据最小反射理论及传输线模型采用了三级阶梯变换的结构,可在宽带范围内实现插入损耗小于0.3dB,驻波小于1.2。
现有功率分配合成技术由于采用波导内叠片方案,其缺点是很难进一步有效地提高功率分配合成效率、降低损耗、增大工作带宽及提高功率容量等,同时由于毫米波频段的波导尺寸都很小,很难放置放大芯片,因此,该技术在高于40GHz的毫米波频段的缺点更加显著。
本发明的目的就是要解决微波毫米波功率分配与合成中的宽频带、高频率、高效率和低损耗。采用本技术后,在微波及毫米波频段,工作带宽可达10GHz以上,功率分配合成效率可由传统叠片方式的60%左右提高至80%以上。
附图说明
图1是现有微波频段波导叠片式功率分配合成器。
图2是单面双脊扩展波导空间功率分配合成器结构原理图。
图2(a)是单面双脊扩展波导空间功率分配器结构图。
图2(b)是空间功率分配合成器整体结构图。
图2(c)是单面双脊扩展波导功率分配器内部结构图。
图2(d)是单面双脊波导-微带探针阵列转换结构图。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明所采用的基于微带探针阵列的单面双脊扩展波导空间功率分配合成结构原理如图2所示。在该结构中,电磁波首先由同轴波导进入宽带扩展波导,然后由扩展波导进入每个单面双脊矩形波导,完成功率分配,进入矩形波导的每一路信号通过矩形波导-微带探针阵列转换结构进入微带平面电路,在该平面电路上,通过增益放大和功率放大将放大后的电磁波能量由微带探针阵列-波导转换结构再进入每一路单面双脊矩形波导,八路脊波导的输出功率最终在扩展波导中完成收集与合成,合成后的信号最后通过同轴波导输出。
通过合理设计同轴及波导尺寸、微带探针尺寸与位置以及扩展波导内台阶过渡结构的尺寸,即可在微波及毫米波不同频段内实现宽带功率分配与合成,这种功率分配与合成的实现方式由于采用了金属波导结构,因而大大降低了功率分配与合成中的能量损耗,有效提高了合成效率。除此之外,这种扩展波导由于采用了轴对称的径向辐射状结构,因此,使得散热效率大大提高。
扩展波导与同轴线一样,也可存在TEM模,由扩展波导的相关理论可知,它是一种柱面TEM模,在半径为R的圆周上电场相同,电场只有轴向分量(φ分量),在半径为R的圆周上磁场大小相等,方向沿圆周切向,也就是说,扩展波导TEM模的电磁场分布具有径向对称性,这也是我们利用扩展波导实现功率等分的原因之一。
扩展波导功率合成器的中心探针采用了台阶过渡的结构,该结构根据最小反射理论及传输线模型进行了优化设计,同时,为了提高各端口的隔离度、改善端口驻波以及有效解决扩展波导在毫米波频段存在的高次模干扰问题,这里采用了扩展波导与单面双脊波导相结合的方法来抑制高次模的传输。
单面双脊矩形波导-微带探针阵列转换结构中的微带探针采用高频专用微波基片实现,微带探针到50欧姆标准阻抗微带线的过渡根据最小反射理论及传输线模型采用了三级阶梯变换的结构,可在宽带范围内实现插入损耗小于0.3dB,驻波小于1.2。
本发明不但可将其适用频率范围由传统的微波频段提高至毫米波频段,从而避免了现有实现方式中芯片难于装配的问题,同时,该技术具有更宽的工作频带,更高的功率分配与合成效率,更低的通路损耗以及更加高效的散热方式。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换(如与扩展波导相连的矩形波导的路数发生改变等),或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (1)

1.一种扩展波导空间功率分配合成器,其特征在于,电磁波首先由同轴波导进入宽带扩展波导,然后由扩展波导进入每个单面双脊矩形波导,完成功率分配,进入矩形波导的每一路信号通过矩形波导-微带探针阵列转换结构进入微带平面电路,在该平面电路上,通过增益放大和功率放大将放大后的电磁波能量由微带探针阵列-波导转换结构再进入每一路单面双脊矩形波导,8路脊波导的输出功率最终在扩展波导中完成收集与合成,合成后的信号最后通过同轴波导输出;通过合理设计同轴波导尺寸、微带探针尺寸与位置以及扩展波导内台阶过渡结构的尺寸,即可在微波及毫米波不同频段内实现宽带功率分配与合成,这种功率分配与合成的实现方式由于采用了金属波导结构,因而降低了功率分配与合成中的能量损耗,有效提高了合成效率;这种扩展波导由于采用了轴对称的径向辐射状结构,因此,使得散热效率提高;扩展波导与同轴线一样,也存在TEM模,由扩展波导的相关理论可知,它是一种柱面TEM模,在半径为R的圆周上电场相同,电场只有轴向分量,在半径为R的圆周上磁场大小相等,方向沿圆周切向,扩展波导TEM模的电磁场分布具有径向对称性;扩展波导功率合成器的微带探针采用了台阶过渡的结构,该结构根据最小反射理论及传输线模型进行了优化设计,同时,为了提高各端口的隔离度、改善端口驻波以及有效解决扩展波导在毫米波频段存在的高次模干扰问题,采用扩展波导与单面双脊波导相结合的方法来抑制高次模的传输;单面双脊矩形波导-微带探针阵列转换结构中的微带探针采用高频专用微波基片实现,微带探针到50欧姆标准阻抗微带线的过渡根据最小反射理论及传输线模型采用了三级阶梯变换的结构,可在宽带范围内实现插入损耗小于0.3dB,驻波小于1.2。
CN201310264446.0A 2013-06-27 2013-06-27 扩展波导空间功率分配合成器 Active CN103346375B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310264446.0A CN103346375B (zh) 2013-06-27 2013-06-27 扩展波导空间功率分配合成器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310264446.0A CN103346375B (zh) 2013-06-27 2013-06-27 扩展波导空间功率分配合成器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103346375A CN103346375A (zh) 2013-10-09
CN103346375B true CN103346375B (zh) 2016-03-16

Family

ID=49281158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310264446.0A Active CN103346375B (zh) 2013-06-27 2013-06-27 扩展波导空间功率分配合成器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103346375B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103354301A (zh) * 2013-07-12 2013-10-16 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种扩展同轴功率分配合成器及功率分配、合成方法
CN104134843B (zh) * 2014-07-18 2016-04-27 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种低频宽带多路同轴空间功率分配合成器及方法
CN105206907B (zh) * 2015-10-10 2018-05-08 成都赛纳赛德科技有限公司 准平面调配器
CN105449331A (zh) * 2015-12-29 2016-03-30 深圳市华讯方舟卫星通信有限公司 一种多路高隔离度超宽带波导径向合成器
CN106952881B (zh) * 2017-03-15 2019-02-26 北京北广科技股份有限公司 用于大功率固态功放的水冷功率合成器
CN108054480B (zh) * 2017-12-11 2019-06-07 合肥中科离子医学技术装备有限公司 一种用于发射机的多路功率合成装置
CN113224490B (zh) * 2021-04-13 2023-06-06 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种波导空间功率合成器
CN113517527B (zh) * 2021-08-25 2022-03-04 中电科思仪科技股份有限公司 单面双脊双探针波导功率分配器、功率合成器及合成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102280681A (zh) * 2011-05-13 2011-12-14 电子科技大学 同轴-脊波导-微带转换结构功分器
CN202363570U (zh) * 2011-10-31 2012-08-01 华南理工大学 一种空气微带高隔离径向功率合成放大器
CN102832432A (zh) * 2012-08-30 2012-12-19 北京遥测技术研究所 一种径向线功率分配/合成器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102280681A (zh) * 2011-05-13 2011-12-14 电子科技大学 同轴-脊波导-微带转换结构功分器
CN202363570U (zh) * 2011-10-31 2012-08-01 华南理工大学 一种空气微带高隔离径向功率合成放大器
CN102832432A (zh) * 2012-08-30 2012-12-19 北京遥测技术研究所 一种径向线功率分配/合成器

Also Published As

Publication number Publication date
CN103346375A (zh) 2013-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103346376B (zh) 渐变鳍线扩展波导空间功率分配合成器
CN103346375B (zh) 扩展波导空间功率分配合成器
CN105304998B (zh) 一种新型宽带径向曲线渐变脊空间功率分配/合成器
CN108448219A (zh) 一种e波段波导e-t分支和多探针耦合结构功率合成放大器
CN103367854B (zh) 一种波导功率分配合成器及功率分配、合成方法
CN102832432A (zh) 一种径向线功率分配/合成器
CN113517527B (zh) 单面双脊双探针波导功率分配器、功率合成器及合成方法
CN105322265B (zh) 基于扇形波导的功率分配/合成器
CN107275738B (zh) 基于磁耦合原理的波导-微带功率合成器
CN105186086A (zh) 一种超宽频带多路功率分配器及合成器
CN104134842A (zh) 毫米波多路空间波导功率分配合成器及方法
CN103490133B (zh) 一种基于柔性连接的微带多向功率分配/合成器
CN104505568B (zh) 基于高次椭圆函数曲线的超宽带多路同轴功率分配合成结构
CN107171045A (zh) 一种新型分离式椭圆函数渐变结构功率合成器
CN107394330A (zh) 一种固态电路‑波导功率合成装置
CN103354301A (zh) 一种扩展同轴功率分配合成器及功率分配、合成方法
CN104362420A (zh) 一种宽带全端口匹配波导功分合成方法
CN110311202A (zh) 基于渐变脊的宽带脊波导功率合成器和功率合成器装置
WO2018214426A1 (zh) 一种Ka波段同轴波导内空间功率分配/合成器
Wang et al. A millimeter-wave solid-state power combining circuit based on branch-waveguide directional coupler
CN210272627U (zh) 一种花瓣状1分4波导功分器
CN208208950U (zh) 一种e波段波导e-t分支和多探针耦合结构功率合成放大器
CN104538718B (zh) 一种波导‑双对极鳍线‑微带线形式的空间功率合成器
CN104702225B (zh) 一种太赫兹频段空间功率放大装置
CN202004135U (zh) K波段大功率波导功率合成网络

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190308

Address after: 266000 No. 98 Xiangjiang Road, Huangdao District, Qingdao City, Shandong Province

Patentee after: China Electronics Technology Instrument and Meter Co., Ltd.

Address before: 266000 No. 98 Xiangjiang Road, Qingdao economic and Technological Development Zone, Shandong

Patentee before: The 41st Institute of CETC

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: Huangdao Xiangjiang Road 266555 Shandong city of Qingdao Province, No. 98

Patentee after: CLP kesiyi Technology Co.,Ltd.

Address before: 266000 No. 98 Xiangjiang Road, Huangdao District, Shandong, Qingdao

Patentee before: CHINA ELECTRONIC TECHNOLOGY INSTRUMENTS Co.,Ltd.