CN104659081A - 改善恢复耐量的二极管结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种二极管结构,尤其是一种改善恢复耐量的二极管结构,属于半导体二极管的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述改善恢复耐量的二极管结构,包括半导体基板,所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域与N导电区域;N导电区域与位于半导体基板背面的阴极金属欧姆接触;在N导电区域内设有若干P+区域,所述P+区域与阴极金属欧姆接触。本发明在N导电区域内设置P+区域,当有多个P+区域时,相邻的P+区域间隔分布,且P+区域之间的水平距离与半导体基板的厚度相当,从而不增加阳极空穴浓度下有效改善恢复耐量,并能最大限度地抑制动态损耗增加,安全可靠。
Description
技术领域
本发明涉及一种二极管结构,尤其是一种改善恢复耐量的二极管结构,属于半导体二极管的技术领域。
背景技术
如图1所示,为现有二极管的结构,包括用于形成PN结的P导电区域2以及N导电区域3,P导电区域2与N导电区域3连接,在P导电区域2上设置阳极金属1,在N导电区域3上设置阴极金属4,阳极金属1与P导电区域2欧姆接触,阴极金属4与N导电区域3欧姆接触。在工作时,通过阳极金属1与阴极金属4施加电压,以形成正向导通的PN结,但现有二极管结构存在动态损耗较大的缺点。目前,通过增加阳极的空穴浓度来改善二极管的恢复(recovery)耐量,但增加阳极空穴浓度后会增加二极管的动态损耗。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种改善恢复耐量的二极管结构,其结构紧凑,在不增加阳极空穴浓度下有效改善恢复耐量,并能最大限度地抑制动态损耗增加,安全可靠。
按照本发明提供的技术方案,所述改善恢复耐量的二极管结构,包括半导体基板,所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域与N导电区域;N导电区域与位于半导体基板背面的阴极金属欧姆接触;在N导电区域内设有若干P+区域,所述P+区域与阴极金属欧姆接触。
所述半导体基板包括硅基板,在半导体基板的正面设置用于与P导电区域欧姆接触的阳极金属。
在N导电区域内相邻P+区域之间的距离与半导体基板的厚度相一致,P+区域在N导电区域内的延伸深度小于2μm,P+区域的宽度为0.5μm~120μm。
本发明的优点:在N导电区域内设置P+区域,当有多个P+区域时,相邻的P+区域间隔分布,且P+区域之间的水平距离与半导体基板的厚度相当,从而不增加阳极空穴浓度下有效改善恢复耐量,并能最大限度地抑制动态损耗增加,安全可靠。
附图说明
图1为现有二极管的示意图。
图2为本发明的结构示意图。
图3为本发明二极管的恢复耐量的变化示意图。
附图标记说明:1-阳极金属、2-P导电区域、3-N导电区域、4-阴极金属以及5-P+区域。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图2所示:为了在不增加阳极空穴浓度下有效改善恢复耐量,并能最大限度地抑制动态损耗增加,本发明包括半导体基板,所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域2与N导电区域3;N导电区域3与位于半导体基板背面的阴极金属4欧姆接触;在N导电区域3内设有若干P+区域5,所述P+区域5与阴极金属4欧姆接触。
所述半导体基板包括硅基板,在半导体基板的正面设置用于与P导电区域2欧姆接触的阳极金属1。
具体地,半导体基板的材料可以为硅,也可以为其他常用的材料,P导电区域2的上表面形成半导体基板的正面,N导电区域3的下表面形成半导体基板的背面。N导电区域3的掺杂浓度以及P导电区域2的掺杂浓度均可以采用本技术领域常用的浓度范围,为本技术领域人员所熟知,此处不再赘述。在具体实施时,可以通过在半导体基板的背面进行P导电类型杂质离子的注入,以在半导体基板内形成若干P+区域5。
本发明实施例中,在N导电区域3内设置P+区域5后,在恢复阶段可注入空穴来避免由于空穴过少导致dv/dt过大而引起的耐量下降。此外,在恢复阶段的前期不会注入空穴,可以有效抑制Irp的增加,即达到了防止耐量下降,又可以最大程度地抑制动态损耗的增加。
在具体实施时,在N导电区域3内相邻P+区域5之间的距离与半导体基板的厚度相一致,P+区域5在N导电区域2内的延伸深度小于2μm,P+区域5的宽度为0.5μm~120μm。即不会在N导电区域3内形成贯穿所述N导电区域3的P+区域5,当有多个P+区域5时,相邻的P+区域5呈间隔分布,且相邻P+区域5之间的水平距离与半导体基板的厚度相当,P+区域5的掺杂浓度与形成二极管的恢复耐量相对应,具体可以根据需要进行选择,此处不再赘述。如图3所示,示出了P+区域5的浓度不同,二极管的恢复耐量的变化示意图,即能有效改善二极管的恢复耐量。
Claims (3)
1.一种改善恢复耐量的二极管结构,包括半导体基板,所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域(2)与N导电区域(3);N导电区域(3)与位于半导体基板背面的阴极金属(4)欧姆接触;其特征是:在N导电区域(3)内设有若干P+区域(5),所述P+区域(5)与阴极金属(4)欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的改善恢复耐量的二极管结构,其特征是:所述半导体基板包括硅基板,在半导体基板的正面设置用于与P导电区域(2)欧姆接触的阳极金属(1)。
3.根据权利要求1所述的改善恢复耐量的二极管结构,其特征是:在N导电区域(3)内相邻P+区域(5)之间的距离与半导体基板的厚度相一致,P+区域(5)在N导电区域(2)内的延伸深度小于2μm,P+区域(5)的宽度为0.5μm~120μm。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201510103235.8A CN104659081A (zh) | 2015-03-09 | 2015-03-09 | 改善恢复耐量的二极管结构 |
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CN (1) | CN104659081A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4074303A (en) * | 1975-02-13 | 1978-02-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor rectifier device |
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CN101952969A (zh) * | 2007-12-19 | 2011-01-19 | Abb技术有限公司 | 二极管 |
CN204464290U (zh) * | 2015-03-09 | 2015-07-08 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 改善恢复耐量的二极管结构 |
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