CN104699415B - 固态硬盘写入控制方法和装置 - Google Patents

固态硬盘写入控制方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104699415B
CN104699415B CN201310664753.8A CN201310664753A CN104699415B CN 104699415 B CN104699415 B CN 104699415B CN 201310664753 A CN201310664753 A CN 201310664753A CN 104699415 B CN104699415 B CN 104699415B
Authority
CN
China
Prior art keywords
solid state
hard disc
state hard
life
write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310664753.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104699415A (zh
Inventor
黄斐玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lenovo Beijing Ltd
Original Assignee
Lenovo Beijing Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lenovo Beijing Ltd filed Critical Lenovo Beijing Ltd
Priority to CN201310664753.8A priority Critical patent/CN104699415B/zh
Publication of CN104699415A publication Critical patent/CN104699415A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104699415B publication Critical patent/CN104699415B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种固态硬盘写入控制方法和装置,属于存储设备领域。所述方法包括:获取第一固态硬盘的第一硬件信息,所述第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;确定所述第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,所述寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间;根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想寿命的区间,控制所述第一固态硬盘的写入速度。本发明通过根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想寿命的范围,控制固态硬盘的写入速度,可以使得在固态硬盘寿命下降速度过快时,通过控制写入速度来保证,硬盘的使用寿命。

Description

固态硬盘写入控制方法和装置
技术领域
本发明涉及存储设备领域,特别涉及一种固态硬盘写入控制方法和装置。
背景技术
SSD(Solid State Disk,固态硬盘)具有高速、高环境适应能力、低噪音的优点,因此SSD将成为存储技术发展的重要趋势,在3-5年内SSD将得到大范围的应用。
然而,对于SSD而言,其中采用的NAND flash(Not AND,与非闪存)颗粒有一个很重要的特性,即其Program/Erase cycle(擦写次数,以下简称“P/E cycle”)具有限制,即每个NAND flash颗粒只有有限的P/E cycle。例如目前业界普遍采用的MLC(Multi-Level Cell,多层单元)NAND flash,其P/E cycle限制次数是3000~5000次。NAND flash颗粒中包括多个可擦写的Block(块),当NAND flash颗粒中的Block写入寿命达到极限后,此Block将变成无效块,会造成用户数据丢失,SSD容量下降,性能下降。
研究发现,SSD寿命的下降速度与写入速度相关,因为SSD写入速度过快时,SSD的耗损均衡算法以及垃圾回收机制算法等将没有足够的资源去执行,从而导致写入放大变大,SSD下降速度变快;但相反,如果SSD写入速度过慢虽然可以保证SSD的使用寿命,但是SSD的高速的特点将会丧失,影响用户使用。因此,如何控制SSD的写入速度,使得SSD在商用时,既能保证高速写入,又能保证使用寿命不会过短。
发明内容
为了解决现有技术中如何控制SSD的写入速度,使得SSD在商用时,既能保证高速写入,又能保证使用寿命不会过短的问题,本发明实施例提供了一种固态硬盘写入控制方法和装置。所述技术方案如下:
一方面,本发明实施例提供了一种固态硬盘写入控制方法,所述方法包括:
获取第一固态硬盘的第一硬件信息,所述第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;
确定所述第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,所述寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间;
根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想剩余寿命的区间,控制所述第一固态硬盘的写入速度。
在本发明实施例的一种实现方式中,在所述获取第一固态硬盘的第一硬件信息之前,所述方法包括:
建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型,包括:
统计用户实际写入时数据的大小分布和类型分布;
按照所述用户实际写入时数据的大小分布和类型分布,向第二固态硬盘中写入数据,所述第二固态硬盘与所述第一固态硬盘型号相同;
采样所述第二固态硬盘的第二硬件信息,所述第二硬件信息包括第二写入数据总量与第二剩余寿命;
采用多项式回归拟合出用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间,得到与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的寿命模型。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想剩余寿命的区间,控制所述第一固态硬盘的写入速度,包括:
当获取到的所述第一剩余寿命连续N次小于确定的所述理想剩余寿命的区间的下限时,控制所述第一固态硬盘的写入速度处于第一写入速度,所述第一写入速度小于出厂时所述第一固态硬盘的设定写入速度,其中N为大于0的整数。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述方法还包括:
在所述第一固态硬盘的写入速度处于所述第一写入速度时,获取所述第一固态硬盘的第三硬件信息,所述第三硬件信息包括第三写入数据总量和第三剩余寿命;
确定所述第三写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间;
当获取到的所述第三剩余寿命不小于确定的所述理想剩余寿命的区间的下限时,控制所述第一固态硬盘的写入速度处于所述设定写入速度。
另一方面,本发明实施例还提供了一种固态硬盘写入控制装置,所述装置包括:
获取模块,用于获取第一固态硬盘的第一硬件信息,所述第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;
确定模块,用于确定所述第一写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,所述寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间;
控制模块,用于根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想剩余寿命的区间,控制所述第一固态硬盘的写入速度。
在本发明实施例的一种实现方式中,所述装置还包括:建立模块,用于在所述获取第一固态硬盘的第一硬件信息之前,建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述建立模块,包括:
采集单元,用于统计用户实际写入时数据的大小分布和类型分布;
写入单元,用于按照所述用户实际写入时数据的大小分布和类型分布,向第二固态硬盘中写入数据,所述第二固态硬盘与所述第一固态硬盘型号相同;
采样单元,用于采样所述第二固态硬盘的第二硬件信息,所述第二硬件信息包括第二写入数据总量与第二剩余寿命;
处理单元,用于采用多项式回归拟合出用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间,得到与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的寿命模型。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述控制模块,用于当获取到的所述第一剩余寿命连续N次小于确定的所述理想剩余寿命的区间的下限时,控制所述第一固态硬盘的写入速度处于第一写入速度,所述第一写入速度小于出厂时所述第一固态硬盘的设定写入速度,其中N为大于0的整数。
在本发明实施例的另一种实现方式中,所述获取模块,还用于在所述第一固态硬盘的写入速度处于所述第一写入速度时,获取所述第一固态硬盘的第三硬件信息,所述第三硬件信息包括第三写入数据总量和第三剩余寿命;
所述确定模块,用于确定所述第三写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间;
所述控制模块,用于当获取到的所述第三剩余寿命不小于确定的所述理想剩余寿命的区间的下限时,控制所述第一固态硬盘的写入速度处于所述设定写入速度。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
获取第一固态硬盘的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间;根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一固态硬盘的写入速度,由于,固态硬盘的速度是根据采集到的第一剩余寿命与寿命模型中的理想寿命比较后进行控制的,因此只会在固态硬盘寿命下降速度过快时,通过控制写入速度来保证硬盘的使用寿命,这样既保证了固态硬盘的使用寿命,又不会影响其高速写入性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的固态硬盘写入控制方法流程图;
图2是本发明实施例二提供的固态硬盘写入控制方法流程图;
图3是本发明实施例二提供的用户实际写入时数据的大小分布示意图;
图4是本发明实施例二提供的固态硬盘寿命模型示意图;
图5是本发明实施例三提供的固态硬盘写入控制装置结构示意图;
图6是本发明实施例四提供的固态硬盘写入控制装置结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种SSD写入控制方法,参见图1,该方法包括:
步骤101:获取第一SSD的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命。
步骤102:确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间。
步骤103:根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一SSD的写入速度。
本发明实施例通过获取第一固态硬盘的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间;根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一固态硬盘的写入速度,由于,固态硬盘的速度是根据采集到的第一剩余寿命与寿命模型中的理想寿命比较后进行控制的,因此只会在固态硬盘寿命下降速度过快时,通过控制写入速度来保证硬盘的使用寿命,这样既保证了固态硬盘的使用寿命,又不会影响其高速写入性能。
实施例二
本发明实施例提供了一种SSD写入控制方法,以第一SSD为例,参见图2,该方法包括:
步骤201:建立与第一SSD同一型号的SSD的寿命模型。
在本实施例中,步骤201可以包括:
步骤一、统计用户实际写入时数据的大小分布和类型分布。
如图3所示,数据的大小包括0.5K、1K、2K、4K、8K、12K、16K、32K、64K等,数据的大小分别就是指每种大小的数据占写入总量的比例,例如1K的数据占1.130%。用户写入数据的类型包括串行数据和随机数据,数据的类型分别就是指串行数据占写入总量的比例,以及随机数据占写入总量的比例。
为了在后面步骤中建立模型时准确度更高,需要对不同商用客户类型的客户进行一定时长的数据采集。如图3所示,是对16个客户的写入情况采集后得到的结果,采集的时长为78天,这16个客户分属于不同的商用客户类型,包括办公客户、编程客户、媒体客户等。
步骤二、按照用户实际写入时数据的大小分布和类型分布,向第二SSD中写入数据,第二SSD与第一SSD型号相同。
由于不同大小、不同类型的数据写入对于SSD的使用寿命影响是不同的,因此需要事先采集用户实际写入时的实际数据写入情况,然后按照该实际数据写入情况写入数据。
步骤三、采样第二SSD的第二硬件信息,第二硬件信息包括第二写入数据总量与第二剩余寿命。
通常,SSD的剩余寿命可以用P/E cycle来衡量。第二硬件信息可以从第二SSD的Smart接口获取。Smart接口用于为用户提供SSD的Smart信息,Smart信息即为上述第二硬件信息。
进一步地,在具体现实时,可以以预定时间间隔采样第二写入数据总量以及第二剩余寿命。例如,每隔24小时,采样一组第二写入数据总量和第二剩余寿命。
步骤四、采用多项式回归拟合出用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间,得到与第一SSD同一型号的SSD的寿命模型。
在本发明实施例中,该预测区间为95%预测区间。95%预测区间是指,有95%的可能采样到的数据总量与第二剩余寿命对应的点落在此区间内。95%是概率,此数取得越大,则此预测区间将越宽泛,能够容纳更多的采样点。
另外,在拟合曲线时,还可以通过设置置信区间来保证拟合的曲线的可靠度。例如,95%置信区间是指有95%的概率采样点与拟合出的曲线点能够符合曲线拟合的数学假设,数学假设可以是最小方差,最小二乘,极大似然等。也就是说,曲线上的每一个点并非是点估计,而是区间估计。
SSD的剩余寿命并非按照线性方式下降,而是类似于指数的形式,如图4所示,K为拟合曲线,K1和K2为预测区间的上限和下限。图中,Y表示SSD剩余寿命,X表示用户写入总量,拟合曲线K线Y=aX2+bX+c,K1线Y=a1X2+b1X+c1。例如,对应Intel520系列SSD,其K线为Y=-0.00004X2-0.004393X+100.4。
在具体实现时,上述步骤四可以采用软件来实现,例如mini Tab的曲线拟合功能。
通过前述步骤201可以实现:建立与第一SSD同型号的SSD的寿命模型,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间。
且容易知道,步骤201不需要每次执行,同一个型号的SSD只需要执行一次步骤201。
步骤202:获取第一SSD的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命。
该信息可以从第一SSD的Smart接口获取,获取到第一SSD的Smart信息,即第一硬件信息。
步骤203:确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间。
步骤204:根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一SSD的写入速度。
在本实施例中,步骤204包括:当获取到的第一剩余寿命连续N次小于确定的理想剩余寿命的区间的下限时,控制第一SSD的写入速度处于第一写入速度,该第一写入速度小于第一SSD出厂时的设定写入速度,其中N为大于0的整数。
在其他实施例中,步骤204可以采用下述方式实现,当获取到的第一剩余寿命小于确定的理想剩余寿命的区间的下限时,控制第一SSD的写入速度处于第一写入速度。
另外,除了在上述两个实施例中,直接比较获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间的下限的大小之外,步骤204还可以采用如下方式实现:
设确定的理想剩余寿命的区间的下限为m1,获取到的第一剩余寿命为m2,
D=|m1-m2|,当D≥D0或连续N次≥D0时,控制第一SSD的写入速度处于第一写入速度。
容易知道,上述连续N次比较或计算可以是周期性的间隔进行,相应地,在这种情况下,前述步骤203也可以是周期性执行的。
进一步地,该方法还包括:
步骤一、在第一SSD的写入速度处于第一写入速度时,获取第一SSD的第三硬件信息,第三硬件信息包括第三写入数据总量和第三剩余寿命;
步骤二、确定第三写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间;
步骤三、当获取到的第三剩余寿命不小于确定的理想剩余寿命的区间的下限时,控制第一SSD的写入速度处于设定写入速度。
本发明实施例通过获取第一固态硬盘的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间;根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一固态硬盘的写入速度,由于,固态硬盘的速度是根据采集到的第一剩余寿命与寿命模型中的理想寿命比较后进行控制的,而当采集到的剩余寿命达到了理想寿命时,再将硬盘写入速度调回设定写入速度,因此只会在固态硬盘寿命下降速度过快时,通过控制写入速度来保证硬盘的使用寿命,这样既保证了固态硬盘的使用寿命,又不会影响其高速写入性能。
实施例三
本发明实施例提供了一种SSD写入控制装置,参见图5,方法流程包括:
获取模块301,用于获取第一SSD的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命。
确定模块302,用于确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间。
控制模块303,用于根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一SSD的写入速度。
本发明实施例通过获取第一固态硬盘的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间;根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一固态硬盘的写入速度,由于,固态硬盘的速度是根据采集到的第一剩余寿命与寿命模型中的理想寿命比较后进行控制的,因此只会在固态硬盘寿命下降速度过快时,通过控制写入速度来保证硬盘的使用寿命,这样既保证了固态硬盘的使用寿命,又不会影响其高速写入性能。
实施例四
本发明实施例提供了一种SSD写入控制装置,参见图6,方法流程包括:
获取模块402,用于获取第一SSD的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;该第一硬件信息可以从第一SSD的Smart接口获取,获取到SSD的Smart信息,即第一硬件信息。
确定模块403,用于确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间。
控制模块404,用于根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一SSD的写入速度。
进一步地,该装置还包括建立模块401,用于在获取第一SSD的第一硬件信息之前,建立与第一SSD同一型号的SSD的寿命模型。
在具体实现时,该建立模块401,包括:
采集单元401a,用于统计用户实际写入时数据的大小分布和类型分布。
写入单元401b,用于按照用户实际写入时数据的大小分布和类型分布,向第二SSD中写入数据,第二SSD与第一SSD型号相同。
由于不同大小、不同类型的数据写入对于SSD的使用寿命影响是不同的,因此需要事先采集用户实际写入时的实际数据写入情况,然后按照该实际数据写入情况写入数据。容易知道的是,写入单元401b写入数据的硬盘与采集单元401a采集的硬盘型号相同。
采样单元401c,用于采样第二SSD的第二硬件信息,第二硬件信息包括第二写入数据总量与第二剩余寿命。
通常,SSD的剩余寿命可以用P/E cycle来衡量。第二硬件信息可以从第二SSD的Smart接口获取。
处理单元401d,用于采用多项式回归拟合出用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间,得到与第一SSD同一型号的SSD的寿命模型。
在本发明实施例中,预测区间为95%预测区间。95%预测区间是指,有95%的可能采样到的数据总量与第二剩余寿命对应的点落在此区间内。95%是概率,此数取得越大,则此预测区间将越宽泛,能够容纳更多的采样点。
另外,在拟合曲线时,还可以通过设置置信区间来保证拟合的曲线的可靠度。例如,95%置信区间是指有95%的概率采样点与拟合出的曲线点能够符合曲线拟合的数学假设,数学假设可以是最小方差,最小二乘,极大似然等。也就是说,曲线上的每一个点并非是点估计,而是区间估计。
SSD的剩余寿命并非按照线性方式下降,而是类似于指数的形式,如图4所示,K为拟合曲线,K1和K2为预测区间的上限和下限。图中,Y表示SSD剩余寿命,X表示用户写入总量,拟合曲线K线Y=aX2+bX+c,K1线Y=a1X2+b1X+c1。例如,对应Intel520系列SSD,其K线为Y=-0.00004X2-0.004393X+100.4。
在具体实现时,上述拟合过程可以采用软件来实现,例如mini Tab的曲线拟合功能。
通过前述建立模块401可以实现:建立与第一SSD同一型号的SSD的寿命模型,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间。
且容易知道,建立模块401不需要每次执行,同一个型号的SSD建立模块401只需要执行一次。
在本实施例中,控制模块404,用于当获取到的第一剩余寿命连续N次小于确定的理想剩余寿命的区间的下限时,控制第一SSD的写入速度处于第一写入速度,该第一写入速度小于第一SSD出厂时的设定写入速度,其中N为大于0的整数。
在其他实施例中,控制模块404,用于当获取到的第一剩余寿命小于确定的理想剩余寿命的区间的下限时,控制第一SSD的写入速度处于第一写入速度。
另外,除了在上述两个实施例中,直接比较获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间的下限的大小之外,控制模块404还可以采用如下方式实现:
设确定的理想剩余寿命的区间的下限为m1,获取到的第一剩余寿命为m2,
D=|m1-m2|,当D≥D0或连续N次≥D0时,控制第一SSD的写入速度处于第一写入速度。
容易知道,上述连续N次比较或计算可以是周期性的间隔进行,相应地,在这种情况下,前述获取模块402也可以是周期性执行获取第一硬件信息的动作。
进一步地,获取模块402,还用于在第一SSD的写入速度处于第一写入速度时,获取第一SSD的第三硬件信息,第三硬件信息包括第三写入数据总量和第三剩余寿命;
确定模块403,用于确定第三写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间;
控制模块404,用于当获取到的第三剩余寿命不小于确定的理想剩余寿命的区间的下限时,控制第一SSD的写入速度处于设定写入速度。
本发明实施例通过获取第一固态硬盘的第一硬件信息,第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间;根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想剩余寿命的区间,控制第一固态硬盘的写入速度,由于,固态硬盘的速度是根据采集到的第一剩余寿命与寿命模型中的理想寿命比较后进行控制的,而当采集到的剩余寿命达到了理想寿命时,再将硬盘写入速度调回设定写入速度,因此只会在固态硬盘寿命下降速度过快时,通过控制写入速度来保证硬盘的使用寿命,这样既保证了固态硬盘的使用寿命,又不会影响其高速写入性能。
需要说明的是:上述实施例提供的固态硬盘写入控制装置在进行固态硬盘的写入控制时,仅以上述各功能模块的划分进行举例说明,实际应用中,可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成,即将设备的内部结构划分成不同的功能模块,以完成以上描述的全部或者部分功能。另外,上述实施例提供的固态硬盘写入控制装置与固态硬盘写入控制方法实施例属于同一构思,其具体实现过程详见方法实施例,这里不再赘述。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成,也可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种固态硬盘写入控制方法,其特征在于,所述方法包括:
获取第一固态硬盘的第一硬件信息,所述第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;
确定所述第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,所述寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间;
根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想剩余寿命的区间,控制所述第一固态硬盘的写入速度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述获取第一固态硬盘的第一硬件信息之前,所述方法包括:
建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型,包括:
统计用户实际写入时数据的大小分布和类型分布;
按照所述用户实际写入时数据的大小分布和类型分布,向第二固态硬盘中写入数据,所述第二固态硬盘与所述第一固态硬盘型号相同;
采样所述第二固态硬盘的第二硬件信息,所述第二硬件信息包括第二写入数据总量与第二剩余寿命;
采用多项式回归拟合出用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间,得到与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的寿命模型。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想剩余寿命的区间,控制所述第一固态硬盘的写入速度,包括:
当获取到的所述第一剩余寿命连续N次小于确定的所述理想剩余寿命的区间的下限时,控制所述第一固态硬盘的写入速度处于第一写入速度,所述第一写入速度小于出厂时所述第一固态硬盘的设定写入速度,其中N为大于0的整数。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第一固态硬盘的写入速度处于所述第一写入速度时,获取所述第一固态硬盘的第三硬件信息,所述第三硬件信息包括第三写入数据总量和第三剩余寿命;
确定所述第三写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间;
当获取到的所述第三剩余寿命不小于确定的所述理想剩余寿命的区间的下限时,控制所述第一固态硬盘的写入速度处于所述设定写入速度。
6.一种固态硬盘写入控制装置,其特征在于,所述装置包括:
获取模块,用于获取第一固态硬盘的第一硬件信息,所述第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命;
确定模块,用于确定所述第一写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间,所述寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间;
控制模块,用于根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想剩余寿命的区间,控制所述第一固态硬盘的写入速度。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:建立模块,用于在所述获取第一固态硬盘的第一硬件信息之前,建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述建立模块,包括:
采集单元,用于统计用户实际写入时数据的大小分布和类型分布;
写入单元,用于按照所述用户实际写入时数据的大小分布和类型分布,向第二固态硬盘中写入数据,所述第二固态硬盘与所述第一固态硬盘型号相同;
采样单元,用于采样所述第二固态硬盘的第二硬件信息,所述第二硬件信息包括第二写入数据总量与第二剩余寿命;
处理单元,用于采用多项式回归拟合出用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间,得到与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的寿命模型。
9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述控制模块,用于当获取到的所述第一剩余寿命连续N次小于确定的所述理想剩余寿命的区间的下限时,控制所述第一固态硬盘的写入速度处于第一写入速度,所述第一写入速度小于出厂时所述第一固态硬盘的设定写入速度,其中N为大于0的整数。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述获取模块,还用于在所述第一固态硬盘的写入速度处于所述第一写入速度时,获取所述第一固态硬盘的第三硬件信息,所述第三硬件信息包括第三写入数据总量和第三剩余寿命;
所述确定模块,用于确定所述第三写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间;
所述控制模块,用于当获取到的所述第三剩余寿命不小于确定的所述理想剩余寿命的区间的下限时,控制所述第一固态硬盘的写入速度处于所述设定写入速度。
CN201310664753.8A 2013-12-10 2013-12-10 固态硬盘写入控制方法和装置 Active CN104699415B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310664753.8A CN104699415B (zh) 2013-12-10 2013-12-10 固态硬盘写入控制方法和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310664753.8A CN104699415B (zh) 2013-12-10 2013-12-10 固态硬盘写入控制方法和装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104699415A CN104699415A (zh) 2015-06-10
CN104699415B true CN104699415B (zh) 2017-11-28

Family

ID=53346599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310664753.8A Active CN104699415B (zh) 2013-12-10 2013-12-10 固态硬盘写入控制方法和装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104699415B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10296260B2 (en) * 2016-11-09 2019-05-21 Sandisk Technologies Llc Method and system for write amplification analysis
CN109977031B (zh) * 2017-12-27 2021-06-01 成都华为技术有限公司 固态硬盘垃圾回收的方法和固态硬盘
CN108959028B (zh) * 2018-06-29 2021-11-26 北京奇虎科技有限公司 磁盘生命周期分析方法及装置
CN109524048A (zh) * 2018-10-22 2019-03-26 郑州云海信息技术有限公司 一种ssd盘的寿命预警方法及相关装置
CN111104342B (zh) * 2018-10-29 2023-08-04 伊姆西Ip控股有限责任公司 用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品
JP7248495B2 (ja) * 2019-05-15 2023-03-29 ファナック株式会社 数値制御測装置、数値制御システム、及びプログラム
CN111142790B (zh) * 2019-12-10 2023-07-07 北京金山云网络技术有限公司 对磁盘写请求的控制方法、装置、电子设备及存储介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101079324A (zh) * 2007-06-15 2007-11-28 华为技术有限公司 存储设备、存储设备寿命监控装置及监控方法
CN101419842B (zh) * 2008-11-07 2012-04-04 成都市华为赛门铁克科技有限公司 硬盘的损耗均衡方法、装置及系统

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8130249B2 (en) * 2009-08-17 2012-03-06 Xerox Corporation Erase decoupled from writing for erasable paper

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101079324A (zh) * 2007-06-15 2007-11-28 华为技术有限公司 存储设备、存储设备寿命监控装置及监控方法
CN101419842B (zh) * 2008-11-07 2012-04-04 成都市华为赛门铁克科技有限公司 硬盘的损耗均衡方法、装置及系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN104699415A (zh) 2015-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104699415B (zh) 固态硬盘写入控制方法和装置
US8239618B2 (en) System and method for emulating preconditioning of solid-state device
CN103678150B (zh) 固态硬盘使用方法及装置
CN106681934B (zh) 一种存储设备垃圾回收的方法及设备
CN104809075A (zh) 一种存取实时并行处理的固态记录装置及方法
CN103870205B (zh) 用于存储控制的方法和装置、以及信息处理的方法和装置
US10126970B2 (en) Paired metablocks in non-volatile storage device
US11734103B2 (en) Behavior-driven die management on solid-state drives
CN105573681A (zh) 一种ssd盘片内部raid组建方法及系统
US20190034829A1 (en) Filtering training data for models in a data center
CN109857679A (zh) 存储器控制器、存储器系统以及存储器系统的操作方法
CN108694019A (zh) 存储器中的操作的选择性噪声容许模式
DE112020002792T5 (de) Verschleissorientierte blockmodusumwandlung in nichtflüchtigen speichern
CN109840047A (zh) 一种降低读延时的方法及装置
CN110362277B (zh) 基于混合存储系统的数据分类存储方法
CN110390985A (zh) 存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
US10733104B2 (en) Fast non-volatile storage device recovery techniques
CN103020077A (zh) 一种电力系统实时数据库内存管理方法
CN117271100B (zh) 算法芯片集群调度方法、装置、计算机设备和存储介质
CN108052644B (zh) 数据模式日志文件系统的数据写入方法及系统
CN106502581A (zh) 闪存控制器、闪存控制方法和固态硬盘
CN111459706B (zh) 一种nand闪存错误率预测方法及系统
CN107229580A (zh) 顺序流检测方法与装置
CN104615503B (zh) 降低对存储器接口性能影响的闪存错误检测方法及装置
CN106055488B (zh) 数据储存设备及其操作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant