CN104616695A - 固态存储装置及其读取电压设定方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种固态存储装置及其读取电压设定方法，所述读取电压设定方法包括下列步骤：调整存储单元的预设读取电压以获得多个检测读取电压。分别地施予预设读取电压以及这些检测读取电压至存储单元，以读取分别关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的多个验证数据。根据关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的验证数据，计算并记录相互相邻的预设读取电压以及这些检测读取电压之间的多个统计参量。根据这些统计参量来获取优化读取电压。

Description

固态存储装置及其读取电压设定方法
技术领域
本发明是涉及一种固态存储装置，特别是一种闪存模块的读取电压设定方法。
背景技术
数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于闪存(flash memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以闪存作为存储媒体的存储装置。因此，近年闪存产业成为电子产业中相当热门的一环。
图1是根据现有技术所绘制的闪存元件的示意图。
请参照图1，闪存元件1包含用于存储电子的电荷捕捉层(chargetrapping layer)2、用于施加电压的控制栅极(Control Gate)3、隧穿氧化层(Tunnel Oxide)4与多晶硅间介电层(Interpoly Dielectric)5。当欲写入数据至闪存元件1时，可通过将电子注入电荷捕捉层2以改变闪存元件1的临界电压，由此定义闪存元件1的数字高低状态，而实现存储数据的功能。在此，注入电子至电荷捕捉层2的过程称为程序化。反之，当欲将所存储的数据移除时，通过将所注入的电子从电荷捕捉层2中移除，则可使闪存元件1回复为未被程序化前的状态。
在写入与抹除过程中，闪存元件1会随着电子的多次的注入与移除而造成磨损，导致电子写入速度增加并造成临界电压分布变宽。因此，在多次写入与抹除后，闪存元件1可能无法被正确地识别其存储状态，而产生错误位。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种固态存储装置及其读取电压设定方法，其能够在存储单元发生磨损时，正确地识别其存储状态。
本发明提出一种固态存储装置的读取电压设定方法，固态存储装置包含闪存模块用于存储数据。闪存模块具有多个存储单元，而每一存储单元具有第一存储状态与第二存储状态，所述读取电压设定方法包括下列步骤。首先，调整存储单元的预设读取电压以获得多个检测读取电压。接着，分别地施予预设读取电压以及这些检测读取电压至存储单元，以读取分别关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的多个验证数据。之后，根据关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的验证数据，计算并记录相互相邻的预设读取电压以及这些检测读取电压之间的多个统计参量。根据这些统计参量来获取一优化读取电压。
在本发明的一范例实施例中，上述调整存储单元的预设读取电压以获得这些检测读取电压的步骤包括：以预设读取电压作为基准，根据预设读取电压以及多个预设区间而获得这些检测读取电压，其中检测读取电压的数目与预设区间的数目相等。
在本发明的一范例实施例中，上述根据关联于预设读取电压以及检测读取电压的验证数据，计算并记录相互相邻的预设读取电压以及检测读取电压之间的统计参量的步骤包括：计算关联于预设读取电压以及所述检测读取电压的验证位数据之中被识别为第一状态的位数据的多个变动量。依据预设读取电压与所述检测读取电压各自对应的变动量以及预设区间，计算以获取相互相邻的预设读取电压以及所述检测读取电压之间的多个统计参量。
在本发明的一范例实施例中，上述在根据所述统计参量来获取优化读取电压的步骤之前，还包括：施予一额外检测读取电压至存储单元，并计算与额外检测读取电压相邻的所述检测读取电压其中之一以及额外检测读取电压之间的额外统计参量。将额外统计参量记录为统计参量其中之一。
在本发明的一范例实施例中，上述根据统计参量来获取优化读取电压的步骤包括：根据当前记录的统计参量来建立多项式方程式，以通过多项式方程式近似统计参量。根据多项式方程式寻找最小估测值，并依据最小估测值获取优化读取电压。
在本发明的一范例实施例中，上述在根据当前记录的统计参量来建立多项式方程式，以通过多项式方程式近似这些统计参量的步骤之前，还包括：判断是否可从统计参量搜寻到局部最小值。若无法从统计参量搜寻到局部最小值，施予额外检测读取电压至存储单元，以获取额外统计参量并将额外统计参量记录为统计参量其中之一。
在本发明的一范例实施例中，上述在施予额外检测读取电压至存储单元，以获取将额外统计参量并将额外统计参量记录为统计参量其中之一的步骤之前，还包括：判断读取次数是否大于预设次数，其中读取次数为施予检测读取电压以及预设读取电压至存储单元的次数以及施予额外检测读取电压至存储单元的次数的总和。若读取次数大于预设次数，根据当前记录的统计参量来获取优化读取电压。
在本发明的一范例实施例中，上述在根据当前记录的统计参量来建立多项式方程式，以通过多项式方程式近似统计参量的步骤之后，还包括：依据多项式方程式以及统计参量，判断二次近似方程与统计参量是否属于正常状态。当多项式方程与统计参量并非属于正常状态，施予额外检测读取电压至存储单元，以获取额外统计参量并将额外统计参量记录为统计参量其中之一。
在本发明的一范例实施例中，上述读取电压设定方法，还包括：依据参数模型辨别所述统计参量属于第一偏移状态或第二偏移状态。当统计参量属于第一偏移状态，选择大于预设读取电压的额外检测读取电压。当统计参量属于第二偏移状态，选择小于预设读取电压的额外检测读取电压。
从另一观点来看，本发明提出一种固态存储装置，包括闪存模块以及存储控制器。闪存模块具有多个存储单元，且每一存储单元具有第一存储状态与第二存储状态。存储控制器耦接至闪存模块，且存储控制器用于调整存储单元的预设读取电压以获得多个检测读取电压。存储控制器还用于分别地施予预设读取电压以及这些检测读取电压至存储单元，以读取分别关联于预设读取电压以及检测读取电压的多个验证数据。存储控制器还用于根据关联于预设读取电压以及检测读取电压的验证数据，计算并记录相互相邻的预设读取电压以及这些检测读取电压之间的多个统计参量。存储控制器还用于根据统计参量来获取优化读取电压。
基于上述，本范例实施例的读取电压设定方法以及固态存储装置可以根据存储单元的临界电压分布使用适当的检测读取电压值来调整预设读取电压，由此正确地识别存储单元的存储状态，以避免存储单元所存储的数据遗失。
附图说明
图1是根据现有技术所绘制的闪存元件的示意图；
图2是根据一范例实施例的固态存储装置的概要方块图；
图3是根据一范例实施例的闪存模块的概要方块图；
图4是根据一范例实施例的存储单元阵列的示意图；
图5是根据一范例实施例的闪存模块中的存储状态与临界电压关系示意图；
图6是根据一范例实施例的闪存模块中的存储状态与临界电压关系另一示意图；
图7是依照本发明一实施例的一种读取电压设定方法的流程图；
图8为依照本发明一实施例的变动量与临界电压的关系示意图；
图9是依照本发明一实施例的统计参量与临界电压的关系示意图；
图10为依照本发明一实施例的变动量与临界电压的关系示意图；
图11是依照本发明一实施例的统计参量与临界电压的关系示意图。
1：闪存元件
2：电荷捕捉层
3：控制栅极
4：隧穿氧化层
5：多晶硅间介电层
100：固态存储装置
102：连接器
104：存储控制器
106：闪存模块
2202：存储单元阵列
2204：字线控制电路
2206：位线控制电路
2208：行译码器
2210：数据输入/输出缓冲器
2212：控制电路
702：存储单元
704：位线
706：字线
708：源极线
712：选择栅漏极晶体管
714：选择栅源极晶体管
VA、VB、VC：读取电压
VR：预设读取电压
VR_1：理想读取电压
A、B：存储状态
L、M：曲线
Z_1、Z_2、a1、a2：斜线区域
VD1～VD6：检测读取电压
R1～R5：预设区间
V1～V6：变动量
Smin：最小估测值
Vest：优化读取电压
S710～S780：本发明一实施例的读取电压设定方法的各步骤
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
一般而言，固态存储装置包括闪存模块与存储控制器。通常固态存储装置与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入至固态存储装置或从固态存储装置中读取数据。
图2是根据第一范例实施例的固态存储装置的概要方块图。请参照图2，固态存储装置100包括连接器102、存储控制器104与闪存模块106。
在本范例实施例中，连接器102是兼容于通用串行总线(UniversalSerial Bus，USB)标准。然而，必须了解的是，本发明不限于此，连接器102亦可以是符合并列先进附件(Parallel Advanced Technology Attachment，PATA)标准、电气和电子工程师协会(Institute ofElectrical and ElectronicEngineers，IEEE)1394标准、高速周边零件连接接口(Peripheral ComponentInterconnect Express，PCI Express)标准、安全数字(Secure Digital，SD)接口标准、序列先进附件(Serial Advanced Technology Attachment，SATA)标准、记忆棒(Memory Stick，MS)接口标准、多媒体存储卡(Multi MediaCard，MMC)接口标准、嵌入式多媒体存储卡(Embedded Multimedia Card，eMMC)接口标准、通用闪存(Universal Flash Storage，UFS)接口标准、小型快闪(Compact Flash，CF)接口标准、集成驱动电子接口(IntegratedDevice Electronics，IDE)标准或其他适合的标准。
存储控制器104用于执行以硬件型式或韧体型式实作的多个逻辑栅或控制指令，并且根据主机系统的指令在闪存模块106中进行数据的写入、读取与抹除等运作。
闪存模块106是耦接至存储控制器104，并且用于存储主机系统所写入的数据。闪存模块106可以是单阶存储单元(Single Level Cell，SLC)NAND型闪存模块(即，一个存储单元中可存储1个位数据的闪存模块)、多阶存储单元(Multi Level Cell，MLC)NAND型闪存模块(即，一个存储单元中可存储2个位数据的闪存模块)、多阶存储单元(Trinary Level Cell，TLC)NAND型闪存模块(即，一个存储单元中可存储3个位数据的闪存模块)、其他闪存模块或其他具有相同特性的存储模块。
图3是根据一范例实施例的闪存模块的概要方块图。请参照图3，闪存模块106包括存储单元阵列2202、字线控制电路2204、位线控制电路2206、行译码器(column decoder)2208、数据输入/输出缓冲器2210与控制电路2212。
图4是根据一范例实施例的存储单元阵列的示意图。存储单元阵列2202包括用于存储数据的多个存储单元702、多个选择栅漏极(select gatedrain，SGD)晶体管712与多个选择栅源极(select gate source，SGS)晶体管714、以及连接所述存储单元的多条位线704、多条字线706、与共享源极线708。存储单元702是以阵列方式配置在位线704与字线706的交叉点上。当从存储控制器104接收到写入指令或读取数据时，控制电路2212会控制字线控制电路2204、位线控制电路2206、行译码器2208、数据输入/输出缓冲器2210来写入数据至存储单元阵列2202或从存储单元阵列2202中读取数据，其中字线控制电路2204用于控制施予至字线706的电压，位线控制电路2206用于控制施予至位线704的电压，行译码器2208用于依据指令中的译码列地址以选择对应的位线，而数据输入/输出缓冲器2210用于暂存数据。
闪存模块106中的存储单元是以栅极临界电压来代表存储的位(bits)数据。具体来说，存储单元阵列2202的每一存储单元具有多个存储状态，并且所述存储状态于读取数据时是以多个预设读取电压来区分。
详细来说，图5是根据一范例实施例的闪存模块中的存储状态与读取电压的关系示意图。请参照图5，以MLC闪存为例，每一存储单元的临界电压可依据第一预设读取电压VA、第二预设读取电压VB与第三预设读取电压VC而区分为4种存储状态，并且所述存储状态分别地代表″11″、″10″、″00″与″01″的位数据。换言之，每一个存储状态包括最低有效位(LeastSignificant Bit，LSB)以及最高有效位(Most Significant Bit，MSB)。在此范例实施例中，每一存储单元可存储2个位数据，因此每一存储单元具有四种存储状态，而此四种存储状态通过使用三个预设读取电压将临界电压区分而成。必须了解的是，图5所显示的临界电压及其存储状态的对应仅为一个范例，并非用于限定本发明。在本发明另一范例实施例中，读取电压与存储状态的对应亦可是随着临界电压越大而以″11″、″10″、″01″与″00″排列。
为了更详尽的说明本发明，图6是根据一实施例所显示的闪存模块中的存储状态与读取电压的关系示意图。请参照图6，基于前述说明可知，由于存储单元是通过其临界电压来代表其存储的位数据，因此当欲从存储单元中读取数据时，存储控制器104会对闪存模块106下达读取指令，并且闪存模块106的控制电路2212会对连接至欲读取的存储单元的字线施予预设读取电压，以验证存储单元的信道存储状态。如图6A所示，预设读取电压VR可用于辨别存储于这些存储单元当中的位数据为存储状态″A″或是存储状态″B″。简单来说，当控制电路2212会对连接至欲读取的存储单元施予预设读取电压VR时，将导通的存储单元识别为存储状态″A″，将未导通的存储单元识别为存储状态″B″，以得知存储单元中存储的位数据。
然而，在写入与抹除过程中，闪存模块106的存储单元702会随着电子多次的注入与移除而造成部份结构磨损，例如隧穿氧化层的磨损，例如存储单元702的临界电压将会随着电子多次的注入与移除而产生偏移(如图6B的虚线所示)，造成预设读取电压无法正确地识别存储单元的存储状态。如图6B所示，斜线区域Z_1代表了通过预设读取电压VR而产生判别错误的状况。简单来说，斜线区域Z_1中这些存储单元应当被识别为存储状态″A″，但由于临界电压已随着电子多次的注入与移除而产生偏移，因此将基于预设读取电压VR而被判别为存储状态″B″。
因此，本发明基于存储单元的临界电压分布会产生偏移的特性，将适应性的调整用识别存储状态的读取电压，以进一步提升固态存储装置的数据存取正确率。特别是，由于闪存模块106的存储单元702的临界电压分布已经偏移，因此，在本范例实施例中，存储控制器104会估算出适合已偏移的临界电压分布的理想读取电压VR_1(如图6C所示)。简单来说，若通过理想读取电压VR_1来将这些存储单元识别为存储状态″A″或是存储状态″B″，相较于图6B所示的将发生数据辨别错误的斜线区域Z_1，图6C所示的将发生数据辨别错误的斜线区域Z_2明显缩小，也就是说通过理想读取电压VR_1来读取数据可降低数据判别错误的发生机率。
图7为依照本发明一实施例所显示的固态存储装置的读取电压设定方法的流程图。请参照图2、图3以及图7，本实施例的方法适用于上述的固态存储装置100，以下即搭配图2中固态存储装置100的各项元件，说明本实施例方法的详细流程。具体来说，存储控制器104会依据预设读取电压来设定多个检测读取电压来从存储单元中读取数据，并且根据所读取数据中的验证数据的统计数据来决定优化读取电压。
在本实施例中，存储控制器104可先将数据程序化至闪存模块106的多个存储单元中，以进一步决定当前所要估测的优化读取电压是用于区别哪两个存储状态的读取电压，其中预设读取电压可于读取数据时将存储数据的这些存储单元识别为第一存储状态或第二存储状态。首先，于步骤S710，存储控制器104调整存储单元的预设读取电压以获得多个检测读取电压。一般来说，预设读取电压是设计人员在设计闪存模块104时就已经决定。于本实施例中，预设读取电压即为存储控制器104最初用于读取数据的读取电压。
详细来说，图8为依照本发明一实施例所显示的变动量与临界电压的关系示意图。请参照图8，存储控制器104可以预设读取电压VR作为基准，根据预设读取电压VR以及多个预设区间而获得检测读取电压。进一步来说，在图8所示的实施例当中，存储控制器104以预设读取电压VR为中心基准点，并以累加以及递减的方式获取多个检测读取电压。也就是说，检测电压VD1与预设读取电压VR之间的电压差距为预设区间R1，检测电压VD2与预设读取电压VR之间的电压差距为预设区间R2。另外，检测电压VD3与检测电压VD1之间的电压差距为预设区间R3，检测电压VD4与检测电压VD2之间的电压差距为预设区间R4。举例来说，若预设读取电压VR为10伏特、预设区间R1为0.3伏特且预设区间R3的电压范围为0.3伏特，则检测电压VD1为10.3伏特且检测电压VD3为10.6伏特。
需特别说明的是，于本实施例中，预设区间R1～R4并不限制于相同的电压范围，预设区间R1～R4各自的电压范围可视实际应用状况而设计，此外，预设区间的个数也可视实际应用状况而设计，本发明对此不限制。然，为了方便说明本发明，以下将以预设区间R1～R4皆具有相同的电压范围(R1＝R2＝R3＝R4＝0.3伏特)为例进行说明，但非以限定本发明。由此，存储控制器104可基于预设读取电压VR以及预设区间R1～R4而获取多个检测电压VD1～VD4。
之后，于步骤S720，存储控制器104分别地施予预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4至存储单元，以读取分别关联于预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4的多个验证数据。简单来说，基于存储单元的临界电压分布偏移的影响，存储控制器104利用预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4进行读取后而取得的各笔验证数据并不相同。
于步骤S730，存储控制器104根据关联于预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4的验证数据，计算并记录相互相邻的预设读取电压以及检测读取电压之间的多个统计参量。简单来说，存储控制器104利用不同的电压而获取多笔不同的验证资料，并根据这些验证数据所提供的信息来获取相邻的预设读取电压以及检测读取电压之间的多个统计参量。于本实施例中，步骤S730可分成步骤S731～S732实施。于步骤S731，存储控制器104计算关联于预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4的验证位数据之中被识别为第一状态的位数据的多个变动量V1～V5。其中，变动量可代表临界电压分布偏移的程度与状况，其单位为存储单元的个数。
详细来说，在固态存储装置100生产时，存储控制器104会将检测数据程序化至存储单元中，分别施予预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4至存储单元以读取多个初始验证位数据并且计算所述初始验证位数据之中被识别为第一状态的位数据的数目。各自关联于预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4的所述初始验证位数据之中被识别为第一状态的位数据的数目的信息会被记录。
据此，于本实施例中，存储控制器104会计算当前的关联于预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4的验证位数据之中被识别为第一状态的位数据的数目，并且分别将通过预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4将所获取的验证位数据之中被识别为第一状态的位数据的数目减去对应的初始验证位数据之中被识别为第一状态的位数据的数目，以获取被识别为第一状态的位数据的变动量。基于上述可知，若施以不同的读取电压，将读取到相异的验证数据。除此之外，由于存储单元的临界电压分布会随着使用时间产生偏移，因此于不同时间利用相同的读取电压来进行数据读取也会产生不同的读取结果。需特别说明的是，通过初始验证数据来获取变动量的方式仅为本发明的一种实施范例，并非用于限定本发明。存储控制器104也可通过其他的方法来获取具有相同物理意义的变动量。
基于上述，存储控制器104可通过预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4各自的初始验证数据与当前的验证数据，而获取预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4各自的变动量。为了详细说明本发明，图8所显示的曲线L代表了不同读取电压各自对应的变动量。然，于本发明的实施步骤中，存储控制器104并不会一一的去计算所有读取电压对应的变动量，而是仅通过预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4来获取对应的变动量V1～V5。如图8所示，预设读取电压VR对应至变动量V1，检测读取电压VD1对应至变动量V2，检测读取电压VD2对应至变动量V3，检测读取电压VD3对应至变动量V4，检测读取电压VD4对应至变动量V5。
于是，于步骤S732，存储控制器104依据预设读取电压VR与检测读取电压VD1～VD4各自对应的变动量V1～V5以及预设区间R1～R4的电压范围，来计算以获取相互相邻的预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4之间的统计参量。详细来说，图9是依照本发明一实施例所显示的统计参量与临界电压的关系示意图。请同时参照图8与图9，于本实施例中，相互相邻的预设读取电压VR以及检测读取电压VD1～VD4之间的统计参量S1～S4是通过计算各个预设区间R1～R4内对应的两变动量所关联的区域的面积而获取。举例来说，预设读取电压VR以及检测读取电压VD1之间的统计参量S1等于关联于变动量V1、变动量V2以及预设区间R1的区域a1的面积(图8斜线区域)。
依此类推之，存储控制器104同样可通过计算区域面积的方式而获取统计参量S2～S4。进一步来说，统计参量S1～S4可代表临界电压落于各个预设区间R1～R4的存储单元数量。例如，统计参量S1可视为临界电压落于预设读取电压VR与检测读取电压VD1之间的存储单元的个数。如图9所示，预设读取电压VR以及检测读取电压VD1之间具有统计参量S1，预设读取电压VR以及检测读取电压VD2之间具有统计参量S2，检测读取电压VD1以及检测读取电压VD3之间具有统计参量S3，检测读取电压VD2以及检测读取电压VD34之间具有统计参量S4。
另一方面，于本实施例中，存储控制器104可通过其他机制来判别当前纪录的统计参量是否可寻找到最佳的优化读取电压。于步骤S740，存储控制器104判断是否可从统计参量搜寻到局部最小值。简单来说，如图9所示，若当前的统计参量S1～S4是随着临界电压的增加而递增，代表了目前纪录的统计参量应当不具有局部最小值。反之，则代表了目前纪录的统计参量应当具有局部最小值，使得存储控制器104可以于后续的步骤中通过具有局部最小值的这些统计参量来获取优化读取电压。
因此，若步骤S740判断为是，接续步骤S750，存储控制器104根据这些统计参量来获取优化读取电压。若步骤S740判断为否，代表当前的统计参量并不具有局部最小值。为了能获取足够的信息量来估测优化读取电压，存储控制器104将通过额外的检测读取电压来取得另外的信息。在此之前，于步骤S760中，存储控制器104判断读取次数是否大于预设次数，其中读取次数为施予检测读取电压以及预设读取电压至存储单元的次数以及施予额外检测读取电压至存储单元的次数的总和，也就是存储控制器104进行读取数据的次数。
若读取次数大于预设次数，存储控器104将不再进行读取并施予额外的检测读取电压，因此接续步骤S750，存储控制器104将根据当前记录的这些统计参量来获取优化读取电压。若读取次数未大于预设次数，于步骤S770，存储控制器104施予额外检测读取电压至存储单元，并计算与额外检测读取电压相邻的检测读取电压其中之一以及额外检测读取电压之间的额外统计参量。
于此，图10为依照本发明一实施例所显示的变动量与临界电压的关系示意图。请参照图10，存储控制器104根据预设区间R5的电压范围获取检测读取电压VD5，并施予检测读取电压VD5来进行第六次读取，据以获取检测读取电压VD5对应的变动量V6，预设区间R5的电压范围可以和预设区间R1～R4相同或不同，可视实际应用状况而设计。在存储控制器104获取变动量V6之后，存储控制器104可通过变动量V5、变动量V6以及预设区间R5的电压范围来获取区域a2的面积。也就是说，存储控制器104可通过变动量V5、变动量V6以及预设区间R5的电压范围来获取额外统计参量S5。
于步骤S780，存储控制器104将额外统计参量记录为所述统计参量其中之一。图11为依照本发明一实施例所显示的变动量与临界电压的关系示意图。请参照图11，存储控制器104将额外统计参量S5增加至已纪录的统计参量S1～S4之中。显然地，所有的统计参量S1～S5并非仅随着临界电压的上升而单纯的递增或递减，代表了存储控制器104可从统计参量S1～S5之中寻找到局部最小值，并不需要再次进行读取来获得额外的统计参量。
接着，在存储控制器104获取统计参量S1～S5之后，接续步骤S750，存储控制器104将根据当前记录的这些统计参量来获取优化读取电压。于本实施例中，步骤S750可分成步骤S751～S753实施。首先，于步骤S751，存储控制器104根据当前记录的统计参量来建立多项式方程式，以通过多项式方程式近似统计参量。举例来说，如图11所示，存储控制器104可通过当前记录的统计参量来建立一个二次多项式(如图11虚线M所示)，但本发明并不限制于此。之后，于步骤S752，存储控制器104依据多项式方程式以及统计参量，判断多项式方程与这些统计参量是否属于正常状态。
进一步来说，倘若当前纪录的统计参量其中之一因为噪声或其他因素受到干扰而获取不准确的误差数值时，存储控制器104可能会因为此误差数值而获取无法准确近似其他统计参量的多项式方程式。因此，存储控制器104例如可通过计算所有统计参量与多项式方程式的均方根误差来判断多项式方程与这些统计参量是否属于可代表实际状况的正常状态。若步骤S752判断否，接续步骤S770，存储控制器104施予额外检测读取电压至存储单元，并计算与额外检测读取电压相邻的检测读取电压其中之一以及额外检测读取电压之间的额外统计参量。
若步骤S752判断为是，接续步骤S753，存储控制器104寻找多项式方程式的最小估测值，并通过最小估测值获取优化读取电压。举例来说，如图11所示，存储控制器104可寻找到二次多项式M的最小估测值Smin(虚线M的最低点)，并根据最小估测值Smin而取得优化读取电压Vest。也就是说，基于各预设区间R1～R5对应的统计参量S1～S5，存储控制器104可以估测到当前存储单元的临界电压落于各个预设区间R1～R5的统计数量，并且通过这些信息来进一步估测出最佳的优化读取电压Vest。如此一来，存储控制器104可通过优化读取电压Vest来降低读取数据时产生的位错误率。
需特别说明的是，存储控制器104还可以通过其他的参信息来辅以决定优化读取电压。进一步来说，于本实施例中，存储控制器104可依据参数模型辨别统计参量属于第一偏移状态或第二偏移状态，并据以选择大于或小于预设读取电压的额外检测读取电压，其中参数模型可通过事先的实验与模拟而建立。举例来说，存储控制器104可通过统计参量之间的连线的斜率以及事先建立的关于斜率的参数模型来得知，优化读取电压是往大于预设读取电压的方向偏移或是往小于预设读取电压的方向偏移。如图9所示，统计参量S1与统计参量S2之间的斜率为正，而统计参量S1与统计参量S2之间的斜率也为正。由此可知，优化读取电压是往小于预设读取电压的方向偏移。
于是，当统计参量属于第二偏移状态，代表了优化读取电压是往小于预设读取电压的方向偏移，存储控制器104选择小于预设读取电压的额外检测读取电压。反之，当统计参量属于第一偏移状态，代表了优化读取电压是往大于预设读取电压的方向偏移，存储控制器104选择大于预设读取电压的额外检测读取电压。
综上所述，本发明的固态存储装置及其读取电压设定方法可以根据存储单元的劣化程度动态地调整适当的读取电压由此避免数据的遗失。除此之外，本发明可通过施予少量检测电压来获取最佳的优化读取电压，使之在实际应用状况中可更容易据以实施，在本发明中，由4～5个检测电压就可获得最佳的优化读取电压。由此，固态存储装置可以最佳的读取电压来辨别以存储的数据，降低读取数据时的位判别错误率。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种固态存储装置的读取电压设定方法，其中所述固态存储装置包括用于存储数据的一闪存模块，所述闪存模块具有多个存储单元，且每一所述存储单元具有第一存储状态与第二存储状态，所述读取电压设定方法包括：
调整所述存储单元的一预设读取电压以获得多个检测读取电压；
分别地施予所述预设读取电压以及所述检测读取电压至所述存储单元，以读取分别关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的多个验证数据；
根据关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证数据，计算并记录相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的多个统计参量；以及
根据所述统计参量来获取一优化读取电压。
2.如权利要求1所述的读取电压设定方法，其特征在于，调整所述存储单元的所述预设读取电压以获得所述检测读取电压的步骤包括：
以所述预设读取电压作为基准，根据所述预设读取电压以及多个预设区间而获得所述检测读取电压，其中所述检测读取电压的数目与所述预设区间的数目相等。
3.如权利要求2所述的读取电压设定方法，其特征在于，根据关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证数据，计算并记录相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的所述统计参量的步骤包括：
计算关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证位数据之中被识别为所述第一状态的位数据的多个变动量；以及
依据所述预设读取电压与所述检测读取电压各自对应的所述变动量以及所述预设区间，计算以获取相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的所述统计参量。
4.如权利要求1所述的读取电压设定方法，其特征在于，在根据所述统计参量来获取所述优化读取电压的步骤之前，还包括：
施予一额外检测读取电压至所述存储单元，并计算与所述额外检测读取电压相邻的所述检测读取电压其中之一以及所述额外检测读取电压之间的一额外统计参量；以及
将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一。
5.如权利要求1所述的读取电压设定方法，其特征在于，根据所述统计参量来获取所述优化读取电压的步骤包括：
根据当前记录的所述统计参量来建立一多项式方程式，以通过所述多项式方程式近似所述统计参量；以及
根据所述多项式方程式寻找一最小估测值，并依据所述最小估测值获取所述优化读取电压。
6.如权利要求5所述的读取电压设定方法，其特征在于，在根据当前记录的所述统计参量来建立所述多项式方程式，以近似所述统计参量的步骤之前，还包括：
判断是否可从所述统计参量搜寻到一局部最小值；以及
若无法从所述统计参量搜寻到所述局部最小值，施予一额外检测读取电压至所述存储单元，以获取所述额外统计参量并将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一。
7.如权利要求6所述的读取电压设定方法，其特征在于，在施予所述额外检测读取电压至所述存储单元，以获取所述额外统计参量并将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一的步骤之前，还包括：
判断一读取次数是否大于一预设次数，其中所述读取次数为施予所述检测读取电压、施予所述预设读取电压至所述存储单元的次数以及施予所述额外检测读取电压至所述存储单元的次数的总和；以及
若所述读取次数大于所述预设次数，根据当前记录的所述统计参量来获取所述优化读取电压。
8.如权利要求4所述的读取电压设定方法，其特征在于，在根据当前记录的所述统计参量来建立所述多项式方程式，以通过所述多项式方程式近似所述统计参量的步骤之后，还包括：
依据所述多项式方程式以及所述统计参量，判断所述多项式方程与所述统计参量是否属于一正常状态；以及
当所述多项式方程与所述统计参量并非属于所述正常状态，施予所述额外检测读取电压至所述存储单元，以获取所述额外统计参量并将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一。
9.如权利要求4所述的读取电压设定方法，其特征在于，还包括：
依据一参数模型辨别所述统计参量属于一第一偏移状态或一第二偏移状态；
当所述统计参量属于所述第一偏移状态，选择大于所述预设读取电压的所述额外检测读取电压；以及
当所述统计参量属于所述第二偏移状态，选择小于所述预设读取电压的所述额外检测读取电压。
10.一种固态存储装置，包括：
一闪存模块，具有多个存储单元，且每一所述存储单元具有第一存储状态与第二存储状态；以及
一存储控制器，耦接至所述闪存模块，且所述存储控制器用于调整所述存储单元的一预设读取电压以获得多个检测读取电压，
其中所述存储控制器还用于分别地施予所述预设读取电压以及所述检测读取电压至所述存储单元，以读取分别关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的多个验证数据，
其中所述存储控制器还用于根据关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证数据，计算并记录相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的多个统计参量，
其中所述存储控制器还用于根据所述统计参量来获取一优化读取电压。
11.如权利要求10所述的固态存储装置，其特征在于，固态存储装置以所述预设读取电压作为基准，根据所述预设读取电压以及多个预设区间而获得所述检测读取电压，其中所述检测读取电压的数目与所述预设区间的数目相等。
12.如权利要求10所述的固态存储装置，其特征在于，所述存储控制器还用于计算关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证位数据之中被识别为所述第一状态的位数据的多个变动量，且所述存储控制器还用于依据所述预设读取电压与所述检测读取电压各自对应的所述变动量以及所述预设区间，计算以获取相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的所述统计参量。
13.如权利要求10所述的固态存储装置，其特征在于，所述存储控制器还用于施予一额外检测读取电压至所述存储单元，并计算与所述额外检测读取电压相邻的所述检测读取电压其中之一以及所述额外检测读取电压之间的一额外统计参量，以及将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一。
14.如权利要求10所述的固态存储装置，其特征在于，所述存储控制器还用于根据当前记录的所述统计参量来建立一多项式方程式，以通过所述多项式方程式近似所述统计参量，以及根据所述多项式方程式寻找一最小估测值，并依据所述最小估测值获取所述优化读取电压。
15.如权利要求14所述的固态存储装置，其特征在于，所述存储控制器还用于判断是否可从所述统计参量搜寻到一局部最小值，若无法从所述统计参量搜寻到所述局部最小值，所述存储控制器还用于施予一额外检测读取电压至所述存储单元，以获取所述额外统计参量并将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一。
16.如权利要求15所述的固态存储装置，其特征在于，所述存储控制器还用于判断一读取次数是否大于一预设次数，其中所述读取次数为施予所述检测读取电压、施予所述预设读取电压至所述存储单元的次数以及施予所述额外检测读取电压至所述存储单元的次数的总和，
其中，若所述读取次数大于所述预设次数，所述存储控制器还用于根据当前记录的所述统计参量来获取所述优化读取电压。
17.如权利要求14所述的固态存储装置，其特征在于，所述存储控制器还用于依据所述多项式方程式以及所述统计参量，判断所述多项式方程与所述统计参量是否属于一正常状态，
其中，当所述多项式方程与所述统计参量并非属于所述正常状态，所述存储控制器还用于施予一额外检测读取电压至所述存储单元，以获取所述额外统计参量并将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一。
18.如权利要求13所述的固态存储装置，其特征在于，所述存储控制器还用于依据一参数模型辨别所述统计参量属于一第一偏移状态或一第二偏移状态，
其中，当所述统计参量属于所述第一偏移状态，所述存储控制器还用于选择大于所述预设读取电压的所述额外检测读取电压，当所述统计参量属于所述第二偏移状态，所述存储控制器还用于选择小于所述预设读取电压的所述额外检测读取电压。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107025940A (zh) * 2016-01-19 2017-08-08 威盛电子股份有限公司 非易失性存储器装置及其实时自适应读取电压调整方法
CN107134293A (zh) * 2016-02-26 2017-09-05 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN107331420A (zh) * 2016-04-28 2017-11-07 大心电子股份有限公司 解码方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
CN107527644A (zh) * 2017-08-28 2017-12-29 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘读参考电压的优化方法及装置
CN108133730A (zh) * 2017-12-22 2018-06-08 联芸科技（杭州）有限公司 快闪存储器的读取控制方法、存储器读取装置和存储器系统
CN108461107A (zh) * 2017-02-21 2018-08-28 北京忆恒创源科技有限公司 读阈值跟踪方法与装置
TWI651721B (zh) * 2018-03-09 2019-02-21 大陸商深圳大心電子科技有限公司 解碼方法以及儲存控制器
TWI651726B (zh) * 2018-03-30 2019-02-21 大陸商深圳大心電子科技有限公司 解碼方法以及儲存控制器
CN109584935A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 大心电子（英属维京群岛）股份有限公司 数据读取方法以及存储控制器
TWI661427B (zh) * 2018-04-02 2019-06-01 大陸商深圳大心電子科技有限公司 記憶體管理方法以及儲存控制器
CN110277127A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 三星电子株式会社 非易失性存储器件
CN110767253A (zh) * 2018-07-25 2020-02-07 建兴储存科技(广州)有限公司 固态储存装置及其读取表管理方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204204B (zh) * 2016-03-16 2020-01-31 建兴储存科技(广州)有限公司 固态储存装置的断电期间估计方法
KR102353405B1 (ko) 2017-09-19 2022-01-19 삼성전자주식회사 특성 데이터 전처리 시스템, 장치, 방법 및 이를 이용한 메모리 제어 시스템
US11086572B1 (en) 2020-03-02 2021-08-10 Micron Technology, Inc. Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells
US11740970B2 (en) 2020-03-02 2023-08-29 Micron Technology, Inc. Dynamic adjustment of data integrity operations of a memory system based on error rate classification
US11221800B2 (en) 2020-03-02 2022-01-11 Micron Technology, Inc. Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells
US12009034B2 (en) 2020-03-02 2024-06-11 Micron Technology, Inc. Classification of error rate of data retrieved from memory cells
US11029890B1 (en) 2020-03-02 2021-06-08 Micron Technology, Inc. Compound feature generation in classification of error rate of data retrieved from memory cells
US11562793B2 (en) 2020-05-07 2023-01-24 Micron Technology, Inc. Read soft bits through boosted modulation following reading hard bits
US11257546B2 (en) 2020-05-07 2022-02-22 Micron Technology, Inc. Reading of soft bits and hard bits from memory cells
US11081200B1 (en) 2020-05-07 2021-08-03 Micron Technology, Inc. Intelligent proactive responses to operations to read data from memory cells
US11244729B1 (en) * 2020-08-07 2022-02-08 Micron Technology, Inc. Search for an optimized read voltage

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101847439A (zh) * 2008-12-12 2010-09-29 三星电子株式会社 非易失性存储器件的存取方法
US20100296350A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of setting read voltage minimizing read data errors
CN102982844A (zh) * 2007-06-28 2013-03-20 三星电子株式会社 包括多电平单元的非易失性存储器设备和系统及方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7558109B2 (en) * 2006-11-03 2009-07-07 Sandisk Corporation Nonvolatile memory with variable read threshold
US8661184B2 (en) * 2010-01-27 2014-02-25 Fusion-Io, Inc. Managing non-volatile media

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102982844A (zh) * 2007-06-28 2013-03-20 三星电子株式会社 包括多电平单元的非易失性存储器设备和系统及方法
CN101847439A (zh) * 2008-12-12 2010-09-29 三星电子株式会社 非易失性存储器件的存取方法
US20100296350A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of setting read voltage minimizing read data errors

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107025940A (zh) * 2016-01-19 2017-08-08 威盛电子股份有限公司 非易失性存储器装置及其实时自适应读取电压调整方法
CN107025940B (zh) * 2016-01-19 2020-11-20 威盛电子股份有限公司 非易失性存储器装置及其实时自适应读取电压调整方法
CN107134293A (zh) * 2016-02-26 2017-09-05 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN107331420A (zh) * 2016-04-28 2017-11-07 大心电子股份有限公司 解码方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
CN108461107B (zh) * 2017-02-21 2021-09-28 北京忆恒创源科技股份有限公司 读阈值跟踪方法与装置
CN108461107A (zh) * 2017-02-21 2018-08-28 北京忆恒创源科技有限公司 读阈值跟踪方法与装置
CN107527644B (zh) * 2017-08-28 2020-07-28 苏州浪潮智能科技有限公司 一种固态硬盘读参考电压的优化方法及装置
CN107527644A (zh) * 2017-08-28 2017-12-29 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘读参考电压的优化方法及装置
CN109584935A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 大心电子（英属维京群岛）股份有限公司 数据读取方法以及存储控制器
CN108133730A (zh) * 2017-12-22 2018-06-08 联芸科技（杭州）有限公司 快闪存储器的读取控制方法、存储器读取装置和存储器系统
CN108133730B (zh) * 2017-12-22 2020-09-11 联芸科技（杭州）有限公司 快闪存储器的读取控制方法、存储器读取装置和存储器系统
TWI651721B (zh) * 2018-03-09 2019-02-21 大陸商深圳大心電子科技有限公司 解碼方法以及儲存控制器
US10482978B2 (en) 2018-03-09 2019-11-19 Shenzhen Epostar Electronics Limited Co. Read voltage optimization method, memory storage device and memory control circuit unit
CN110277127A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 三星电子株式会社 非易失性存储器件
CN110277127B (zh) * 2018-03-14 2024-06-11 三星电子株式会社 非易失性存储器件
US10424383B1 (en) 2018-03-30 2019-09-24 Shenzhen Epostar Electronics Limited Co. Decoding method and storage controller
TWI651726B (zh) * 2018-03-30 2019-02-21 大陸商深圳大心電子科技有限公司 解碼方法以及儲存控制器
US10628257B2 (en) 2018-04-02 2020-04-21 Shenzhen Epostar Electronics Limited Co. Memory management method and storage controller
TWI661427B (zh) * 2018-04-02 2019-06-01 大陸商深圳大心電子科技有限公司 記憶體管理方法以及儲存控制器
CN110767253A (zh) * 2018-07-25 2020-02-07 建兴储存科技(广州)有限公司 固态储存装置及其读取表管理方法
CN110767253B (zh) * 2018-07-25 2021-08-03 建兴储存科技(广州)有限公司 固态储存装置及其读取表管理方法

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CN104616695B (zh) 2017-12-22
US9129698B2 (en) 2015-09-08
US20150124533A1 (en) 2015-05-07

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