CN104685578A - 在表面上形成透明器件 - Google Patents

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Abstract

描述了一种装置、系统和/或方法，其用于提供光学透明可重构的集成电子组件，如用于与光学透明寄主平台(如玻璃)关联的天线或RF电路。在一个实施例中，可将Ag NW薄膜配置为天线的透明导体和/或无源电路组件(如电容器或电阻器)的互连部件。Ag NW也可用于器件的传输线和/或互连叠层。也可将石墨烯薄膜配置为用于制造有源RF器件(如放大器和开关)的有源沟道材料。

Description

在表面上形成透明器件
相关申请的交叉引用
本申请涉及于2012年12月6日提交的美国专利申请No.13/707,373并要求其优先权，在此通过引用将其全部并入本文。
技术领域
本技术大体涉及在表面上或表面中集成和形成光学透明有源和无源器件。
背景技术
近来，基于射频(RF)的系统的发展和数量的增加逐步扩展了制造业对于设计更适合这种系统使用的天线的努力。例如，天线可存在于交通工具或飞机上。需要若干需求来满足天线设计要求，包括带宽和尺寸。此外，天线需要足够的空间来确保最佳的运转和性能。交通工具或飞机的天线的设计是困难的，因为这种交通工具的布局和空气动力学要求使得天线的空间受到了限制。相应地，使用交通工具或飞机上的已有空间来设计天线从而避免空间约束，这是合乎实际的和经济的。
已经研究了若干个天线的实例，包括无源透明天线设计。其中的一些实例包括H.J.Song、T.Y.Hsu、D.F.Sievenpiper、H.P.Hsu、J.Schaffner、E.Yasan在IEEE Antennas and Wireless Propag.Lett.的Vol.7,2008,pp.753-756上的“A Method for Improvingthe Efficiency of Transparent Fi lm Antennas”；J.Hautcoeur、F.Colombel、X.Castel、M.Himdi、E.M.Cruz 2010年4月12-16日在巴塞罗那的2010 Proceeding of the Fourth EuropeanConference on Antennas and Propagation(EuCAP)的“Performanceof Transparent Monopole Antenna Versus Meshed Si lver Layer(AgGL)”；A.Katsounaros、Y.Hao,N.Collings、W.A.Cross land在Electronics Letts.的Vol.45,No.14,July 2,2009.pp.722-723的“Optical ly Transparent Ultra-Wideband Antenna”；专利号为7,847,753 B2、7,233,296和7,427,961的美国专利。
此外，A.Suresh、P.Wellenius、V.Baliga、H.Luo、L.M.Lunardi、J.Muth在IEEE Electron Device Letts的Vol.31,No.4,April 2010,pp.317-319的“Fast All-transparent IntegratedCircuits Based On Indium Gallium Zinc Oxide Thin-filmTransistors”、以及C.-T.Lee、W.-M.Shien、H.-Y.Lee在2008年11月9-18日在阿卡普尔科的Proceedings of the 21st AnnualMeeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Soc iety,2008LEOS的pg.65的“Zno:Al Based Transparent Thin FilmTransistors”、以及S.Ju、A.Facchetti等在NatureNanotechnology 2 pp.378-384,2007的“Fabrication of FullyTransparent Nanowire transistors for Transparent and FlexibleElectronics”，它们对光学透明晶体管进行了描述。这些参考资料没有对使用透明衬底的天线进行描述。
还有提议使用石墨烯制作天线。M.Dragoman、A.A.Muller、D.Dtragoman、F.Coccetti、R.Plana在J.of Applied Physics,Vol.107,No.10,104313,2010的“Terahertz Antenna Based OnGraphene”中描述了一个实例。
这些实例都没有描述光学透明RF机能表面。因此，存在对于包含在表面上或表面中使用的具有光学透明无源电磁结构的光学透明有源电路(如，天线)的方法、系统和器件的需求。
发明内容
在一个方面，一种器件包括：一个透明或大体透明的衬底；银纳米线薄膜。该银纳米线薄膜可置于至少部分衬底之上，可将电介质材料施加到至少部分银纳米线薄膜之上。
在另一个方面，描述了一种形成无源电子器件的方法，该方法包括：提供一个透明或大体透明的衬底，该衬底包括银纳米线薄膜，对银纳米线薄膜进行蚀刻；用电介质材料对部分银纳米线薄膜进行涂覆。
在另一个方面，披露了一种器件，其包括：大体透明的衬底；栅电极；石墨烯薄膜；多个触点，其由银纳米线形成，位于部分石墨烯薄膜之上。该器件可包括天线、频率选择性表面(FFS)、电阻器、电容器、或电感器。栅电极可由金、铜、铟锡氧化物(ITO)、或铟锌氧化物(IZO)构成。
在另一个方面，披露了一种方法，其包括：提供一个透明或大体透明的衬底；在部分衬底上形成石墨烯薄膜；形成电子器件；使用银纳米线在石墨烯薄膜上形成多个触点；
附图说明
通过参照下面的附图可以更好地理解本发明。附图中的组件不必按比例绘制，重点在于阐释本发明的原理。在附图中的不同视图中，相同的参考编号代表类似的部件。
图1示出了一个实施例中的无源RF结构和集成组件。
图2(a)至图2(c)示出了多个实施例中的共面波导(CPW)馈电缝隙天线。
图2(d)为展示图2(a)至图2(c)的天线的最大增益性能的列表。
图3(a)至图3(c)示出了多个实施例中的光学透明组件的剖视图。
图4示出了一个实施例中的使用热剥离胶带将石墨烯转移到衬底上的系统和/或方法。
图5(a)和图5(b)示出了一个实施例中的光学透明场效应晶体管(FET)的剖视图。
图6示出了一个实施例中的集成了光学透明无源RF结构的光学透明石墨烯有源RF器件的剖视图。
具体实施方式
描述了装置、系统和/或方法，其用于提供光学透明可重构的集成电子组件，例如集成到光学透明寄主平台或者透明或大体透明的透明衬底或表面(如玻璃或树脂玻璃)中的天线和RF电路。所披露的结构可配置有或使用基于RF的系统。在一个实施例，可将银纳米线(Ag NW)薄膜配置为天线的透明导体和/或作为无源电路组件(如电容、电感、电阻)的互连部件。Ag NW也可用于作为多个器件的传输线和/或连接涂层。也可将石墨烯薄膜配置为用于制造有源RF器件(如放大器或转换器)的有源沟道材料。
所披露的实施例提供了可集成到玻璃或光学透明寄主平台中的完整的或大体完整的光学透明RF前端，它为天线和RF系统提供了设计的灵活性。没有任何限制性的意图，RF前端可包括用于接收和/或传送的组件、天线接口、低噪声放大器或与数字基带系统的接口，如模数转换器。
在一个实施例中，天线和RF电路的表面提供了可重构的天线和RF有源电路，用于直接集成到位于交通工具、飞机、建筑、和其它结构或电子器件附近的玻璃中或上面。所披露的方法可将天线设计空间扩展到汽车和飞机上或周围的任意玻璃上。多个光学透明RF结构、组件和天线可被形成为窗玻璃和其它玻璃结构。
所披露的结构可带来较低成本的整体形成物，其中将光学透明无源和有源结构形成在集成电路或芯片上。在一个实施例中，整体形成物的使用可在玻璃上形成完整的接收器。此外，交通工具或飞机的已解调信号输出接口(例如，互连部件和/或布线)可配置为低频率。在远离RF电路的区域中，所披露的结构也可充当太阳能反射薄膜,这会降低交通工具(如汽车)的热负荷。其它适合的应用可包括嵌入到玻璃中或上面的毫米波相控阵天线和有源电磁(EM)屏蔽。
在一个实施例中，对于扁平或弧形的表面，可实现光学透明RF组件和光学透光玻璃或树脂玻璃中/上的RF前端或任何类似的光学透明主机的集成。光学透明寄主平台或表面(如玻璃)可用于作为天线或RF组件/电路的衬底。
在一个实施例中，可将定制的RF功能(如射频选择、放大、转换和/或混频)嵌入到光学透明寄主平台中或上面。在一个实施例中，所披露的天线运行于微波频率上。在其它实施例中，可对天线的尺寸进行修改从而支持或运行在其它频率上。
在一个实施例中，可通过将光学透明转换器与天线集成来将光学透明分集式天线集成到寄主平台或表面中或上面。分集式天线可包括两个或多个用于接收至少两个非相干信号的天线。光学透明、可调频率的选择性表面可与光学透明频率调谐组件和电路(如石墨烯金属绝缘体半导体(MIS)变容二极管或其它MIS结构)集成到光学透明平台中或上面。
在一个实施例中，通过沿着天线、传输线、互连部件的边缘嵌入稀薄导体，例如小于10-12微米宽的具有大约107S/m的高导电率的导体，可实现Ag NW天线、传输线、或互连部件的有效电导率的增加。稀薄导体的适合材料可包括金、铜或类似材料。由于趋肤效应，稀薄导体中的电流会沿着边缘流动。
通过选择性地控制Ag NW或透明导体的局部电导率，所披露的实施例和方法可增加Ag NW或其它透明导体的有效电导率。高密度电流流过的区域，如沿着导体或狭槽的边缘，可通过应用高电导率的导体(如，金)来维护。嵌入的传导线路的电导率可以是比耗损透明导体的电导率超出大约至少一个数量级，从而增加有效电导率。
在另一个实施例中，通过选择性地对石墨烯或透明导体的局部区域进行掺杂，可实现局部电导率的增加。通过选择性地在选定局部区域中增加Ag NW的密度或者控制石墨烯涂层的数量或透明半导体薄膜的厚度，可实现局部电导率的增加。在一个实施例中，通过控制1)石墨烯中的缺陷、2)石墨烯中的掺杂、3)石墨烯涂层的数量，可提供具有电阻控制的石墨烯电阻器。
可应用局部选择性电导率控制方法来增加有效电导率或降低损耗导体(如透明或透光的导体)的有效电阻。该方法也可应用到任何RF和非RF结构上，包括任何配置的传输线(例如共面波导(CPW)、微带、和/或带状线)、任何配置的天线或任何放射结构、和/或任何配置的互连部件和发射台(pad)。所描述的方法可提供Ag NW作为有源RF器件的透明互连部件，例如晶体管、二极管、Ag NW天线、或Ag NW传输线，如CPW、微带、或带状线。
衬底(如，玻璃)上的透明有源器件会需要期望的电、热、或机械性能。在一个实施例中，石墨烯可用于作为光学透明材料并可具有(1)高沟道迁移率(channel mobility)，例如>1000cm2/Vs、(2)高柔韧性,确保将石墨烯薄膜转换为弧形表面、或(3)高热导率，在玻璃上提供充足的散热能力。
图1示出了实施例100中集成到衬底上的无源RF结构105和组件140。所展示的无源RF结构105，如频率选择性表面(FSS)，与集成组件140耦接和/或组合，如安装到衬底110上的有源天线。衬底110可由玻璃制成。衬底110的一部分也由Ag NW覆盖，用于作为太阳能反射玻璃。也可使用Ag NW薄膜作为组件140的透明导体或作为无源电路组件的互连部件。石墨烯薄膜也可作为透明有源沟道材料用于制作RF器件，如晶体管。组件140可包括数据输出或中频(IF)输出端口和石墨烯低噪声放大器130。
图2(a)至图2(c)示出了多个实施例中的共面波导(CPW)馈电缝隙天线。参照图2(a)，展示了天线200作为理想的参照天线并包括完善的电导体(PEC)225和玻璃区域210和215。PEC可以是不会产生损耗并用于天线模型200的导体。在一个实施例中，可使用金或铜来实现天线200。在一个实施例中，实际增益可以是大约2.7dBi。天线200还包括天线馈送点205。在一个实例中，天线可具有大约7.4mm的宽度和大约4.3mm的高度。天线200也可配置为其它高度和宽度，取决于实际应用。
图2(b)示出了与天线200类似的天线240，其包括替代了PEC的由Ag NW构成的部分255，部分255具有沿着狭槽形成的金属边缘250。图2(c)展示了与天线240类似的天线251，天线251没有金属边缘250。图2(d)示出了根据图2(a)至图2(c)的CPW馈电缝隙天线的天线增益的电磁模拟结果的列表260。所有的Ag NW天线电磁模拟展示了24GHz左右的宽频性能，在24GHz上具有的最大增益大于0dBi。在一个实施例中，天线240、251可由铜或其它适合的传导材料构成。
Ag NW天线可在下面的实施例中形成。可将溶液形式的Ag NW施加或形成到寄主平台或平面上。在一个实施例中，可将Ag NW喷溅或旋转涂敷到玻璃衬底上，如派热克斯玻璃，或类似的衬底。随后可使用酸对Ag NW覆盖的玻璃衬底进行处理从而去除任何氧化层并提高电导率。随后可通过原子层沉积(ALD)将氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氧化铪(HfO2)或任何电介质金属氧化物的盖层形成或施加到Ag NW覆盖的玻璃上，随后通过适当的光刻、蚀刻和/或清洗进程来对天线、导线和互连部件图案化。在一个实施例中，可使用旋转涂敷、喷射沉积、化学气相沉积(CVD)来将盖层施加到或形成到Ag NW覆盖的玻璃上。
在一个实施例中，可在涂覆电介质材料之前对Ag NW覆盖的玻璃进行蚀刻。蚀刻剂可以是酸蚀刻剂，并可在不进行稀释的情况下使用。一个适合的蚀刻剂的实例可从Transcnc Company,Inc.的名称为镍蚀刻剂TFB的产品中获得，其具有的化学成分包括15-20％的硝酸、小于百分之一的全氟烃基磺酸钾、和水。
在一个实施例中，CPW馈电缝隙类型的Ag NW天线可设计和安装在24GHz频带的玻璃上。还可支持其它适合的天线设计来实现不同的频率范围。
在图2(b)中展示的一个实施例中，由于较低的电导率(或者等价的是较高的薄膜电阻)，可实现50％或更高的天线效率以及透明导体的大约70％或更多的光学透射比。在一个实施例中，根据电、热和/或机械性能，可将Ag NW形成为天线的透明导体材料，并将石墨烯形成为RF电路的透明有源沟道。在一个实施例中，可使用在85％的光传输率上薄膜电阻小于10 ohm/Square的Ag NW薄膜，以及在50％的光传输率上薄膜电阻为50Ω/sq的石墨烯。
在一个实施例中，通过嵌入或添加集中电流的具有更高电导率金属的薄带(例如，小于10-12微米)，可选择性地增加天线辐射器或无源RF结构(包括传输线或互连部件)的边缘处的电导率，从而提高由Ag NW薄膜制造的天线或无源结构或互连部件的效率。在一个实施例中，可将薄带添加或嵌入到边缘250的附近或周围。还可通过选择性地控制Ag NW层的密度，推动该选择性电导率控制方法。
已经确定该选择性电导率控制方法可将50Ω/sq、光学透射比为90％的透明导体天线的增益从-8.1dBi提高至-2.4dBi。还确定对于由Ag NW制成的具有5ohm/sq的薄膜电阻的120微米长的CPW线路，沿着CPW线路的边缘嵌入6微米宽的金属导体，会将传输损耗从-0.88dB降低至-0.025dB，如图2(b)中所展示。也可通过在单板制造进程中对透明晶体管放大器集成天线(这会形成有源天线)来获得天线增益的增加。其它RF功能，如转换和混合，可以类似的方式安装到RF衬底中。
图3(a)至图3(c)示出了多个实施例中的光学透明组件的剖视图。在一个实施例中，可形成光学透明无源电阻器310、电感器320、和/或电容器330组件。无源组件可将Ag NW用于透明互连部件。
参照图3(a)，可将电阻器310形成在玻璃衬底315上，衬底315的一部分上具有Ag NW层300。石墨烯305可用于作为电阻器的电阻材料，可通过在石墨烯中引入受控制的缺点(例如，孔、槽、或类似结构)、通过控制在石墨烯中加入掺杂质或控制石墨烯层的数量、控制石墨烯的宽度和/或长度获得期望的阻抗。
图3(b)展示了形成在玻璃衬底325上的电感器320和衬底325的一部分上的Ag NW层323。使用一般螺旋几何学，可以形成由Ag NW制成的电感器320。在一个实施例中，可通过蚀刻进程形成电感器。图3(c)展示了电容器330，可使用氮化硅(SiNx)或氧化铪(HfO2)作为透明电介质材料、以Ag NW作为欧姆触点来形成电容器330。可在形成无源组件时将薄的导体嵌入到Ag NW中，从而增加Ag NW的有效电导率。
可在硅(Si)和碳化硅(SiC)薄片上产生石墨烯。可将石墨烯薄膜转移到玻璃或透明衬底或表面上。可通过使用热剥离胶带作为转移媒介将石墨烯薄膜物理性地转移到玻璃或透明衬底上。也可使用其它已知方法对石墨烯薄膜进行转移。
图4示出了在实施例400中使用热剥离胶带对石墨烯进行转移的方法。石墨烯层405可在用于石墨烯生长的衬底415上的铜催化剂410上生长。可将热剥离胶带420施加到石墨烯405上。可以传统的方式将膜420从衬底上剥离并施加到由玻璃制成的衬底430上。可以适当的温度对膜420加热从而将石墨烯转移到玻璃衬底430上。一个适当的温度可以是大约150℃。
图5(a)和图5(b)示出了一个完整的透明晶体管的实例，该透明晶体管可使用石墨烯作为有源沟道层、使用Ag NW作为Ti/Au欧姆接触金属薄层上面的源极和漏极互连金属。可使用薄的铜、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)作为光学透明栅极金属。栅极金属可具有数十个纳米的厚度。图5(a)和图5(b)示出了一个实施例中的光学透明场效应晶体管(FET)的剖视图。
参照图5(a)，图5(a)为具有由Ag NW形成的源极504和漏极502的底栅FET510以及在隔离层508的一部分上形成的石墨烯层506的剖视图。FET510还可包括珊极512和衬底515。图5(b)展示了包括由Ag NW形成的源极514和漏极512的顶栅FET520的剖视图。FET520还包括形成在隔离层518的至少一部分上的栅极516。石墨烯层521被配置在隔离层518与衬底525之间。
图6示出了实施例600中的集成了光学透明无源RF结构的光学透明石墨烯有源RF器件615的剖视图。如图所示，有源RF器件615可整体安装到透明衬底或大体透明的衬底625上。石墨烯有源器件615可作为图5(a)和图5(b)中展示的器件的代表。石墨烯层610可选择性地置于Ag NW层605的上面，从而提供机械强度、热管理、或耐磨性。结构600还可包括Ag NW天线620、可作为CPW馈电缝隙天线结构的一部分的一个或多个槽622、一个或多个薄金属线621。有源RF电路通常需要热管理能力。在一个实施例中，可使用基于碳的石墨烯(例如，4840-5300W/mK)来对玻璃衬底上或玻璃衬底中的有源RF电路提供热耗散。
呈现上面的对于本发明的优选实施例的描述的目的是示例和描述。其目的不是无遗漏的描述或者将本发明限制于准确的形式或所披露的示例性实施例。显然，许多修改和变化对于本领域内的技术人员是显而易见的。同样，为了实现相同的结果，所描述的任何进程都可以是以其它步骤可替换的。选择并描述该实施例是为了更好地解释本发明的原理及其最佳模式的实际应用，从而使本领域内的其它技术人员能够理解本发明的若干实施例，并进行若干适合于特定使用或预期实施的修改。其目的是，本发明的范围是由这里所附的权利要求及其它们的等价体限定的。除非明确指出，以单数形式提及某个器件并不是表示“一个且只有一个”的意思，而是“一个或多个”的意思。此外，无论所述器件、组件、或方法步骤是否在下面的权利要求中被明确地描述，该披露中的任何器件、组件、或方法步骤对于公众来说都不意在是专用的。本文的权利要求要素不应按照35 U.S.C.112第六段的规定解释，除非所述要素清楚地表述为“用于…的模块”。
应当理解的是，附图中所示出的图片仅仅是作为示例的目的呈现的，它们突出显示了本发明的功能和优点。本发明的体系结构是充分灵活的和可配置的，从而使其能够被除了附图中所展示的其它方式使用(操作)。
此外，前面的摘要的目的是使得美国专利和商标局以及一般公众，特别是科学家、工程师和对专利或法律条款或术语不熟悉的本领域的从业者，能够通过粗略检阅快速确定该申请的技术公开的性质和精髓。摘要无意以任何方式限制本发明的范围。还应当理解的是，权利要求中列举的步骤和进程不需要以所呈现的顺序执行。
优选地，最好包括本文描述的所有的器件、部分和步骤。应当理解的是，任意这些器件、部分和步骤都可以被其它器件、部分和步骤代替，或者全部删除，这对领域内的技术人员是显而易见的。
总的来说，本文披露了如下内容。描述了一种装置、系统和/或方法，其用于提供光学透明可重构的集成电子组件，如用于与光学透明寄主平台(如玻璃)关联的天线或RF电路。在一个实施例中，可将Ag NW薄膜配置为天线的透明导体和/或无源电路组件的互连部件，如电容器或电阻器。Ag NW也可用于器件的传输线和/或互连部件覆盖层。也可将石墨烯薄膜配置为用于制造有源RF器件的有源沟道材
料，如放大器和转换器。
构思
本文呈现了至少如下的构思。
构思1.一种器件，包括：
一个透明或大体透明的衬底；
银纳米线薄膜，该银纳米线薄膜置于至少部分衬底之上；和
电介质材料，其置于至少部分银纳米线薄膜之上。
构思2.如构思1所述的器件，还包括一个或多个的下列部件之一：天线、互连部件、传输线、频率选择性表面、电阻器、电容器、电感器。
构思3.如构思1或2所述的器件，其中的衬底至少部分是由玻璃或树脂玻璃中的一种构成的。
构思4.如构思2所述的器件，其中的天线能够在RF、微波、或毫米波频率中的一个频率上运行。
构思5.如前面任何一个构思所述的器件，还包括置于衬底上的光学透明有源器件。
构思6.如构思2或4所述的器件，其中的天线包括下列中的一个：银纳米线薄膜、金属线、或形成在衬底上的狭槽。
构思7.如构思2、4或6所述的器件，其中的天线被配置为分集式天线。
构思8.如构思2、4、6或7所述的器件，还包括沿着天线、互连部件、传输线中的一个的边缘嵌入的导体。
构思9.如构思2所述的器件，其中的电容器包括氮化硅和氧化铪(HfO2)的一个，银纳米线薄膜被配置为欧姆触点。
构思10.如构思1所述的器件，还包括具有金属氧化物的盖层的天线，其中金属氧化物包括氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、和氧化铪(HfO2)中的一个。
构思11.一种形成无源电子器件的方法，包括：
接收一个透明或大体透明的衬底，该衬底包括银纳米线薄膜；
对银纳米线薄膜进行蚀刻；以及
用电介质材料对部分银纳米线薄膜进行涂覆。
构思12.如构思11所述的方法，其中所述对银纳米线薄膜进行蚀刻还包括用包含镍蚀刻剂TFB的蚀刻剂对银纳米线薄膜进行蚀刻。
构思13.如构思11或12所述的方法，其中所述对部分进行涂覆包括用氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、和氧化铪(HfO2)中的一个对部分银纳米线薄膜进行涂覆。
构思14.如构思11、12或13所述的方法，其中的电子器件还包括下列中的一个：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
构思15.一种器件，包括：
一个大体透明或透明的衬底；
栅电极；
石墨烯薄膜；和
多个触点，其由银纳米线构成，位于部分石墨烯薄膜之上。
构思16.如构思15所述的器件，还包括下列之一：天线、频率选择表面、电阻器、电容器、和电感器。
构思17.如构思15或16所述的器件，其中的衬底被配置为以一种可进行选择、放大、转换以及混合的基于RF的频率运行。
构思18.如构思15、16或17所述的器件，其中的栅电极包括金、铜、铟锡氧化物(ITO)、和铟锌氧化物(IZO)中的一种。
构思19.一种形成电子器件的方法，其包括：
接收一个大体透明或透明的衬底；
在部分衬底上形成石墨烯薄膜；以及
使用银纳米线在石墨烯薄膜上形成多个触点；
构思20.如构思19所述的方法，其中提供衬底还包括提供包含玻璃或树脂玻璃中的一个的衬底。
构思21.如构思19或20所述的方法，还包括至少使用热剥离胶带将石墨烯转移到衬底上。
构思22.如构思19、20或21所述的方法，还包括在衬底中形成下列之一：金属线、和狭槽。
构思23.如构思19、20、21或22所述的方法，还包括提供由金、铜、铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中的一个形成的栅电极。
构思24.如构思19、20、21、22或23所述的方法，还包括使用银纳米线形成下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
构思25.一种形成电子器件的方法，其包括：
接收一个大体透明或透明的衬底；
在部分衬底上形成栅电极；
在栅电极上形成隔离层；以及
在部分隔离层上形成石墨烯薄膜。
构思26.如构思25所述的方法，其中提供衬底还包括提供包含玻璃和树脂玻璃中的一个的衬底。
构思27.如构思25或26所述的方法，还包括在衬底中形成金属线和狭槽中的一个。
构思28.如构思25、26或27所述的方法，还包括使用金、铜、铟锡氧化物(ITO)、和铟锌氧化物(IZO)中的一个形成栅电极。
构思29.如构思25、26、27或28所述的方法，还包括使用银纳米线形成下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种器件，包括：
一个透明或实质上透明的衬底；
置于衬底上的光学透明有源器件，其中该光学透明有源器件包括多个银纳米线触点和石墨烯沟道；
银纳米线薄膜，该银纳米线薄膜置于至少部分衬底之上；和
电介质材料，其置于至少部分银纳米线薄膜之上。
2.如权利要求1所述的器件，还包括下列部件中的一个或多个：天线、互连部件、传输线、频率选择性表面、电阻器、电容器、电感器。
3.如权利要求1所述的器件，其中衬底至少部分是由玻璃和树脂玻璃中的一种形成的。
4.如权利要求2所述的器件，其中天线配置为以RF、微波、和毫米波频率中的一个频率运行。
5.如权利要求2所述的器件，其中天线包括下列中的一个：形成在衬底上的银纳米线薄膜、金属线、和狭槽。
6.如权利要求2所述的器件，还包括沿着天线、互连部件、传输线中的一个的边缘嵌入的导体。
7.如权利要求2所述的器件，其中电容器包括氮化硅和氧化铪(HfO2)的一个，以及银纳米线薄膜被配置为欧姆触点。
8.如权利要求2所述的器件，其中所述电介质材料包括氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、和氧化铪(HfO2)中的一个。
9.如权利要求1所述的器件，其中所述光学透明有源器件包括：
置于衬底上的栅电极；
置于栅电极上的隔离层；
置于隔离层上的石墨烯层；
置于石墨烯薄膜的第一部分上并且通过隔离层与栅极绝缘的由银纳米线形成的源触点；以及
置于石墨烯薄膜的第二部分上并且通过隔离层与栅极绝缘的由银纳米线形成的漏触点。
10.如权利要求1所述的器件，其中所述光学透明有源器件包括：
置于衬底上的石墨烯层；
置于石墨烯层上的隔离层；
置于隔离层上的栅极；
置于石墨烯薄膜的第一部分上并且通过隔离层与栅极绝缘的由银纳米线形成的源触点；以及
置于石墨烯薄膜的第二部分上并且通过隔离层与栅极绝缘的由银纳米线形成的漏触点。
11.一种形成无源电子器件的方法，包括：
接收一个透明或实质上透明的衬底；
在一部分衬底上形成石墨烯层；
在衬底上形成银纳米线薄膜；
对银纳米线薄膜进行蚀刻；以及
用电介质材料对部分银纳米线薄膜进行涂覆，其中所述电介质材料不是石墨烯。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述对银纳米线薄膜进行蚀刻还包括用包含镍蚀刻剂TFB的蚀刻剂对银纳米线薄膜进行蚀刻。
13.如权利要求11所述的方法，其中对部分银纳米线薄膜进行涂覆包括用氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、和氧化铪(HfO2)中的一个对部分银纳米线薄膜进行涂覆。
14.如权利要求11所述的方法，其中电子器件还包括下列中的一个：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
15.一种器件，包括：
一个实质上透明或透明的衬底；
置于部分衬底上的石墨烯薄膜；和
多个触点，其由银纳米线形成，位于部分石墨烯薄膜之上。
16.如权利要求15所述的器件，还包括下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
17.如权利要求15所述的器件，其中衬底配置为以一种能够进行选择、放大、转换以及混频的基于RF的频率运行。
18.如权利要求15所述的器件，其中栅电极包括金、铜、铟锡氧化物(ITO)、和铟锌氧化物(IZO)中的一种。
19.一种形成电子器件的方法，包括：
接收一个实质上透明或透明的衬底；
在部分衬底上形成石墨烯薄膜；以及
使用银纳米线在石墨烯薄膜上形成多个触点。
20.如权利要求19所述的方法，其中提供衬底还包括提供包含玻璃和树脂玻璃中的一个的衬底。
21.如权利要求19所述的方法，还包括至少使用热剥离胶带将石墨烯转移到衬底上。
22.如权利要求19所述的方法，还包括在衬底中形成下列之一：金属线、和狭槽。
23.如权利要求19所述的方法，还包括提供由金、铜、铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中的一个形成的栅极。
24.如权利要求19所述的方法，还包括使用银纳米线形成下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
25.一种形成电子器件的方法，包括：
接收一个实质上透明或透明的衬底；
在部分衬底上形成栅电极；
在栅电极上形成隔离层；
在部分隔离层上形成石墨烯薄膜；
在石墨烯薄膜的第一部分上由银纳米线来形成源触点；以及
在石墨烯薄膜的第二部分上由银纳米线来形成漏触点。
26.如权利要求25所述的方法，其中提供衬底还包括提供包含玻璃和树脂玻璃中的一个的衬底。
27.如权利要求25所述的方法，还包括在衬底中形成金属线和狭槽中的一个。
28.如权利要求25所述的方法，还包括使用金、铜、铟锡氧化物(ITO)、和铟锌氧化物(IZO)中的一个形成栅极。
29.如权利要求25所述的方法，还包括使用银纳米线形成下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
30.一种形成电器件的方法，包括：
接收一个实质上透明或透明的衬底；
在衬底上形成石墨烯层；
在石墨烯层上形成隔离层；
在隔离层上形成栅极；
置于石墨烯薄膜的第一部分上并且通过隔离层与栅极绝缘的由银纳米线形成的源触点；以及
置于石墨烯薄膜的第二部分上并且通过隔离层与栅极绝缘的由银纳米线形成的漏触点。
31.如权利要求30所述的方法，还包括由银纳米线形成天线、频率选择性表面、电阻器、电容器和电感器中的一个。

Claims (29)

1.一种器件，包括：
一个透明或实质上透明的衬底；
银纳米线薄膜，该银纳米线薄膜置于至少部分衬底之上；和
电介质材料，其置于至少部分银纳米线薄膜之上。
2.如权利要求1所述的器件，还包括下列部件中的一个或多个：天线、互连部件、传输线、频率选择性表面、电阻器、电容器、电感器。
3.如权利要求1所述的器件，其中衬底至少部分是由玻璃和树脂玻璃中的一种形成的。
4.如权利要求2所述的器件，其中天线配置为以RF、微波、和毫米波频率中的一个频率运行。
5.如权利要求1所述的器件，还包括置于衬底上的光学透明有源器件。
6.如权利要求2所述的器件，其中天线包括下列中的一个：形成在衬底上的银纳米线薄膜、金属线、和狭槽。
7.如权利要求2所述的器件，其中天线被配置为分集式天线。
8.如权利要求2所述的器件，还包括沿着天线、互连部件、传输线中的一个的边缘嵌入的导体。
9.如权利要求2所述的器件，其中电容器包括氮化硅和氧化铪(HfO2)的一个，以及银纳米线薄膜被配置为欧姆触点。
10.如权利要求1所述的器件，还包括具有金属氧化物的盖层的天线，其中金属氧化物包括氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、和氧化铪(HfO2)中的一个。
11.一种形成无源电子器件的方法，包括：
接收一个透明或实质上透明的衬底，该衬底包括银纳米线薄膜；
对银纳米线薄膜进行蚀刻；以及
用电介质材料对部分银纳米线薄膜进行涂覆。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述对银纳米线薄膜进行蚀刻还包括用包含镍蚀刻剂TFB的蚀刻剂对银纳米线薄膜进行蚀刻。
13.如权利要求11所述的方法，其中对部分银纳米线薄膜进行涂覆包括用氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(S iO2)、和氧化铪(HfO2)中的一个对部分银纳米线薄膜进行涂覆。
14.如权利要求11所述的方法，其中电子器件还包括下列中的一个：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
15.一种器件，包括：
一个实质上透明或透明的衬底；
栅电极；
石墨烯薄膜；和
多个触点，其由银纳米线形成，位于部分石墨烯薄膜之上。
16.如权利要求15所述的器件，还包括下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
17.如权利要求15所述的器件，其中衬底配置为以一种能够进行选择、放大、转换以及混频的基于RF的频率运行。
18.如权利要求15所述的器件，其中栅电极包括金、铜、铟锡氧化物(ITO)、和铟锌氧化物(IZO)中的一种。
19.一种形成电子器件的方法，包括：
接收一个实质上透明或透明的衬底；
在部分衬底上形成石墨烯薄膜；以及
使用银纳米线在石墨烯薄膜上形成多个触点。
20.如权利要求19所述的方法，其中提供衬底还包括提供包含玻璃和树脂玻璃中的一个的衬底。
21.如权利要求19所述的方法，还包括至少使用热剥离胶带将石墨烯转移到衬底上。
22.如权利要求19所述的方法，还包括在衬底中形成下列之一：金属线、和狭槽。
23.如权利要求19所述的方法，还包括提供由金、铜、铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中的一个形成的栅极。
24.如权利要求19所述的方法，还包括使用银纳米线形成下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
25.一种形成电子器件的方法，包括：
接收一个实质上透明或透明的衬底；
在部分衬底上形成栅电极；
在栅电极上形成隔离层；以及
在部分隔离层上形成石墨烯薄膜。
26.如权利要求25所述的方法，其中提供衬底还包括提供包含玻璃和树脂玻璃中的一个的衬底。
27.如权利要求25所述的方法，还包括在衬底中形成金属线和狭槽中的一个。
28.如权利要求25所述的方法，还包括使用金、铜、铟锡氧化物(ITO)、和铟锌氧化物(IZO)中的一个形成栅极。
29.如权利要求25所述的方法，还包括使用银纳米线形成下列之一：天线、频率选择性表面、电阻器、电容器、和电感器。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107086350A (zh) * 2016-02-16 2017-08-22 通用汽车环球科技运作有限责任公司 用于减轻表面波和改进玻璃上天线增益的阻抗表面处理部
CN108963448A (zh) * 2018-06-26 2018-12-07 东南大学 一种光透明及频率可重构天线及其加工方法
WO2021093719A1 (zh) 2019-11-15 2021-05-20 符仙琼 建筑部件增加射频信号穿透率的介电体结构及其设置方法
US11205850B2 (en) 2019-06-30 2021-12-21 Shenzhen Heytap Technology Corp., Ltd. Housing assembly, antenna assembly, and electronic device
US11239562B2 (en) 2019-03-28 2022-02-01 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Antenna module and electronic device
US11322829B2 (en) 2019-04-08 2022-05-03 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Antenna assembly and electronic device
US11532870B2 (en) 2019-06-30 2022-12-20 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Housing assembly and electronic devices
WO2023005839A1 (zh) * 2021-07-26 2023-02-02 华为技术有限公司 一种电子设备
CN110034388B (zh) * 2019-04-18 2024-02-06 浙江清华柔性电子技术研究院 天线制备方法及具有其的天线

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9252252B2 (en) * 2012-05-23 2016-02-02 Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL) Ambipolar silicon nanowire field effect transistor
US10620431B2 (en) * 2013-01-29 2020-04-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System, method and computer-accessible medium for depth of field imaging for three-dimensional sensing utilizing a spatial light modulator microscope arrangement
US9548415B1 (en) 2013-02-19 2017-01-17 Hrl Laboratories, Llc All-wavelength (VIS-LWIR) transparent electrical contacts and interconnects and methods of making them
US9640680B1 (en) 2013-02-19 2017-05-02 Hrl Laboratories, Llc Wide-band transparent electrical contacts and interconnects for FPAS and a method of making the same
CN104092013B (zh) * 2014-07-18 2016-04-27 桂林电子科技大学 基于石墨烯的频率可重构天线
WO2016166148A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Basf Se Patterned transparent conductive film and process for producing such a patterned transparent conductive film
CN105094231B (zh) * 2015-07-28 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏和便携设备
CN106229626A (zh) * 2016-09-12 2016-12-14 深圳市金诺和信通讯有限公司 具有天线功能的透明面板、显示屏组件及无线通信设备
US10847887B2 (en) 2017-10-05 2020-11-24 Eastman Kodak Company Method for fabricating a transparent antenna
US10524356B2 (en) 2017-10-05 2019-12-31 Eastman Kodak Company Transparent antenna
EP3692593B1 (en) 2017-10-05 2023-05-10 Eastman Kodak Company Transparent antenna
US10396061B1 (en) * 2018-03-22 2019-08-27 International Business Machines Corporation Transparent electronics for invisible smart dust applications
KR102602505B1 (ko) * 2018-09-19 2023-11-14 아카시 시스템즈, 인크. 위성 통신을 위한 시스템들 및 방법들
US11271303B2 (en) * 2019-01-03 2022-03-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Antenna, smart window, and method of fabricating antenna
US11387541B2 (en) * 2019-03-18 2022-07-12 Ask Industries Societa' Per Azioni Manufacturing method of a rear window for vehicles provided with a heater-integrated antenna
CN110400775A (zh) * 2019-07-10 2019-11-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板和柔性显示装置
IT201900020838A1 (it) * 2019-11-13 2021-05-13 Wireless Network Sites Tech Srl Corpo Illuminante con Antenne e Scambiatori di Calore Trasparenti
CN112186363A (zh) * 2020-09-24 2021-01-05 武汉汉烯科技有限公司 一种柔性宏观石墨烯频率选择表面
US11563190B2 (en) * 2020-12-09 2023-01-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Graphene-based photodetector
JP2023092329A (ja) * 2021-12-21 2023-07-03 国立大学法人東北大学 アンテナモジュールおよびその製造方法
WO2024044047A1 (en) 2022-08-25 2024-02-29 Eastman Kodak Company Heated planar antenna

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100127241A1 (en) * 2005-02-25 2010-05-27 The Regents Of The University Of California Electronic Devices with Carbon Nanotube Components
US20120154248A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Nokia Corporation Apparatus and associated methods
WO2012112818A2 (en) * 2011-02-16 2012-08-23 The Regents Of The University Of California Interpenetrating networks of crystalline carbon and nano-scale electroactive materials
KR20120130149A (ko) * 2012-10-26 2012-11-29 숭실대학교산학협력단 플렉시블 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101180765B (zh) 2005-04-01 2013-06-05 日本写真印刷株式会社 显示器用透明天线和带天线的显示器用透光性构件以及带天线的壳体用构件
US7289073B2 (en) 2005-08-19 2007-10-30 Gm Global Technology Operations, Inc. Method for improving the efficiency of transparent thin film antennas and antennas made by such method
US7233296B2 (en) 2005-08-19 2007-06-19 Gm Global Technology Operations, Inc. Transparent thin film antenna
GB0720268D0 (en) * 2007-10-17 2007-11-28 Pilkington Group Ltd Glazing
WO2010036210A1 (en) 2008-09-23 2010-04-01 National University Of Singapore Graphene memory cell and fabrication methods thereof
US8106838B2 (en) * 2009-02-05 2012-01-31 Research In Motion Limited Mobile wireless communications device having diversity antenna system and related methods
EP2462791B1 (en) * 2009-08-03 2019-11-06 3M Innovative Properties Company Process for forming optically clear conductive metal or metal alloy thin films and films made therefrom
KR101154347B1 (ko) 2009-08-24 2012-06-13 한양대학교 산학협력단 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법
JP2011066829A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Panasonic Corp 通信モジュール、通信装置
CA2828468A1 (en) * 2010-02-27 2011-09-01 Innova Dynamics, Inc. Structures with surface-embedded additives and related manufacturing methods
WO2011109693A2 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 University Of Florida Research Foundation Inc. Semiconductor devices including an electrically percolating source layer and methods of fabricating the same
US8761848B2 (en) * 2010-05-28 2014-06-24 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire-based detector
US8692230B2 (en) 2011-03-29 2014-04-08 University Of Southern California High performance field-effect transistors
AU2012275284B2 (en) * 2011-06-28 2015-06-11 Innova Dynamics, Inc. Transparent conductors incorporating additives and related manufacturing methods
JP5583097B2 (ja) * 2011-09-27 2014-09-03 株式会社東芝 透明電極積層体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100127241A1 (en) * 2005-02-25 2010-05-27 The Regents Of The University Of California Electronic Devices with Carbon Nanotube Components
US20120154248A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Nokia Corporation Apparatus and associated methods
WO2012112818A2 (en) * 2011-02-16 2012-08-23 The Regents Of The University Of California Interpenetrating networks of crystalline carbon and nano-scale electroactive materials
KR20120130149A (ko) * 2012-10-26 2012-11-29 숭실대학교산학협력단 플렉시블 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LISNH-HSIANG CHEN ET AL.: "Silver nanowire-polymer composite electrode for high performance sulution-processed thin-film transistors", 《ORGANIC ELECTRONICS》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107086350A (zh) * 2016-02-16 2017-08-22 通用汽车环球科技运作有限责任公司 用于减轻表面波和改进玻璃上天线增益的阻抗表面处理部
CN107086350B (zh) * 2016-02-16 2020-02-14 通用汽车环球科技运作有限责任公司 用于减轻表面波和改进玻璃上天线增益的阻抗表面处理部
CN108963448A (zh) * 2018-06-26 2018-12-07 东南大学 一种光透明及频率可重构天线及其加工方法
US11239562B2 (en) 2019-03-28 2022-02-01 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Antenna module and electronic device
US11322829B2 (en) 2019-04-08 2022-05-03 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Antenna assembly and electronic device
CN110034388B (zh) * 2019-04-18 2024-02-06 浙江清华柔性电子技术研究院 天线制备方法及具有其的天线
US11205850B2 (en) 2019-06-30 2021-12-21 Shenzhen Heytap Technology Corp., Ltd. Housing assembly, antenna assembly, and electronic device
US11532870B2 (en) 2019-06-30 2022-12-20 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Housing assembly and electronic devices
WO2021093719A1 (zh) 2019-11-15 2021-05-20 符仙琼 建筑部件增加射频信号穿透率的介电体结构及其设置方法
US11349221B2 (en) 2019-11-15 2022-05-31 Hsien-Chiung Fu Dielectric structure applied to building components for increasing transmittance of RF signal and disposing method thereof
WO2023005839A1 (zh) * 2021-07-26 2023-02-02 华为技术有限公司 一种电子设备

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Publication number Publication date
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