CN104656997B - 一种触控基板和一种触控显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种触控基板和一种触控显示装置，所述触控基板包括触控区和围绕所述触控区的边框区，所述边框区设置有遮蔽层，所述遮蔽层包括非黑色光阻层、黑色光阻层及位于二者之间的降反层，所述降反层用于降低所述黑色光阻层的反射率。本发明能够通过降反层的制作，达到了降低黑色光阻层反射率的技术效果，从而解决了因非黑色光阻层太厚导致的ITO或金属导线易断线的技术问题。

Description

一种触控基板和一种触控显示装置
技术领域
本发明涉及触控技术领域，尤其涉及一种触控基板和一种触控显示装置。
背景技术
OGS(one glass solution)技术是指在保护玻璃上直接形成ITO导电膜及传感器的技术，一块玻璃能够同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用，OGS技术处理后的玻璃经切割后得到OGS触摸屏。OGS 技术较传统的G/G(glass/glass)触控技术具有很多优势：可以节省一块玻璃基板、制作上节省一道对盒工序，从而有利于降低生产成本、提高良率，得到的触摸屏具有轻、薄、透光性好等特点。
然而，在现有的OGS制程中，用作走线屏蔽以及装饰功能的BM (Black Matrix，黑矩阵)层必须有足够大的光密度(OD，optical density，即吸光度)，来到达完全的遮光效果。一些厂家推出了非黑色(如白色) 边框，但这些非黑色(如白色)边框都是采用油墨材料，这与目前产线采用的光刻制程不同，增加了投入。而如果使用非黑色(如白色) 光阻材料，虽能够与目前产线采用的光刻制程相同，但由于非黑色(如白色)光阻的OD值比黑色光阻的OD值小，为了增加OD值来达到完全的遮光效果，往往都需要增加一薄层黑色光阻层。这一黑色光阻层的反射率高，则必须提高非黑色(如白色)光阻层的厚度，才能使非黑色(如白色)的边框看起来不会发青，而这样的厚度(profile)易使 ITO断线，降低良率，如图1所示。图1的截面平行于ITO延伸方向经过一个ITO，且截面通过触控区，其中1为衬底，2为非黑色光阻层， 3为黑色光阻层，4为ITO(透明导电玻璃)。
发明内容
本发明提供一种触控基板和一种触控显示装置，以解决现有技术中由于非黑色光阻层厚度较高导致的ITO断线、良率降低的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明首先提供一种触控基板，所述触控基板包括触控区和围绕所述触控区的边框区，所述边框区设置有遮蔽层，所述遮蔽层包括非黑色光阻层、黑色光阻层及位于二者之间的降反层，所述降反层用于降低所述黑色光阻层的反射率。
进一步地，所述降反层的厚度被设置为使得在所述降反层的上下表面反射光的光程差为半波长的奇数倍。
进一步地，所述降反层的厚度d满足：
在所述降反层的上下表面反射光的光程差ΔS与入射光波长λ的关系为：
ΔS＝2nd＝(2m-1)λ/2，
其中n为光线经过所述降反层的折射率，m为任意正整数。
进一步地，所述降反层的厚度处于0.1微米到0.2微米之间。
进一步地，所述降反层为透明的氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
进一步地，所述非黑色光阻层为树脂。
进一步地，所述非黑色光阻层的厚度处于8微米到12微米之间。
进一步地，所述触控基板还包括衬底和保护层，所述非黑色光阻层、降反层和黑色光阻层依次设置于所述衬底上，所述保护层覆盖在所述黑色光阻层上。
进一步地，所述保护层的材料为亚克力树脂、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或多种。
另一方面，本发明还提供一种触控显示装置，包括对盒的如上任一项所述的触控基板和显示基板。
可见，在本发明提供的一种触控基板和一种触控显示装置中，能够通过降反层的制作，达到了降低黑色光阻层反射率的技术效果，从而解决了因非黑色光阻层太厚导致的ITO或金属导线易断线的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的触控基板剖面图，其截面平行于ITO延伸方向经过一个ITO，且截面通过触控区；
图2是本发明实施例的触控基板的截面示意图，该截面垂直于ITO 延伸方向并通过触控区；
图3是本发明实施例的入射光经降反层的反射光路图；
图4是本发明实施例的触控基板的另一截面图，该截面平行于ITO 延伸方向并经过一个ITO，且通过触控区。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例首先提供一种触控基板，参见图2，其截面垂直于 ITO延伸方向并通过触控区，其中触控基板包括触控区7 和围绕触控区7 的边框区6 ，边框区6 设置有遮蔽层8，遮蔽层8包括非黑色光阻层2、黑色光阻层3及位于二者之间的降反层5，降反层5用于降低黑色光阻层2的反射率。
在图2中，触控基板从俯视角度看，可以分为触控区7 和边框区6 ，边框区6 围绕在触控区7 的周围。遮蔽层8设置在边框区，用于遮蔽导线及可能透射出来的光线。遮蔽层8包括非黑色光阻层2，以及为了达到必须的OD值而增加的一薄层黑色光阻层3和两者间为了降低黑色光阻层3的反射率(进而降低非黑色光阻层厚度从而减少ITO 断线)而增加的一薄层降反层5。
在使用过程中，非黑色光阻层2最靠近外界光线的入射面，其次是降反层5，再次是薄层黑色光阻层3。即外界光线先经过非黑色光阻层2再经过降反层5，实现降低薄层黑色光阻层3的反射率的目的，从而实现非黑色光阻层3减薄。外界光线是显示面板外部入射的自然光，其区别于显示面板中的背光。
其中，降反层5的厚度被设置为使得在降反层5的上下表面反射光的光程差为半波长的奇数倍。
特别地，降反层5的厚度d可以满足：
在降反层5的上下表面反射光的光程差ΔS与入射光波长λ的关系为：ΔS＝2nd＝(2m-1)λ/2，其中n为光线经过降反层5的折射率，m 为任意正整数。由于光是电磁波，经过非黑色光阻层2再经过降反层 5至薄层黑色光阻层3时，在降反层5和薄层黑色光阻层3下表面分别发生反射。如果两束反射光之间的光程差满足半波长的奇数倍时，则两束反射光会发生相消干涉，使得反射光强进一步减小或者无反射光的存在，此时光程差ΔS与入射光波长λ满足上式。如图3所示，例如,当入射光为正常光550nm，n＝1.0时，则降反层的厚度 d＝550nm/4＝137.5nm＝0.1375um。
其中，降反层5的厚度可以处于0.1微米到0.2微米之间。当增加 0.1um左右的降反层5，则能够降低10um左右非黑色光阻层2的厚度，以解决ITO或金属线易断线的问题。
其中，降反层5可以为透明的氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。其材料的选择主要考虑它的折射率和透明度。材料的折射率与其厚度有关，而透明度则需与非黑色光阻层2的颜色结合在一起考虑。
其中，非黑色光阻层2的材料可以为树脂，其厚度为20um左右。
其中，非黑色光阻层2的厚度可以处于8微米到12微米之间。
其中，触控基板还可以包括衬底1和保护层9，非黑色光阻层2、降反层5和黑色光阻层3依次设置于衬底1上，保护层9覆盖在黑色光阻层3上。
其中，保护层9的材料可以为亚克力树脂、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或多种。衬底1可选用有利于手指触摸且透光性较佳的玻璃、透明镜片或者透明的钝化材料。
在图2的实施例中，ITO导电层4可以设置在触控区7 ，可以包括多个岛状电容式触控感应电极，例如可以为菱形的ITO层。在某个方向(同一行)的电极利用电容式触控感应电极直接相连，另一个方向 (同一列)的电极则利用导电的桥接结构连接，这两个方向(同一行与同一列)的电容式触控感应电极所得的触控讯号可通过ITO导电层 4的导线结构传至软性电路板(未标出)进而传至集成电路(未标出)，从而实现触控信号的处理。
根据本发明实施例所提供的触控基板，可以显著降低非黑色光阻层2的厚度，参见图4，与图1中的截面位置相同，与现有技术相比，非黑色光阻层2的厚度能够降低10um左右。
本发明实施例还提供一种触控显示装置，包括对盒的如上任一项所述的触控基板和显示基板。
可见，在本发明实施例提供的一种触控基板和一种触控显示装置中，能够通过降反层的制作，达到了降低黑色光阻层反射率的技术效果，从而解决了因非黑色光阻层太厚导致的ITO或金属导线易断线的技术问题。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种触控基板，其特征在于：应用于在保护玻璃上直接形成ITO导电膜及传感器技术OGS的触摸屏；所述触控基板包括触控区和围绕所述触控区的边框区，所述边框区设置有遮蔽层以及位于遮蔽层上的ITO，所述遮蔽层包括非黑色光阻层、黑色光阻层及位于二者之间的降反层，所述降反层用于降低所述黑色光阻层的反射率；所述降反层的厚度处于0.1微米到0.2微米之间，使所述非黑色光阻层的厚度降低10微米，从而减小ITO断线。
2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于：所述降反层的厚度被设置为使得在所述降反层的上下表面反射光的光程差为半波长的奇数倍。
3.根据权利要求2所述的触控基板，其特征在于，所述降反层的厚度d满足：
在所述降反层的上下表面反射光的光程差ΔS与入射光波长λ的关系为：
ΔS＝2nd＝(2m-1)λ/2，
其中n为光线经过所述降反层的折射率，m为任意正整数。
4.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于：所述降反层为透明的氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
5.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于：所述非黑色光阻层为树脂。
6.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于：所述非黑色光阻层的厚度处于8微米到12微米之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的触控基板，其特征在于：所述触控基板还包括衬底和保护层，所述非黑色光阻层、降反层和黑色光阻层依次设置于所述衬底上，所述保护层覆盖在所述黑色光阻层上。
8.根据权利要求7所述的触控基板，其特征在于：所述保护层的材料为亚克力树脂、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或多种。
9.一种触控显示装置，其特征在于：包括对盒的如权利要求1-8任一项所述的触控基板和显示基板。
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