CN111104342B - 用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品 - Google Patents

用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品 Download PDF

Info

Publication number
CN111104342B
CN111104342B CN201811270923.3A CN201811270923A CN111104342B CN 111104342 B CN111104342 B CN 111104342B CN 201811270923 A CN201811270923 A CN 201811270923A CN 111104342 B CN111104342 B CN 111104342B
Authority
CN
China
Prior art keywords
life
time
remaining
flash memory
memory device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811270923.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111104342A (zh
Inventor
张扬
王豪
谭江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EMC Corp
Original Assignee
EMC IP Holding Co LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EMC IP Holding Co LLC filed Critical EMC IP Holding Co LLC
Priority to CN201811270923.3A priority Critical patent/CN111104342B/zh
Priority to US16/572,934 priority patent/US10921990B2/en
Publication of CN111104342A publication Critical patent/CN111104342A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111104342B publication Critical patent/CN111104342B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G06F3/0616—Improving the reliability of storage systems in relation to life time, e.g. increasing Mean Time Between Failures [MTBF]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
    • G06F3/0647—Migration mechanisms
    • G06F3/0649—Lifecycle management
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0653—Monitoring storage devices or systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7204—Capacity control, e.g. partitioning, end-of-life degradation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7211—Wear leveling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)

Abstract

本公开的实施例涉及用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品。该方法包括在第一时间点，基于闪存设备的质保期、单位时间写次数因子以及已写次数，确定闪存设备的第一剩余寿命。该方法还包括获取在早于第一时间点的第二时间点的闪存设备的第二剩余寿命，第二剩余寿命是在第二时间点基于质保期、单位时间写次数因子以及已写次数而被确定的。该方法还包括基于第一剩余寿命和第二剩余寿命，确定闪存设备的第一寿命衰减速率。此外，该方法还可以基于第一寿命衰减速率，确定闪存设备的第一预测剩余寿命。本公开的实施例可以基于闪存设备的使用趋势来预测其剩余寿命，使得所预测的剩余寿命更加准确。

Description

用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品
技术领域
本公开的实施例总体涉及存储系统，具体涉及用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品。
背景技术
众所周知，闪存设备的使用寿命是有限的。在经历特定数目的擦写操作之后，闪存设备可能出现故障。闪存设备故障可能造成数据丢失或者针对故障闪存设备的耗时重建。因此，为了避免数据丢失和耗时的重建，期望能够确定闪存设备的剩余寿命，以便于管理员在闪存设备故障前更换闪存设备。
发明内容
本公开的实施例提供了用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品。
在本公开的第一方面，提供了一种用于存储的方法。该方法包括在第一时间点，基于闪存设备的质保期、单位时间写次数因子以及已写次数，确定闪存设备的第一剩余寿命。该方法还包括获取在早于第一时间点的第二时间点的闪存设备的第二剩余寿命，第二剩余寿命是在第二时间点基于质保期、单位时间写次数因子以及已写次数而被确定的。该方法还包括基于第一剩余寿命和第二剩余寿命，确定闪存设备的第一寿命衰减速率。此外，该方法还可以基于第一寿命衰减速率，确定闪存设备的第一预测剩余寿命。
在本公开的第二方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括至少一个处理单元和至少一个存储器。至少一个存储器被耦合到至少一个处理单元并且存储由至少一个处理单元执行的指令。该指令当由至少一个处理单元执行时，使得电子设备执行以下动作：在第一时间点，基于闪存设备的质保期、单位时间写次数因子以及已写次数，确定闪存设备的第一剩余寿命；获取在早于第一时间点的第二时间点的闪存设备的第二剩余寿命，第二剩余寿命是在第二时间点基于质保期、单位时间写次数因子以及已写次数而被确定的；基于第一剩余寿命和第二剩余寿命，确定闪存设备的第一寿命衰减速率；以及基于第一寿命衰减速率，确定闪存设备的第一预测剩余寿命。
在本公开的第三方面，提供了计算机程序产品。该计算机程序产品被有形地存储在非瞬态计算机可读介质上并且包括机器可执行指令。机器可执行指令在被执行时使得机器执行根据本公开的第一方面所描述的方法的任意步骤。
提供发明内容部分是为了以简化的形式来介绍对概念的选择，它们在下文的具体实施方式中将被进一步描述。发明内容部分无意标识本公开的关键特征或主要特征，也无意限制本公开的范围。
附图说明
通过结合附图对本公开示例性实施例进行更详细的描述，本公开的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中在本公开示例性实施例中，相同的参考标号通常代表相同部件。
图1示出了用于存储的示例环境的示意图；
图2示出了分别由当前EOL值和过去的几个EOL值所指示的闪存设备的剩余寿命；
图3示出了根据本公开的一个实施例的用于存储的方法的流程图；
图4示出了根据本公开的一个实施例的用于存储的另一方法的流程图；以及
图5示出了可以用来实施本公开的实施例的示例设备的示意性框图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的优选实施例。虽然附图中显示了本公开的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本公开更加透彻和完整，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。
在本文中使用的术语“包括”及其变形表示开放性包括，即“包括但不限于”。除非特别申明，术语“或”表示“和/或”。术语“基于”表示“至少部分地基于”。术语“一个示例实施例”和“一个实施例”表示“至少一个示例实施例”。术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
众所周知，闪存设备的使用寿命是有限的。在经历特定数目的擦写操作之后，闪存设备可能出现故障。具体而言，闪存设备的存储介质具有独立可擦除的区段，在变得不可靠之前，每个区段可以经受有限数目的擦除循环。不可靠的区段可能造成闪存设备故障。为了避免由于单个区段不可靠而导致的闪存设备故障，实施磨损均衡技术以帮助减少闪存设备的单个区段的过早故障。磨损均衡技术确保闪存设备工作达最长的可能时间，并且不短于质保期，其中没有因用坏了而导致的服务事件。本行业中当前的磨损均衡技术对于用户来说几乎是透明的，其中仅提供闪存设备的寿命终止(end of life，EOL)信息。
多个闪存设备故障可能造成独立盘冗余阵列(RAID)组中的数据丢失。假使只有单个闪存设备故障，针对故障的该单个闪存设备的重建将会花费大量时间(几小时，甚至几天)，这依赖于该单个闪存设备的存储容量。因此，为了避免数据丢失和耗时的重建，期望能够确定闪存设备的剩余寿命，以便于管理员在闪存设备故障前更换闪存设备。
图1示出了用于存储的示例环境100的示意图。应当理解，仅出于示例性的目的描述示例环境100的结构和功能而不是暗示对于本公开的范围的任何限制。本公开的实施例可以被体现在不同的结构和/或功能中。
如图1所示，示例环境100可以包括存储系统120。存储系统120可以包括用于存储数据的闪存设备121。用户110可以使用存储系统120。例如，用户110可以搜索/查询存储系统120所存储的数据。此外，管理员130可以负责对存储系统120进行维护。例如，管理员130可以在闪存设备121的寿命结束之前更换闪存设备121。在一些实施例中，存储系统120可以是企业级存储系统，并且位于服务器上。在这种情况下，用户110可以是终端用户，其仅可以使用存储系统120提供的服务，而不能执行故障的闪存设备121的更换。闪存设备121的更换只能由管理员130来执行。备选地，在存储系统120安装在终端设备上的情况下，闪存设备121的更换也可以由用户110来执行。
存储系统120还可以包括EOL模块123，其可以向用户110或管理员130提供闪存设备121的寿命终止(end of life，EOL)信息。EOL信息可以指示闪存设备121的剩余寿命。
EOL信息是利用闪存设备121的所有存储介质区段的剩余的平均擦除计数而得到的。每个闪存设备121在出厂时具有一些固有参数，诸如质保期和单位时间写次数因子。例如，固态存储器的质保期通常为5年。单位时间写次数因子通常表达为平均每天写次数(WPD)因子，但是其他时间单位的写次数因子也是可能的。例如，闪存设备121的WPD因子可以为0.5WPD、1WPD、25WPD等。质保期5年、1WPD的闪存设备121指示：如果平均每天在闪存设备121的每个存储介质区段上写一次(与闪存设备121容量相等的写操作每天执行一次)，该闪存设备121可以使用5年。作为一个示例，假设闪存设备121的容量为100G，质保期10天，是2WPD的，并且假设从出厂到目前为止已经对闪存设备121写了200G的数据(即，写了两次)，那么闪存设备121的寿命将减少1天。即，EOL信息所指示的剩余寿命将为9天。EOL信息通常以天数为单位，但是可以理解，例如小时的其他时间单位也是可行的。注意，以上具体数值仅是示例性的，而非限制性的。
因此，基于闪存设备121的质保期、单位时间写次数因子以及已写次数，EOL模块123可以提供闪存设备121的EOL信息。然而，如下面详细描述的，该EOL信息不能反映闪存设备121的使用趋势。
图2示出了分别由当前EOL值和过去的几个EOL值所指示的闪存设备121的剩余寿命。在图2中，用圆点指示了6个EOL值，其中当前EOL值210为6天。当前EOL值210指示闪存设备121在变得不可靠之前还可以使用至少6天。然而，6个EOL值的简单预测趋势(由直线220指示)指示闪存设备121仅可以使用1.8天，这是由于最近几天对闪存设备121的大量擦写。可见，在当前EOL值本身与基于过去几天的EOL值的预测趋势之间存在显著差异。
换言之，当前EOL信息所指示的闪存设备121的剩余寿命是不准确的。这是因为当前EOL信息是基于闪存设备121的平均WPD因子来指示剩余寿命，但是不能反映相对于平均WPD的更高或更低写加速的磨损趋势。不准确的当前EOL实施方式具有如下缺点。不准确的当前EOL信息可能误导管理员130计划在不适当的时间进行闪存设备更换。由于错过适当的闪存设备更换机会，将发生数据丢失，这对于用户110来说是至关重要的。
因此，为了避免数据不可用(DU)或数据丢失(DL)，更加准确地预测闪存设备121的故障时间是重要的。本公开提出了一种用于预测闪存设备121的剩余寿命的新算法，其可以引导管理员130在适当的时间采取适当的动作。
返回到图1，因而，存储系统120还包括寿命预测模块125，其可以基于EOL模块123所提供的EOL信息来预测闪存设备121的剩余寿命。由于考虑了闪存设备121的磨损趋势，由寿命预测模块125所预测的剩余寿命相对于EOL信息所指示的剩余寿命更加准确。下文中所描述的方法或功能可以由寿命预测模块125执行。
图3示出了根据本公开的一个实施例的用于存储的方法300的流程图。例如，方法300可以由如图1所示的寿命预测模块125来执行。应当理解的是，方法300还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的框，本公开的范围在此方面不受限制。图3所示的虚线框表示方法300的可选步骤。
在312，在第一时间点，基于闪存设备121的质保期、单位时间写次数因子(例如WPD因子)以及已写次数，寿命预测模块125可以确定闪存设备121的EOL信息(还被称为“第一剩余寿命S0”)。例如，第一时间点可以是指当前时间点。EOL模块123可以以固定的时间间隔更新闪存设备121的EOL信息。EOL信息的计算方法在上面进行了描述，在此不再赘述。寿命预测模块125可以从EOL模块123采集该EOL信息。
在314，寿命预测模块125可以获取在早于第一时间点的第二时间点的闪存设备121的EOL信息(还被称为“第二剩余寿命S1”)。EOL模块123可以在第二时间点基于质保期、单位时间写次数因子以及已写次数，确定第二剩余寿命S1。考虑到用于确定EOL信息的时间间隔，可以理解，在第二时间点确定的第二剩余寿命S1可以是在第二时间点处或第二时间点之前确定的。由EOL模块123所确定的第二剩余寿命S1可以被存储，以便在随后的时间点由寿命预测模块125调用。
在得到两个EOL值(即，第一和第二剩余寿命)之后，在316，利用第一剩余寿命S0和第二剩余寿命S1，寿命预测模块125可以确定闪存设备121的寿命衰减速率(还被称为“第一寿命衰减速率R0”)。该寿命衰减速率可以反映闪存设备121的磨损趋势/使用趋势。
在一些实施例中，寿命预测模块125可以计算第一剩余寿命与第二剩余寿命之间的寿命差S1-S0，并且计算第一时间点与第二时间点之间的时间差Δt0。基于该寿命差和该时间差的比值，可以确定第一寿命衰减速率R0。例如，R0＝(S1-S0)/Δt0。
在318，寿命预测模块125可以基于第一寿命衰减速率R0，预测闪存设备121的剩余寿命(还被称为“第一预测剩余寿命E0”)。在一些实施例中，通过计算第一时间点的第一剩余寿命S0和第一寿命衰减速率R0的比值，可以确定第一预测剩余寿命E0。例如，E0＝S0/R0＝S0*Δt0/(S1-S0)。备选地，还可以通过计算在前的第二时间点的第二剩余寿命S1和第一寿命衰减速率R0的比值，来确定第一预测剩余寿命E0。
通过以上描述可见，本公开的算法是简单、计算负荷少并且容易实施的。由于寿命预测模块125的输入只有EOL信息，所以本公开的实施例不会影响系统上的其他服务。这是一种通用的调度算法，而且不会打断其他操作。
如上所述，基于EOL信息的现有闪存设备故障通知将在未考虑磨损趋势的情况下被触发。高速的磨损率可以造成远在EOL之前的闪存设备故障，这相应地造成DU/DL。相比之下，本公开的实施例由于在寿命预测中考虑了磨损趋势(其由寿命衰减速率体现)，可以避免上述不期望的情况发生。即，根据本公开的实施例预测的剩余寿命更加准确，可以及时地通知管理员130。
此外，越来越多的存储系统120采用固态驱动器(solid-state drive，SSD)。在存储行业中，SSD因为其高性能而广泛用于全闪存阵列(all flash array，AFA)和混合闪存阵列(hybrid flash array，HFA)。特别地，本公开的算法可以容易地实施于安装有SSD的存储系统。然而可以理解，本公开的实施例也可以适用于其他种类的闪存设备。
在一些实施例中，寿命预测模块125可以将第一预测剩余寿命E0与剩余上电寿命LL进行比较。剩余上电寿命LL可以基于质保期和闪存设备121的在第一时间点之前的上电时间来确定。即使不对闪存设备121进行任何擦写操作，在上电一天后，也认为闪存设备121的寿命减少一天。因此，预测剩余寿命不应该大于剩余上电寿命LL。在第一预测剩余寿命E0大于剩余上电寿命LL的情况下，寿命预测模块125将E0设置为LL。
如上所述，在确定第一预测剩余寿命E0时，S1-S0被用作分母。可能存在S1-S0为0或接近0的情况。因此，E0很大或没有意义。这意味着在Δt0内仅有很少的磨损或者没有磨损。在这种情况下，算法将考虑实际上电时间。寿命预测模块125将E0设置为剩余上电寿命LL。即，E0等于质保期减去上电时间。
以上实施例仅使用两个EOL值来确定寿命衰减速率。如下面详细描述的，为了进一步改善算法，还可以使用多于两个的EOL值。
可选地，在图3的320，寿命预测模块125可以进一步获取在第三时间点的闪存设备121的EOL信息(还被称为“第三剩余寿命S2”)，其中第三时间点早于第一时间点和第二时间点。EOL模块123可以在第三时间点基于质保期、WPD因子以及已写次数，确定第三剩余寿命S2。考虑到用于确定EOL信息的时间间隔，可以理解，在第三时间点确定的第三剩余寿命S2可以是在第三时间点处或第三时间点之前确定的。由EOL模块123所确定的第三剩余寿命S2可以被存储，以便在随后的时间点由寿命预测模块125调用。
可选地，在322，基于第一和第三剩余寿命，寿命预测模块125可以确定闪存设备121的第二寿命衰减速率R1。在一些实施例中，寿命预测模块125可以计算第一剩余寿命与第三剩余寿命之间的寿命差S2-S0，并且计算第一时间点与第三时间点之间的时间差Δt1。基于该寿命差和该时间差的比值，可以确定第二寿命衰减速率R1。例如，R1＝(S2-S0)/Δt1。可以理解，在备选实施例中，还可以基于第二剩余寿命S1和第三剩余寿命S2，来确定第二寿命衰减速率。
可选地，在324，寿命预测模块125可以利用第二寿命衰减速率R1，确定闪存设备121的第二预测剩余寿命E1。在一些实施例中，通过计算第一时间点的第一剩余寿命S0和第二寿命衰减速率R1的比值，可以确定第二预测剩余寿命E1。例如，E1＝S0/R1＝S0*Δt1/(S2-S0)。
在得到两个预测剩余寿命之后，可选地在326，寿命预测模块125可以计算第一预测剩余寿命E0和第二预测剩余寿命E1的平均值Ec，作为预测剩余寿命Ec。例如，Ec＝(E0+E1)/2。在备选实施例中，该平均值Ec可以是加权平均值。作为一个示例，用于第一预测剩余寿命E0的权重可以大于用于第二预测剩余寿命E1的权重。该示例的概念在于，向最近的寿命衰减速率提供比在前的寿命衰减速率更大的权重，因为最近的寿命衰减速率可能对于寿命预测更有价值。
可选地，在328，寿命预测模块125可以计算预测剩余寿命的平均值Ec相对于第一剩余寿命S0(例如，当前EOL值)的比值Fc(还被称为“调整因子Fc”)。例如，比值Fc＝Ec/S0。
可选地，在330，寿命预测模块125可以将比值Fc与一个或多个阈值进行比较，并且基于该比较来指示闪存设备121的磨损水平。一个或多个阈值可以用来指示不同的磨损水平。例如，当比值Fc小于指示临界磨损水平的阈值时，可以向用户发出警报，以使用户采取动作。
以上实施例给出了三个EOL值(还被称为“剩余寿命”)的情况。然而，可以理解，本公开的算法可以容易地扩展至多于三个EOL值的情况。下面将给出一个更一般性的示例。
图4示出了根据本公开的一个实施例的用于存储的另一方法400的流程图。例如，方法400可以由如图1所示的寿命预测模块125来执行。应当理解的是，方法400还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的框，本公开的范围在此方面不受限制。
在402，在闪存设备121的寿命预测和警示策略被启动之后，寿命预测模块125可以每天记录并且存储EOL模块123所提供的EOL信息。可以连续记录并且存储EOL信息达N+2天，其中N≥0。例如，寿命预测模块125可以在用户指定的固定时间点对EOL信息进行采样，每天一次，并且保存采样的EOL信息，以备后续使用。注意，虽然在上述实施例中每天存储EOL信息一次，但是在其他实施例中，可以使用诸如小时的其他时间单位，或者以其他时间间隔来存储EOL信息。
在404，基于记录并且存储的N+2个EOL值，寿命预测模块125可以对剩余寿命Ec进行预测，Ec为多个预测剩余寿命Ei的平均值。预测剩余寿命Ei可以基于当前天和几天前的EOL信息来计算。在一个实施例中，可以根据下式计算预测剩余寿命Ei：
其中，S0表示最后一天所采集的EOL值，最后一天通常为当前天；Si+1表示相对于S0而言i+1天前所采集的EOL值；Δti表示采集S0和Si+1之间的时间差，Δti＝i+1，这里单位为天；并且LL表示剩余上电寿命，LL＝质保期(例如5年)-上电时间(自第一次上电起的总上电时间)。
如果实际采样天数EN少于用户指定的采样天数UN(例如N+2天)，算法使用实际采样天数EN。即，N+2＝min{UN,EN}。例如，用户指定的采样天数UN可以默认为5天。使用方程(1)来计算预测剩余寿命Ei，需要至少采集两个EOL值。对于实际采样天数EN为1的情况，可以将平均值Ec设置为当前EOL值S0。
在得到Ei之后，可以根据下式计算平均值Ec：
其中，Wi其中是用于每个预测剩余寿命Ei的权重。
在本公开的实施例中，最近的磨损趋势将被分配较大的权重；而在前的磨损趋势将被分配较小的权重。因此，用于E0的权重WN最大。例如，权重Wi可以使用等差数列或斐波纳契数列。仅作为一个示例而非限制性地，Wi＝Wi-1+i(W0＝1)。
在406，在得到预测的剩余寿命Ec之后，寿命预测模块125可以根据下式计算用于指示磨损水平的调整因子Fc：
在408，寿命预测模块125可以确定是否出现临界磨损水平。例如，Fc<0.6可以指示临界磨损水平，这意味着预测寿命远小于EOL信息。注意，该具体数值仅是示例性的，而非限制性的。
如果出现临界磨损水平，在410，寿命预测模块125可以向用户110或管理员130报告或显示Fc，并且向用户110或管理员130发出警报，以通知用户110或管理员130注意。
如果未出现临界磨损水平，在412，寿命预测模块125可以仅向用户110或管理员130报告或显示Fc，而不发出通知或警报。0.6≤Fc≤0.9指示高磨损水平，这意味着闪存设备121的磨损严重，并且预测寿命小于EOL信息；0.9<Fc≤1.1指示中等磨损水平，这意味着预测寿命与EOL信息几乎相同；以及Fc>1.1指示低磨损水平，这意味着闪存设备121的磨损较小，并且预测寿命大于EOL信息。以上这些磨损水平均属于未出现临界磨损水平的情况。注意，以上具体数值仅是示例性的，而非限制性的。
在实践中，针对存储系统120中的每个闪存设备121，寿命预测模块125可以每天计算预测剩余寿命Ec和调整因子Fc，并且给出对应的报告或警报。
下面的表1至表3将给出三个示例来说明不同的磨损水平，其中采样天数都是N+2＝7天(N＝5)，并且每天采集一次EOL信息。表1示出了低磨损水平的示例。在表1中，当前EOL信息是39小时(39/24＝1.625天)。如表1所示，根据本公开的算法，Ec＝16.46，并且Fc＝16.46/(39/24)＝10.12。Fc>1.1(低磨损水平)。在这种情况下，Ec(16.46)>EOL(1.625)，这是低磨损水平。即，所估算的剩余寿命是16.46天。
表1低磨损水平的示例
表2示出了中等磨损水平的示例。在表2中，当前EOL信息是90小时(390/24＝16.25天)。如表2所示，根据本公开的算法，Ec＝16.46，Fc＝16.46/(390/24)＝1.01，并且0.9<Fc≤1.1。在这种情况下，Ec(16.46)和EOL(16.25)几乎相同，这是中等磨损水平。
表2中等磨损水平的示例
表3示出了临界磨损水平的示例。在表3中，当前EOL信息是900小时(3900/24＝162.5天)。如表3所示，根据本公开的算法，Ec＝16.46，Fc＝16.46/(3900/24)＝0.1，并且Fc<0.6。在这种情况下，Ec(16.46)<EOL(162.5)，这是临界磨损水平。EOL信息表明，每天将耗费成百上千的服务小时，寿命衰减是非常快的。警报将被触发，以通知用户针对潜在的闪存故障而采取动作。
表3临界磨损水平的示例
图5示出了可以用来实施本公开的实施例的示例设备500的示意性框图。图1所示的EOL模块123和寿命预测模块125均可以由示例设备500来实现，具体地，由示例设备500的处理单元501来实现。
如图所示，设备500包括中央处理单元(CPU)501，其可以根据存储在只读存储器(ROM)502中的计算机程序指令或者从存储单元508加载到随机访问存储器(RAM)503中的计算机程序指令，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 503中，还可存储设备500操作所需的各种程序和数据。CPU 501、ROM 502以及RAM 503通过总线504彼此相连。输入/输出(I/O)接口505也连接至总线504。
设备500中的多个部件连接至I/O接口505，包括：输入单元506，例如键盘、鼠标等；输出单元507，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元508，例如磁盘、光盘等；以及通信单元509，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元509允许设备500通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
上文所描述的各个过程和处理，例如方法300和400，可由处理单元501执行。例如，在一些实施例中，方法300和400可被实现为计算机软件程序，其被有形地包含于机器可读介质，例如存储单元508。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 502和/或通信单元509而被载入和/或安装到设备500上。当计算机程序被加载到RAM 503并由CPU 501执行时，可以执行上文描述的方法300和400的一个或多个框。备选地，CPU 501也可以通过任何其他适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行上文描述的方法300和400。
综上，本公开提供了一种用于闪存设备的剩余寿命预测和警示策略的改善算法。该算法基于现有的EOL信息来预测闪存设备的剩余寿命，并不需要其他附加信息。因此，本公开的实施例容易实施、不会影响系统的其它操作。与EOL信息相比，由于考虑了寿命衰减速率，预测的结果更加准确。该算法还可以估算闪存设备的磨损水平，并且通知管理员在适当的时间采取动作。准确的寿命预测和磨损水平将一起工作，以指导管理员在适当的时间进行闪存更换，从而避免造成DU或DL的不必要的闪存故障。
本公开可以是方法、装置、系统和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质，其上载有用于执行本公开的各个方面的计算机可读程序指令。
计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是――但不限于――电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、便携式压缩盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘(DVD)、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。这里所使用的计算机可读存储介质不被解释为瞬时信号本身，诸如无线电波或者其他自由传播的电磁波、通过波导或其他传输媒介传播的电磁波(例如，通过光纤电缆的光脉冲)、或者通过电线传输的电信号。
这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备，或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光纤传输、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理设备中的网络适配卡或者网络接口从网络接收计算机可读程序指令，并转发该计算机可读程序指令，以供存储在各个计算/处理设备中的计算机可读存储介质中。
用于执行本公开操作的计算机程序指令可以是汇编指令、指令集架构(ISA)指令、机器指令、机器相关指令、微代码、固件指令、状态设置数据、或者以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码，所述编程语言包括面向对象的编程语言—诸如Smalltalk、C++等，以及常规的过程式编程语言—诸如“C”语言或类似的编程语言。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络—包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。在一些实施例中，通过利用计算机可读程序指令的状态信息来个性化定制电子电路，例如可编程逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或可编程逻辑阵列(PLA)，该电子电路可以执行计算机可读程序指令，从而实现本公开的各个方面。
这里参照根据本公开实施例的方法、装置(系统)和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。
这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理装置的处理单元，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其它可编程数据处理装置的处理单元执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。
也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上，使得在计算机、其它可编程数据处理装置或其它设备上执行一系列操作动作，以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，所述模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的技术改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (17)

1.一种用于存储的方法，包括：
在第一时间点，基于闪存设备的质保期、单位时间写次数因子以及已写次数，确定所述闪存设备的第一剩余寿命；
获取在早于所述第一时间点的第二时间点的所述闪存设备的第二剩余寿命，所述第二剩余寿命是在所述第二时间点基于所述质保期、所述单位时间写次数因子以及所述已写次数而被确定的；
基于所述第一剩余寿命和所述第二剩余寿命，确定所述闪存设备的第一寿命衰减速率；以及
基于所述第一寿命衰减速率，确定所述闪存设备的第一预测剩余寿命。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
获取在早于所述第一时间点和所述第二时间点的第三时间点的所述闪存设备的第三剩余寿命，所述第三剩余寿命是在所述第三时间点基于所述质保期、所述单位时间写次数因子以及所述已写次数而被确定的；
基于所述第一剩余寿命和所述第三剩余寿命，确定所述闪存设备的第二寿命衰减速率；
基于所述第二寿命衰减速率，确定所述闪存设备的第二预测剩余寿命；以及
确定所述第一预测剩余寿命和所述第二预测剩余寿命的平均值。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述平均值是所述第一预测剩余寿命和所述第二预测剩余寿命的加权平均值，并且其中用于所述第一预测剩余寿命的第一权重大于用于所述第二预测剩余寿命的第二权重。
4.根据权利要求2所述的方法，还包括：
确定所述平均值相对于所述第一剩余寿命的比值；以及
基于所述比值与阈值的比较来指示所述闪存设备的磨损水平。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
基于所述质保期和所述闪存设备的在所述第一时间点之前的上电时间，确定所述闪存设备的剩余上电寿命；以及
响应于所述第一预测剩余寿命大于所述剩余上电寿命，将所述第一预测剩余寿命设置为所述剩余上电寿命。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
基于所述质保期和所述闪存设备的在所述第一时间点之前的上电时间，确定所述闪存设备的剩余上电寿命；以及
响应于所述第一剩余寿命与所述第二剩余寿命相等，将所述第一预测剩余寿命设置为所述剩余上电寿命。
7.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述闪存设备的第一寿命衰减速率包括：
确定所述第一剩余寿命与所述第二剩余寿命之间的寿命差；
确定所述第一时间点与所述第二时间点之间的时间差；以及
基于所述寿命差和所述时间差的比值，确定所述第一寿命衰减速率。
8.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述第一寿命衰减速率确定所述闪存设备的第一预测剩余寿命包括：
基于所述第一剩余寿命和所述第一寿命衰减速率的比值，确定所述第一预测剩余寿命。
9.一种电子设备，包括：
至少一个处理单元；
至少一个存储器，所述至少一个存储器被耦合到所述至少一个处理单元并且存储由所述至少一个处理单元执行的指令，所述指令当由所述至少一个处理单元执行时，使得所述电子设备执行以下动作：
在第一时间点，基于闪存设备的质保期、单位时间写次数因子以及已写次数，确定所述闪存设备的第一剩余寿命；
获取在早于所述第一时间点的第二时间点的所述闪存设备的第二剩余寿命，所述第二剩余寿命是在所述第二时间点基于所述质保期、所述单位时间写次数因子以及所述已写次数而被确定的；
基于所述第一剩余寿命和所述第二剩余寿命，确定所述闪存设备的第一寿命衰减速率；以及
基于所述第一寿命衰减速率，确定所述闪存设备的第一预测剩余寿命。
10.根据权利要求9所述的电子设备，所述指令当由所述至少一个处理单元执行时，还使得所述电子设备执行以下动作：
获取在早于所述第一时间点和所述第二时间点的第三时间点的所述闪存设备的第三剩余寿命，所述第三剩余寿命是在所述第三时间点基于所述质保期、所述单位时间写次数因子以及所述已写次数而被确定的；
基于所述第一剩余寿命和所述第三剩余寿命，确定所述闪存设备的第二寿命衰减速率；
基于所述第二寿命衰减速率，确定所述闪存设备的第二预测剩余寿命；以及
确定所述第一预测剩余寿命和所述第二预测剩余寿命的平均值。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述平均值是所述第一预测剩余寿命和所述第二预测剩余寿命的加权平均值，并且其中用于所述第一预测剩余寿命的第一权重大于用于所述第二预测剩余寿命的第二权重。
12.根据权利要求10所述的电子设备，所述指令当由所述至少一个处理单元执行时，还使得所述电子设备执行以下动作：
确定所述平均值相对于所述第一剩余寿命的比值；以及
基于所述比值与阈值的比较来指示所述闪存设备的磨损水平。
13.根据权利要求9所述的电子设备，所述指令当由所述至少一个处理单元执行时，还使得所述电子设备执行以下动作：
基于所述质保期和所述闪存设备的在所述第一时间点之前的上电时间，确定所述闪存设备的剩余上电寿命；以及
响应于所述第一预测剩余寿命大于所述剩余上电寿命，将所述第一预测剩余寿命设置为所述剩余上电寿命。
14.根据权利要求9所述的电子设备，所述指令当由所述至少一个处理单元执行时，还使得所述电子设备执行以下动作：
基于所述质保期和所述闪存设备的在所述第一时间点之前的上电时间，确定所述闪存设备的剩余上电寿命；以及
响应于所述第一剩余寿命与所述第二剩余寿命相等，将所述第一预测剩余寿命设置为所述剩余上电寿命。
15.根据权利要求9所述的电子设备，其中确定所述闪存设备的第一寿命衰减速率包括：
确定所述第一剩余寿命与所述第二剩余寿命之间的寿命差；
确定所述第一时间点与所述第二时间点之间的时间差；以及
基于所述寿命差和所述时间差的比值，确定所述第一寿命衰减速率。
16.根据权利要求9所述的电子设备，其中基于所述第一寿命衰减速率确定所述闪存设备的第一预测剩余寿命包括：
基于所述第一剩余寿命和所述第一寿命衰减速率的比值，确定所述第一预测剩余寿命。
17.一种非瞬态计算机可读介质，具有存储在其上的机器可执行指令，所述机器可执行指令在被执行时使机器执行根据权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。
CN201811270923.3A 2018-10-29 2018-10-29 用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品 Active CN111104342B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811270923.3A CN111104342B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品
US16/572,934 US10921990B2 (en) 2018-10-29 2019-09-17 Method, electronic device and computer program product for storage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811270923.3A CN111104342B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111104342A CN111104342A (zh) 2020-05-05
CN111104342B true CN111104342B (zh) 2023-08-04

Family

ID=70327108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811270923.3A Active CN111104342B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10921990B2 (zh)
CN (1) CN111104342B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111104055B (zh) 2018-10-29 2023-10-27 伊姆西Ip控股有限责任公司 用于管理存储系统的方法、设备和计算机程序产品
CN113656204B (zh) * 2020-05-12 2023-11-21 中国移动通信集团浙江有限公司 固态硬盘管理方法、装置及计算设备
CN113934360B (zh) * 2020-06-29 2024-04-12 戴尔产品有限公司 多存储设备生命周期管理系统
US11947806B2 (en) 2020-11-03 2024-04-02 Micron Technology, Inc. Life expectancy monitoring for memory devices
CN112817521B (zh) * 2021-01-12 2023-02-28 成都佰维存储科技有限公司 闪存磨损方法、装置、可读存储介质及电子设备
JP2022114643A (ja) * 2021-01-27 2022-08-08 株式会社日立製作所 ストレージ装置、保守支援方法、及び保守支援プログラム
CN113591013A (zh) * 2021-06-25 2021-11-02 中国铁路北京局集团有限公司天津供电段 牵引变电所设备寿命估算方法、估算系统及存储介质
US20230063498A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Micron Technology, Inc. Monitoring memory device health according to data storage metrics

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1489041A (zh) * 2002-10-11 2004-04-14 三菱重工业株式会社 高温燃气轮机部件的寿命管理方法及其计算机编程实现
EP1742391A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Terminal and method for providing recordable time according to remaining memory capacity
JP2008177718A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Funai Electric Co Ltd 録画装置
CN104699415A (zh) * 2013-12-10 2015-06-10 联想(北京)有限公司 固态硬盘写入控制方法和装置
CN106354438A (zh) * 2016-09-28 2017-01-25 郑州云海信息技术有限公司 一种存储池容量可用时间的预测方法和装置
CN106772100A (zh) * 2017-02-06 2017-05-31 联想(北京)有限公司 一种预测电池寿命的方法及装置
CN107895588A (zh) * 2017-11-29 2018-04-10 郑州云海信息技术有限公司 预估ssd盘的剩余寿命时间的方法、装置及设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7865761B1 (en) 2007-06-28 2011-01-04 Emc Corporation Accessing multiple non-volatile semiconductor memory modules in an uneven manner
US8191084B1 (en) 2007-09-28 2012-05-29 Emc Corporation Techniques for supporting application operation
IN2014DN05977A (zh) * 2012-02-08 2015-06-26 Hitachi Ltd
US8782784B1 (en) 2012-09-25 2014-07-15 Emc Corporation Framework for implementing security incident and event management in an enterprise
US9482464B1 (en) 2013-10-18 2016-11-01 EMC IP Holding Company, LLC Controlling temperature of a test chamber which is equipped with a refrigerant cooling subsystem and a liquid nitrogen cooling subsystem
US9690937B1 (en) 2015-03-30 2017-06-27 EMC IP Holding Company LLC Recommending a set of malicious activity detection rules in an automated, data-driven manner
US9886338B1 (en) 2015-09-30 2018-02-06 EMC IP Holding Company LLC Health check solution evaluating system status
US9830107B2 (en) * 2016-04-29 2017-11-28 Netapp, Inc. Drive wear-out prediction based on workload and risk tolerance
CN108228647B (zh) 2016-12-21 2022-05-24 伊姆西Ip控股有限责任公司 用于数据拷贝的方法和设备
US10235286B1 (en) 2017-10-30 2019-03-19 EMC IP Holding Company LLC Data storage system dynamically re-marking slices for reclamation from internal file system to pool storage
US10809922B2 (en) 2018-07-30 2020-10-20 EMC IP Holding Company LLC Providing data protection to destination storage objects on remote arrays in response to assignment of data protection to corresponding source storage objects on local arrays

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1489041A (zh) * 2002-10-11 2004-04-14 三菱重工业株式会社 高温燃气轮机部件的寿命管理方法及其计算机编程实现
EP1742391A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Terminal and method for providing recordable time according to remaining memory capacity
JP2008177718A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Funai Electric Co Ltd 録画装置
CN104699415A (zh) * 2013-12-10 2015-06-10 联想(北京)有限公司 固态硬盘写入控制方法和装置
CN106354438A (zh) * 2016-09-28 2017-01-25 郑州云海信息技术有限公司 一种存储池容量可用时间的预测方法和装置
CN106772100A (zh) * 2017-02-06 2017-05-31 联想(北京)有限公司 一种预测电池寿命的方法及装置
CN107895588A (zh) * 2017-11-29 2018-04-10 郑州云海信息技术有限公司 预估ssd盘的剩余寿命时间的方法、装置及设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20200133513A1 (en) 2020-04-30
US10921990B2 (en) 2021-02-16
CN111104342A (zh) 2020-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111104342B (zh) 用于存储的方法、电子设备和计算机程序产品
US10891182B2 (en) Proactive failure handling in data processing systems
US9846705B2 (en) Techniques for managing a data replication mode
JP4487978B2 (ja) 半導体記憶装置管理システム、プログラム、半導体記憶装置の管理方法
US20110320228A1 (en) Automated Generation of Markov Chains for Use in Information Technology
US9529655B2 (en) Determining alert criteria in a network environment
JP2017037645A (ja) スマートアラートのためのシステム及び方法
US11093357B2 (en) Method for managing disks, electronic device and computer program product
US10706024B2 (en) Techniques for managing a data replication mode
JP2021528723A (ja) データ監視方法、装置、電子デバイス、およびコンピュータ可読記憶媒体
US11983142B2 (en) Method for managing backup data, electronic device and computer program product
CN110855484B (zh) 自动检测业务量变化的方法、系统、电子设备和存储介质
CN115237334A (zh) 一种硬盘管理方法、装置及电子设备
US20230095807A1 (en) Method, electronic device, and computer program product for managing storage device
US10917203B2 (en) Estimate bit error rates of network cables
CN112988497A (zh) 管理备份系统的方法、电子设备和计算机程序产品
CN112988455A (zh) 用于数据备份的方法、设备和计算机程序产品
US11669262B2 (en) Method, device, and product for managing scrubbing operation in storage system
US11461007B2 (en) Method, device, and computer program product for determining failures and causes of storage devices in a storage system
US20230400983A1 (en) Method, device, and computer program product for latency processing
US20230214377A1 (en) Method, device, and program product for managing log data
US20200201696A1 (en) System and method for backup failure prevention in deduplication-based storage system
CN115687000A (zh) 一种硬盘使用寿命的监测方法、装置、设备及介质
CN116361093A (zh) 硬件设备的故障预测方法、故障预测装置、电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant