CN104603799B - 用于非接触式微电路的天线系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种制造微电路卡的方法，包括步骤：在卡(C2)中形成第一天线线圈(CC2)，所述第一天线线圈包括遵循所述卡的边缘的部分(CL21)；形成模块，所述模块包括微电路(M1)和围绕该微电路并连接到其的第二天线线圈(MC1)；以及将模块以相对于所述卡的所述边缘的精确位置植入到所述卡中，所述第一天线线圈通过感应被耦合到所述第二天线线圈，所述第一天线线圈以这样的方式被成形，仅所述第二天线线圈的一部分位于离所述第一天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。

Description

用于非接触式微电路的天线系统
技术领域
本发明涉及一种非接触式微电路或非接触式集成电路，且特别涉及集成到物体的微电路，诸如塑料卡(聚合物树脂)。
背景技术
非接触式或近场通信NFC微电路已被开发为通过感应耦合或电场耦合与终端进行交易。
为了特别以感应耦合方式进行通信，必须获取终端的天线线圈和连接到微电路的天线线圈之间的足够的电感耦合因子。这种耦合因子取决于终端和微电路的天线线圈的各自尺寸，并取决于这两个线圈的相对距离和位置。微电路线圈的尺寸与终端的越近，两个线圈之间的耦合因子可以越高。
通常，终端的天线线圈具有比ISO 7816格式中的卡更大的尺寸。因此希望微电路的天线线圈尽可能大。但是，该线圈相对于微电路越大，越难产生线圈和微电路之间的可靠连接，其足以承受频繁的处理。在非接触式微电路卡的情况下，卡由聚合物树脂制成，通常是PVC(聚氯乙烯)、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)或PC(聚碳酸酯)，且由此是可变形的。可预知，卡的重复变形将导致线圈和微电路之间的连接断开，这明确使得微电路不工作。
美国专利5955723建议在卡上形成的大线圈以及连接到微电路的小线圈之间生成感应耦合。大线圈包括与微电路的线圈尺寸基本一样的小环路。感应耦合是通过使得微电路线圈的中心与小环路的中心位置符合而形成的。两个这样的天线线圈之间的传输质量由感应耦合因子测量的。图1展示了这样的微电路卡C1。微电路卡C1包括天线线圈CC1和连接到天线线圈MC1的微电路M1。天线线圈MC1和CC1包括若干线匝。天线线圈CC1包括具有与卡C1的尺寸基本上一样的大环路以及与线圈MC1的尺寸基本上一样的小环路CL1。
据发现，大线圈的小环路和微电路的线圈之间的感应耦合因子对于小环路的中心与微电路线圈的中心的对准的精确性非常敏感。这种对准的最小差异导致耦合因子的明显恶化。图1A表示根据关于沿着卡的横轴X或纵轴Y的环路CL1的线圈MC1的位置，耦合因子CR的变化曲线CB1，其穿过环路CL1的中心。曲线CB1示出了当线圈MC1完美地位于环路CL1的中心上时，两个线圈MC1和CC1之间的耦合因子CR最大(在主峰S1)，且当线圈MC1没有位于环路CL1的中心上时，该因子明显且快速地下降。曲线CB1也具有次级峰S1′、S1″，当线圈完全位于环路CL2之外时出现，但具有与环路相对的(图1A中水平或垂直的)部分。
现在这样的微电路卡的制造是通常是共同的，分为若干步骤，包括在板中形成天线线圈以及切割板以使卡被个体化的步骤。每个关联微电路和天线线圈的模块被植入到被个体化的卡中。图2和3展示了在被切割以将卡个体化之前的这样的板。图2和3展示了矩形板P1、P2，矩形板P1、P2包括天线线圈CC1，该天线线圈CC1被以跨过板的宽度(沿着轴T)的行以及板的长度(沿着轴Z)的列而分布。图2和3也用虚线示出了卡的轮廓。在图2中，板P2每行包括4个线圈CC1，被设置以形成每行4个卡C1，卡的长度沿着轴Z取向。在图3，板P2包括每行三个线圈CC1，被设置以形成每行3个卡C1，卡的长度沿着T轴取向。在卡之间以及在卡和板P1、P2的边缘之间存在边距。一旦形成天线线圈CC1，板P1、P2首先通过沿着T轴取向的预切割线被预切割，随后是通过沿着Z轴取向的预切割线被切割，通常是通过压印(stamping)。
即使沿着轴T的板P1、P2的切割精确度足够，已证明沿着Z轴是不足的。确实，沿着T轴的切割精确度目前是±0.5mm，而沿着Z轴的切割精确度几乎不可以降低到±1.5mm以下。结果是导致天线线圈CC1相对于每个卡C1的边缘的位置变化。一旦微电路M1及其天线线圈MC1被插入到每个卡中，随着卡被个体化，天线线圈CC1不再可视。通过在卡中形成室，微电路M1被植入到每个每个卡中。室的位置被相对于每个卡的边缘而确定，且随后不可能简单地定位卡的天线。
结果是在微电路M1的线圈MC1的定位中可以达到3mm的变化(沿着卡的纵轴或横轴)，相对于在卡中形成的线圈CC1的小环路CL1。在生产大量微电路卡的生产线中，这种定位的变化导从一个卡到另一个卡的在线圈CC1和微电路的线圈MC1之间的感应耦合因子CR的明显变化。感应耦合因子的这种变化沿着卡的横轴Y发生(图2中的情况)，或沿着卡的纵轴X发生(图3中的情况)。感应耦合因子的这种变化在生产线的一端要求测量该耦合因子的实施，并导致放弃大量的微电路卡，以便仅将卡保持为具有基本上给定的感应耦合因子。结果是导致这样的微电路卡的制造成本大量增加。
因此想要降低在制造结束时非接触式微电路卡的丢弃率。为了该目的，当共同制造微电路卡时，期望卡和微电路的天线线圈之间的耦合因子一致。
发明内容
一些实施例涉及一种用于制造微电路卡的方法，包括步骤：在卡中形成包括遵循照卡边缘的部分的第一天线线圈；形成模块，所述模块包括微电路和沿着微电路周围设置并连接到所述微电路的第二天线线圈；以及将所述模块植入到卡的相对于卡的边缘的精确位置处，所述第一天线线圈通过感应被耦合到所述第二天线线圈。所述第一天线线圈以这样的方式被预形成，仅所述第二天线线圈的一部分离所述第一天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的宽度的5％。
根据一个实施例，所述第一天线线圈是通过沉积并蚀刻导电层或被电绝缘层分隔的两个导电层而形成。
根据一个实施例，所述第一天线线圈是通过使用超声将绝缘线植入到卡中而形成的。
根据一个实施例，第一天线线圈包括预形成的以部分遵循卡的边缘的大环路以及小环路，所述小环路包括两个第一相对部分以及两个第二相对部分，所述第一相对部分在小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处仅遵循所述第二天线线圈的所述边缘的一部分，所述第二相对部分以至少比所述第一相对部分之间的距离大20％的距离而彼此间隔开。
根据一个实施例，所述第一天线线圈包括两个平行的分支，所述分支位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的宽度的5％的距离处。
根据一个实施例，所述第一天线线圈包括另外部分，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限时，所述另外部分易于位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。
根据一个实施例，所述第一天线线圈包括两个相邻分支，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限时，所述分支易于位于离所述第二天线线圈(MC1)的距离小于所述第二天线线圈的宽度(ML)的5％的距离处。
根据一个实施例，该方法包括形成调谐电容器用于调谐所述第一天线线圈的步骤，所述调谐电容器包括形成天线线圈的线或导电路径的两个端部分，所述端部分在所述第一天线线圈的内部或外部被放置为彼此相对。
一些实施例也涉及一种用于共同制造微电路卡的方法，包括若干次执行上述方法，以在板(P3、P4)上形成若干卡天线线圈，以及切割所述板以获取每个都包括卡天线线圈的卡的步骤，当卡被被个体化时在每个卡中进行植入微电路及其天线线圈的步骤。
根据一个实施例，所述卡天线线圈以若干卡天线线圈的行和列被分布在板中。
一些实施例也涉及微电路卡，包括：卡，植入到所述卡中的第一天线线圈，以及包括遵循所述卡的所述边缘的部分；以及模块，其包括微电路和放置在所述微电路周围并连接到所述微电路的第二天线线圈，所述模块在相对于所述卡的所述边缘的精确位置处被植入到所述卡中。所述第一天线线圈以这样的方式被预形成，即，仅所述第二天线线圈的一部分位于离所述第一天线线圈小于第二天线线圈的宽度的5％的距离处。
根据一个实施例，所述第一天线线圈包括大环路以及小环路，所述大环路被预形成为部分遵循所述卡的所述边缘，所述小环路包括两个第一相对部分以及两个第二相对部分，所述第一相对部分仅遵循所述第二天线线圈的边缘的一部分、位于小于所述第二天线线圈的宽度的5％的距离处，所述第二相对部分以至少比第一相对部分之间的距离大20％的距离而彼此间隔开。
根据一个实施例，所述第一天线线圈包括两个平行的分支，所述分支位于离所述第二线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。
根据第一实施例，第一天线线圈包括另外部分，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限时，所述另外部分易于位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。
根据一个实施例，所述第一天线线圈包括两个相邻的分支，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限时，所述分支易于位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％处。
根据一个实施例，所述微电路卡包括用于调谐第一天线线圈的调谐电容器，所述调谐电容器包括形成所述天线线圈的线或导电路径的两个端部分，所述端部分被彼此相对放置在所述第一天线线圈内部或外部。
附图说明
以下结合但不限于附图来描述发明的一些实施例，在附图中：
上述图1示意性地展示了根据现有技术的微电路卡。
上述图1A展示了卡的天线线圈和非接触式微电路的天线线圈之间的感应耦合因子的变化曲线。
上述图2和3展示了其中若干非接触式微电路卡被共同形成的板。
图4和5展示了根据不同实施例的非接触式微电路卡。
图6A、6B展示了图4或5的卡的天线线圈和微电路的天线线圈之间的耦合因子的变化曲线。
图7到10展示了根据另外实施例的非接触式微电路卡。
图11A、11B展示了图7、8、9或10中的卡的天线线圈和微电路的天线线圈之间的耦合因子的变化曲线。
图12和13展示了其中若干非接触式微电路卡被共同形成的板。
图14到16展示了根据其它实施例的非接触式微电路卡的部分。
具体实施方式
图4和5展示了非接触式微电路卡C2、C3，其包括天线线圈CC2、CC3和模块，模块包括微电路M1以及围绕微电路设置并连接到微电路的天线线圈MC1。这里，术语“围绕”不是指微电路M1和线圈MC1必须在同一个平面上。线圈CC2或CC3以及MC1包括若干线匝，例如2到4个线匝用于线圈CC2或CC3，以及5到10个线匝用于线圈MC1。线圈CC2或CC3形成大环路CL21或CL31以及小环路CL22或CL32。大环路CL21、CL31遵循卡C2、C3的边缘或仅该边缘的一部分，如图1所示。大环路由此可在卡的边缘附近，最小距离可以达到2至3mm。天线线圈MC1可被设置为与环路CL22、CL32相对。在这种情况下，线圈MC1和CC2、CC3可以不同深度被植入到卡C2、C3中。天线线圈MC1也可被环路CL22、CL32包围。在这种情况下，线圈MC1和CC2、CC3也可以不同深度被植入到卡C2、C3中。线圈MC1是具有圆形角(rounded angles)的圆形或方形。
根据一个实施例，环路CL22、CL32具有伸长的形状，其沿着X1轴或Y2轴的长度CLT比沿着X2轴或Y1轴的环路的宽度CW大20到50％。环路CL22、CL32的宽度CW是线圈MC1的外部宽度ML的1到1.1倍。这里，X1和Y1表示卡C1的纵轴和横轴，并且X2和Y2表示卡C2的纵轴和横轴。因此，最大的侧CL22-1、CL32-1位于距离线圈MC1的距离小于线圈MC1的宽度ML的5％的距离处。如果线圈MC1可被相对于卡的边缘被精确设置，环路CL22、CL32的长度CLT对应于线圈MC1的宽度ML以及线圈CC2、CC3相对于卡C2、C3的边缘的定位的误差容限之和。
在图4中，环路CL22沿着卡C2的纵轴X1伸长。在图5，环路CL32沿着卡C3的横轴Y2伸长。注意到在图4和图5中，环路CL22、CL32的中心I2和I3与线圈MC1的中心MI不重合。小环路CL22、CL32是具有圆形角的椭圆形或矩形。线圈MC1也可以是具有圆形角的椭圆形或矩形。
而且，在图4和5的例子中，大环路CL21、CL31包括若干线匝，并被连接到也包括若干线匝的小环路CL22、CL32。根据另一实施例，线圈CC2、CC3包括若干线匝，每个包括一个大环路和一个小环路，每个大环路具有基本上与大环路CL21、CL31的线匝的形状和尺寸一样的形状和尺寸，且连接到与小环路CL22、CL32的线匝基本上形状和尺寸相同的小环路。
图6A、6B展示了根据沿着用于曲线CB1’的Y1轴或X2轴的线圈MC1的位置，以及沿着用于曲线CB2的X1轴或Y2轴，线圈CC2或CC3和MC1之间的感应耦合因子CR的变化曲线CB1’、CB2。曲线CB1’与图1A的曲线CB1基本上一样，当线圈MC1位于X1或Y2轴的中心时达到主峰S1，而当线圈MC1位于环路CL22、CL32外部但具有对着后者的一部分时，达到次峰S1′、S1″。曲线CB2具有两个主峰S2、S3，当沿着Y1轴或X2轴延伸的线圈MC1的一个或多个部分与沿着此Y1轴或X2轴延伸的环路CL22、CL32的一个或多个部分相对时，达到主峰。其中感应耦合因子CR稍低于(低0至20％)对应于峰S2、S3的耦合因子的曲线的区域在峰S2和S3之间延伸。峰S2、S3低于图1A中的峰S1。换句话说，环路CL22、CL32的配置允许对应于峰S2和S3之间的距离误差容限，该误差容限是在沿着轴X1、Y2的相对于线圈CC2、CC3的线圈MC1的定位中的。确实，峰S2和S3之间的感应耦合因子的变化保持在容许的限度内，其可以低于20％。另一方面，可观测到与图1中的卡C1相比，耦合因子的降低。曲线CB2在峰S2和S3之间的区域的任一侧也具有次峰，当线圈MC1位于线圈CL22、CL32外、其一部分(图4中的垂直部分和图5中的水平部分)与环路相对时达到次峰。
图7到10展示了根据其它实施例的非接触式微电路卡C4、C5、C6、C7。卡C4、C5、C6包括天线线圈CC4、CC5、CC6、CC7，以及包括连接到其天线线圈MC1的微电路M1的模块。天线线圈CC4、CC5、CC6、CC7与线圈CC1、CC2的区别在于，其不包括任何小环路，而是单个大环路可由若干线匝组成。每个天线线圈CC4、CC5、CC6、CC7包括部分CL41、CL51、CL61、CL71，顺序地遵循卡C4、C5、C6、C7的边缘，位于离卡的边缘的特定距离处，以及部分CL42、CL52、CL62、CL72，部分遵循线圈MC1的轮廓，即，最多位于距离线圈MC1的距离小于线圈MC1的宽度ML的5％的距离处。
在图7中，部分CL42具有U型，包括两个分支CL42-1、CL42-2，以及穿过线圈MC1和卡C4的中心O的基部CL42-3。分支CL42-1、CL42-2通过其峰被附加到在接近线圈MC1的卡C4的边缘附近的部分CL41，沿着卡的横轴Y3延伸。线圈MC1因此位于线圈CC4的外面。分支CL42-1、CL42-2之间的空间基本上对应于线圈MC1的宽度ML：分支CL42-1、CL42-2位于距离线圈MC1的距离小于线圈MC1的宽度ML的5％的距离处。分支CL42-1、CL42-2的长度CLT至少比分支CL42-1、CL42-2之间的空间大20％，例如比该空间大20到50％。分支CL42-1、CL42-2的长度CLT可对应于或大于线圈MC1的宽度ML以及相对于卡C4的边缘的线圈CC4的定位中的误差容限之和，特别是相对于沿着卡的纵轴Y3延伸的边缘。
在图8，线圈CC5的部分CL51包括部分CL51-1，部分CL51-1与卡C5的横轴Y4平行，并且在线圈MC1和卡C5的中心O之间穿过。线圈C5的部分CL52，部分遵循线圈MC1的轮廓，也是U型，具有两个分支CL52-1、CL52-2，通过其峰被附加到在线圈和卡C5的中心O之间穿过的部分CL51-1，以及放置在卡C5的边缘和线圈MC1之间的基底CL52-3。线圈MC1因此被线圈CC5包围。这里，再次，分支CL52-1、CL52-2之间的空间基本上对应于线圈MC1的宽度ML：分支CL52-1、CL52-2位于离线圈MC1的距离小于线圈MC1的宽度ML的5％的距离处。CL52-1、CL52-2的长度CLT至少比分支CL52-1、CL52-2之间的空间大20％，例如是比该空间大20到50％。分支CL52-1、52-2的长度CLT可对应于或大于线圈MC1的宽度ML和相对于卡C5的边缘的线圈CC5的定位的误差容限总和，且特别是相对于沿着卡的纵轴Y4延伸的边缘。
在图9，线圈CC6的部分CL61沿着卡C6的边缘延伸，除了靠近线圈MC1的卡的角度之外。部分遵循线圈MC1的轮廓的部分CL62包括两个相邻分支CL62-1、CL62-2。分支CL62-1与沿着卡C6的纵轴X5延伸的线圈MC1的边缘平行。分支CL62-2与沿着卡C6的纵轴X5延伸的线圈MC1的边缘平行，且被放置在线圈MC1和卡的最接近线圈MC1的边缘之间。部分CL62-1和CL62-2闭合部分CL61接以形成线圈CC6。线圈MC1被线圈CC6包围。一个和/或其它分支CL62-1、CL62-2位于离线圈MC1的距离小于线圈MC1的宽度ML的5％的距离处。一个和/或其它分支CL62-1、CL62-2可具有长度CLT，其比线圈MC1的宽度ML至少大20％，例如比该宽度大20％到50％。一个或多个其它分支CL62-1、CL62-2的长度CLT可对应于线圈MC1的宽度ML以及相对于卡C6的边缘的线圈CC6的定位中的误差容限之和，且特别是相对于沿着纵轴X5(对于分支CL62-1)和/或卡的横轴Y5(对于分支CL62-2)延伸的边缘。
在图10中，线圈CC5的部分CL71沿着卡C7的边缘延伸，除了靠近线圈MC1的卡的另一个角度之外。部分CL72部分遵循线圈MC1的轮廓，包括两个相邻的分支CL72-1、CL72-2。分支CL72-1与沿着卡C7的纵轴X6的延伸的线圈MC1的边缘平行。分支CL72-2与沿着卡C7的横轴Y6延伸的线圈MC1的边缘平行，且被放置在线圈MC1和卡C7的中心O之间。部分CL72-1和CL72-2闭合部分CL71，以形成线圈CC7。线圈MC1位于线圈CC7之外。一个和/或其它的分支CL72-1、CL72-2位于离线圈MC1的距离小于线圈MC1的宽度ML的5％的距离处。一个和/或其它分支CL72-1、CL72-2可具有至少比线圈MC1的宽度ML大20％的长度CLT，例如比该宽度大20到50％。一个和/或其它分支CL72-1、CL72-2的长度CLT可对应于线圈MC1的宽度ML以及相对于卡C7的边缘的线圈CC7的定位中的误差容限之和，且特别是相对于沿着卡的纵轴X6(对于分支CL72-1)和/或横轴Y6(对于分支CL72-2)延伸的边缘。在图10的例子中，线圈CC7的部分远离卡的边缘。线圈CC7(以及CC2和CC3)外部的卡的部分可被提供以接收通过压花(embossing)形成的铭文，诸如卡号以及卡持有者的姓名。
图11A、11B展示了线圈CC4、CC5、CC6或CC7和MC1之间的感应耦合因子CR的变化曲线CB1″和CB3，对于曲线CB1″，根据相对卡沿着轴Y3或Y4的线圈MC1，并且对于曲线CB3，沿着轴X3、X4、X5、Y5或X6。曲线CB1″基本上与图1A中的曲线CB1相同。曲线CB3具有单个主峰S2，当沿着轴X3、X4、X5、Y5、X6或Y6延伸的线圈MC1的一个或其它部分与一个或其它分支CL42-3、CL52-3、CL62-1、CL62-2、CL72-1或CL72-2相对时，达到主峰。其中感应耦合因子CR保持比对应于峰S2的耦合因子略微低(低0到20％)的曲线区域在峰S2的右边延伸。峰S2低于图1A中的峰S1。换句话说，线圈CC4、CC5、CC6、CC7的配置允许沿着轴X3、X4、X5、Y5、X6、Y6，相对于线圈CC4、CC5、CC6、CC7放置线圈MC1的时存在误差。此误差容限对应于线圈MC沿着此轴的位置范围，其中耦合因子CR保持为比在峰S2的此因子值大20％。当线圈MC1具有基本上完全变化的位置时——线圈CC4/CC7的内部/外部，但一部分与线圈CC4-CC7相对时，次峰被发现在峰S2的左边。
部分CL42-3(图7)和CL52-3(图8)可被放置为离易于被微电路的天线线圈占有的区域足够远，以便永远不会与后者相对。以这种方式，耦合因子CR没有主峰S2，且因此即使微电路的线圈的位置相对于卡的线圈而变化(在上述误差容限限度内，在相对于卡线圈的微电路线圈的定位中)，其保持为基本上常数。
在图4、5和7到10展示的实施例中，卡的天线线圈仅遵循微电路的线圈的一部分轮廓。在图4、5、7和8中，给定与卡的线圈相关的微电路的线圈的定位中的误差容限，被卡的线圈覆盖或遵循的微电路的线圈部分，展示了微电路的线圈的一半以及四分之三轮廓。在图9和10中，该部分位于微电路的线圈的四分之一以及一半轮廓处。
根据一个实施例，卡C2到C7在聚合物树脂板(PVC、PC或PET)中被共同制造。因此，图12到13表示板P3、P4，其中天线线圈CCi被共同形成。板P3、P4与板P1、P2的不同仅在于卡天线线圈的形状及其形成的方式。在图12，卡的纵轴X1-X5与板P3的纵轴Z平行。在图13，卡的纵轴X1-X5与板P4的横轴T平行。在图12和13，环路CL22或CL32或者部分CL42、CL52被形成，其纵轴X1、Y2、X3、X4遵循方向T或Z，在线圈CC2-CC5和MC1相对彼此的定位中具有最高误差容限。因此，如果该误差容限沿着横轴T比沿着板P3、P4的纵轴Z要大，天线线圈CC3可在板P3上被形成，其中线圈CC2、CC4和CC5可以在板P4上被形成。天线线圈CC6和CC7可以在板P3和P4上被一般地(indifferently)形成。
根据一个实施例，线圈CC2到CC7被共同制造，通过在板(例如P3或P4)上沉积以及蚀刻两个导电层和两个导电层之间的电绝缘层，以形成可交叉的导电路径。
根据另一个实施例，线圈CC2到CC7被共同制造，使用在护套中绝缘的线或通过漆涂的手段，该线使用能局部融化卡的超声而被逐渐压入到卡中。绝缘的线因此遵循要被形成的线圈的线匝的线的路径没有被卷绕绝。线可具有50到150μm的直径。线匝之间的间距是150到500μm。
根据一个实施例，线圈CC2到CC7通过电容器闭合以形成闭合电路，电容器的电容被选择以将线圈调谐为想要的谐振频率。图14展示了卡Ci的一部分(i＝2、3、4、5、6或7)，具有卡的天线线圈CCi(i＝2、3、4、5、6或7)的一部分。导电路径的末端或形成线圈的线末端包括接触衬垫CT1、CT2，通过其有可能连接在晶片PT上形成的电容器C。线圈CC4到CC7可由此被形成而不交叉，电容器C闭合线圈的电路。线圈CC4到CC7可由此通过蚀刻单个导电层而被形成。
根据另一个实施例，线圈CC2到CC7没有闭合，但具有形成电容器的终端部分。图15和16展示了卡Ci(i＝2、3、4、5、6或7)的一部分，且特别是线的或者形成线圈CCi(i＝2、3、4、5、6或7)的导电路径的端部分PE1、PE2。端部分PE1、PE2被放置为彼此平行，且在特定长度L彼此相对，因此形成电容器的电极。长度L由此表示线的或者形成线圈CCi的导电路径的两个端部E1、E2之间的距离。电容器的电容因此形成，且由此线圈CCi的谐振频率可通过调节长度L被设置，给定路径PE1、PE2之间的空间，以及每个部分PE1、PE2之间的厚度。在图15，部分PE1、PE2位于线圈CCi的内部，而在图16中，其位于线圈CCi的外部。可以想要将线圈CCi的尺寸最大化。在这种情况下，优选地如图15所示，在线圈CCi的内部形成电容器(PE1、PE2)。
本领域技术人员将理解本发明适于各种替换实施例和各种应用。特别地，本发明不限于所展示的微电路或卡天线线圈的形状，也可适用于其它形状，如果卡天线线圈包括靠近卡的边缘的部分，且微电路的卡天线线圈具有靠近卡的天线线圈的部分，以及与卡的天线线圈离得更远的一部分。本发明不限于具有在此由ISO7816标准限定的卡。
而且，使用电极PA1、PA2的调谐电容器的形成可被应用到任何微电路卡，其包括卡天线线圈，该线圈通过感应与连接到微电路的天线耦合或直接连接到微电路。

Claims (17)

1.一种用于制造微电路卡的方法，包括以下步骤：
在卡中形成第一天线线圈，所述第一天线线圈包括遵循所述卡的边缘的部分，
形成模块，其包括微电路和放置在所述微电路周围并连接到所述微电路的第二天线线圈，以及
将所述模块以相对于所述卡的所述边缘的精确位置植入到卡中，所述第一天线线圈通过感应被耦合到所述第二天线线圈，
其特征在于所述第一天线线圈被以这样的方式而预形成，所述第二天线线圈的仅一部分位于离所述第一天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的宽度的5％的距离处。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一天线线圈被通过沉积并蚀刻导电层或由电绝缘层分隔的两个导电层而形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一天线线圈被通过使用超声将绝缘线植入到所述卡中而形成。
4.根据权利要求1到3中的一个所述的方法，其中所述第一天线线圈包括预形成的以部分遵循所述卡的边缘的大环路以及小环路，所述小环路包括两个第一相对部分，以及两个第二相对部分，所述第一相对部分在小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处而遵循所述第二天线线圈的边缘的仅一部分，所述第二相对部分以至少比所述第一相对部分之间的距离大20％的距离而彼此间隔开。
5.根据权利要求1到3中的一个所述的方法，其中所述第一天线线圈包括两个平行分支，所述平行分支位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的宽度的5％的距离处。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一天线线圈包括另外部分，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限，所述另外部分易于位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。
7.根据权利要求5中所述的方法，其中所述第一天线线圈包括另外部分，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限，所述另外部分易于位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。
8.根据权利要求1到3中的一个所述的方法，其中所述第一天线线圈包括两个相邻的分支，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限，所述分支易于位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的宽度的5％的距离处。
9.根据权利要求1到3中的一个所述的方法，包括形成调谐电容器以调谐所述第一天线线圈的步骤，所述调谐电容器包括形成所述天线线圈的线或导电路径的两个端部分，所述端部分在所述第一天线线圈的内部或外部被放置为彼此相对。
10.一种共同制造微电路卡的方法，包括若干次执行如权利要求1到9任意一项所述的方法，以在板上形成若干卡天线线圈，以及切割所述板以获得每个都包括卡天线线圈的卡的步骤，当卡被个体化时在每个卡中进行的将微电路与其天线线圈植入的步骤。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述卡天线线圈以若干卡天线线圈的行和列被分布在板中。
12.一种微电路卡，包括：
卡，
第一天线线圈，所述第一天线线圈被植入到所述卡中并包括遵循所述卡的边缘的部分，以及
模块，所述模块包括微电路和放置在所述微电路周围并连接到所述微电路的第二天线线圈，所述模块在相对于所述卡的所述边缘的精确位置处被植入到所述卡中，
其特征在于，所述第一天线线圈以这样的方式被预形成，仅所述第二天线线圈的一部分位于离所述第一天线线圈的距离小于第二天线线圈的宽度的5％的距离处。
13.根据权利要求12所述的微电路卡，其中所述第一天线线圈包括大环路以及小环路,所述大环路被预形成以部分遵循所述卡的所述边缘,所述小环路包括两个第一相对部分以及两个第二相对部分，所述第一相对部分仅遵循所述第二天线线圈的一部分、位于小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处，所述第二相对部分以至少比第一相对部分之间的距离大20％的距离而彼此间隔开。
14.根据权利要求12所述的微电路卡，其中所述第一天线线圈包括两个平行分支，所述分支位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。
15.根据权利要求13和14中的一个所述的微电路卡，其中所述第一天线线圈包括另外部分，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限，所述另外部分易于位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。
16.根据权利要求12所述的微电路卡，其中所述第一天线线圈包括两个相邻的分支，给定所述第一和所述第二天线线圈彼此定位时的误差容限，所述相邻的分支易于位于离所述第二天线线圈的距离小于所述第二天线线圈的所述宽度的5％的距离处。
17.根据权利要求12到14中的一个所述的微电路卡，包括用于调谐所述第一天线线圈的调谐电容器，所述调谐电容器包括形成所述天线线圈的线或导电路径的两个端部分，所述端部分被彼此相对地放置在所述第一天线线圈的内部或外部。
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