CN109456058B - 一种锆钛酸钡和铌锌酸钡的复合电容器瓷料及其制备方法 - Google Patents

一种锆钛酸钡和铌锌酸钡的复合电容器瓷料及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种锆钛酸钡和铌锌酸钡的复合电容器瓷料及其制备方法，包括(1‑x)Ba(Zr0.1Ti0.9)O3‑xBa(Zn1/3Nb2/3)O3、Ho2O3、MgO及ZnO；制法为首先将BaCO3、ZrO2、TiO2、ZnO和Nb2O5球磨、烘干、煅烧后，制得主晶相粉体，随后向该主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO，经球磨、造粒、成型、排胶、烧结制得电容器瓷料。本发明的瓷料通过将锆钛酸钡和铌锌酸钡构成的B位复合型钙钛矿复配体系与二次掺杂剂共同作用得到高介电常数、低介电损耗且低电容温度变化率的瓷料。

Description

一种锆钛酸钡和铌锌酸钡的复合电容器瓷料及其制备方法
技术领域
本发明属于陶瓷领域，尤其涉及一种锆钛酸钡和铌锌酸钡的复合电容器瓷料及其制备方法。
背景技术
消费类电子产品强大的销量和需求维持着陶瓷电容器市场的不断发展。美国电子工业协会(EIA)对于陶瓷电容器进行了如下分类：
Figure BDA0001882956800000011
其中X7R、Y5V和Z5U是最常用的电容器规格，X7R电容器电气性能稳定，主要适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路等场合，而Y5V和Z5U电容器则主要应用于隔直、旁路电路或退耦电路中。
锆钛酸钡[Ba(ZrxTi1-x)O3]作为钛酸钡(BaTiO3)与锆酸钡(BaZrO3)形成的固溶体，兼顾了高介电性与居里温度可调等特点而成为陶瓷电容器介质基础材料之一。然而，锆钛酸钡基陶瓷高介、低损且电容温度稳定性优良的多参数协同获得是一个技术难点。期刊《Journal of Applied Physics》2007年第102卷第8期在“Dielectric properties andrelaxor behavior of rare-earth(La,Sm,Eu,Dy,Y)substituted barium zirconiumtitanate ceramics”一文中公开了一种通过固相法制备的(Ba1-xLnx)Zr0.2Ti0.8-x/4O3(x＝0-0.04,Ln＝La,Sm,Eu,Dy,Y)系列陶瓷材料，其中x＝0.04，Ln＝La时损耗角正切可低至0.00005，但室温介电常数仅为650。中国期刊《硅酸盐通报》2016年第35卷第7期在“掺杂Y2O3对BaZr0.1Ti0.9O3陶瓷电介质性能的影响”一文中公开了一种通过固相法制备的锆钛酸钡基陶瓷材料，虽然Y2O3对居里峰具有一定的压峰展峰作用但其室温介电常数仅为2032，室温损耗角正切高达0.038。期刊《电子元件与材料》2004年第23卷第10期在“二氧化铈掺杂锆钛酸钡陶瓷性能和结构的研究”一文中公开了一种通过固相法制备的CeO2掺杂Ba(Zr,Ti)O3陶瓷，其室温介电常数高达7193，介电常数温度变化率为-80.1％～+19.1％，但其室温介电损耗为0.0351。申请号为200710036481.1的发明公布了一种稀土氧化物掺杂改性的介电可调锆钛酸钡基陶瓷Ba1-xMx(Ti1-y-0.25xZry)O3(M为稀土元素，x＝0.001～0.05；y＝0.1～0.5)，其室温介电损耗仅为0.001左右，当x＝0.02时Ba1-xEux(Ti0.8-0.25xZr0.2)O3具有较优温度稳定性但其室温介电常数仅为3450；而当x＝0.02时Ba1-xYx(Ti0.8-0.25xZr0.2)O3具有高室温介电常数7070，但其介电常数温度稳定性欠佳。申请号为2018108154025，名称为“一种锆钛酸钡基电容器瓷料及其制备方法”的发明公开了瓷料(1-y)Ba(ZrxTi1-x)O3-yBa(Zn1/3Nb2/3)O3，其中，x＝0.08-0.12，y＝0.03-0.05，该瓷料的介电损耗低，但介电常数相对较低。
因此，现亟需一种不仅具备高介电常数，且同时拥有低介电损耗和高电容温度稳定性的瓷料。
发明内容
发明目的：本发明的第一目的是高介电常数、低介电损耗且电容温度稳定性佳的电容器瓷料；
本发明的第二目的是提供该瓷料的制备方法。
技术方案：本发明的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料，按质量百分比包括如下组分：
Figure BDA0001882956800000021
其中x＝0.03-0.04。
本发明通过将锆钛酸钡和铌锌酸钡构成的B位复合型钙钛矿复配体系与Ho2O3、MgO和ZnO构成的二次掺杂剂共同作用，从而制得高介电常数、低介电损耗且低电容温度变化率的瓷料；其中，Ho2O3、MgO和ZnO的加入，能够通过粒界缓冲及固溶缓冲效应的发挥，在锆钛酸钡及铌锌酸钡复配体系中进一步获得具有弥散相变特性的居里峰，提高了该复合电容器瓷料的电容温度稳定性。同时，Ho2O3、MgO和ZnO的加入，能够通过锆钛酸钡及铌锌酸钡复配体系钙钛矿晶胞常数的改变，提高其自发极化强度，进而提高该复合电容器瓷料的介电常数。
本发明制备锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的方法，包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.1×(1-x):0.9×(1-x):1/3x:1/3x称量BaCO3、ZrO2、TiO2、ZnO和Nb2O5，经球磨、烘干、煅烧后，制得主晶相粉体；
(2)按质量百分比向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO，经球磨、烘干、造粒后，模压成型制得坯体，将该坯体置于垫板上，排胶、烧结制得电容器瓷料。
进一步说，步骤(1)中，煅烧是在1050℃-1100℃条件下煅烧2-3h，其升温速率可为250-300℃/h。
再进一步说，步骤(2)中，造粒采用聚乙烯醇水溶液，其质量浓度可为4-6wt％。排胶是先在150-250℃条件下排胶15-25min后，再在550-650℃条件下排胶15-25min。烧结是在1320-1360℃条件下烧结1-4h。优选的，烧结时的升温速率可为250-300℃/h。
更进一步说，步骤(1)及(2)中，球磨是将配料、玛瑙磨球和去离子水按质量比1:1.5-3:2.5-3.5混合搅拌16-24h。烘干的温度可为120-140℃。
有益效果：与现有技术相比，本发明的显著优点为：该复合电容器瓷料通过将锆钛酸钡和铌锌酸钡构成的B位复合型钙钛矿复配体系与二次掺杂剂共同作用，不仅具有高介电常数、低介电损耗的特点，且电容温度变化率低；同时其制法简单，可操作性强，安全环保；此外由于该瓷料介电常数和温度稳定性显著提高，进而能够满足隔直及旁路电路对电容器介质材料的使用要求，在汽车、电子电器、医疗等领域中具有广泛的应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例1及实施例2制备的电容器瓷料的X射线衍射图谱。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步详细说明。
本发明采用的原料均购自市售。
实施例1
该瓷料的主晶相粉体化学式为：0.97Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-0.03Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，
x＝0.03。
该瓷料组分如下表1所示：
表1实施例1的组分及其含量
组分 主晶相粉体 Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MgO ZnO
含量/wt％ 98.8 1 0.1 0.1
该复合瓷料的制备方法包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.097:0.873:0.01:0.01分别称量BaCO3，ZrO2，TiO2，ZnO及Nb2O5混合制得配料，将该配料与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:1.5:2.5装入球磨罐，进行湿法球磨16h，制得浆料；随后将该浆料在120℃下烘干，以速率250℃/h升至1050℃保温煅烧2h，固相反应合成主晶相粉体；
(2)按表1的质量分数向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO混合后，与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:1.5:2.5湿法球磨16h后，于120℃条件下烘干，随后加入粉料质量3％(该粉体为主晶相和Ho2O3、MgO及ZnO掺杂剂的总量)的聚乙烯醇(PVA)水溶液(浓度为4wt％)造粒，并过40目筛，模压成型得到Φ10mm片状坯体；
(3)将上述坯体置于分散有二氧化锆垫料的陶瓷垫板上，先在150℃条件下排胶15min后，再在550℃条件下排胶15min，控制升温速率300℃/h升至1320℃保温烧结1h成瓷，最后随炉冷却至室温，制得电容器瓷料。
将制备的电容器瓷料进行性能检测可知，该实施例制备的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的室温介电常数为7984，介电损耗为0.009，-30℃～85℃范围内电容温度变化率为+2％～-38％。
实施例2
该瓷料的主晶相粉体化学式为：0.96Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-0.04Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.04。
该瓷料组分如下表2所示：
表2实施例2的组分及其含量
组分 主晶相粉体 Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MgO ZnO
含量/wt％ 97.4 2 0.3 0.3
该复合瓷料的制备方法包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.096:0.864:0.0133:0.0133分别称量BaCO3，ZrO2，TiO2，ZnO及Nb2O5，混合制得配料，将该配料与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:3:3.5装入球磨罐，湿法球磨24h，制得浆料；随后将该浆料在140℃下烘干，以速率300℃/h升至1100℃煅烧3h，固相反应合成主晶相粉体；
(2)按表2的质量分数向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO混合后，与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:3:3.5湿法球磨24h后，于140℃条件下烘干，随后加入粉料质量10％的聚乙烯醇(PVA)水溶液(浓度为6wt％)造粒，并过40目筛，模压成型得到Φ10mm片状坯体；
(3)将上述坯体置于分散有二氧化锆垫料的陶瓷垫板上，先在250℃条件下排胶25min后，再在650℃条件下排胶25min，控制升温速率300℃/h升至1360℃保温烧结4h成瓷，最后随炉冷却至室温，制得电容器瓷料。
将制备的电容器瓷料进行性能检测可知，该实施例制备的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的室温介电常数为6356，介电损耗为0.007，-30℃～85℃范围内电容温度变化率为+3％～-35％。
将实施例1和实施例2制备的电容器瓷料进行X射线衍射分析，获得的结构如图1所示。通过图1可知，实施例1和2制备的复合电容器瓷料均为钙钛矿结构单相固溶体。
实施例3
该瓷料的主晶相粉体化学式为：0.965Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-0.035Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.035。
该瓷料组分如下表3所示：
表3实施例3的组分及其含量
组分 主晶相粉体 Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MgO ZnO
含量/wt％ 98.1 1.5 0.2 0.2
该复合瓷料的制备方法包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.0965:0.8685:0.0117:0.0117分别称量BaCO3，ZrO2，TiO2，ZnO及Nb2O5，混合制得配料，将该配料与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:2:3装入球磨罐，进行湿法球磨20h，制得浆料；随后将该浆料在130℃下烘干，以速率270℃/h升至1080℃保温煅烧2.5h，固相反应合成主晶相粉体；
(2)按表3的质量分数向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO混合后，与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:2:3湿法球磨20h后，于130℃条件下烘干，随后加入粉料质量6％的聚乙烯醇(PVA)水溶液(浓度为5wt％)造粒，并过40目筛，模压成型得到Φ10mm片状坯体；
(3)将上述坯体置于分散有二氧化锆垫料的陶瓷垫板上，先在200℃条件下排胶20min后，再在600℃条件下排胶20min，控制升温速率280℃/h升至1340℃保温烧结2h成瓷，最后随炉冷却至室温，制得电容器瓷料。
将制备的电容器瓷料进行性能检测可知，该实施例制备的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的室温介电常数为7129，介电损耗为0.008，-30℃～85℃范围内电容温度变化率为+3％～-36％。
实施例4
该瓷料的主晶相粉体化学式为：0.97Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-0.03Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.03。
该瓷料组分如下表4所示：
表4实施例4的组分及其含量
组分 主晶相粉体 Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MgO ZnO
含量/wt％ 97.6 2 0.2 0.2
该复合瓷料的制备方法包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.097:0.873:0.01:0.01分别称量BaCO3，ZrO2，TiO2，ZnO及Nb2O5，混合制得配料，将该配料与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:2:3装入球磨罐，进行湿法球磨24h，制得浆料；随后将该浆料在130℃下烘干，以速率300℃/h升至1080℃煅烧2h，固相反应合成主晶相粉体；
(2)按表4的质量分数向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO混合后，与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:2:3湿法球磨24h后，于130℃条件下烘干，随后加入粉料质量6％的聚乙烯醇(PVA)水溶液(浓度为5wt％)造粒，并过40目筛，模压成型得到Φ10mm片状坯体；
(3)将上述坯体置于分散有二氧化锆垫料的陶瓷垫板上，先在200℃条件下排胶20min后，再在600℃条件下排胶20min，控制升温速率250℃/h升至1360℃保温烧结2h成瓷，最后随炉冷却至室温，制得电容器瓷料。
将制备的电容器瓷料进行性能检测可知，该实施例制备的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的室温介电常数为7255，介电损耗为0.008，-30℃～85℃范围内电容温度变化率为+4％～-39％。
实施例5
该瓷料的主晶相粉体化学式为：0.96Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-0.04Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.04。
该瓷料组分如下表5所示：
表5实施例5的组分及其含量
组分 主晶相粉体 Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MgO ZnO
含量/wt％ 98.6 1 0.2 0.2
该复合瓷料的制备方法包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.096:0.864:0.0133:0.0133分别称量BaCO3，ZrO2，TiO2，ZnO及Nb2O5，混合制得配料，将该配料与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:2:3装入球磨罐，进行湿法球磨24h，制得浆料；随后将该浆料在130℃下烘干，以速率300℃/h升至1100℃煅烧2h，固相反应合成主晶相粉体；
(2)按表5的质量分数向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO混合后，与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:2:3湿法球磨24h后，于130℃条件下烘干，随后加入粉料质量6％的聚乙烯醇(PVA)水溶液(浓度为5wt％)造粒，并过40目筛，模压成型得到Φ10mm片状坯体；
(3)将上述坯体置于分散有二氧化锆垫料的陶瓷垫板上，先在200℃条件下排胶20min后，再在600℃条件下排胶20min，控制升温速率300℃/h升至1360℃保温烧结2h成瓷，最后随炉冷却至室温，制得电容器瓷料。
将制备的电容器瓷料进行性能检测可知，该实施例制备的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的室温介电常数为6479，介电损耗为0.008，-30℃～85℃范围内电容温度变化率为+1％～-37％。
对比例1
基本步骤与实施例1相同，不同之处在于主晶相粉体，具体如下所示：
该瓷料的主晶相粉体化学式为：0.98Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-0.02Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.02。
该瓷料组分如下表6所示：
表6对比例1的组分及其含量
组分 主晶相粉体 Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MgO ZnO
含量/wt％ 98.8 1 0.1 0.1
该复合瓷料的制备方法包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.098:0.882:0.00667:0.00667分别称量BaCO3，ZrO2，TiO2，ZnO及Nb2O5混合制得配料，将该配料与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:1.5:2.5装入球磨罐，进行湿法球磨16h，制得浆料；随后将该浆料在120℃下烘干，以速率250℃/h升至1050℃保温煅烧2h，固相反应合成主晶相粉体；
(2)按表6的质量分数向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO混合后，与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:1.5:2.5湿法球磨16h后，于120℃条件下烘干，随后加入粉料质量3％的聚乙烯醇(PVA)水溶液(浓度为4wt％)造粒，并过40目筛，模压成型得到Φ10mm片状坯体；
(3)将上述坯体置于分散有二氧化锆垫料的陶瓷垫板上，先在150℃条件下排胶15min后，再在550℃条件下排胶15min，控制升温速率300℃/h升至1320℃保温烧结1h成瓷，最后随炉冷却至室温，制得电容器瓷料。
将制备的电容器瓷料进行性能检测可知，该实施例制备的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的室温介电常数为5733，介电损耗高达0.04，-30℃～85℃范围内电容温度变化率为+59％～-40％。
对比例2
基本步骤与实施例1相同，不同之处在于主晶相粉体，具体如下所示：
该瓷料的主晶相粉体化学式为：0.95Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-0.05Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.05。
该瓷料组分如下表7所示：
表7对比例2的组分及其含量
组分 主晶相粉体 Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MgO ZnO
含量/wt％ 98.8 1 0.1 0.1
该复合瓷料的制备方法包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.095:0.855:0.0167:0.0167分别称量BaCO3，ZrO2，TiO2，ZnO及Nb2O5混合制得配料，将该配料与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:1.5:2.5装入球磨罐，进行湿法球磨16h，制得浆料；随后将该浆料在120℃下烘干，以速率250℃/h升至1050℃保温煅烧2h，固相反应合成主晶相粉体；
(2)按表7的质量分数向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO混合后，与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:1.5:2.5湿法球磨16h后，于120℃条件下烘干，随后加入粉料质量3％的聚乙烯醇(PVA)水溶液(浓度为4wt％)造粒，并过40目筛，模压成型得到Φ10mm片状坯体；
(3)将上述坯体置于分散有二氧化锆垫料的陶瓷垫板上，先在150℃条件下排胶15min后，再在550℃条件下排胶15min，控制升温速率300℃/h升至1320℃保温烧结1h成瓷，最后随炉冷却至室温，制得电容器瓷料。
将制备的电容器瓷料进行性能检测可知，该实施例制备的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的室温介电常数仅为3751，介电损耗为0.008，-30℃～85℃范围内电容温度变化率为+12％～-41％。
对比例3
基本步骤与实施例1相同，不同之处在于不加入Ho2O3，具体如下所示：
该瓷料的主晶相粉体化学式为：0.97Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-0.03Ba(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.03。
该瓷料组分如下表8所示：
表8对比例3的组分及其含量
组分 主晶相粉体 Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MgO ZnO
含量/wt％ 99.8 0 0.1 0.1
该复合瓷料的制备方法包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.097:0.873:0.01:0.01分别称量BaCO3，ZrO2，TiO2，ZnO及Nb2O5混合制得配料，将该配料与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:1.5:2.5装入球磨罐，进行湿法球磨16h，制得浆料；随后将该浆料在120℃下烘干，以速率250℃/h升至1050℃保温煅烧2h，固相反应合成主晶相粉体；
(2)按表8的质量分数向主晶相粉体中加入MgO及ZnO混合后，与玛瑙磨球以及去离子水按质量比1:1.5:2.5湿法球磨16h后，于120℃条件下烘干，随后加入粉料质量3％的聚乙烯醇(PVA)水溶液(浓度为4wt％)造粒，并过40目筛，模压成型得到Φ10mm片状坯体；
(3)将上述坯体置于分散有二氧化锆垫料的陶瓷垫板上，先在150℃条件下排胶15min后，再在550℃条件下排胶15min，控制升温速率300℃/h升至1320℃保温烧结1h成瓷，最后随炉冷却至室温，制得电容器瓷料。
将制备的电容器瓷料进行性能检测可知，该实施例制备的锆钛酸钡及铌锌酸钡的复合电容器瓷料的室温介电常数为6510，介电损耗为0.009，-30℃～85℃范围内电容温度变化率为+9％～-53％。
结合上述实施例和对比例可知，采用本发明的主晶相(1-x)Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-xBa(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.03-0.04，协同Ho2O3、MgO和ZnO，从而制备的复合电容器瓷料不仅具有高介电常数、低介电损耗的特点，且电容温度变化率低。这是由于在(1-x)Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-xBa(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.03-0.04主晶相的基础上，Ho2O3、MgO和ZnO的加入，不仅能够通过粒界缓冲及固溶缓冲效应的发挥，在锆钛酸钡及铌锌酸钡复配体系中进一步获得具有弥散相变特性的居里峰，提高该复合电容器瓷料的电容温度稳定性；同时能够通过锆钛酸钡及铌锌酸钡复配体系钙钛矿晶胞常数的改变，提高其自发极化强度，进而提高该复合电容器瓷料的介电常数。

Claims (9)

1.一种锆钛酸钡和铌锌酸钡的复合电容器瓷料，其特征在于按质量百分比包括如下组分：
Figure FDA0001882956790000011
其中x＝0.03-0.04。
2.一种制备权利要求1所述复合电容器瓷料的方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)按摩尔比1:0.1×(1-x):0.9×(1-x):1/3x:1/3x称量BaCO3、ZrO2、TiO2、ZnO和Nb2O5，经球磨、烘干、煅烧后，制得主晶相粉体；
(2)按质量百分比向主晶相粉体中加入Ho2O3、MgO及ZnO，经球磨、烘干、造粒后，模压成型制得坯体，将该坯体置于垫板上，排胶、烧结制得电容器瓷料。
3.根据权利要求2所述的制备复合电容器瓷料的方法，其特征在于：步骤(1)及(2)中，所述球磨是将配料、玛瑙磨球和去离子水按质量比1:1.5-3:2.5-3.5混合搅拌16-24h。
4.根据权利要求2所述的制备复合电容器瓷料的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述煅烧是在1050℃-1100℃条件下煅烧2-3h，其升温速率为250-300℃/h。
5.根据权利要求2所述的制备复合电容器瓷料的方法，其特征在于：步骤(1)及(2)中，所述烘干的温度为120-140℃。
6.根据权利要求2所述的制备复合电容器瓷料的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述造粒采用聚乙烯醇水溶液，其浓度为4-6wt％。
7.根据权利要求2所述的制备复合电容器瓷料的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述排胶是先在150-250℃条件下排胶15-25min后，再在550-650℃条件下排胶15-25min。
8.根据权利要求2所述的制备复合电容器瓷料的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述烧结是在1320-1360℃条件下烧结1-4h。
9.根据权利要求8所述的制备复合电容器瓷料的方法，其特征在于：所述烧结时的升温速率为250-300℃/h。
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