CN104677953A - 一种快速检测黑心片的方法 - Google Patents
一种快速检测黑心片的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104677953A CN104677953A CN201510089111.9A CN201510089111A CN104677953A CN 104677953 A CN104677953 A CN 104677953A CN 201510089111 A CN201510089111 A CN 201510089111A CN 104677953 A CN104677953 A CN 104677953A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon rod
- probe
- rod slicing
- sheet
- slicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 60
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及硅棒切片检测领域，具体是涉及一种快速检测黑心片的方法。一种快速检测黑心片的方法，按照如下步骤进行：步骤一、将待测硅棒进行切片；步骤二、硅棒切片的电阻率，高于临界值的为合格产品，低于临界值的产品为不合格产品。本发明的有益效果是：本发明能够快速简便的区别黑心片，节省了成本，提高了工作效率；对环境要求不是很高，可以采用现场生产现场测试的方法，降低了测试周期；节省材料，降低能源消耗。
Description
技术领域
本发明涉及硅棒切片检测领域，具体是涉及一种快速检测黑心片的方法。
背景技术
由于工艺、设备、辅材或操作的各种问题使单晶硅棒在生产过程当中或多或少的产生一部分黑心片，黑心片在后期电池片的生产上会带来一定程度的效率损失。目前采用检测黑心片的主要方法是采用进口仪器:WT-2000或者WT2000pvn系列检测设备，采用整面测试，通过硅料切片整面的少子寿命分布图来完成黑心片的检测与判断，此检测方法优点是直观，可以通过检测图像一目了然的看出黑心片的存在，但是缺点是速度慢，环境要求高，检测一片需要5到20分钟时间，在大规模快速检测上存在一定局限性，检测成本较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：如何提供一种简单快速检测黑心片的方法。
本发明所采用的技术方案是：一种快速检测黑心片的方法，按照如下步骤进行：
步骤一、将待测硅棒进行切片；
步骤二、硅棒切片的电阻率，高于临界值的为合格产品，低于临界值的产品为不合格产品。
作为一种优选方案：将硅棒切片一面紧贴金属板，硅棒切片、金属板、电源、电流表、金属探针形成一个串联回路，探针放置于硅棒切片另一面上，通过探针测量硅棒切片多个位置硅棒切片电阻率，计算硅棒切片多个位置的电阻率高于临界值的比率，如果比率小于等于10%，该硅棒切片为良好切片，如果比率大于10%，小于等于40%，该硅棒切片为轻微黑心片，如果比率大于40%，该硅棒切片为严重黑心片。
作为一种优选方案：金属探针有多根，金属探针在5mm的半径圆上，组成三个探针同心圆，金属探针通过探针固定装置固定，每个探针都串联一个电流表，然后和硅棒切片、金属板、电源构成一个闭合回路，电流表都信号连接处理装置，处理装置连接显示屏。
作为一种优选方式，硅棒切片的电阻率测量过程通过一种快速检测黑心片装置完成：包括机架、安装在机架上的夹紧装置，夹紧装置上一端安装一块金属板，另一端安装一个探针固定装置，探针固定装置上安装有多根金属探针，金属探针集中在5mm的半径圆上，每个探针都串联一个电流表，然后和硅棒切片、金属板、电源构成一个闭合回路，电流表都信号连接处理装置，处理装置连接显示屏；使用过程中把夹紧装置打开，放入硅棒切片合上夹紧装置，然后通过显示屏观察，硅棒切片按照良好切片、轻微黑心片、严重黑心片进行分类。
本发明的有益效果是：本发明能够快速简便的区别黑心片，节省了成本，提高了工作效率；对环境要求不是很高，可以采用现场生产现场测试的方法，降低了测试周期；节省材料，降低能源消耗。
附图说明
图1是本发明的硅棒切片良好切片硅片少子寿命分布图；
图2是本发明的硅棒切片轻微黑心片硅片少子寿命分布图；
图3是本发明的硅棒切片严重黑心片硅片少子寿命分布图；
图4探针固定装置上探针分布图；
图1、2、3中颜色越深代表电阻越大。
图中，1、探针，2、外圈同心圆，3、中间同心圆，4、内圈同心圆。
具体实施方式
将待测硅棒进行切片，切片的厚度为3-5mm。
将硅棒切片放入快速检测黑心片装置进行硅棒切片的电阻率，高于临界值的为合格产品，低于临界值的产品为不合格产品。临界值电阻率一般取6.0。
快速检测黑心片装置包括机架、安装在机架上的夹紧装置，夹紧装置上一端安装一块金属板，另一端安装一个探针固定装置（如图4所示），探针固定装置上安装有多根金属探针，金属探针集中在5mm的半径圆上，金属探针组成3个同心圆，同心圆上的探针沿圆周均匀分布，每个探针都串联一个电流表，然后和硅棒切片、金属板、电源构成一个闭合回路，电流表都信号连接处理装置，处理装置连接显示屏；使用过程中把夹紧装置打开，放入硅棒切片合上夹紧装置，然后通过显示屏观察，硅棒切片按照良好切片、轻微黑心片、严重黑心片进行分类。处理装置为一块处理芯片，计算硅棒切片多个位置的电阻率高于临界值的比率，如果比率小于等于10%，该硅棒切片为良好切片，如果比率大于10%，小于等于40%，该硅棒切片为轻微黑心片，如果比率大于40%，该硅棒切片为严重黑心片。
利用硅片全功能扫描仪（WT-2000PVN）对分类的硅片进行扫描，如图1、图2、图3所示，得出硅片少子寿命分布图，即B—O复合体的路线图同心圆（黑心片图）。主要测试硅片少子寿命大小及在整个硅片表面的分布图。同时观察黑心片的存在状况。
将所测硅片的少子寿命与电阻率与分布图进行对应，找出合格片与不合格片电阻率的临界值，做好记录。结果发现本发明方法测量准确。
Claims (4)
1.一种快速检测黑心片的方法，其特征在于按照如下步骤进行：
步骤一、将待测硅棒进行切片；
步骤二、硅棒切片的电阻率，高于临界值的为合格产品，低于临界值的产品为不合格产品。
2.根据权利要求1所述的一种快速检测黑心片的方法，其特征在于：硅棒切片的电阻率测量过程为：将硅棒切片一面紧贴金属板，硅棒切片、金属板、电源、电流表、金属探针形成一个串联回路，探针放置于硅棒切片另一面上，通过探针测量硅棒切片多个位置硅棒切片电阻率，计算硅棒切片多个位置的电阻率高于临界值的比率，如果比率小于等于10%，该硅棒切片为良好切片，如果比率大于10%，小于等于40%，该硅棒切片为轻微黑心片，如果比率大于40%，该硅棒切片为严重黑心片。
3.根据权利要求2所述的一种快速检测黑心片的方法，其特征在于：金属探针有多根，金属探针在5mm的半径圆上，组成三个探针同心圆，金属探针通过探针固定装置固定，每个探针都串联一个电流表，然后和硅棒切片、金属板、电源构成一个闭合回路，电流表都信号连接处理装置，处理装置连接显示屏。
4.根据权利要求2所述的一种快速检测黑心片的方法，其特征在于：硅棒切片的电阻率测量过程通过一种快速检测黑心片装置完成：包括机架、安装在机架上的夹紧装置，夹紧装置上一端安装一块金属板，另一端安装一个探针固定装置，探针固定装置上安装有多根金属探针，金属探针集中在5mm的半径圆上，每个探针都串联一个电流表，然后和硅棒切片、金属板、电源构成一个闭合回路，电流表都信号连接处理装置，处理装置连接显示屏；使用过程中把夹紧装置打开，放入硅棒切片合上夹紧装置，然后通过显示屏观察，硅棒切片按照良好切片、轻微黑心片、严重黑心片进行分类。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510089111.9A CN104677953B (zh) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | 一种快速检测黑心片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510089111.9A CN104677953B (zh) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | 一种快速检测黑心片的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104677953A true CN104677953A (zh) | 2015-06-03 |
| CN104677953B CN104677953B (zh) | 2018-01-30 |
Family
ID=53313300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510089111.9A Expired - Fee Related CN104677953B (zh) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | 一种快速检测黑心片的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104677953B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108417479A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-17 | 邢台晶龙电子材料有限公司 | 一种激光打码判别硅片分类的方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3287637A (en) * | 1962-07-17 | 1966-11-22 | Siemens Ag | High frequency current means including capacitive probe members for determining the electrical resistance of a semiconductor layer |
| US3676775A (en) * | 1971-05-07 | 1972-07-11 | Ibm | Method for measuring resistivity |
| US4266186A (en) * | 1978-03-02 | 1981-05-05 | Mahle Gmbh | Method of testing silicon content in aluminium alloys |
| JPS61294347A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 被膜診断装置 |
| JP2001274211A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 抵抗率測定方法 |
| CN101894776A (zh) * | 2009-05-21 | 2010-11-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 测量电阻变化检测氮掺杂浓度的方法 |
| CN102313865A (zh) * | 2011-07-20 | 2012-01-11 | 浙江尖山光电股份有限公司 | 一种黑心硅片的快速检测方法 |
| CN102809586A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-12-05 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 多晶硅锭的质量检验方法 |
| CN203055872U (zh) * | 2012-12-13 | 2013-07-10 | 苏州中导光电设备有限公司 | 太阳能硅片及电池片缺陷检测系统 |
-
2015
- 2015-02-27 CN CN201510089111.9A patent/CN104677953B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3287637A (en) * | 1962-07-17 | 1966-11-22 | Siemens Ag | High frequency current means including capacitive probe members for determining the electrical resistance of a semiconductor layer |
| US3676775A (en) * | 1971-05-07 | 1972-07-11 | Ibm | Method for measuring resistivity |
| US4266186A (en) * | 1978-03-02 | 1981-05-05 | Mahle Gmbh | Method of testing silicon content in aluminium alloys |
| JPS61294347A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 被膜診断装置 |
| JP2001274211A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 抵抗率測定方法 |
| CN101894776A (zh) * | 2009-05-21 | 2010-11-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 测量电阻变化检测氮掺杂浓度的方法 |
| CN102313865A (zh) * | 2011-07-20 | 2012-01-11 | 浙江尖山光电股份有限公司 | 一种黑心硅片的快速检测方法 |
| CN102809586A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-12-05 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 多晶硅锭的质量检验方法 |
| CN203055872U (zh) * | 2012-12-13 | 2013-07-10 | 苏州中导光电设备有限公司 | 太阳能硅片及电池片缺陷检测系统 |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| 孙以材 等: "《电阻率测试理论与实践》", 31 March 2011, 冶金工业出版社 * |
| 张厥宗: "《硅单晶抛光片的加工技术》", 31 August 2005, 化学工业出版社 * |
| 扩展电阻技术;陆逢涛;《半导体技术》;19871031(第5期);47-54 * |
| 接触电阻和扩展电阻测量方法的研究;茅保华;《固体电子学研究与进展》;19840531;第4卷(第2期);65-67 * |
| 茅保华: "接触电阻和扩展电阻测量方法的研究", 《固体电子学研究与进展》 * |
| 陆逢涛: "扩展电阻技术", 《半导体技术》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108417479A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-17 | 邢台晶龙电子材料有限公司 | 一种激光打码判别硅片分类的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104677953B (zh) | 2018-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103364707B (zh) | 大功率led芯片封装质量检测方法 | |
| ATE545036T1 (de) | Testausrüstung für automatisierte qualitätskontrolle von dünnschicht-soalrmodulen | |
| CN105277432A (zh) | 一种小型硬度试样的测量方法及装夹工装 | |
| CN203011849U (zh) | 硅片缺陷检测装置 | |
| CN205981177U (zh) | 一种平面度检测装置 | |
| CN203164406U (zh) | 基于gtem室的超高频传感器灵敏度测试装置 | |
| CN202305422U (zh) | 硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置 | |
| CN104677953A (zh) | 一种快速检测黑心片的方法 | |
| CN205837814U (zh) | 一种自动去磁装置 | |
| CN102565652A (zh) | 发光二极管封装结构检测装置及检测方法 | |
| CN206670587U (zh) | 平面度检测机构 | |
| CN105203546A (zh) | 太阳电池片在线质量检测方法 | |
| CN212030422U (zh) | 用于半导体用石英环的台阶临时快速检测装置 | |
| US20130300448A1 (en) | Testing method and testing device for photoelectric conversion die | |
| CN102916092B (zh) | 检测及分类晶片的装置及方法 | |
| CN203941113U (zh) | 太阳电池片在线质量检测装置 | |
| CN204881495U (zh) | 引擎部位支架多台面平面度专用检具 | |
| CN203964802U (zh) | 一种皮带轮刻度快速检测的检具 | |
| CN104458894A (zh) | 高速水轮发电机转子磁极磁轭t尾槽的检测方法及其装置 | |
| CN104677986A (zh) | 一种燃油管总成上螺母涡流探伤测试设备 | |
| CN204388781U (zh) | 一种高效高精度成像检测仪 | |
| CN203350425U (zh) | 一种贝尔多载频电源检测装置 | |
| CN104155628A (zh) | 一种智能电表高低温老化检验装置 | |
| CN101718846A (zh) | 一种检测薄膜太阳能电池板电性能的方法及其检测装置 | |
| CN211402591U (zh) | 一种芯片光电性能及外观检测装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Liang Ling Inventor after: Zhao Kewei Inventor after: Luo Xiaobin Inventor after: Dong Hao Inventor after: Zhang Zhidong Inventor after: Wang Ying Inventor before: Liu Jin Inventor before: Dong Jianming Inventor before: Luo Xiaobin Inventor before: Dong Hao Inventor before: Zhang Zhidong |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180130 |