CN104599948B - 量子点的制造方法 - Google Patents
量子点的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104599948B CN104599948B CN201410837904.XA CN201410837904A CN104599948B CN 104599948 B CN104599948 B CN 104599948B CN 201410837904 A CN201410837904 A CN 201410837904A CN 104599948 B CN104599948 B CN 104599948B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- material layer
- hard mask
- side wall
- quantum dot
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 239000010903 husk Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种量子点的制造方法，利用在光刻刻蚀后第一图形化材料层线条的两侧形成第一侧墙，第一侧墙厚度即为后续制得量子点的一维尺寸，随后在第二图形化材料层的两侧形成第二侧墙，第二侧墙厚度即为量子点另一个一维尺寸，由此来精确控制量子点的大小，而通过第一图形化材料层线条和第二图形化材料层线条的位置及宽度，可以精确控制量子点的位置和间距。本发明适用于大规模生产制造。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造工艺技术领域，尤其涉及一种量子点的制造方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，半导体器件特征尺寸在不断减小，各种新材料和新器件结构也在不断出现并实用化，半导体器件正由微米时代迈向纳米时代。量子阱、量子线和量子点器件在纳米电子、光电子领域有着越来越广阔的应用前景。
量子点(quantumdots，QDs)是由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。量子点一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由IIB～VIA或IIIA～VA元素组成)制成的、稳定直径在2～20nm的纳米粒子。量子点是在纳米尺度上的原子和分子的集合体，既可由一种半导体材料组成，如由IIB-VIA族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)或IIIA-VA族元素(如InP、InAs等)组成，也可以由两种或两种以上的半导体材料组成。作为一种新颖的半导体纳米材料，量子点具有许多独特的纳米性质。
目前，关于量子点材料的制造方法，大致可分为三类：化学溶液生长法、外延发和电场约束法。半导体应用比较多的还是利用外延技术，该方法通过在一定的衬底上通过一定的方法形成成核中心，在外延出纳米级的原子团，即量子点。但是，这种方法生长出的量子点的大小、位置都具有一定的随机性，是一种无序的生长模式，较难用于大规模制造。
中国专利CN 102299056B提供了一种三族氮化物量子点结构的制备方法，该方法需要在衬底上形成碳纳米管阵列，随后在碳纳米管阵列间隙处生长量子点，可见该方法相对复杂，且必须借助碳纳米管，生长出量子点的大小、位置也难以控制。
发明内容
本发明的目的在于弥补上述现有技术的不足，提供一种量子点的制造方法，可以精确控制量子点的大小和位置，适用于大规模制造。
为实现上述目的，本发明提供一种量子点的制造方法，其包括以下步骤：
步骤S01，在硅衬底上依次形成电子材料层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第一图形化材料层；
步骤S02，光刻刻蚀所述第一图形化材料层停留在所述第二硬掩模层上，形成第一图形化材料层线条；
步骤S03，在所述第一图形化材料层线条两侧形成第一侧墙，随后去除第一侧墙中间的第一图形化材料层线条；
步骤S04，以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模层线条；
步骤S05，在形成有第二硬掩模层线条的硅衬底上形成第二图形化材料层；
步骤S06，光刻刻蚀所述第二图形化材料层停留在所述第一硬掩模层上，形成与所述第二硬掩模层线条相交的第二图形化材料层线条；
步骤S07，在所述第二图形化材料层线条两侧形成第二侧墙，随后去除第二侧墙中间的第二图形化材料层线条；
步骤S08，以所述第二侧墙为掩模刻蚀所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模层块；
步骤S09，以所述第二硬掩模层块为掩模刻蚀所述第一硬掩模层以及电子材料层，并去除所有第一硬掩模层和第二硬掩模层，形成电子材料的量子点。
进一步地，步骤S06中第二图形化材料层线条与第二硬掩模层线条相互垂直，步骤S08中形成的为第二硬掩模层方块。
进一步地，所述制造方法还包括通过控制第一图形化材料层线条和/或第二图形化材料层线条的宽度，来确定形成的量子点的间距。
进一步地，所述第一图形化材料层和/或第二图形化材料选自APF(Advancedpatterningfilm)材料、TEOS(正硅酸乙酯)、多晶硅或无定型硅。
进一步地，所述第一侧墙和第二侧墙通过原子层淀积工艺(ALD)形成。
进一步地，所述第一侧墙和第二侧墙的厚度为1-100nm。
进一步地，所述第一侧墙和第二侧墙为氮化硅或二氧化硅。
进一步地，步骤S03包括淀积氮化硅，并去除所述第一图形化材料层线条顶部和第二硬掩模层表面的氮化硅，保留第一图形化材料层线条两侧的氮化硅以形成第一侧墙，步骤S04还包括形成第二硬掩模层线条之后去除第一侧墙。
进一步地，步骤S07包括淀积氮化硅，并去除所述第二图形化材料层线条顶部和第一硬掩模层表面的氮化硅，保留第二图形化材料层线条两侧的氮化硅以形成第二侧墙，步骤S08还包括形成第二硬掩模层块之后去除第二侧墙。
进一步地，所述电子材料层选自IIB～VIA族或IIIA～VA族元素。
进一步地，所述电子材料层的厚度为1-100nm。
本发明提供的量子点制造方法，利用在光刻刻蚀后第一图形化材料层线条的两侧形成第一侧墙，第一侧墙厚度即为后续制得量子点的一维尺寸，随后在第二图形化材料层的两侧形成第二侧墙，第二侧墙厚度即为量子点另一个一维尺寸，由此来精确控制量子点的大小，而通过第一图形化材料层线条和第二图形化材料层线条的位置及宽度，可以精确控制量子点的位置和间距。本发明适用于大规模生产制造。
附图说明
为能更清楚理解本发明的目的、特点和优点，以下将结合附图对本发明的较佳实施例进行详细描述，其中：
图1是本发明量子点制造方法的流程示意图；
图2至图10为本发明量子点制造方法的各步骤示意图。
具体实施方式
请参阅图1，并同时参阅图2至图10，本实施例的量子点制造方法包括以下步骤：
步骤S01，如图2所示，在硅衬底10上依次形成电子材料层11、第一硬掩模层12、第二硬掩模层13、第一图形化材料层14，并涂布后续光刻刻蚀工艺所需抗反射层15和光刻胶16。
本实施例中，电子材料层可选自IIB～VIA族或IIIA～VA族元素等常用于制备量子点的材料，电子材料层的厚度可根据需要进行调整，较佳地为1-100nm，更佳地为1-20nm，以保证在高度的维度上为量子点尺寸。本实施例中，第一图形化材料层以及后续的第二图形化材料层可以选自APF材料、TEOS、多晶硅和无定型硅。本步骤各层次的形成工艺可参照现有技术。
步骤S02，如图3所示，光刻刻蚀第一图形化材料层14并停留在第二硬掩模层13上，形成第一图形化材料层线条141。
本步骤可采用本领域常规手段进行光刻刻蚀，形成的第一图形化材料层线条宽度决定后续形成的量子点的间距，可根据实际需要进行调整。本步骤可包括随后对第一图形化材料层线条141上方抗反射层和光刻胶的而去除。
步骤S03，如图4至图6所示，在第一图形化材料层线条141两侧形成第一侧墙142，随后去除第一侧墙142中间的第一图形化材料层线条141。
本步骤中，第一侧墙的材料优选但不限于氮化硅、二氧化硅，淀积工艺优选但不限于原子层淀积工艺。具体地，本步骤可依次包括：淀积一层氮化硅薄膜，如图4所示；回刻去除第一图形化材料层线条141顶部以及第二硬掩模层13表面的氮化硅，保留第一图形化材料层线条141两侧的氮化硅以形成第一侧墙142，如图5所示；去除第一侧墙142中间的第一图形化材料层线条141，如图6所示。本步骤中的去除氮化硅、第一图形化材料层线条可以采用本领域常规手段。本步骤中淀积氮化硅薄膜的厚度，决定第一侧墙的厚度，也决定了后续制得量子点的一维尺寸，可根据实际需要进行调整。较佳地，第一侧墙的厚度为1-100nm，更佳地为1-20nm，以保证在该维度上为量子点尺寸。
步骤S04，如图7所示，以第一侧墙142为掩模刻蚀第二硬掩模层13，形成第二硬掩模层线条131。
本步骤可采用本领域常规手段。实际应用中，本步骤可以包括在形成第二硬掩模层线条131之后，去除上方的第一侧墙142。
至此，完成了量子点一个维度的制作，以下步骤为制作量子点的另一个维度，各步骤的原理与上述制作第一个维度的相同。具体地：
步骤S05，在形成有第二硬掩模层线条131的硅衬底上形成第二图形化材料层，并涂布后续光刻刻蚀工艺所需抗反射层和光刻胶(未图示)。
步骤S06，光刻刻蚀第二图形化材料层停留在第一硬掩模层上，形成与第二硬掩模层线条相交的第二图形化材料层线条(未图示)。
本步骤可采用本领域常规手段进行光刻刻蚀，形成的第二图形化材料层线条宽度决定后续形成的量子点的间距，可根据实际需要进行调整。本步骤可包括随后对第二图形化材料层线条上方抗反射层和光刻胶的而去除。
其中，本步骤中只要形成的第二图形化材料层线条与第二硬掩模层线条相交，后续就能够制得量子点的块。较佳地，为了得到方形量子点，以保证各个维度均在量子点尺寸，本实施例中形成的第二图形化材料层线条与第二硬掩模层线条相垂直。
步骤S07，如图8所示，在第二图形化材料层线条两侧形成第二侧墙171，随后去除第二侧墙171中间的第二图形化材料层线条。
本步骤中，第二侧墙的材料优选但不限于氮化硅、二氧化硅，淀积工艺优选但不限于原子层淀积工艺。具体地，本步骤可依次包括：淀积一层氮化硅薄膜；回刻去除第二图形化材料层线条顶部以及第一硬掩模层表面的氮化硅，保留第二图形化材料层线条两侧的氮化硅以形成第二侧墙；去除第二侧墙中间的第二图形化材料层线条。本步骤中的去除氮化硅、第二图形化材料层线条可以采用本领域常规手段。本步骤中淀积氮化硅薄膜的厚度，决定第二侧墙的厚度，也决定了后续制得量子点的另一一维尺寸，可根据实际需要进行调整。较佳地，第二侧墙的厚度为1-100nm，更佳地为1-20nm，以保证在该维度上为量子点尺寸。
步骤S08，如图9所示，以第二侧墙171为掩模刻蚀第二硬掩模层13，形成第二硬掩模层块132。
由于本实施例中上述第二图形化材料层线条与第二硬掩模层线条相垂直，本步骤得到的第二硬掩模层块为方块。本步骤可采用本领域常规手段。实际应用中，本步骤可以包括在形成第二硬掩模层块之后，去除上方的第二侧墙。
步骤S09，以第二硬掩模层块132为掩模刻蚀第一硬掩模层12以及电子材料层11，并去除所有第一硬掩模层和第二硬掩模层，最终形成电子材料的量子点18，如图10所示。
本实施例提供的量子点制造方法，利用在光刻刻蚀后第一图形化材料层线条的两侧形成第一侧墙，第一侧墙厚度即为后续制得量子点的一维尺寸，随后在第二图形化材料层的两侧形成第二侧墙，第二侧墙厚度即为量子点另一个一维尺寸，由此来精确控制量子点的大小，而通过第一图形化材料层线条和第二图形化材料层线条的位置及宽度，可以精确控制量子点的位置和间距。本发明适用于大规模生产制造。
Claims (11)
1.一种量子点的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01，在硅衬底上依次形成电子材料层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第一图形化材料层；
步骤S02，光刻刻蚀所述第一图形化材料层停留在所述第二硬掩模层上，形成第一图形化材料层线条；
步骤S03，在所述第一图形化材料层线条两侧形成第一侧墙，随后去除第一侧墙中间的第一图形化材料层线条；
步骤S04，以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模层线条；
步骤S05，在形成有第二硬掩模层线条的硅衬底上形成第二图形化材料层；
步骤S06，光刻刻蚀所述第二图形化材料层停留在所述第一硬掩模层上，形成与所述第二硬掩模层线条相交的第二图形化材料层线条；
步骤S07，在所述第二图形化材料层线条两侧形成第二侧墙，随后去除第二侧墙中间的第二图形化材料层线条；
步骤S08，以所述第二侧墙为掩模刻蚀所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模层块；
步骤S09，以所述第二硬掩模层块为掩模刻蚀所述第一硬掩模层以及电子材料层，并去除所有第一硬掩模层和第二硬掩模层，形成电子材料的量子点。
2.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：步骤S06中第二图形化材料层线条与第二硬掩模层线条相互垂直，步骤S08中刻蚀后形成的为第二硬掩模层方块。
3.根据权利要求2所述的量子点制造方法，其特征在于：所述制造方法还包括通过控制第一图形化材料层线条和/或第二图形化材料层线条的宽度，来确定形成的量子点的间距。
4.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一图形化材料层和/或第二图形化材料选自TEOS、多晶硅或无定型硅。
5.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一图形化材料层和/或第二图形化材料选自APF材料。
6.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一侧墙和第二侧墙通过原子层淀积工艺形成。
7.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一侧墙和第二侧墙的厚度为1-100nm。
8.根据权利要求6所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一侧墙和第二侧墙为氮化硅或二氧化硅。
9.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：步骤S03包括淀积氮化硅，并去除所述第一图形化材料层线条顶部和第二硬掩模层表面的氮化硅，保留第一图形化材料层线条两侧的氮化硅以形成第一侧墙，步骤S04还包括形成第二硬掩模层线条之后去除第一侧墙。
10.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：步骤S07包括淀积氮化硅，并去除所述第二图形化材料层线条顶部和第一硬掩模层表面的氮化硅，保留第二图形化材料层线条两侧的氮化硅以形成第二侧墙，步骤S08还包括形成第二硬掩模层块之后去除第二侧墙。
11.根据权利要求1至10任一项所述的量子点制造方法，其特征在于：所述电子材料层选自IIB-VIA族或IIIA-VA族元素，所述电子材料层的厚度为1-100nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410837904.XA CN104599948B (zh) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 量子点的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410837904.XA CN104599948B (zh) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 量子点的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104599948A CN104599948A (zh) | 2015-05-06 |
| CN104599948B true CN104599948B (zh) | 2017-08-22 |
Family
ID=53125645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410837904.XA Active CN104599948B (zh) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 量子点的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104599948B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104616977B (zh) * | 2015-02-27 | 2018-05-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 量子点的制造方法 |
| CN105097449B (zh) * | 2015-06-09 | 2018-07-31 | 华为技术有限公司 | 一种制作纳米线的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008021540A2 (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-21 | The Regents Of The University Of California | Customized lithographic particles |
| CN100565802C (zh) * | 2007-05-31 | 2009-12-02 | 中国科学院半导体研究所 | 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 |
| CN103105724A (zh) * | 2011-11-15 | 2013-05-15 | 台湾创新记忆体股份有限公司 | 量子点曝光板及应用所述量子点曝光板的光刻工艺 |
-
2014
- 2014-12-24 CN CN201410837904.XA patent/CN104599948B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104599948A (zh) | 2015-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100367109C (zh) | 利用间隔体技术的纳米尺寸压印模 | |
| Kamins et al. | Positioning of self-assembled, single-crystal, germanium islands by silicon nanoimprinting | |
| JP6029818B2 (ja) | グラフェン構造物及びその製造方法 | |
| US9695499B2 (en) | Nanowire manufacturing kit having nanowire manufacturing substrate and nanowire adhesive film and nanowire manufactured using the same | |
| KR20050062778A (ko) | 나노와이어 성장 및 다른 용도를 위한 촉매 나노입자의제조 방법 | |
| EP1609176A2 (en) | Method and systems for single- or multi-period edge definition lithography | |
| CN102945791B (zh) | 一种硅纳米线阵列的制备方法 | |
| CN104599948B (zh) | 量子点的制造方法 | |
| CN104037159B (zh) | 一种半导体结构及其形成方法 | |
| CN111261586B (zh) | 一种中孔半导体纳米结构的制作方法 | |
| JP2019510366A5 (zh) | ||
| KR20200077646A (ko) | 금속 촉매 화학 식각을 이용한 마이크로 및 나노 구조물 형성방법 | |
| CN104616977B (zh) | 量子点的制造方法 | |
| KR101583517B1 (ko) | 1차원 나노 구조물 배열 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| Wang et al. | Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates | |
| CN111916338B (zh) | 一种硅基纳米线、其制备方法及薄膜晶体管 | |
| CN111081534B (zh) | 半导体纳米线的形成方法 | |
| CN107424912B (zh) | 一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法 | |
| CN111128723B (zh) | 半导体纳米线的形成方法 | |
| CN103972088B (zh) | 半导体器件制造方法 | |
| WO2013075405A1 (zh) | 一种制备超细线条的方法 | |
| EP4310900A1 (en) | A method for controlling the width of nano-sized fin-shaped features on a semiconductor substrate | |
| Mallavarapu | Scalable and CMOS-compatible catalyst assisted chemical etch | |
| US20150318351A1 (en) | Multiple epitaxial head raised semiconductor structure and method of making same | |
| Sonkusale et al. | Wafer scale aligned sub-25nm metal nanowires on Silicon (110) using PEDAL lift-off process |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |