CN104662417B - 电晕放电离子源的清洁 - Google Patents

Abstract

描述了用于清洁电晕放电点的系统和技术。控制器(150)可操作地耦合到电晕放电点(108)以控制电晕放电点(108)的操作。控制器(150)和电晕放电点(108)可以包括在例如离子迁移谱(IMS)系统(100)中。控制器(150)可以用于针对第一时间间隔以操作电压操作电晕放电点(108)，使用或不使用额外更高的脉冲电压，以产生电晕放电，以及针对跟随第一时间间隔的第二时间间隔以比操作电压更大的清洁电压操作电晕放电点(108)以产生电晕放电。例如可以通过测量在电晕放电点(108)产生电晕放电的必要电压、测量来自电晕放电的在电晕放电点(108)产生的电流等来监控电晕放电点(108)的有效性。

Description

电晕放电离子源的清洁

背景技术

离子迁移谱(Ion Mobility Spectrometry)是指能够用于分离和标识例如分子和原子的电离材料的分析技术。可以基于运载缓冲气体中的迁移率(mobility)在气相中标识电离材料。因此，离子迁移谱仪(Ion Mobility Spectrometer，IMS)可以通过电离材料并测量得到的离子到达探测器的时间从感兴趣的样本标识材料。离子的飞行时间与它的离子迁移率相关联，其涉及被电离的材料的质量和几何结构。IMS探测器的输出可以直观地展示为峰高相对于漂移时间的谱。在一些实例中，在升高的温度执行IMS探测(例如高于一百摄氏度(100℃))。在其他实例中，IMS探测可以无需加热而被执行。IMS探测可以用于军事或安全应用，例如检测毒品、爆炸物等等。IMS探测还可以用于实验室分析应用中，并且可以辅以例如质谱分析法、液相色谱法等的探测技术。

发明内容

公开了清洁电晕放电点的系统和技术。控制器被操作地耦合至电晕放电点以控制电晕放电点的操作。控制器和电晕放电点可以例如包括在IMS系统中。控制器可以用于针对第一时间间隔以操作电压操作电晕放电点，使用或不使用额外更高脉冲电压，以产生电晕放电，并针对跟随第一时间间隔的第二时间间隔以高于操作电压的清洁电压操作电晕放电点以产生电晕放电。可以例如通过测量在电晕放电点产生电晕放电的必要电压、测量来自电晕放电的在电晕放电点产生的电流等来监控电晕放电点的有效性。

所提供的发明内容介绍了将在具体实施方式中进一步描述的简化形式的概念选择。该发明内容并非意图标识所保护主题的关键特征或必要特征，也不意图用于辅助确定所保护主题的范围。

附图说明

详细的说明书参考附图进行描述。在图中，附图标记中最左侧的数字标识该附图标记在其中首次出现的附图。说明书和附图中不同实例使用相同的附图标记指示相同或相似的部件。

图1A是包含与IMS探测器的电晕放电点操作地耦合的控制器的系统示意图，其中根据本公开的示例实施，控制器可以用于控制电晕放电点的操作以促进电晕放电点的清洁。

图1B是包含与IMS探测器操作地耦合的控制器的系统示意图，其中根据本公开的示例实施，控制器可以用于控制电晕放电点的操作以促进电晕放电点的清洁。

图2是根据本公开的示例实施，控制电晕放电点的操作以促进电晕放电点的清洁的方法流程示意图。

具体实施方式

电晕放电可以用于从感兴趣样本电离材料以使用IMS探测器进行分析。例如，IMS探测器可以包括具有点的导体，其中向导体施加电势差，经由导体周围流体的电离引起放电。当导体周围的电场梯度足够高来形成导电区域，但不足以高到引起电弧时，发生放电。放电点通常称为电晕放电点。电势施加到IMS探测器中的电极，产生移动从电晕放电点电离的材料的电场。在一些实例中，电离的材料可以通过门而被传输，并随后通过漂移空间到达集电极(collector electrode)。

随着时间，电晕放电点会变得覆盖有各种物质，其可以降低电晕放电的有效性。例如使用不加热的爆炸物探测器(例如以周围(环境或者室内)温度操作的爆炸物探测器)，电晕放电点会变得被凝聚到表面的化合物覆盖(例如，当采样探针用于擦拭表面以获得样本，接着使用解吸器汽化样本的一部分而将样本引入IMS探测器时)。这些物质可以包括，例如具有高沸点的化合物。在一些实例中，IMS探测器的入口和/或反应区域可以被加热来减少沉积到电晕放电点上的污垢的沉积。然而，对于电池供电的小型便携设备(例如轻量、手持探测设备)，可能禁止对这种类型的持续加热的电力需求。

描述了清洁电晕放电点以维持可以通过覆盖电晕放电点而被降低的有效性的技术。例如，当电晕放电点变得被覆盖时，需要持续增加的更高电压来引起放电。通过定期清洁电晕放电点，可以需要更低的电压来操作例如IMS探测设备。此外，该技术可以避免电晕放电不稳定和/或电晕放电点的故障。图1是谱仪(spectrometer)系统的示意图，例如离子迁移谱仪(IMS)系统100。尽管在此描述了IMS探测技术，应当注意的是，各种不同的谱仪因本公开的方式以及结构、技术而获益。本公开的目的是涵盖并且包括这些改变。

IMS系统100可以包括使用不加热(例如周围(环境或者室内)温度)探测技术的谱仪设备。例如IMS系统100可以配置为轻量爆炸物探测器。然而，应当注意的是，爆炸物探测器仅以示例方式提供，并且不用于限制本公开。因此，本公开的技术可以和其他谱仪配置一起使用。例如，IMS系统100可以被配置为化学探测器。IMS系统100可以包括探测器设备，例如具有样本接收端口以将来自感兴趣样本的材料引入离子化区域/腔室的IMS探测器102。例如IMS探测器102可以具有入口104，其中将被采样的空气可以进入IMS探测器102。在一些实施中，IMS探测器102可以具有与IMS入口104以直线连接的如气相色谱仪(未示出)的另一设备。

入口104可以使用多种样本引入方式。在一些实例中，可以使用空气流。在其他实例中，IMS系统100可以使用多种流体和/或气体将材料拖进入口104。通过入口104拖入材料的方式包括使用风扇、加压的气体、通过流经漂移区域/腔室的漂移气体产生的真空等。例如，IMS探测器102可以连接到采样线，其中使用风扇将来自周围环境的空气(例如室内空气)拖进采样线。IMS系统100可以实质上以环境压力操作，尽管可以使用空气流或其他流体将样本材料引入离子化区域。在其他实例中，IMS系统100可以以更低的压力(即低于环境压力的压力)操作。此外，IMS系统100可以包括其他部件以提供来自样本源的材料的引入。例如IMS系统100可以包括解吸器，如加热器，以使样本的至少一部分气化(例如进入它的气相)，因而样本部分可以被拖进入口104。例如，采样探针、药签、擦拭布(wipe)等可以用来从表面获得感兴趣的样本。采样探针接着可以用来将样本送入IMS系统100的入口104。IMS系统100还可以包括预集中器以集中或形成材料团以进入离子化区域。

例如，使用与IMS探测器102的内部空间流体贯通的隔板通过小型孔径入口(例如针孔)可以将样本的一部分拖入IMS探测器102中。例如，当通过移动隔板降低内部空间的内部压力时，样本的一部分通过针孔从入口104被传送到IMS探测器102中。在通过针孔之后，样本部分进入离子化区域106，其中使用例如电晕放电离子发生器(例如具有电晕放电点108)的离子化源电离样本。在一些实例中，电晕放电点108可以在多个步骤中电离来自感兴趣样本的材料。例如，电晕放电点108可以生成电晕，该电晕在离子化区域106中电离气体，并随后用于电离感兴趣的材料。示例气体包括但不限于氮气、水蒸气空气中的气体等。

在实施中，IMS探测器102可以操作在正模式、负模式、在正模式和负模式之间切换等。例如，在正模式中，电晕放电点108可以从感兴趣样本产生正离子，而在负模式中电晕放电点108可以产生负离子。IMS探测器102在正模式、负模式、在正模式和负模式之间切换的操作可以依赖于实施偏好、预测的样本类型(例如爆炸物、麻醉剂、有毒工业化学品)等。此外，电晕放电点108可以被周期性地施加脉冲(例如基于样本引入、门开启、事件发生等等)。

随后可以使用电场将样本离子导向选通栅(gating grid)。可以临时开启选通栅以允许一小簇样本离子进入漂移区域。例如，IMS探测器102可以在漂移区域112的入口末端包括电子快门或门110。在实施中，门110控制离子进入漂移区域112。例如，门110可以包括向其施加或移除电势差的导线网眼。漂移区域112可以沿着其长度具有间隔的电极(例如焦圈(focusing rings))以应用电场来沿着漂移区域拖动离子和/或将离子导向通常在漂移区域112中与门110相对设置的探测器。例如，包括电极114的漂移区域112，可以在漂移区域112中应用实质上的均匀场。可以在集电极收集样本离子，集电极可以连接到分析仪器以分析各种样本离子的飞行时间。例如，在漂移区域112的远端的集电器(collector)板可以收集通过漂移区域112的离子。

漂移区域112可以用于基于单个离子的离子迁移率分离进入漂移区域112的离子。可以通过离子电荷、离子质量、几何结构等确定离子迁移率。以这种方式，IMS系统100可以基于飞行时间来分离离子。漂移区域112可以具有从门110延伸到集电器的实质上非均匀电场。集电器可以是集电器板(例如法拉第板)，在离子接触集电器板时，集电器板根据离子的电荷探测离子。在实施中，漂移气体可以通过漂移区域112以通常与离子运行路径相反的方向被提供到集电器板。例如，漂移气体可以从邻近集电器板流向门110。示例漂移气体包括但不限于氮气、氦气、空气、再循环空气(例如清洁和/或干燥的空气)等。例如泵可以用于沿漂移区域相对于离子流动方向循环空气。可以例如使用分子筛包干燥和清洁空气。

在实施中，IMS探测器102可以包括各种部件以提升感兴趣材料的识别。例如，IMS探测器102可以包括含有校准物(calibrant)/掺杂物部件的一个或多个单元。校准器可以用于校准离子迁移率的测量。掺杂物可以用于阻止干扰离子的离子化。掺杂物还可以与样本材料结合并被离子化以形成离子，该离子可以比相对于单独样本材料的离子更有效地被探测。可以将掺杂物提供至入口104、离子化区域106和/或漂移区域112中的一个或多个。IMS探测器102可以被配置为可能在IMS探测器102的操作期间在不同的时间向不同位置提供掺杂物。IMS探测器102可以被配置为协调掺杂物递送和IMS系统100的其他部件的操作。

控制器150可以在离子到达集电器板时探测集电器板上电荷的改变。因此，控制器150可以从其对应离子中标识材料。在实施中，控制器150还可以用于控制门110的开启以产生不同离子沿着漂移区域112的飞行时间谱。例如，控制器150可以用于控制施加至门110的电压。可以根据事件发生、周期性地等控制门110操作的发生。例如，控制器150可以根据事件发生(例如电晕放电)、周期性地等调整门110打开和/或关闭多长时间。此外，控制器150可以根据离子化源的模式(例如IMS探测器102处于正模式还是负模式)切换施加到门110的电势。在一些实例中，控制器150可以被配置成探测爆炸物和/或化学药剂的存在并在指示器158上提供这些药剂的指示或警告。

在实施中，包括所有或部分部件的IMS系统100可以在计算机控制下操作。例如，IMS系统100可以包括处理器以使用软件、固件、硬件(例如固定逻辑电路)、手动处理或其组合来控制在此描述的IMS系统100的部件或功能。在此使用的术语“控制器”、“功能”、“服务”以及“逻辑”通常表示软件、固件、硬件或与控制IMS系统100结合的硬件、固件或软件的组合。在软件实施的情况下，模块、功能或逻辑表示当在处理器(例如一个或多个CPU)上被执行时执行特定任务的程序代码。程序代码可以存储在一个或多个计算机可读存储设备中(例如内存和/或有形媒介)等。在此描述的结构、功能、方式以及技术可以实施在具有多种处理器的各种商业计算平台上。

例如，如图1B所示，IMS探测器102可以与用于控制IMS探测器102的控制器150耦合。控制器150可以包括处理系统152、通信模块154、以及存储器156。处理系统152提供用于控制器150的处理功能，并可以包括任何数量的处理器、微处理器或其他系统以及用于存储由控制器150接入或生成的数据或其他信息的驻在(resident)或外部存储器。处理器系统152可以执行一个或多个软件程序，其可以实施在此描述的技术。处理系统152不受限于形成的材料或在此使用的处理机制，并且因而可以经由一个或多个半导体和/或三极管(例如使用电子集成电路(IC)部件)等实施。通信模块154操作地被配置成与IMS探测器102的部件通信。通信部件154还通信地与处理系统152耦合(例如用于将来自IMS探测器102的输入传达至处理系统152)。通信模块154和/或处理系统152还可以被配置成与各种不同网络通信，包括但不限于：因特网、蜂窝电话网、局域网(LAN)、广域网(WAN)、无线网络、公共电话网络、内部网等。

存储器156是有形计算机可读媒介的示例，其提供存储功能以与控制器150操作关联的各种数据，例如软件程序和/或代码段、或其他数据以命令处理系统152以及控制器150的可能的其他部件来执行在此描述的步骤。因此，存储器156可以存储数据，例如用于操作IMS系统100(包括其部件)指令的程序、谱数据等。尽管示出单个存储器156，可以使用广泛的各种类型以及组合的存储器(例如有形，非晶体管存储器)。存储器156可以与处理系统152集成，可以包括独立存储器，或可以是二者的结合。

存储器156可以包括但不限于：可移动存储器部件和不可移动存储器部件，例如随机接入存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，闪存(例如安全数字(SD)存储卡、迷你SD存储卡、和/或微型SD存储卡)、磁存储器、光存储器、通用序列总线(USB)存储设备、硬盘存储器、外部存储器、以及其他类型计算机可读存储器媒介。在实施中，IMS探测器102和/或存储器156可以包括可移动集成电路卡(ICC)存储器，例如由用户标识模块(SIM)卡提供的存储器，通用用户标识模块(USIM)卡，通用集成电路卡(UICC)等等。

在实施中，各种分析设备可以利用在此描述的结构、技术、方式等。因此，尽管在此描述了IMS系统100，各种分析仪器可以利用所描述的技术、方式、结构等。这些设备可以配置有受限功能(例如薄设备(thin devices))或鲁棒功能(例如厚设备)。因此，设备的功能可以与设备的软件或硬件资源有关，例如处理功率、存储器(例如数据存储能力)、分析能力等。

根据本公开已经描述了可以实施的系统、部件、技术、模块以及方式，现在描述可以使用以上系统、部件、技术、模块以及方式实施的样本过程。

示例过程

以下的讨论描述了可以利用之前描述的IMS系统100部件、技术、方式以及模块实施的过程。每个过程的方面可以以硬件、软件、或二者的结合来实施。过程显示为一组方框，其指定由一个或多个设备(例如谱仪、控制谱仪或谱仪部件的计算机系统)执行的操作并不限于各自方框显示的执行操作的顺序。以下讨论的部分中，将参考图1的IMS系统100。

图2描述了示例实施中的过程200，其中电晕放电点周期性地被操作以清洁电晕放电点并维持可以由电晕放电点的覆盖而降低的有效性。例如，参考图1，IMS系统100的电晕放电点108可以周期性地用于清洁操作。这可以在清洁周期之后提供对电压的改进的电晕响应。在实施中，过程200根据计算机控制而被执行。例如继续参考图1，控制器150可以用于控制电晕放电点108的操作。在一些实例中，过程200可以在操作时产生连续放电的电晕放电点中使用。在其他实例中，步骤200可以在产生更短时间尺度上的脉冲(即使用电晕放电点的非连续操作)的电晕放电点中使用。例如，使用脉冲实施，其中在脉冲之间存在不活动的时期，电晕放电点可能更易于受覆盖效应的影响。

电晕放电点可以针对第一时间间隔(例如方框210)以第一(操作)电压(例如直流(DC)电压)被操作。例如，电晕放电点可以针对第一时间间隔以约800伏(800V)的电压连续地被操作。应当注意的是，该电压仅作为示例提供，而非意图限制本公开。因此，电晕放电点可以在第一时间间隔期间以一个或多个其他电压被操作。在一些示例中，电晕放电点的操作可以在第一时间间隔之后立即停止(方框212)，例如当电晕放电点在脉冲实施中被非连续地操作。在其他非连续实例中，可以针对更短的时间施加额外的更高电压并且随后移除。例如电晕放电点以约800伏(800V)的连续电压和在第一时间间隔的脉冲部分期间施加约1.5千伏(1.5kV)的更高电压而被操作，其中。在该实施中，约800伏(800V)的电压称为电晕放电点的第一(操作)电压。应当注意的是，为了本公开的目的，关于电晕放电点操作的术语“连续”可以涵盖连续地施加电压时的操作。然而，作为结果的电晕放电可以是连续的或间歇的。例如，当连续电压不足以产生电晕放电时，例如当电晕放电点变得逐渐被材料覆盖，可以是偶尔零星的电晕放电。

随后，电晕放电点可以针对跟随第一时间间隔的第二时间间隔以高于第一电压的第二(清洁)电压被操作(方框220)。例如，电晕放电点可以针对第二时间间隔以约2千伏(2kV)的电压被操作。应当注意的是，该电压仅作为示例提供而非意图限制本公开。因此，电晕放电点可以在第二时间间隔期间以一个或多个其他电压被操作。此外，应当理解的是，第二电压可以高于电晕放电点的第一(操作)电压，但小于、等于或大于在第一时间间隔期间使用的电晕放电点另一电压。例如，在先前的示例中，其中电晕放电点以约800伏(800V)连续电压和约1.5千伏(1.5kV)的脉冲电压被操作，第二电压小于1.5千伏(1.5kV)的脉冲电压，等于1.5kV或大于1.5kV。在实施中，电晕放电点可以针对至少约2秒(2s)和约10分钟(10min)之间持续的第二时间段被操作。例如，在特定实例中，电晕放电点可以针对约10秒(10s)连续地被操作。电晕放电点以第二电压的连续操作可以产生腐蚀(corrosive)环境，其可以从电晕放电点移除残留物。在一些实例中，电晕放电点的操作可以在第二(清洁)时间间隔之后立即中止(方框222)，例如当电晕放电点在脉冲实施中非连续地被操作。然而，在其他实施中，电晕放电点可以继续如前所述地操作。

在第二时间间隔期间的清洁时段之后，可以降低电压，并且电晕放电点的操作可以返回到，例如其正常的脉冲模式或连续模式。随后，在后续的操作期间，可以改进电晕放电点的有效性。例如电晕放电点可以针对跟随第二时间间隔的第三时间间隔以操作电压被操作。例如电晕放电点可以针对第三时间间隔以约800伏(800V)的电压被操作，使用或不使用针对脉冲操作的额外更高电压。应当注意的是，该电压仅作为示例提供而非意图限制本公开。因此，电晕放电点可以在第三时间间隔期间以一个或多个其他电压被操作。如前所讨论，电晕放电点的操作可以在第三时间间隔之后立即停止，例如当电晕放电点在脉冲实施中被非连续地操作时。在其他实施中，电晕放电点可以继续操作。例如，电晕放电点可以如前所述以约800伏(800V)的连续电压和在第一时间间隔的脉冲部分期间施加约1.5千伏(1.5kV)的更高电压被操作。

在一些实例中，可以监控电晕放电点的健康，并且可以施加清洁时段以响应降低的电晕放电点有效性。例如可以监控电晕放电点的有效性(方框230)。在脉冲配置中，可以监控有效性使得当确定电晕放电点足够脏时，可以诱导连续电晕放电以移除聚集在放电点上的物质。因此，可以在探测操作期间和/或在清洁操作期间可以收集关于电晕放电的有效性的反馈。该反馈可以用于控制一个或多个清洁操作特性，例如但不限于：清洁频率、清洁持续期间、施加的电压、感应的电流等。探测系统的一个或多个部件可以用于监控电晕放电点的健康，并且反馈回路可以用于调整系统的清洁操作。相应地，在方框220描述的操作可以依赖于测量的性能、设计偏好等重复地和/或在IMS系统的两个常规操作之间被执行。

电晕放电点的有效性可以通过测量在电晕放电点产生电晕放电的必要电压而被监控(方框232)。例如，随着电晕放电点变脏，产生放电的必要电压可能升高。可以在探测操作期间和/或在清洁期间测量产生放电需要的电压。例如，可以在清洁操作期间测量必要的电压以监控清洁进程进展到何种程度。还可以在清洁时段之间，例如在探测操作期间，测量必要的电压。在实施中，电晕放电点可以被操作，当测量到要求的电压时可以停止操作，并且随后清洁操作可以再次开始。可以重复这个进程直到达到足够的操作效率。在其他实例中，电晕放电点可以在获得一个或多个清洁测量时继续操作。

还可以测量产生电晕放电的必要电压来确定针对清洁操作的合适电压。例如，可以测量针对产生放电需要的电压，并且在清洁期间针对操作放电点的电压可以被设置为测量的电压或大于测量的电压。应当注意的是，不同于或除了电压之外的一个或多个操作特性可以用于确定电晕放电点的有效性和/或在清洁模式中针对操作电晕放电点的需要的操作特性。例如，电晕放电点的有效性可以通过在电晕放电点测量从电晕放电产生的电流而被监控(方框234)。在一些实例中，电流极的操作特性和/或针对IMS探测系统的电流极前置放大器的操作关联的特性可以被监控以计量清洁操作的有效性。这些特性中的一者或多者还被用于设置电晕放电点在清洁操作期间的操作特性。在其他实例中，分离的探测设备可以包括在IMS探测系统的反应区域中(例如以测量来自电晕放电的离子电流)。

此外，IMS探测系统的部件可以在多种模式中操作以促进确定操作有效性和/或清洁有效性。例如在一些实例中，选通栅在清洁操作期间具有的开启配置比在探测操作期间其被开启更长以采集关于清洁有效性的更多时间依赖信息。在其他实施中，选通栅可以具有关闭朝向以获得针对电晕放电的更准确的测量。常规清洁时段可以作为内部设备健康检查和/设备维护的一部分被调度。清洁操作还可以作为IMS探测系统的普通操作的部分被执行。例如，每次设备被激活、去激活等时，启动一个或多个清洁循环。在一些实例中，在电池充电循环中，可以启动清洁操作。此外，可以基于针对IMS探测系统的操作参数启动清洁。例如，清洁操作的持续期间可以持续地增加(随着设备被连续地操作，延长持续期间)。

控制器可以被操作地耦合到电晕放电点以控制电晕放电点的操作。控制器和电晕放电点可以包括在例如IMS系统中。控制器可以用于针对第一时间间隔以操作电压操作电晕放电点，使用或不使用额外更高的脉冲电压来产生电晕放电，以及以比针对跟随第一时间间隔的第二时间间隔的操作电压更高的清洁电压操作电晕放电点以产生电晕放电。电晕放电点的有效性可以例如通过测量在电晕放电点产生电晕放电的必要电压、测量来自电晕放电的在电晕放电点产生的电流而被监控。

尽管已经以特定于结构特征的语言和/或方法论行为描述了主题，但应当理解的是，所附权利要求中限定的主题并不限于描述的特定特征或行为。尽管讨论了各种配置，但装置、系统、子系统、部件等可以在不偏离本公开的情况下以各种方式建构。相反，特定特征或行为作为实施权利要求的示例形式被公开。

Claims (20)

1.一种清洁电晕放电离子源的系统，该系统包括：

离子迁移谱仪探测器，该离子迁移谱仪探测器包括用于产生电晕放电的电晕放电点；以及

处理系统，该处理系统可操作地与所述离子迁移谱仪探测器耦合以操作所述电晕放电点，所述处理系统被配置成针对第一时间间隔以操作电压操作所述电晕放电点来产生电晕放电，以及针对跟随所述第一时间间隔的第二时间间隔以大于所述操作电压的清洁电压操作所述电晕放电点以产生电晕放电。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理系统被配置成使得所述电晕放电点在所述第一时间间隔之后立即中止操作。

3.根据权利要求1或2所述的系统，其中所述处理系统被配置成使得所述电晕放电点在所述第二时间间隔之后立即中止操作。

4.根据权利要求1或2所述的系统，其中所述处理系统被配置成针对跟随所述第二时间间隔的第三时间间隔以小于所述清洁电压的第二操作电压操作所述电晕放电点以产生电晕放电。

5.根据权利要求1或2所述的系统，其中所述处理系统被配置成通过接收在所述电晕放电点产生电晕放电的必要电压来确定所述电晕放电点的有效性。

6.根据权利要求1或2所述的系统，其中所述处理系统被配置成通过接收来自电晕放电的在所述电晕放电点处产生的电流来确定所述电晕放电点的有效性。

7.一种清洁电晕放电离子源的方法，该方法包括：

针对第一时间间隔以操作电压操作电晕放电点来产生电晕放电；

针对跟随所述第一时间间隔的第二时间间隔以大于所述操作电压的清洁电压操作所述电晕放电点以产生电晕放电。

8.根据权利要求7所述的方法，该方法还包括在所述第一时间间隔之后立即中止所述电晕放电点的操作。

9.根据权利要求7或8所述的方法，该方法还包括在所述第二时间间隔之后立即中止所述电晕放电点的操作。

10.根据权利要求7或8所述的方法，该方法还包括针对跟随所述第二时间间隔的第三时间间隔以小于所述清洁电压的第二操作电压操作所述电晕放电点以产生电晕放电。

11.根据权利要求7或8所述的方法，该方法还包括监控所述电晕放电点的有效性并根据所监控的电晕放电点的有效性调整所述清洁电压。

12.根据权利要求11所述的方法，其中监控所述电晕放电点的有效性包括测量在所述电晕放电点产生电晕放电的必要电压。

13.根据权利要求11所述的方法，其中监控所述电晕放电点的有效性包括测量来自电晕放电的在所述电晕放电点处产生的电流。

14.一种清洁电晕放电离子源的装置，该装置包括：

电晕放电点，用于产生电晕放电；以及

控制器，可操作地与所述电晕放电点耦合以控制所述电晕放电，所述控制器被配置成针对第一时间间隔以操作电压操作所述电晕放电点来产生电晕放电，以及针对跟随所述第一时间间隔的第二时间间隔以大于所述操作电压的清洁电压操作所述电晕放电点以产生电晕放电。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述控制器被配置成在所述第一时间间隔之后立即中止所述电晕放电点的操作。

16.根据权利要求14或15所述的装置，其中所述控制器被配置成在所述第二时间间隔之后立即中止所述电晕放电点的操作。

17.根据权利要求14或15所述的装置，其中所述控制器被配置成针对跟随所述第二时间间隔的第三时间间隔以小于所述清洁电压的第二操作电压操作所述电晕放电点以产生电晕放电。

18.根据权利要求14或15所述的装置，其中所述控制器被配置成监控所述电晕放电点的有效性。

19.根据权利要求18所述的装置，其中所述控制器被配置成通过测量在所述电晕放电点产生电晕放电的必要电压来监控所述电晕放电点的所述有效性。

20.根据权利要求18所述的装置，其中所述控制器被配置成通过测量来自电晕放电的在所述电晕放电点处产生的电流来监控所述电晕放电点的所述有效性。