CN104601196B - 一种增强隔离度电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种增强Tx/Rx切换区间隔离度的电路，其包括一供电电路，一放电电路，一反相电路和一延迟电路。本发明通过对供电电路进行放电，缩短了电压关闭的延迟时间，提高了隔离度，并采用延迟保护机制，在延迟断电时让输出电压也相对应的延后输出，彻底抑制回路失真现象。
Description
技术领域
本发明涉及无线通讯领域，尤其涉及一种增强Tx/Rx切换区间隔离度的电路。
背景技术
无线局域网络（Wireless Local Area Network,WLAN）收发机具有半双工的机制，其工作状态在接收Rx和发射Tx之间进行切换，但不能同时工作在Rx状态和Tx状态。Rx状态和Tx状态不能相互干扰，即Tx链路和Rx链路需要良好的隔离。
现有的收发机操作在Tx状态时，会透过一控制信号将低噪音放大器（Low-NoiseAmplifier,LNA）关闭，或者引入一开关电路，在低噪音放大器LNA不工作时对其断电，以此来提高Tx/Rx链路的隔离度，避免回路失真，反之亦然。
但Tx/Rx的控制信号Tx/Rx Enable Signal若同时用来控制该开关电路，如DCswitch，若是DC switch设计不良的话，例如延迟时间太长，则无法立即断电，从而由于断电延迟导致回路失真。
在Tx/Rx切换区间，通常Rx控制信号Rx Enable Signal关闭后会隔一段保护时间tguard再开启Tx控制信号Tx Enable Signal来避免Tx/Rx切换区间时的回路失真，反之亦然。如图1A所示，如果DC switch设计不良，那么当Rx控制信号Rx Enable Signal关闭后，DCswitch的输出电压DC switch Vout并不能立刻拉至关闭状态，而是呈现缓慢的下降，此时Tx控制信号Tx Enable Signal在经过tguard时间的延迟后开启，依然会存在Tx/Rx链路都为工作状态时段tTx/Rxen。此种回路失真是由Rx链路的DC switch的输出信号的电压下降时间太长所引起的。
相对的，若是Tx链路也使用DC switch来控制功率放大器（Power Amplifier,PA）的给电与否，而DC switch输出电压DC switch Vout下降缓慢，那么在Tx控制信号TxEnable Signal关闭且Rx控制信号Rx Enable Signal开启的切换区间内同样会产生回路失真，如图1B所示。
因此，如果控制低噪音放大器LNA或功率放大器PA的开关电路设计不良，其电压下降时间太长而超过保护时间tguard的话，不管操作在Tx状态还是Rx状态，在Tx/Rx切换的过程中，都会产生严重的回路失真。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种增强Tx/Rx切换区间隔离度的电路，可大幅缩短开关电路的电压下降时间，同时，该增强隔离度的电路还提供了保护机制避免发射链路和接收链路同时工作，彻底解决了回路失真问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种增强隔离度电路，用于增强Tx链路和Rx链路切换区间的隔离度，所述Tx链路和所述Rx链路的工作与否分别受控于Tx控制信号和Rx控制信号，所述Tx/Rx控制信号关闭后等待一保护时间再开启所述Rx/Tx控制信号，所述增强隔离度电路包括一供电电路，所述供电电路受控于所述Tx/Rx控制信号，在所述Tx/Rx控制信号使能时，对所述Tx/Rx链路供电，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，对所述Tx/Rx链路断电，其特征在于，还包括：
一放电电路，所述放电电路与所述供电电路的该电压输出端相连，所述放电电路的工作与否受控于所述Tx/Rx控制信号；以及
一反相电路，所述反相电路连接在所述Tx/Rx控制信号和所述放电电路之间，用于将所述Tx/Rx控制信号作反相处理后再控制所述放电电路，从而在所述Tx/Rx控制信号使能时，所述放电电路不工作，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，所述放电电路对所述供电电路的该电压输出端进行放电。
进一步优选地，所述放电电路的放电时间小于所述保护时间。
进一步优选地，所述放电电路包括一n-MOS，其源极接地，漏极与所述供电电路的该电压输出端相连，栅极通过所述反相电路与所述Tx/Rx控制信号相连。
可替换地，所述放电电路包括一npn-BJT，其发射极接地，集电极与所述供电电路的该电压输出端相连，基极通过所述反相电路与所述Tx/Rx控制信号相连。
进一步优选地，所述反相电路为一反相器。
可替换地，所述放电电路包括第二n-MOS和第二电阻，所述第二n-MOS的源极接地，漏极与所述供电电路的该电压输出端相连，所述第二电阻连接在所述第二n-MOS的栅极和地之间；
所述反相电路包括第三p-MOS，其源极连接电源，栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极连接所述第二n-MOS的所述栅极。
进一步优选地，所述增强隔离度电路还包括一延迟电路，其中，所述供电电路包括第一p-MOS和第一电阻，所述第一p-MOS的源极连接电源，漏极为所述供电电路的该电压输出端，所述第一电阻连接在该电源和所述第一p-MOS的栅极之间；
所述延迟电路包括第四n-MOS和第四电阻，所述第四n-MOS的栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极与所述第一p-MOS的该栅极相连，源极与所述Rx/Tx链路的该电压输出端相连，所述第四电阻连接在所述第四n-MOS的源极和地之间。
进一步优选地，所述第一电阻的阻值大于等于10kΩ，小于等于20kΩ，所述第二电阻的阻值大于等于10kΩ，小于等于20kΩ，所述第四电阻的阻值大于等于1kΩ，小于等于3kΩ。
本发明的效果在于：
本发明引入一放电路径，在控制信号为低电平时，可迅速将电子开关的电压降至关闭状态，从而缩短了电压的关闭延迟时间，有效抑制Tx/Rx切换区间的回路失真现象发生，大幅度提高了隔离度。同时本发明还提供了检测和延迟的保护机制，对上一状态的电压是否完全关闭进行检测，待彻底关闭后再输出下一状态的电压，即针对延迟断电的情况让输出电压也相对应的延后输出，从而通过延长保护时间提高Tx/Rx链路的隔离度，彻底抑制回路失真现象。
附图说明
通过下面结合附图对其示例性实施例进行的描述，本发明上述特征和优点将会变得更加清楚和容易理解。
图1A和图1B是现有技术中产生回路失真的示意图；
图2是本发明的电路示意图；
图3是本发明实施例1的电路示意图；
图4是本发明实施例2的电路示意图；
图5是本发明实施例3的电路示意图；
图6是本发明实施例4的电路示意图；
图7是本发明应用在NxN WLAN射频前端电路中的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
图2所示的是一种增强隔离度电路的示意图，所述增强隔离度电路除了常规的供电电路10，还包括一放电电路20，供电电路10的电压输出端Vout与放电电路20的输入端相连接。该供电电路10和放电电路20受控于同一控制信号，当控制信号使能时，供电电路10开始供电，反之，当控制信号不使能时，放电电路20开始进行放电，从而缩短供电电路10的电压下降时间，若放电电路20的放电时间小于Tx/Rx链路的保护时间tguard，就可达到增强隔离度的目的。
该增强隔离度电路用于在Tx/Rx链路中增强Tx/Rx切换区间的隔离度，其中控制供电电路10和放电电路20是否工作的控制信号为控制Tx/Rx工作状态的Tx/Rx控制信号Tx/RxEnable Signal。
所述增强隔离度电路还包括一反相电路30，反相电路30连接在控制信号和放电电路20之间，用于将Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal作反相处理后再控制放电电路20，从而在Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal使能时，放电电路20不工作；在Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal不使能时，放电电路20对供电电路10的电压输出端Vout进行放电。
实施例1
如图3所示，增强隔离度电路的供电电路10为一p-MOS，其源极连接电源VDD，放电电路20为一n-MOS，其源极接地，p-MOS的漏极为放电电路10的电压输出端Vout，其与n-MOS的漏极相连。
反相电路30为一反相器31，Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal通过反相器31分别与p-MOS和n-MOS的栅极相连。
所述反相器31将Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal作反相处理，即将高电位反相成低电位再用来控制p-MOS与n-MOS的启动与否。当Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal为高电位时，透过反相器31使得电位反相成低电位，此时，p-MOS通道开启，供电电路10的输出电压端Vout有电压输出，同时，n-MOS通道关闭形同开路状态；反之，当Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal为低电位时，透过反相器31使得电位反相成高电位，此时，p-MOS通道关闭，n-MOS通道开启，输出电压端Vout通过n-MOS提供的接地路径快速放电。
需要指出的是，由于Tx控制信号Tx Enable Signal关闭后会等待一段保护时间tguard再启动Rx控制信号Rx Enable Signal，因此只有n-MOS的放电时间小于保护时间tguard，才可避免回路失真现象。放电电路20的放电时间包括n-MOS的电压延迟时间tD和电压上升时间tR，可得如下关系式：
tguard>tD+tR (1)
因此n-MOS的选择必须满足关系式(1)才能确保放电路径能实时作用，进而避免回路失真现象。
实施例2
如图4所示，增强隔离度电路的供电电路10为一pnp-BJT，其发射极连接电源VDD，放电电路20为一npn-BJT，其发射极接地，pnp-BJT的集电极为放电电路10的电压输出端Vout，其与npn-BJT的集电极相连。
反相电路30为一反相器31，Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal通过反相器31分别与pnp-BJT和npn-BJT的基极相连。
实施例2将实施例1中的p-MOS与n-MOS分别替换成pnp-BJT与npn-BJT，同样可以达到缩短放电时间的效果。由于p-MOS与n-MOS的启动必须先对闸极氧化层充电才能反转通道极性，因此会存在电压延迟时间tD，如果使用npn-BJT则无电压延迟时间tD，即tD=0。当然，为了确保放电电路20能在保护时间tguard内完成放电，npn-BJT的选择必须满足关系式(1)。
实施例3
如图5所示，增强隔离度电路的供电电路10为一低压差稳压器（Low Drop-Outregulator，LDO），放电电路20为一n-MOS，其源极接地，漏极与供电电路10的电压输出端Vout相连。Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal与低压差稳压器LDO相连，控制低压差稳压器LDO是否供给电源，同时，Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal通过一反相器31与n-MOS的栅极相连，控制放电电路20是否放电。
当Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal为高电压准位时，低压差稳压器LDO可供给电源，当Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal为低电压准位时，低压差稳压器LDO关闭电源，此时Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal透过反相器31产生高电压准位，开启n-MOS提供一放电路径。为确保在保护时间tguard内，输出电压端Vout可快速降为零电位，即完成放电而避免回路失真，LDO的电压下降时间toff需要小于保护时间tguard，可得如下关系式：
tguard>toff (2)
实施例4
本实例所提供的增强隔离度电路除了可提供放电路径外，还增加了延迟保护机制，如图6所示，增强隔离度电路的供电电路10包括第一p-MOS Q1和第一电阻R1，第一p-MOSQ1的源极连接电源VDD，漏极为供电电路10的电压输出端Vout，第一电阻R1为一大电阻，连接在电源VDD和第一p-MOS Q1的栅极之间。其中，第一p-MOS Q1栅极的电压为Von，源极与漏极间的电压为VSD，流经第一电阻R1的电流为In。
放电电路20包括第二n-MOS Q2和第二电阻R2，第二n-MOS Q2的源极接地，漏极与供电电路10的电压输出端Vout相连，第二电阻R2为一大电阻，连接在第二n-MOS Q2的栅极和地之间，流经第二电阻R2的电流为IP。
反向电路30包括第三p-MOS Q3，其源极连接电源VDD，栅极连接Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal，漏极连接第二n-MOS Q2的栅极。当Tx/Rx控制信号Tx/Rx EnableSignal为低电位时，第三p-MOS Q3信号导通，由于第二电阻R2是大电阻，流经第二电阻R2的电流IP相当微小，因此第二n-MOS Q2通道开启，输出电压端Vout通过第二n-MOS Q2提供的接地路径快速放电。
增强隔离度电路还包括一延迟电路40，所述延迟电路40包括第四n-MOS Q4和第四电阻R4，第四n-MOS Q4的栅极连接Tx/Rx控制信号Tx/Rx Enable Signal，漏极与第一p-MOSQ1的栅极相连，漏极与源极间的电压为VDS，第四电阻R4为一大电阻，连接在第四n-MOS Q4的源极和地之间。第四n-MOS Q4的源极与Rx/Tx链路的输出电压端Rx/Tx Vout相连，连接节点为保护检测端Vpd，也就是说，当增强隔离度电路受控于Tx控制信号Tx Enable Signal时，保护检测端Vpd与Rx链路的输出电压端Rx_Vout相连，反之，当增强隔离度电路受控于Rx控制信号Rx Enable Signal时，第四n-MOS Q4的源极与Tx链路的输出电压端Tx_Vout相连。
本实施例中的增强隔离度电路工作原理如下：第一p-MOS Q1为供电电路10的开关组件，第二n-MOS Q2为放电电路20的开关组件，第三p-MOS Q3及第四n-MOS Q4起反相作用并整合保护机制。以增强隔离度电路应用在Rx链路上为例，如图6所示，电压输出端Vout完全受控于Rx控制信号Rx Enable Signal，当Rx控制信号Rx Enable Signal大于第四n-MOS Q4的临界电压时，第四n-MOS Q4的n通道导通，此时
Von=VDS+Vpd (3)
Vpd=InR4 (4)
In=(VDD–VDS)/(R1+R4) (5)
关系式(5)忽略第四n-MOS Q4导通电阻的影响，由于第一电阻R1与第四电阻R4为大电阻使得流通至第一电阻R1与第四R4的电流In相当微小，且由关系式(5)可知，通过提高第一电阻R1的电阻值可降低电流In，其中第一电阻R1的阻值应在如下范围：
10kΩ R1 20kΩ (6)
同时考虑到保护检测端Vpd接至Tx链路的输出电压端Tx_Vout，当Tx链路的输出电压端Tx_Vout为供电状态时，第四电阻R4的阻值应当大小适中，因为太大会影响第四n-MOS Q4的正常操作，太小会产生严重的漏电流消耗，因此第四电阻R4阻值的选择上应为：
1kΩ R4 3kΩ (7)
因此在第一电阻R1与第四电阻R4满足关系式(6)与(7)的情况下，保护检测端Vpd会趋近于0，因此当第四n-MOS Q4被打开，Von的电压可近似为VDS，此时VDS–VDD会小于第一p-MOS Q1的临界电压并将第一p-MOS Q1开启，最后
Vout=VDD–VSD (8)
此外，在第二电阻R2电阻值的选择上其原则与第一电阻R1相同，大电阻有利于电流Ip变小减少不必要的功耗，因此第二电阻R2的电阻值范围为：
10kΩ R2 20kΩ (9)
本实施例最佳电阻值为：R1=10kΩ、R2=10kΩ、R4=3kΩ
尽管引入放电路径加速放电，但是仍无法确保Tx链路和Rx链路不会同时工作，因此需要延迟电路40针对延迟关闭的情况让输出电压端Vout也相对应的延后输出，即通过延长保护时间彻底提高Tx/Rx链路的隔离度，进而抑制回路失真现象。仍以本实施例应用在接收链路Rx上为例，在第四n-MOS Q4的源极接上Tx链路的输出电压端Tx_Vout，其作用在于检测Tx链路中输出电压端Tx_Vou的电压准位，若有电压输出会使得Rx控制信号Rx EnableSignal无法开启第四n-MOS Q4，第一p-MOS Q1也同时被关闭，这样就能延后输出电压端Vout的电压输出，进而达到抑制回路失真的目的。
本实施例应用于Tx链路中的工作原理同上。
图7所示的是本实施例应用在NxN WLAN射频前端电路中的示意图，如图7所示，NxNWLAN射频前端电路包括N组射频链路，每一组射频链路中的Rx链路和Tx链路分别对应连接一单刀双掷开关（Single Pole Double Throw,SPDT）的两个独立端口，而该SPDT的公共端口与一天线Ant相连接。每个Rx链路包括一个低噪声放大器LNA，每个Tx链路包括一个功率放大器PA。N组Rx链路Rx1-Rx N共用一Rx控制信号Rx Enable Signal控制N个低噪声放大器LNA的状态，N组Tx链路Tx1-Tx N共用一Tx控制信号Tx Enable Signal控制N个功率放大器PA的状态。
本发明所提供的增强隔离度电路分别用于Rx链路和Tx链路中来提高隔离度。如图7所示，用于控制N组Rx链路Rx1-Rx N中低噪声放大器LNA供电与放电的为具有增强隔离度电路的Rx开关电路Rx Switch，用于控制N组Tx链路Tx1-Tx N中功率放大器PA供电与放电的为具有增强隔离度电路的Tx开关电路Tx Switch。所述Rx开关电路Rx Switch受控于Rx控制信号Rx Enable Signal，其电压输出端Rx_Vout分别与N个LNA相连，其保护检测端Rx_Vpd连接Tx开关电路Tx Switch的电压输出端Tx_Vout；所述Tx开关电路Tx Switch受控于Tx控制信号Tx Enable Signal，其电压输出端Tx_Vout分别与N个PA相连，其保护检测端Tx_Vpd连接Rx开关电路Rx Switch的电压输出端Rx_Vout。
Rx开关电路Rx Switch和Tx开关电路Tx Switch所具有的放电路径，提升了Rx/Tx链路的隔离度。并且由于Rx开关电路Rx Switch的保护检测端Rx_Vpd连接Tx开关电路TxSwitch的电压输出端Tx_Vout，以判断Tx开关电路Tx Switch的电压输出端Tx_Vout是否给电，若是Rx开关电路Rx Switch的保护检测端Rx_Vpd读取到Tx开关电路Tx Switch的电压输出端Tx_Vout为高电位，则Rx开关电路Rx Switch的电压输出端Rx_Vout中断电压输出，反之亦然，从而彻底避免了Rx链路和Tx链路同时工作的情况，解决了回路失真问题，进而提升上下行的吞吐量。
本发明中，供电电路10在具体应用中可有多种方式，放电电路20的实现方式不受到供电电路10的影响，只是不同的放电电路20可能需要搭配相应的反相电路30以实现发明目的。
需要注意的是，以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施方式仅限于此，在本发明的上述指导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种增强隔离度电路，用于增强Tx链路和Rx链路切换区间的隔离度，所述Tx链路和所述Rx链路的工作与否分别受控于Tx控制信号和Rx控制信号，所述Tx/Rx控制信号关闭后等待一保护时间再开启所述Rx/Tx控制信号，所述增强隔离度电路包括：
一供电电路，所述供电电路受控于所述Tx/Rx控制信号，在所述Tx/Rx控制信号使能时，对所述Tx/Rx链路供电，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，对所述Tx/Rx链路断电，其特征在于，还包括：
一放电电路，所述放电电路包括一n-MOS，其源极接地，漏极与所述供电电路的电压输出端相连，栅极与所述Tx/Rx控制信号相连，所述放电电路的工作与否受控于所述Tx/Rx控制信号，所述放电电路的放电时间小于所述保护时间；以及
一反相电路，所述反相电路连接在所述Tx/Rx控制信号和所述放电电路中所述n-MOS的栅极之间，用于将所述Tx/Rx控制信号作反相处理后再控制所述放电电路，从而在所述Tx/Rx控制信号使能时，所述放电电路不工作，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，所述放电电路对所述供电电路的该电压输出端进行放电。
2.如权利要求1所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述反相电路为一反相器。
3.如权利要求1或2所述的增强隔离度电路，其特征在于，还包括一延迟电路，其中，所述供电电路包括第一p-MOS和第一电阻，所述第一p-MOS的源极连接电源，漏极为所述供电电路的该电压输出端，所述第一电阻连接在该电源和所述第一p-MOS的栅极之间；
所述延迟电路包括第四n-MOS和第四电阻，所述第四n-MOS的栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极与所述第一p-MOS的该栅极相连，源极与所述Rx/Tx链路的该电压输出端相连，所述第四电阻连接在所述第四n-MOS的源极和地之间。
4.一种增强隔离度电路，用于增强Tx链路和Rx链路切换区间的隔离度，所述Tx链路和所述Rx链路的工作与否分别受控于Tx控制信号和Rx控制信号，所述Tx/Rx控制信号关闭后等待一保护时间再开启所述Rx/Tx控制信号，所述增强隔离度电路包括：
一供电电路，所述供电电路受控于所述Tx/Rx控制信号，在所述Tx/Rx控制信号使能时，对所述Tx/Rx链路供电，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，对所述Tx/Rx链路断电，其特征在于，还包括：
一放电电路，所述放电电路包括一npn-BJT，其发射极接地，集电极与所述供电电路的电压输出端相连，基极与所述Tx/Rx控制信号相连，所述放电电路的工作与否受控于所述Tx/Rx控制信号，所述放电电路的放电时间小于所述保护时间；以及
一反相电路，所述反相电路连接在所述Tx/Rx控制信号和所述放电电路中所述npn-BJT的基极之间，用于将所述Tx/Rx控制信号作反相处理后再控制所述放电电路，从而在所述Tx/Rx控制信号使能时，所述放电电路不工作，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，所述放电电路对所述供电电路的该电压输出端进行放电。
5.如权利要求4所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述反相电路为一反相器。
6.如权利要求4或5所述的增强隔离度电路，其特征在于，还包括一延迟电路，其中，所述供电电路包括第一p-MOS和第一电阻，所述第一p-MOS的源极连接电源，漏极为所述供电电路的该电压输出端，所述第一电阻连接在该电源和所述第一p-MOS的栅极之间；
所述延迟电路包括第四n-MOS和第四电阻，所述第四n-MOS的栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极与所述第一p-MOS的该栅极相连，源极与所述Rx/Tx链路的该电压输出端相连，所述第四电阻连接在所述第四n-MOS的源极和地之间。
7.一种增强隔离度电路，用于增强Tx链路和Rx链路切换区间的隔离度，所述Tx链路和所述Rx链路的工作与否分别受控于Tx控制信号和Rx控制信号，所述Tx/Rx控制信号关闭后等待一保护时间再开启所述Rx/Tx控制信号，所述增强隔离度电路包括：
一供电电路，所述供电电路受控于所述Tx/Rx控制信号，在所述Tx/Rx控制信号使能时，对所述Tx/Rx链路供电，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，对所述Tx/Rx链路断电，其特征在于，还包括：
一放电电路，所述放电电路包括第二n-MOS和第二电阻，所述第二n-MOS的源极接地，漏极与所述供电电路的电压输出端相连，所述第二电阻连接在所述第二n-MOS的栅极和地之间，所述放电电路的工作与否受控于所述Tx/Rx控制信号，所述放电电路的放电时间小于所述保护时间；以及一反相电路，所述反相电路包括第三p-MOS，其源极连接电源，栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极连接所述第二n-MOS的所述栅极，用于将所述Tx/Rx控制信号作反相处理后再控制所述放电电路，从而在所述Tx/Rx控制信号使能时，所述放电电路不工作，在所述Tx/Rx控制信号不使能时，所述放电电路对所述供电电路的该电压输出端进行放电。
8.如权利要求7所述的增强隔离度电路，其特征在于，还包括一延迟电路，其中，所述供电电路包括第一p-MOS和第一电阻，所述第一p-MOS的源极连接电源，漏极为所述供电电路的该电压输出端，所述第一电阻连接在该电源和所述第一p-MOS的栅极之间；
所述延迟电路包括第四n-MOS和第四电阻，所述第四n-MOS的栅极连接所述Tx/Rx控制信号，漏极与所述第一p-MOS的该栅极相连，源极与所述Rx/Tx链路的该电压输出端相连，所述第四电阻连接在所述第四n-MOS的源极和地之间。
9.如权利要求8所述的增强隔离度电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值大于等于10kΩ，小于等于20kΩ，所述第二电阻的阻值大于等于10kΩ，小于等于20kΩ，所述第四电阻的阻值大于等于1kΩ，小于等于3kΩ。
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- 2013-10-31 CN CN201310530408.5A patent/CN104601196B/zh active Active
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