CN104591727A - 一种高耐压陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

一种高耐压陶瓷材料及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种高耐压陶瓷材料及其制备方法,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的组成通式为xNb2O5-yCaO-zBi2O3+αA,其中,x+y+z=1,0.2≦x≦0.7,0.1≦y≦0.6,0.2≦z≦0.7,掺杂的A包括Y、K、La、W、Mn中至少一种,α≤0.1。

Description

一种高耐压陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及一系列高耐压、低介电损耗、高电容温度稳定性的掺杂Nb2O5-CaO-Bi2O3系的陶瓷材料,可用于储能、信号处理、电子线路、探测器、传感器、脉冲功率等领域。
背景技术
高耐压电容材料在诸如能量储存、信号处理、电子线路、传感器、脉冲功率技术等领域有重要应用。在能量储存方面,为了获得更高的能量密度,人们需要材料具有高介电常数、高耐压击穿强度和低介电损耗[1]。在常见的介电材料中,陶瓷通常具有较高的介电常数,但耐压击穿强度较低,如典型的BaTiO3铁电体陶瓷,常温下具有很高的介电常数(~2000),但其击穿强度较低(~5kV/mm)[2];以聚丙烯为代表的聚合物材料具有高耐压击穿强度(≥100kV/mm),但其介电常数却非常小(3~5);陶瓷/聚合物复合体能兼具两类材料的特性,汤清华等人研究了BaTiO3/PE陶瓷/有机聚合物复合介质材料,获得了较高的耐压击穿强度(≥60kV/mm),其介电常数虽有提高但仍较低(20~30)[3,4];铁电体玻璃陶瓷也能兼具较高的介电常数和高耐压击穿强度,但其界面极化问题导致的较小能量存储密度仍待人们深入研究[5-7]。另外,Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷在室温附近的介电常数变化较大从而导致电容变化也较大,而Bi2O3-CaO-ZnO-Nb2O5系陶瓷也鲜见有兼具宽温区稳定介电性能和高耐压性能的报道[8]。此外,在如脉冲功率技术中,耐高电压的大电容组常用来提供脉冲功率应用需要的大电流,而为了达到减小系统重量和体积,就需要较高的介电常数、耐压击穿强度和高电容温度稳定性的介质材料[9,10]。因此,寻找一种同时兼具高耐压、低介电损耗、高电容温度稳定性的介电材料具有非常重要的意义。
参考文献
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[9]A.J.McPhee,J.R.Tidmarsh,S.J.MacGregor“Solid dielectric material considerations in thedesign of repetitive pulsed power transmission line systems”7th International Conference onDielectric Materials Measurements & Applications,1996,23-26;
[10]K.M.Slenes,P.Winsor“Pulsed power capability of high energy density capacitors based on anew dielectric material”IEEE Transactions on Magnetics,2001,37(1):768-784。
发明内容
本发明旨在克服现有介电材料无法实现同时兼具高耐压、低介电损耗、高电容温度稳定性的性能缺陷,本发明提供了一种高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料及其制备方法。
本发明提供了一种高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的组成通式为xNb2O5-yCaO-zBi2O3+αA,其中,x+y+z=1,0.2≦x≦0.7,0.1≦y≦0.6,0.2≦z≦0.7,掺杂的A包括Y、K、La、W、Mn中至少一种,α≤0.1。
较佳地,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的介电常数变动于80~300。
较佳地,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的介电损耗在温度-50~50℃范围内小于1%。
较佳地,1.5毫米厚的高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的耐脉冲电压值变动于1~2.5万伏之间。
较佳地,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的电容值在温度-50~50℃范围内变化不大于5%。
又,本发明还提供了一种高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的制备方法,包括:
1)按高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的组成通式,称取Nb2O5、CaCO3、Bi2O3、以及A的氧化物作为原料,均匀混合后,在700-1000℃下保温规定时间;
2)将步骤1)中经保温处理的原料粉碎后湿法球磨、干燥,然后加入粘结剂、造粒、压制得到陶瓷素坯;
3)将步骤2)制备的素坯,在氧气气氛、1100℃以上烧结,得到所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料。
较佳地,步骤1)中,保温1-4小时。
较佳地,步骤2)中,粘结剂包括聚乙烯醇PVA。
较佳地,步骤2)中,陶瓷素坯为在1-3T/cm2的压力下压制得到的直径为10-30mm的圆片。
较佳地,步骤3)中,烧结时间2小时以上。
本发明的有益效果:
我们首先通过采用新的组成配方烧结制得了综合性能较佳的掺杂Nb2O5-CaO-Bi2O3系陶瓷,其介电常数变动于80~300,介电损耗在温度-50~50℃范围内小于1%,耐脉冲电压值变动于1~2.5万伏之间(1.5毫米陶瓷厚度),电容值在温度-50~50℃范围内变化不大于5%,是一个很有价值的高耐压陶瓷材料系统。
附图说明
图1示出了本发明中xNb2O5-yCaO-zBi2O3体系陶瓷的摩尔比三元相图,图中灰色区域为x、y、z取值范围;
图2示出了本发明中制备的某种陶瓷配方的断面SEM图;
图3示出了本发明中制备的某种陶瓷配方的介电温谱;
图4示出了本发明中制备的某种陶瓷配方的电容温度曲线;
图5示出了本发明中制备的某种陶瓷配方的介电损耗温度曲线。
具体实施方式
以下结合附图和下述实施方式进一步说明本发明,应理解,附图及下述实施方式仅用于说明本发明,而非限制本发明。
本发明的目的是为了提供一类具有高耐压、低介电损耗、高电容温度稳定性的陶瓷材料,可用于储能、信号处理、电子线路、探测器、传感器、脉冲功率等领域。
本发明为一系列高耐压、低介电损耗、高电容温度稳定性的掺杂Nb2O5-CaO-Bi2O3系的陶瓷材料。该系列材料的组成通式为:xNb2O5-yCaO-zBi2O3+αA。其中A表示1molxNb2O5-yCaO-zBi2O3中掺杂αmol的A,x+y+z=1,x、y、z取值范围见相图所示区域(图1);A为Y、K、La、W、Mn中的一种或多种,α取值范围为α≤0.1。
本发明的高耐压陶瓷材料系列,随x、y、z的变化,其介电常数变动于80~300,介电损耗在温度-50~50℃范围内小于1%,耐脉冲电压值变动于1~2.5万伏之间(1.5毫米陶瓷厚度),电容值在温度-50~50℃范围内变化不大于5%。因此,本掺杂的xNb2O5-yCaO-zBi2O3+αA是一类有应用价值的高耐压、低介电常数和损耗、高电容温度稳定性陶瓷材料。
本发明的陶瓷材料的制备方法为传统氧化物合成及烧结工艺。具体过程包括:
(1)配料:采用CP或AR级的Nb2O5、CaCO3、Bi2O3、Y2O3、La2O3、MnO2、WO3等为原料,按xNb2O5-yCaO-zBi2O3+αA的化学计量比精确称量;
(2)球磨混合:用无水乙醇做介质,行星球磨5小时以上。出料干燥;
(3)合成:粉料装在刚玉坩埚中,在700-1000℃保温1-4小时合成;
(4)合成料球磨:合成料粉碎,过40目筛,用无水乙醇做介质,用行星球磨机球磨4-6小时。出料干燥。成型:粉料加粘结剂,手工造粒,用2T/cm2的压力压制成直径20mm的圆片;
(5)通氧烧结:在通氧气氛中,1100℃以上烧结2小时以上。
下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解,以下实施例只用于对本发明进行进一步说明,不能理解为对本发明保护范围的限制,本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例,即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择,而并非要限定于下文示例的具体数值。
实施例1:
按通式xNb2O5-yCaO-zBi2O3+αA。其中A表示1mol xNb2O5-yCaO-zBi2O3中掺杂αmol的A,x+y+z=1,x、y、z取值范围见相图所示区域(图1);A为Y、K、La、W、Mn中的一种或多种;
取x=0.35,y=0.31,z=0.34,A为W,α=0.01,采用CP或AR级的化学试剂Nb2O5、CaCO3、Bi2O3、WO3为原料,充分干燥后,按上式化学计量称量;
用无水乙醇做介质,球磨混合3小时。干燥,过筛,粉料在刚玉坩埚中,在850℃/2小时合成。然后粉碎过筛,球磨3小时,干燥,加粘结剂,干压成型,排塑后,采用上述通氧烧结法烧成。其介电常数为90左右且随频率变化不大,见图3;介电损耗在温度-50~50℃范围内小于1%且高频下具有更小值,见图5;电容值在温度-50~50℃范围内变化不大于5%且高频下具有更小值,见图4。
实施例2:
按通式xNb2O5-yCaO-zBi2O3+αA,取x=0.31,y=0.27,z=0.42,A为0.03mol Mn和0.01molLa,α=0.03+0.01,采用CP或AR级的化学试剂Nb2O5、CaCO3、Bi2O3、MnO2、La2O3为原料,充分干燥后,按上式化学计量称量;
用无水乙醇做介质,球磨混合5小时。干燥,过筛,粉料在刚玉坩埚中,在800℃/3小时合成。然后粉碎过筛,球磨5小时,干燥,加粘结剂,干压成型,排塑后,采用上述通氧烧结法烧成。其介电常数为110左右;陶瓷呈现非常致密的微结构,见图2;1.5mm厚度陶瓷耐脉冲高压值达2万伏。
表1本发明陶瓷体系中几组典型配方的耐高压值
xNb2O5-yCaO-zBi2O3 αA 耐高压脉冲(万伏)
x=0.33,y=0.29,z=0.38 A:W  α=0.015 1.8
x=0.31,y=0.27,z=0.42 A:Mn、La  α=0.03+0.01 2
x=0.34,y=0.35,z=0.31 A:Y、K  α=0.025+0.025 1.4

Claims (10)

1.一种高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料,其特征在于,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的组成通式为xNb2O5-yCaO-zBi2O3+αA,其中,x+y+z=1,0.2≦x≦0.7,0.1≦y≦0.6,0.2≦z≦0.7,掺杂的A包括Y、K、La、W、Mn中至少一种,α≤0.1。
2.根据权利要求1所述的高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料,其特征在于,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的介电常数变动于80-300。
3.根据权利要求1或2所述的高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料,其特征在于,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的介电损耗在温度-50-50℃范围内小于1%。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料,其特征在于,1.5毫米厚的高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的耐脉冲电压值变动于1-2.5万伏之间。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料,其特征在于,所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的电容值在温度-50-50℃范围内变化不大于5%。
6.一种权利要求1-5中任一所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括:
1)按高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料的组成通式,称取Nb2O5、CaCO3、Bi2O3、以及A的氧化物作为原料,均匀混合后,在700-1000℃下保温规定时间;
2)将步骤1)中经保温处理的原料粉碎后湿法球磨、干燥,然后加入粘结剂、造粒、压制得到陶瓷素坯;
3)将步骤2)制备的素坯,在氧气气氛、1100℃以上烧结,得到所述高耐压Nb2O5-CaO-Bi2O3陶瓷材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中,保温规定时间为保温1-4小时。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中,粘结剂包括聚乙烯醇PVA。
9.根据权利要求6-8中任一所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中,陶瓷素坯为在1-3T/cm2的压力下压制得到的直径为10-30mm的圆片。
10.根据权利要求6-9中任一所述的制备方法,其特征在于,步骤3)中,烧结时间为2小时以上。
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