CN104698759A - 一种光纤阵列u槽的光刻方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光纤阵列U槽的光刻方法，其特征在于：包括以下步骤101、在石英基片上涂一层光刻胶，胶厚1-1.5微米，石英基底1-2毫米，并烘干；102、用掩膜板盖在以上经过处理的石英基片上，用紫外线曝光，光强3-10兆瓦，曝光时间15-20秒；103、显影后，露光部分的光刻胶被去除，露出石英基片，然后清洗烘干；104、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片的露光部分，形成10-20微米的凹槽。本发明的二次刻蚀方法的可以很好的将胶水保护在封装器件中，并且牢固的将器件与上盖板粘合，保证了产品的可靠性。同时也减少了胶水用量，降低了成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种制造光纤阵列U槽的方法，尤其是涉及一种光纤阵列U槽的光刻方法。
背景技术
随着光纤通信产业的复苏以及FTTX的发展，平面光波导分路器（PLC分路器）市场的春天也随之到来。PLC分路器的作用是把多个波长的光合在一起，或者是把含有多个波长的光逐一分开，具有很好的应用前景。平面光波导器件在封装时需要将裸光纤与器件输入输出端做粘合，这就需要一种V型槽来将光纤固定。
现阶段国内外生产的光纤阵列V形槽大都分成两类，第一类采用机械加工的方法，其优点是采用金刚砂切刀，可以做成任意的V槽角度和形状，但此方法的不足之处在于，切割刀容易损坏，所以成本比较高。第二类采用的硅晶片或石英作为基材用强酸腐蚀的的方法加工V型槽。此方法的有点是采用了硅晶片各向异性的腐蚀特性，可以非常容易地得到形状极佳的V型槽，精度高。但由于PLC光纤器件的所有材料都采用石英来制作，包括光波导、芯片、盖板、支座等，而石英的属性与硅晶片不同，所以会产生一定的不稳定因素，可靠性差。
目前有相当一部分的光纤阵列V形槽采用石英原料，基本解决了用硅晶片作原料所带来的问题，但其制作工艺并不完善，均采用一次刻蚀，腐蚀的V型槽呈现V字型，没有单独空间容纳粘合时的胶，进而造成封闭工艺的不稳定。
发明内容
本发明的目的就是为了解决目前光线阵列一次刻蚀造成工艺不稳定的现状，提供的一种光纤阵列U槽的光刻方法。
一种光纤阵列U槽的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
101、在石英基片上涂一层光刻胶，胶厚1-1.5微米，石英基底1-2毫米，并烘干；
102、用掩膜板盖在以上经过处理的石英基片上，用紫外线曝光，光强3-10兆瓦，曝光时间15-20秒；
103、显影后，露光部分的光刻胶被去除，露出石英基片，然后清洗烘干；
104、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片的露光部分，形成10-20微米的凹槽；
105、将石英基片上的所有光刻胶被去除，路出凹槽部分；
106、在新的石英基片上镀一层铬层，作为U形槽的阻挡层，厚度为0.1-0.3微米；
107、在石英基片上涂一层光刻胶，胶厚1-1.5微米；
108、套刻对位后用掩膜板对石英基片用紫外线进行二次曝光，光强3-10兆瓦，曝光时间15-20秒；
109、显影后，露光部分的光刻胶被去除，露出石英基片，然后清洗烘干；
110、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片铬层的露光部分，去除露光部分的铬层；
111、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片的露光部分，形成30-60微米深的的凹槽，U型槽中心间距127微米；
112、将石英基片上的所有光刻胶与铬层去除。
与现有技术相比，本发明的效果是积极明显的。由于现在的V型槽一次性刻蚀深度受湿法各向同性的限制，不能腐蚀过深。这样一来在封装时，用来做粘合的胶水就会有溢出的现象，而且不能保证产品的可靠性。本发明的二次刻蚀方法的可以很好的将胶水保护在封装器件中，并且牢固的将器件与上盖板粘合，保证了产品的可靠性。同时也减少了胶水用量，降低了成本。
附图说明
图1为本发明的方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
101、在石英基片上涂一层光刻胶，胶厚1-1.5微米，石英基底1-2毫米，并烘干；
102、用掩膜板盖在以上经过处理的石英基片上，用紫外线曝光，光强3-10兆瓦，曝光时间15-20秒；
103、显影后，露光部分的光刻胶被去除，露出石英基片，然后清洗烘干；
104、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片的露光部分，形成10-20微米的凹槽；
105、将石英基片上的所有光刻胶被去除，路出凹槽部分；
106、在新的石英基片上镀一层铬层，作为U形槽的阻挡层，厚度为0.1-0.3微米；
107、在石英基片上涂一层光刻胶，胶厚1-1.5微米；
108、套刻对位后用掩膜板对石英基片用紫外线进行二次曝光，光强3-10兆瓦，曝光时间15-20秒；
109、显影后，露光部分的光刻胶被去除，露出石英基片，然后清洗烘干；
110、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片铬层的露光部分，去除露光部分的铬层；
111、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片的露光部分，形成30-60微米深的的凹槽，U型槽中心间距127微米；
112、将石英基片上的所有光刻胶与铬层去除。
当然，上述说明并非是对本发明的限制，本发明也并不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种光纤阵列U槽的光刻方法，其特征在于包括以下步骤：
101、在石英基片上涂一层光刻胶，胶厚1-1.5微米，石英基底1-2毫米，并烘干；
102、用掩膜板盖在以上经过处理的石英基片上，用紫外线曝光，光强3-10兆瓦，曝光时间15-20秒；
103、显影后，露光部分的光刻胶被去除，露出石英基片，然后清洗烘干；
104、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片的露光部分，形成10-20微米的凹槽；
105、将石英基片上的所有光刻胶被去除，路出凹槽部分；
106、在新的石英基片上镀一层铬层，作为U形槽的阻挡层，厚度为0.1-0.3微米；
107、在石英基片上涂一层光刻胶，胶厚1-1.5微米；
108、套刻对位后用掩膜板对石英基片用紫外线进行二次曝光，光强3-10兆瓦，曝光时间15-20秒；
109、显影后，露光部分的光刻胶被去除，露出石英基片，然后清洗烘干；
110、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片铬层的露光部分，去除露光部分的铬层；
111、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片的露光部分，形成30-60微米深的的凹槽，U型槽中心间距127微米；
112、将石英基片上的所有光刻胶与铬层去除。
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