CN104699352A - 一种自容式触控显示面板及其阵列基板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种自容式触控显示面板及其阵列基板，该阵列基板包括：衬底，衬底上设置有栅极线、数据线及公共电极层，栅极线和数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元；像素单元包括：像素薄膜晶体管及像素电极；公共电极层包括多个触控单元；衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管；触控单元至少与两个触控驱动薄膜晶体管的漏极连接，两个触控驱动薄膜晶体管的栅极连接不同的栅极线，两个触控驱动薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。触控单元的走线复用数据线，以便于为触控单元提供公共信号或触控信号，无需单独沉积金属层制作触控单元的走线，简化了制作工艺，降低了制作成本以及面板厚度。

Description

一种自容式触控显示面板及其阵列基板

技术领域

本发明涉及触控显示技术领域，更具体的说，涉及一种自容式触控显示面板及其阵列基板。

背景技术

触控显示的发展初始阶段，触控显示面板是由触控面板与显示面板贴合而成，以实现触控显示。需要单独制备触控面板与显示面板，成本高，厚度较大，且生产效率低。

随着自容式触控显示技术的发展，可以将显示面板的阵列基板的公共电极兼做自容式触控检测的触控感测电极，通过分时驱动，分时序的进行触控控制与显示控制，可以同时实现触控与显示功能。这样，将触控感测电极直接集成在显示面板内，大大降低了制作成本，提高了生产效率，并降低了面板厚度。

当复用公共电极作为触控感测电极时，需要将公共电极层分割为多个公共电极块。同时，为了实现触控与显示的分时控制，需要为每个公共电极块需要通过单独的走线提供电压信号，通过所述走线，在触控时序为对应公共电极块提供触控感测信号，在显示时序为对应公共电极块提供显示驱动电压。

现有的自容式触摸显示面板一般需要单独沉积一层金属层，通过该金属层制备触控单元的走线，这样会导致自容式触摸显示面板制作工艺复杂，成本较高，且单独的走线层，增加了面板厚度。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种自容式触控显示面板及其阵列基板，简化了制作工艺、降低了成本以及面板厚度。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种自容式触控显示面板的阵列基板，该阵列基板包括：

衬底，所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线、公共电极层，所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元；

所述像素单元包括：像素薄膜晶体管以及像素电极；

所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控单元，每个触控单元对应多个像素单元；

所述衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管；

其中，每个触控单元至少与两个触控驱动薄膜晶体管的漏极连接，所述两个触控驱动薄膜晶体管的栅极连接不同的栅极线，所述两个触控驱动薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。

优选的，在上述阵列基板中，多个所述触控单元呈阵列分布。

优选的，在上述阵列基板中，在一个像素单元中，至多对应设置一个所述触控驱动薄膜晶体管。

优选的，在上述阵列基板中，在每个像素单元内，所述像素薄膜晶体管的栅极连接至相邻的栅极线，其源极连接至相邻的数据线，其漏极连接像素电极；

连接同一数据线的所述触控驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管分别设置在所述数据线的两侧或设置在所述数据线的同一侧。

优选的，在上述阵列基板中，所述公共电极层位于所述像素电极与所述衬底之间；

或，所述像素电极位于所述公共电极层与所述衬底之间。

优选的，在上述阵列基板中，所述触控驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管同层。

优选的，在上述阵列基板中，同一时刻，与同一栅极线连接的触控驱动薄膜晶体管和像素薄膜晶体管的导通电压不同。

优选的，在上述阵列基板中，在同一触控单元中，连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线连续排列；

或，在同一触控单元中，连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线间隔排列。

优选的，在上述阵列基板中，所述阵列基板包括：红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元；

所述触控驱动薄膜晶体管设置在所述阵列基板中对应所述红色像素单元的位置，或设置所述阵列基板中对应所述蓝色像素单元的位置。

本发明还提供了一种自容式触控显示面板，该自容式触控显示面板包括：

相对设置的阵列基板以及彩膜基板；

设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质；

其中，所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板。

优选的，在上述自容式触控显示面板中，所述触控显示面板的工作时间包括显示时序段和触控时序段；

在触控时序段，打开触控驱动薄膜晶体管，通过所述触控驱动薄膜晶体管为所述触控单元传输触控信号；

在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述像素薄膜晶体管传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过触控驱动晶体管向该触控单元传输公共信号。

优选的，在上述自容式触控显示面板中，所述像素薄膜晶体管为NMOS，所述触控驱动薄膜晶体管为PMOS。

优选的，在上述自容式触控显示面板中，在触控时序段，打开所述PMOS，通过所述PMOS为所述触控单元传输触控信号；

在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述NMOS传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过PMOS向该触控单元传输公共信号。

优选的，在上述自容式触控显示面板中，所述像素薄膜晶体管为PMOS，所述触控驱动薄膜晶体管为NMOS。

优选的，在上述自容式触控显示面板中，在触控时序段，打开NMOS，通过所述NMOS为所述触控单元传输触控信号；

在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述PMOS传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过NMOS向该触控单元传输公共信号。

优选的，在上述自容式触控显示面板中，在所述显示时序段内：

当通过一条连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线为对应的触控单元提供所述显示数据信号时，其他连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线同时输入所述公共信号；

当未有连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线为对应的触控单元提供所述显示数据信号时，所有连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线同时输入所述公共信号。

通过上述描述可知，本发明提供的阵列基板包括：衬底，所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线、公共电极层，所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元；所述像素单元包括：像素薄膜晶体管以及像素电极；所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控单元，每个触控单元对应多个像素单元；所述衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管；其中，每个触控单元至少与两个触控驱动薄膜晶体管的漏极连接，所述两个触控驱动薄膜晶体管的栅极连接不同的栅极线，所述两个触控驱动薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。所述阵列基板的公共电极层分割为多个触控单元，可以进行自容式触控检测。所述触控单元的走线复用阵列基板像素单元的数据线，以便于为触控单元提供公共信号或触控信号，这样无需单独沉积金属层用于制作触控单元的走线，简化了制作工艺，降低了制作成本以及面板厚度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为一种阵列基板的俯视图；

图2为图一中阵列基板的切面图；

图3为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图

图4为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种像素薄膜晶体管与触控驱动薄膜晶体管的布局结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种自容式触控显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参考图1，图1为一种阵列基板的俯视图，包括：在衬底上相对设置的公共电极层以及走线层。其中，公共电极层分割为多个触控单元11，所述走线层包括多条与所述触控单元一一对应的走线12。所述阵列基板还包括：多个像素单元、多条数据线以及多条栅极线。所述像素单元包括：像素电极以及像素薄膜晶体管。所述多个像素单元、多条数据线以及多条栅极线在图1中未体现。

参考图2，图2为图一中阵列基板的切面图，衬底21一侧设置有像素薄膜晶体管、栅极线以及数据线。像素薄膜晶体管的栅极g设置在衬底21的表面，栅极线(图2中未示出)与栅极g同层设置。栅极线与栅极g背离衬底21的表面设置有栅绝缘层22，栅绝缘层22背离衬底21的表面设置有源区a以及与有源区a连接的漏极d以及源极s。数据线(图2中未示出)与源极s电连接，数据线可以与源极s同层或是设置在其他层。源极s、漏极d以及有源区a背离衬底21的表面设置有第一绝缘层23。第一绝缘层23背离衬底21的表面设置有走线层，走线层包括多条走线12。走线层12和第一绝缘层23背离衬底21的表面设置有第二绝缘层24，第二绝缘层背离衬底21的表面设置有公共电极层。公共电极层包括多个与走线12一一对应电连接的触控单元11。公共电极层背离衬底21的表面设置有第三绝缘层26，第三绝缘层26背离衬底21的表面设置有像素电极25。

其中，触控单元11通过过孔与对应的走线12电连接，像素电极25通过过孔与所在像素单元的像素薄膜晶体管的漏极d电连接。

通过上述描述可知，当公共电极层用于触摸检测时，需要单独沉积一层走线层，通过走线层为每个触摸显示电极均单独连接一条走线，制作工艺复杂，成本高，且增加了面板厚度。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种阵列基板，用于自容式触摸显示面板。

参考图3，图3为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括：衬底31，所述衬底上设置有多条栅极线32、多条数据线33、公共电极层，所述栅极线32和所述数据线33绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元34。所述衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管T2。

所述像素单元包括：像素薄膜晶体管T1以及像素电极P，像素薄膜晶体管T1的漏极与其像素电极P连接。

所述栅极线32与所述像素单元34的列数一一对应，所述数据线33与所述像素单元34的行数一一对应，同一行像素单元34的栅极连接同一条栅极线32，同一列像素单元34的源极连接同一条数据线33。同一行像素薄膜晶体管T1的栅极均连接同一栅极线32，以使得同一行像素单元34的栅极连接同一条栅极线32。同一列像素薄膜晶体管T1的源极均连接同一数据线，以使得同一列像素单元34的源极连接同一条数据线33。

所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控单元Pad，每个触控单元Pad对应多个像素单元34，即在垂直于所述衬底31的方向上，所述触控单元Pad在所述衬底31上的投影覆盖多个所述像素单元34在所述衬底31上的投影。所述触控驱动管薄膜晶体管T2的栅极连接一所述栅极线32，其源极连接一所述数据线33，漏极连接一所述触控单元Pad。

其中，每个触控单元Pad至少与两个触控驱动薄膜晶体管T2的漏极连接，所述两个触控驱动薄膜晶体管T2的栅极连接不同的栅极线，所述两个触控驱动薄膜晶体管T2的源极连接不同的数据线。同一个触控单元Pad对应的触控驱动薄膜晶体管T2的漏极均与该触控单元Pad电连接。

在图3所示实施方式中，为了实现图像显示与触摸检测的分时驱动，每个触控单元Pad与两个所述触控驱动薄膜晶体管T2的漏极连接。

所述阵列基板的结构还可以如图4所示，图4为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，在图4所示阵列基板的触控单元Pad中，每个触控单元Pad与3个或4个所述触控驱动薄膜晶体管T2的漏极连接。所述阵列基板的结构还可以如图5所示，图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，在图4所示阵列基板中，每个触控显示单元Pad与两列触控驱动薄膜晶体管T2的漏极连接。

需要说明的是，图3-图5中虚线椭圆仅是为了示出所述触控驱动薄膜晶体管T2的位置，并不是实际存在的结构。图3-图5中，相同的数字标号表示相同的结构名称。本申请实施例所述阵列基板中，每个触控单元Pad中设置触控驱动薄膜晶体管T2的个数以及设置方式不局限于图3-图5所示实施方式。每个触控单元Pad均连接多个触控驱动晶体管T2的漏极，且在所述多个触控驱动晶体管T2中至少存在两个触控驱动晶体管T2的源极连接不同的数据线33，栅极连接不同的栅极线32。

本申请实施例中，对于每个触控单元Pad均与多个触控驱动管薄膜晶体管T2的漏极连接；且在与同一触控单元Pad均连接的多个触控驱动管薄膜晶体管T2中，至少有两个触控驱动管薄膜晶体管T2的栅极连接不同的栅极线，源极连接不同的数据线。

在本申请实施例所述阵列基板中，多个所述触控单元Pad呈阵列分布。所述触控单元Pad的形状可以设置相同或是不同，为了使得公共电极层制备为所述触控单元时图案设计简单，优选的，设置各个触控单元Pad的形状相同。

为了保证每个像素单元34的开口率，保证每个像素单元34具有较好的透光效率，设定在同一像素单元34内至多对应设置一个所述触控驱动薄膜晶体管T2，且设定连接同一数据线33的所述触控驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1分别设置在所述数据线33的两侧，且在同一像素单元34内至多设置一个所述触控驱动薄膜晶体管T2。

在每个像素单元34内，所述像素薄膜晶体管T1的栅极连接至相邻的栅极线32，其源极连接至相邻的数据线33，其漏极连接像素电极P。

连接同一数据线33的所述触控驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1分别设置在所述数据线33的两侧或设置在所述数据线的同一侧。图3-图5所示实施方式中，连接同一数据线33的所述触控驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1分别设置在所述数据线33的同一侧。在其他实施方式中，如图6所示，图6为本申请实施例提供的一种像素薄膜晶体管与触控驱动薄膜晶体管的布局结构示意图，连接同一数据线33的所述触控驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1分别设置在所述数据线33的两侧。

本实施例中，可以设置所述公共电极层位于所述像素电极P与所述衬底31之间，也可以设置所述像素电极P位于所述公共电极层与所述衬底之间31。

为了降低阵列基板的厚度以及简化制作工艺流程，所述像素薄膜晶体管T1与所述触控驱动管薄膜晶体管T2同层制备。

连接同一栅极线32的像素薄膜晶体管T1与触控驱动薄膜晶体管T2同时受到该栅极线32控制。连接同一栅极线32的像素薄膜晶体管T1与触控驱动薄膜晶体管T2在同一栅极扫描信号下的导通电压不同，当像素薄膜晶体管T1打开时，触控驱动薄膜晶体管T2关闭，当像素薄膜晶体管T1关闭时，触控驱动薄膜晶体管T2打开。这样，同一栅极线32即可实现对同一行像素单元34内的像素薄膜晶体管T1与触控驱动薄膜晶体管T2进行同时控制，减少控制走线的数量。通过所述栅极线32输入不同的扫描信号，可以控制连接同一所述栅极线32的所述像素薄膜晶体管T1打开，所述触控驱动薄膜晶体管T2关闭；或是所述像素薄膜晶体管T1关闭，所述触控驱动薄膜晶体管T2打开；或是所述像素薄膜晶体管T1与所述触控驱动薄膜晶体管T2均关闭。

在本申请实施例中，在同一触控单元34中，连接有所述触控驱动薄膜晶体管T2的数据线33可以连续排列；或，在同一触控单元34中，连接有所述触控驱动薄膜晶体管T2的数据线33间隔排列。

所述阵列基板可以用于RGB显示驱动模式或是RGBW显示驱动模式，所述阵列基板包括：红色像素单元R、绿色像素单元G以及蓝色像素单元B。所述触控驱动薄膜晶体管T2设置在所述阵列基板中对应所述红色像素单元R的位置，或设置所述阵列基板中对应所述蓝色像素单元B的位置。人眼对图像中绿光较为敏感，如果绿光出现较为明显损失，会使得观察者较为容易的发现显示效果的差异。而上述设置可以不影响阵列基板中绿色像素单元G的光透过率，保证显示效果。

本申请实施例所述阵列基板中，在显示时序段，对整个阵列基板的栅极线32从第一条向最后一条扫描(正向扫描)，或是从最后一条到第一条扫描(反向扫描)。对任一触控单元Pad，在任意时刻，对某一栅极线32进行扫描，并通过与该栅极线对应的数据线33为像素电极P输入显示数据信号时，可以对该触控单元Pad对应的其他未被扫描的栅极线32提供用于打开触控驱动薄膜晶体管T2的控制信号，打开触控驱动薄膜晶体管T2，并通过与被打开的触控驱动薄膜晶体管T2连接的数据线33为该触控单元Pad提供公共信号。对任意栅极线32进行扫描时，该栅极线32上的触控驱动薄膜晶体管T2关闭，像素薄膜晶体管T1打开。

图3中，当第一栅极线G1进行扫描时，与第一栅极线G1连接的像素薄膜晶体管T1均打开，与第一栅极线G1连接的触控驱动薄膜晶体管T2均关闭。此时，为第一数据线S1显示数据信号，第一行第一列的像素电极P充电，为第三数据线S3提供公共信号，以实现第一行第一列的像素电极P对应像素单元34的显示。在第一数据线S1完成显示数据信号输入后，为第二数据线S2输入显示数据信号，第一行第二列的像素电极P充电，同样为第三数据线S3提供公共信号，以实现第一行第二列的像素电极P对应像素单元34的显示。

在第二数据线S2完成显示数据信号输入后，关闭第一栅极线G1，对第二栅极线G2进行扫描，为第三数据线S3提供显示数据信号，第一行第三列像素电极P充电，此时为第一数据线S1提供公共信号，以实现第一行第三列像素电极P对应像素单元34的显示。

如上述在为第一行第一列的像素电极P充电时，需要通过第三数据线S3上的触控驱动薄膜晶体管为触控显示电极Pad提供公共信号，第三数据线S3接入公共信号，由于此时第一栅极线G1上的像素薄膜晶体管T1均为打开状态，第三数据线S3接入公共信号会为第一行第三列的像素电极P充电，影响该像素电极P对应像素单元34的显示。为了避免上述问题，保证较好的显示在同一触控显示电极Pad中，与所述触控驱动薄膜晶体管T2连接同一条所述数据线33的部分所述像素单元34位于所述边框区132；或是，在同一触控显示电极Pad中，与所述触控驱动薄膜晶体管T2连接同一条所述数据线33的至少部分所述像素单元34为白色像素单元。在图3所述实施方式中，可以设定第一行第三列的像素单元位于边框区或是为白色像素单元。

在触控时序段，由于无需对栅极线32进行扫描，对任一触控单元Pad，可以对该触控单元Pad对应的栅极线32提供用于打开触控驱动薄膜晶体管T2的控制信号，打开触控驱动薄膜晶体管T2，并通过与被打开的触控驱动薄膜晶体管T2连接的数据线33为该触控单元Pad提供触控信号。

图3-图5中，每个触控单元Pad对应四条数据线33以及五条栅极线32。为了图示方便，仅示出了一列触控单元Pad。触控单元Pad行数以及列数，触控单元Pad对应的栅极线32、数据线33以及像素电极P的数目不做限定，可以根据面板尺寸设定。

与同一数据线33连接的所述触控驱动薄膜晶体管T2的漏极均与同一所述触控单元Pad电连接。这样通过某一设定数据线33输入触控信号，仅为一个触控单元Pad提供所述触控信号，以便于实现触控检测。连接有所述触控驱动薄膜晶体管T2的栅极线33可以用于为像素电极P提供显示数据信号，可以为触控单元Pad提供公共信号，可以为触控单元Pad提供触控信号，三种信号均可以通过数据线传输，大大降低了走线数量，简化了走线布局。

通过上述描述可知，本申请实施例所述阵列基板的公共电极层分割为多个触控单元Pad，可以进行自容式触控检测。所述触控单元Pad的走线复用阵列基板像素单元34的数据线33，以便于为触控单元Pad提供公共信号或触控信号，这样无需单独沉积金属层用于制作触控单元Pad的走线，简化了制作工艺，降低了制作成本以及面板厚度。

本申请实施例还提供了一种自容式触控显示面板，参考图7，图7为本申请实施例提供的一种自容式触控显示面板的结构示意图，该自容式触控显示面板包括：相对设置的阵列基板61以及彩膜基板62；位于所述阵列基板61与所述彩膜基板62之间的显示介质63。所述显示介质63可以为液晶层。

所述自容式触控显示面板可以用于手机、电脑以及电视等电子设备。本实施例所示自容式触控显示面板中，所述阵列基板61为上述实施例所述的阵列基板，因此，制作工艺检测，成本低，面板厚度小，走线布局简单。

对所述自容式触控显示面板进行驱动时，所述触控显示面板的工作时间包括显示时序段和触控时序段。所述显示时序段与所述触控时序段交替进行，以便于实现图像显示与触控检测的分时进行。

在触控时序段，打开触控驱动薄膜晶体管，通过所述触控驱动薄膜晶体管为所述触控单元传输触控信号。在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述像素薄膜晶体管传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过触控驱动晶体管向该触控单元传输公共信号。

为了通过同一栅极线控制同一行像素单元内的所述像素薄膜晶体管以及所述触控驱动薄膜晶体管，需要设定连接同一栅极线的所述像素薄膜晶体管以及所述触控驱动像素薄膜晶体管在同一扫描信号时的开光状态相反。由于PMOS在低电位时打开，在高电位时关闭，NMOS在高电位时打开，在低电位时关闭，因此本申请实施例中，可以设置所述像素薄膜晶体管与所述触控驱动薄膜晶体管中的一者为PMOS，另一者为NMOS。当栅极线32输入的电压信号大于NMOS的阈值电压时，NMOS打开，PMOS关闭；当栅极线输入的电压信号小于PMOS的阈值电压时，NMOS关闭，PMOS打开；当栅极线输入的电压信号位于NMOS的阈值电压与PMOS的阈值电压之间时，NMOS与PMOS均关闭。

当所述像素薄膜晶体管为NMOS，所述触控驱动薄膜晶体管为PMOS时，在触控时序段，打开所述PMOS，通过所述PMOS为所述触控单元传输触控信号；在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述NMOS传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过PMOS向该触控单元传输公共信号。

当所述像素薄膜晶体管为PMOS，所述触控驱动薄膜晶体管为NMOS时，在触控时序段，打开NMOS，通过所述NMOS为所述触控单元传输触控信号；在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述PMOS传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过NMOS向该触控单元传输公共信号。

在本申请所述自容式触控显示面板中，为了保证显示时各个触控单元的公共信号同步，保证显示效果，在所述显示时序段内：当通过一条连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线为对应的触控单元提供所述显示数据信号时，其他连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线同时输入所述公共信号；当未有连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线为对应的触控单元提供所述显示数据信号时，所有连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线同时输入所述公共信号。

以采用图5所示阵列基板的自容式触控显示面板中为例进行具体说明，设定其触控驱动薄膜晶体管T2为PMOS，像素薄膜晶体管T1为NMOS。

在显示时序段，当与第二栅极线G2与第二数据线S2的像素电极P(定义该像素电极P为像素电极P22)需要充电写入显示数据时，则第二栅极线G2输入高电位，此时与第二栅极线G2连接的所有的像素薄膜晶体管T1均打开，通过第二数据线S2为像素电极P22输入显示数据信号。同时，像素电极P22对应设置的触控单元Pad内其余栅极线32至少一条输入低电位，与输入低电位的栅极线32连接的触控驱动薄膜晶体管T2打开，像素薄膜晶体管T1关闭，处第二数据线S2外，其他数据线33输入公共信号，公共信号通过打开的所述触控驱动薄膜晶体管T2输入到该触控单元Pad，实现正常显示。在输入公共信号时，可以为所述其他数据线33均输入所述公共信号，也可以仅为连接有被打开的触控驱动薄膜晶体管T2的数据线33输入所述公共信号。

在触控时序段，对任一触控单元Pad，至少有一条对应的栅极线32输入低电位，与输入低电位的栅极线32连接的触控驱动薄膜晶体管T2打开，像素薄膜晶体管关闭，与打开的触控驱动薄膜晶体管T2连接的数据线33可以输入触控信号，为触控单元Pad提供所述触控信号实现触控检测。通过上述描述可知，本申请实施例所述自容式触控显示面板采用上述实施例所述阵列基板，可以实现触控检测与图像显示的分时驱动，连接有触控驱动薄膜晶体管的数据线可以分时用于输入公共信号、触控信号以及显示数据信号，无需单独沉积走线层用于设置触控单元的走线，简化了走线布局，简化了制作工艺，降低了制作成本以及面板厚度。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (17)

1.一种自容式触控显示面板的阵列基板，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上设置有多条栅极线、多条数据线、公共电极层，所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元；

所述像素单元包括：像素薄膜晶体管以及像素电极；

所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控单元，每个触控单元对应多个像素单元；

所述衬底上还设置有多个触控驱动薄膜晶体管；

其中，每个触控单元至少与两个触控驱动薄膜晶体管的漏极连接，所述两个触控驱动薄膜晶体管的栅极连接不同的栅极线，所述两个触控驱动薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述触控单元呈阵列分布。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在一个像素单元中，至多对应设置一个所述触控驱动薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在每个像素单元内，所述像素薄膜晶体管的栅极连接至相邻的栅极线，其源极连接至相邻的数据线，其漏极连接像素电极；

连接同一数据线的所述触控驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管分别设置在所述数据线的两侧或设置在所述数据线的同一侧。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层位于所述像素电极与所述衬底之间；

或，所述像素电极位于所述公共电极层与所述衬底之间。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管同层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，同一时刻，与同一栅极线连接的触控驱动薄膜晶体管和像素薄膜晶体管的导通电压不同。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在同一触控单元中，连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线连续排列；

或，在同一触控单元中，连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线间隔排列。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元；

所述触控驱动薄膜晶体管设置在所述阵列基板中对应所述红色像素单元的位置，或设置所述阵列基板中对应所述蓝色像素单元的位置。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在同一触控单元中，与所述触控动薄膜晶体管连接同一条所述数据线的部分所述像素单元位于所述边框区；

或是，在同一触控单元中，与所述触控驱动薄膜晶体管连接同一条所述数据线的至少部分所述像素单元为白色像素单元。

11.一种自容式触控显示面板，其特征在于，包括：

相对设置的阵列基板以及彩膜基板；

设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质；

其中，所述阵列基板为权利要求1-10任一项所述的阵列基板。

12.根据权利要求11所述的自容式触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板的工作时间包括显示时序段和触控时序段；

在触控时序段，打开触控驱动薄膜晶体管，通过所述触控驱动薄膜晶体管为所述触控单元传输触控信号；

在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述像素薄膜晶体管传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过触控驱动晶体管向该触控单元传输公共信号。

13.根据权利要求12所述的自容式触控显示面板，其特征在于，所述像素薄膜晶体管为NMOS，所述触控驱动薄膜晶体管为PMOS。

14.根据权利要求13所述的自容式触控显示面板，其特征在于，在触控时序段，打开所述PMOS，通过所述PMOS为所述触控单元传输触控信号；

在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述NMOS传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过PMOS向该触控单元传输公共信号。

15.根据权利要求12所述的自容式触控显示面板，其特征在于，所述像素薄膜晶体管为PMOS，所述触控驱动薄膜晶体管为NMOS。

16.根据权利要求15所述的自容式触控显示面板，其特征在于，在触控时序段，打开NMOS，通过所述NMOS为所述触控单元传输触控信号；

在显示时序段，多条数据线依次输入显示数据信号，所述显示数据信号通过所述PMOS传输至对应的像素电极；在同一触控单元中，同一时刻，至少一条数据线通过NMOS向该触控单元传输公共信号。

17.根据权利要求12所述的自容式触控显示面板，其特征在于，在所述显示时序段内：

当通过一条连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线为对应的触控单元提供所述显示数据信号时，其他连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线同时输入所述公共信号；

当未有连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线为对应的触控单元提供所述显示数据信号时，所有连接有所述触控驱动薄膜晶体管的数据线同时输入所述公共信号。