CN104584193B - 基板加工装置和基板加工方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于加工基板的装置和方法，其能实现在基板上均匀地沉积薄膜，并且便于控制所沉积的薄膜的质量，其中，所述装置包括：加工腔室；腔室盖；基板支撑器，用于支撑至少一个基板；源气分配器，用于将源气分配到源气分配区域；反应气分配器，用于将反应气分配到反应气分配区域；以及吹扫气分配器，用于将吹扫气分配到在源气分配区域与反应气分配区域之间形成的吹扫气分配区域，其中，所述吹扫气分配器与所述基板之间的距离小于所述基板与所述源气分配器和所述反应气分配器的每一个之间的距离。

Description

基板加工装置和基板加工方法
技术领域
本发明涉及一种在基板上沉积薄膜的加工基板的装置和方法。
背景技术
通常，为了制造太阳能电池、半导体器件和平板显示器件，需要在基板的表面形成预定的薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。因此，需要执行半导体制造工艺，例如，在基板上沉积预定材料薄膜的薄膜沉积工艺、使用光敏材料对薄膜进行选择性的曝光的光学工艺，以及通过选择性地除去该薄膜的暴露部分形成图案的蚀刻工艺。
半导体制造工艺在被设计为适于最佳环境的基板加工装置内部进行。近来，使用等离子体的基板加工装置通常用于实施沉积工艺或蚀刻工艺。
这种使用等离子体的半导体制造工艺可以是用于形成薄膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)装置，或用于蚀刻薄膜和图案化薄膜的等离子体蚀刻装置。
图1示出了根据现有技术的加工基板的装置(基板加工装置)。
参见图1，根据现有技术的基板加工装置可以包括腔室10、等离子体电极20、承托器30，以及气体分配构件40。
腔室10为基板加工提供加工空间。在这情况中，腔室10底表面的预定部分与抽吸口12连通以从该加工空间排出工艺气。
等离子体电极20设置在腔室10上以密封该加工空间。
等离子体电极20的一侧通过匹配部件22与RF(射频)电源24电连接。RF电源24产生RF电力，并且将产生的RF电力供应到等离子体电极20。
并且，等离子体电极20的中央部分与供气管26连通，供气管26供应用于基板加工的工艺气。
匹配部件22连接在等离子体电极20与RF电源24之间，以对从RF电源24供应到等离子体电极20的RF电力的负载阻抗和电源阻抗进行匹配。
承托器30设置在腔室10的内部，并且承托器30支撑从外部载入的多个基板(W)。承托器30用作与等离子体电极相对的相反电极并且承托器30通过用于升降承托器30的升降轴32电接地。
在承托器30内部有用于加热被支撑基板(W)的基板加热构件(未示出)。因此，由于承托器30被基板加热构件加热，被承托器30支撑的基板(W)的下表面也被加热。
升降轴32由升降装置(未示出)上升或下降。在这种情况下，升降轴32被用于密封升降轴32与腔室10底表面的波纹管34包围。
气体分配构件40设置在等离子体电极20下方，其中，气体分配构件40面对承托器30。在这种情况下，气体分配构件40与等离子体电极20之间形成了气体扩散空间42。从气体供应管26穿过等离子体电极20供应的工艺气在气体扩散空间42内部扩散。通过与气体扩散空间42连通的多个气体分配孔14，气体分配构件40均匀地分配工艺气到加工空间的整个区域。
在根据现有技术的基板加工装置的情况中，在基板(W)载入到承托器30上之后，载入到承托器30的基板(W)被加热，预定的工艺气被分配到腔室10的加工空间，并且RF电力被供应到等离子体电极20以在加工空间中形成等离子体，从而在基板(W)上沉积预定的薄膜。在薄膜沉积过程中，被分配到加工空间的工艺气流向承托器30的边缘，然后工艺气通过形成在加工腔室10底表面两侧的抽吸口12排出加工腔室10。
然而，根据现有技术的基板加工装置具有下列问题。
形成在承托器30的整个区域的等离子体的密度不均匀，使得沉积在基板(W)上的薄膜材料的均匀性变差，并且难以控制薄膜的品质。
另外，在加工空间中，源气和反应气混合在一起，并且通过CVD(化学气相沉积)在基板(W)上形成预定薄膜，因此薄膜的性质不均匀，从而难以控制薄膜的品质。
发明内容
技术问题
因此，本发明涉及一种基板加工的装置和方法，其基本上避免了现有技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。
技术方案
本发明的一个方面是提供一种加工基板的装置和方法，其能够实现沉积在基板上的薄膜的均匀性，并且有利于控制薄膜的质量。为了获得这些根据本发明的目的的优点和其它优点，提供了一种基板加工装置，其可以包括：加工腔室，用于形成加工空间；腔室盖，用于覆盖所述加工腔室的上侧；基板支撑器，用于支撑至少一个基板，其中所述基板支撑器设置在所述加工腔室中；源气分配器，用于将源气分配到在所述基板支撑器上限定的源气分配区域，其中，所述源气分配器设置在所述腔室盖中；反应气分配器，用于将反应气分配到在所述基板支撑器上限定的反应气分配区域，其中，所述反应气分配器设置在所述腔室盖中；以及吹扫气分配器，用于将吹扫气分配到在所述源气分配区域和所述反应气分配区域之间限定的吹扫气分配区域，其中所述吹扫气分配器设置在所述腔室盖中，其中，所述吹扫气分配器与所述基板之间的距离小于所述基板与每个所述源气分配器或反应气分配器之间的距离。
根据本发明的另一个方面，提供了一种基板加工方法，用于通过在加工腔室中形成的加工空间内部的源气和反应气的相互反应在基板上沉积薄膜，所述方法可包括：将至少一个基板放置在设置在所述加工腔室内部的基板支撑器上；将所述源气分配到在所述基板支撑器上限定的源气分配区域；将所述反应气分配到在所述基板支撑器上限定的反应气分配区域；以及将吹扫气分配到在所述源气分配区域和所述反应气分配区域之间限定的吹扫气分配区域，以将所述源气分配区域和所述反应气分配区域在空间上彼此分开，其中，所述吹扫气到所述基板的分配距离小于所述源气和所述反应气的每一个到所述基板的各个分配距离。
有益效果
根据本发明的基板加工装置和基板加工方法可以防止源气(SG)与反应气(RG)在将气体分配到基板支撑器120的过程中混合。
因此，通过ALD工艺在基板支撑器120的驱动下旋转的基板(W)上沉积薄膜可以实现沉积在基板(W)上的薄膜的均匀的品质，并且便于控制沉积在基板(W)上的薄膜的质量。
而且，即使基板支撑器120以1000RPM或以上的速度来驱动，也就是说基板(W)的移动速度是快速的，仍然可以防止源气(SG)和反应气(RG)混合，从而以高速度实行关于基板(W)的ALD工艺。
附图说明
图1示出了根据现有技术的基板加工装置；
图2是示出根据本发明第一实施例的基板加工装置的透视图；
图3是示出根据本发明第一实施例的基板加工装置的俯视图；
图4是沿图3的I-I’截取的横截面图；
图5示出了基板与各个源气分配器、反应气分配器和吹扫气分配器之间的间距；
图6是示出根据本发明第二实施例的基板加工装置的俯视图；
图7是示出根据本发明第三实施例的基板加工装置的俯视图；
图8是示出根据本发明第四实施例的基板加工装置的透视图；
图9是示出根据本发明第四实施例的基板加工装置的俯视图；
图10是沿图9的II-II’截取的横截面图；
图11是示出根据本发明第一至第四实施例的基板加工装置中的源气分配模块的第一修改实例的横截面图；
图12是示出根据本发明第一至第四实施例的基板加工装置中的源气分配模块的第二修改实例的横截面图；
图13是示出根据本发明第五实施例的基板加工装置的俯视图；
图14沿图13的III-III’截取的横截面图；以及
图15是示出图14所示的吹扫气分配器的俯视图。
具体实施方式
以下将结合附图详细描述本发明的实施例。
图2是示出了根据本发明第一实施例的基板加工装置的透视图。图3是示出根据本发明第一实施例的基板加工装置的俯视图。图4是沿图3的I-I截取的横截面图。
参见图2至图4，根据本发明第一实施例的基板加工装置可以包括：加工腔室110、基板支撑器120、腔室盖130、源气分配器140、反应气分配器150和吹扫气分配器160。
加工腔室110为基板加工(例如，薄膜沉积工艺)提供加工空间。为此，加工腔室110可以包括底表面和与底表面垂直的腔室侧壁，以限定加工空间。
加工腔室110的底表面上有底部框架112。底部框架112可以包括用于引导基板支撑器120的旋转的导轨(未示出)，以及用于将加工空间中的气体抽吸到外部的抽吸口114。多个抽吸口114可以以固定的间隔布置在泵管(未示出)中，泵管在与腔室侧壁相临的底部框架112内部形成为圆形带，因此多个抽吸口114可以与加工空间连通。
基板(W)通过基板通道被载入加工空间或从加工空间卸载。基板通道形成在加工腔室110的至少一个腔室侧壁中。基板通道(未示出)可以包括用于密封加工空间内部的腔室密封构件(未示出)。
基板支撑器120设置在加工腔室110内部的底表面上，即，设置在底部框架112上。基板支撑器120支撑至少一个通过基板通道从外部基板装载装置(未示出)载入加工空间的基板(W)。在这种情况下，基板支撑器120形成为盘形，并且电接地或浮接。基板(W)可以是半导体基板或晶圆。优选地，多个基板(W)以固定的间隔在基板支撑器120上布置为圆形图案以提高产量。
分别放置有多个基板(W)的多个基板放置区域可以设置在基板支撑器120的上表面上。多个基板放置区域(未示出)中的每一个可以设置有形成在基板支撑器120的上表面上的多个对位标记(未示出)，或者可以被设置在具有距离基板支撑器120的上表面预定深度的凹槽内。基板(W)被基板装载装置载入到基板放置区域(未示出)，其中，用于示出基板(W)下侧的识别构件(未示出)形成在基板(W)的一侧。因此，该基板装载装置检测形成在基板(W)一侧的识别构件，通过使用识别构件对齐基板(W)的载入位置，并且将对齐的基板载入到基板放置区域(未示出)。因此，放置在基板支撑器120上的基板(W)的下侧位于邻近基板支撑器120的边缘的位置，并且基板(W)的上侧位于邻近基板120的中心的位置。在用于完成基板加工工艺的对基板(W)执行的各种测试过程中，识别构件可以被用作参考点。
基板支撑器120可以是可动地或固定地设置在底部框架112上。如果基板支撑器120是可动地设置在底部框架112上，基板支撑器120朝相对于底部框架112中心的预定方向(例如，逆时针方向)运动，即，朝预定方向运动。在这种情况下，基板支撑器120的边缘被底部框架112中的导轨引导。为此，在基板支撑器120的下表面的边缘形成供导轨插入的导槽。
腔室盖130设置在加工腔室110上，从而密封加工空间。腔室盖130支撑着可拆卸地连接到其上的源气分配器140、反应气分配器150和吹扫气分配器160。为此，腔室盖130可以包括盖框架131，以及第一至第三模块收纳器133、135和137。
形成为圆板的盖框架131覆盖加工腔室110，从而密封由加工腔室110形成的加工空间。
第一模块收纳器133形成在盖框架131的一侧，使得源气分配器140可分离地连接到第一模块收纳器133并且被第一模块收纳器133支撑。为此，第一模块收纳器133可以包括设置在盖框架131一侧的相对于盖框架131中心的以固定间隔布置为径向图案的多个第一模块收纳孔133a。具有矩形平面的每个第一模块收纳孔133a穿透盖框架131。
第二模块收纳器135形成在盖框架131的另一侧，使得反应气分配器150可分离地连接到第二模块收纳器135并由第二模块收纳器135支撑。为此，第二模块收纳器135可以包括设置在盖框架131的另一侧的相对于盖框架131中心的以固定间隔布置为径向图案的多个第二模块收纳孔135a。具有矩形平面的每个第二模块收纳孔135a穿透盖框架131。
上述第一模块收纳孔133a、第二模块收纳孔135a和第三模块收纳器137设置在盖框架131中，其中，第一模块收纳孔133a、第二模块收纳孔135a和第三模块收纳器137设置为第一模块收纳孔133a和第二模块收纳孔135a关于第三模块收纳器137对称。
第三模块收纳器137形成在盖框架131的中心。也就是说，第三模块收纳器137位于第一模块收纳器133与第二模块收纳器135之间，其中，第三模块收纳器137支撑可分离地连接到其上的吹扫气分配器160。为此，第三模块收纳器137可以包括第三模块收纳孔137a，其设置在盖框架131的中心并且形成为矩形。
具有矩形平面的第三模块收纳孔137a穿透盖框架131的中心，其中，第三模块收纳孔137a横贯第一模块收纳器133与第二模块收纳器135之间的盖框架131的中心。
在图2中，腔室盖130包括三个第一模块收纳孔133a和三个第二模块收纳孔135a，但不限于这种结构。腔室盖130可以包括两个或两个以上第一模块收纳孔133a和两个或两个以上第二模块收纳孔135a。在下文对根据本发明第一实施例的基板加工装置的描述中，假定腔室盖130包括三个第一模块收纳孔133a和三个第二模块收纳孔135a。
上述加工腔室110和腔室盖130可以形成为图2所示的圆形结构，但不限于这种结构。例如，加工腔室110和腔室盖130可以形成为例如六边形的多边形结构，或者可以形成为椭圆结构。如果形成多边形结构，例如六边形结构，加工腔室110可以被分成多个部分，并且这多个部分可以彼此结合。
源气分配器140与腔室盖130的第一模块收纳器133可分离地连接，从而将源气(SG)分配到被基板支撑器120依序移动的基板(W)上。也就是说，源气分配器140于所在位置将源气(SG)向下分配到在腔室盖130与基板支撑器120之间的空间中限定的多个源气分配区域120a。因此，在基板支撑器120的驱动下，源气(SG)被分配到经过多个源气分配区域120a下方的基板(W)上。为此，源气分配器140可以包括用于向下分配源气(SG)的第一至第三源气分配模块140a、140b和140c，其中，第一至第三源气分配模块140a、140b和140c可以被可拆卸地连接到多个第一模块收纳孔133a。
每个第一至第三源气分配模块140a、140b和140c可以包括气体分配框架141、多个气体供应孔143和密封部件145。
气体分配框架141形成为具有下侧开口的壳体形状，并且气体分配框架141可拆卸地插入第一模块收纳孔133a中。也就是说，气体分配框架141可以包括通过使用螺栓可拆卸地连接到与第一模块收纳孔133a邻近的盖框架131的接地板141a，以及从接地板141的下边缘垂直地突起并且插入第一模块收纳孔133a中的接地侧壁141b。气体分配框架141通过盖框架131电接地。
气体分配框架141的下表面，即接地侧壁141b的下表面位于与腔室盖130的下表面相同的高度，使得气体分配框架141的下表面设置为距离被基板支撑器120支撑的基板(W)的上表面第一距离(d1)。同时，取决于薄膜沉积的特性，接地侧壁141b的下表面可以朝向基板支撑器120突出到腔室盖130的下表面以外，使得接地侧壁141b的下表面可以位于距离腔室盖130的下表面预定高度，也就是说，接地侧壁141b可以设置在距离基板(W)上表面预定距离处。
穿透气体分配框架141的上表面即接地板141a的多个气体供应孔143与在气体分配框架141内形成的气体分配空间(GSS)连通。多个气体供应孔143将从外部供应装置(未示出)供应的源气(SG)供应到气体分配空间(GSS)，以通过气体分配空间(GSS)向下分配源气(SG)到源气分配区域120a。被向下分配到源气分配区域120a的源气(SG)流向设置在相对于基板支撑器120的中心的基板支撑器120的横侧处的抽吸口114。
源气(SG)包括要沉积到基板(W)上的薄膜材料。源气(SG)可以是包含硅(Si)、钛族元素(Ti、Zr、Hf等)或铝(Al)的气体。例如，包含硅(Si)的薄膜材料的源气(SG)可以是甲硅烷(SiH4)气体、乙硅烷(Si2H6)气体、丙硅烷(Si3H8)气体、TEOS(原硅酸四乙酯)气体、DCS(二氯硅烷)气体、HCD(六氯乙硅烷)气体、TriDMAS(三(二甲基氨基硅烷))气体，或TSA(三甲硅烷基胺(Trisilylamine))气体等。根据要沉积到基板(W)上的薄膜的沉积特性，源气(SG)可以进一步包括非反应性气体，例如氮气(N2)、氩(Ar)气、氙(Ze)气或氦(He)气。
密封部件145密封气体分配框架141与腔室盖130之间的空间，即，气体分配框架141与第一模块收纳孔133a之间的空间，其中密封部件144可以形成为O型环(O-ring)。
反应气分配器150可分离地连接到腔室盖130的第二模块收纳器135，从而将反应气(RG)分配到被基板支撑器120依序移动的基板(W)上。也就是说，反应气分配器150于所在位置将反应气(RG)向下分配到与上述源气分配区域120a分开并且在腔室盖130和基板120之间的空间中限定的多个反应气分配区域120b。因此，随着基板支撑器120的驱动，反应气(RG)被分配到经过多个反应气分配区域120b下方空间的基板(W)上。为此，反应气分配器150可以包括用于向下分配反应气(RG)的第一至第三反应气分配模块150a、150b和150c，其中，第一至第四反应气分配模块150a、150b和150c可以被可拆卸地连接到多个第二模块收纳孔135a。
每个第一至第三反应气分配模块150a、150b和150c可拆卸地设置在腔室盖130的第二模块收纳孔135a中，并且每个第一至第三反应气分配模块150a、150b和150c将从外部气体供应装置(未示出)供应的反应气(RG)供应到反应气分配区域120b。与上述第一至第三源气分配模块140a、140b和140c相同，每个第一至第三反应气分配模块150a、150b和150c可以包括气体分配框架141、多个气体供应孔143和密封部件145，因此对每个第一至第三反应气分配模块150a、150b和150c的详细描述由对包括在每个第一至第三源气分配模块140a、140b和140c中的部件的描述替代。
在反应气分配器150中，气体分配框架141的下表面，即，接地侧壁141b的下表面位于与腔室盖130的下表面相同的高度，使得气体分配框架141的下表面设置为距离被基板支撑器120支撑的基板(W)的上表面第一距离(d1)。同时，取决于薄膜沉积的特性，接地侧壁141b的下表面可以朝向基板支撑器120突出到腔室盖130的下表面以外，使得接地侧壁141b的下表面可以位于距离腔室盖130的下表面预定高度，也就是说，接地侧壁141b的下表面可以设置在距离基板(W)上表面预定距离处。在这种情况下，源气分配器140的下表面与基板(W)的上表面之间的距离可以与反应气分配器150的下表面和基板(W)的上表面之间的距离相同或不同。
从反应气分配器150向下分配到反应气分配区域120b的反应气(RG)，流向设置在相对于基板支撑器120的中心的基板支撑器120的横侧的抽吸口114。
反应气(RG)包括要沉积到基板(W)上的薄膜材料中的一些，其中，反应气(RG)与源气(SG)反应，从而形成薄膜。反应气(RG)可以包括氢气(H2)、氮气(N2)、氧气(O2)、二氧化氮(NO2)气体、氨气(NH3)、水蒸汽(H2O)或臭氧(O3)气体。在这种情况下，根据要沉积到基板(W)上的薄膜的沉积特性，反应气(RG)可以进一步包括非反应性气体，例如氮气(N2)、氩(Ar)气、氙(Ze)气或氦(He)气。
从源气分配器140分配的源气(SG)的量可以与从反应气分配器150分配的反应气(SG)不相等，从而能够调整基板(W)上的源气(SG)和反应气(RG)的反应速率。在这种情况下，每个上述源气分配器140中包括的源气分配模块的大小可以与反应气分配器150中包括的反应气分配模块不同，或者源气分配器140中包括的源气分配模块的数量可以与反应气分配器150中包括的反应气分配模块的数量不同。
吹扫气分配模块160可分离地连接到腔室盖130的第三模块收纳器137，因此吹扫气(PG)向下分配到源气分配器140与反应气分配器150之间的加工腔室110的加工空间，从而形成使源气(SG)与反应气(RG)在空间上分开的气体屏障来防止源气(SG)和反应气(RG)彼此混合。也就是说，吹扫气分配器160将吹扫气(PG)分配到限定在腔室盖130与基板支撑器120之间的空间中的源气分配区域120a与反应气分配区域120b之间区域的吹扫分配区域120c，从而形成防止源气(SG)与反应气(RG)在分配过程中彼此混合的气体屏障。为此，吹扫气分配器160可以包括外壳161、多个吹扫气供应孔163和密封部件165。
外壳161形成为底部敞开的矩形壳体形状，其中，外壳161可拆卸地插入第三模块收纳孔137a中。也就是说，外壳161可以包括通过螺栓可分离地设置在腔室盖131中的与第三模块收纳孔137a邻近的外壳板161，以及从外壳板161a的下边缘垂直地突起以形成吹扫气分配空间(PGSS)的外壳侧壁161b，其中，外壳侧壁161b插入第三模块收纳孔137a中。
外壳161的下表面，即，外壳侧壁161b的下表面可以朝向基板支撑器120突起到腔室盖130的下表面以外，因此外壳侧壁161b的突起高度可以为预定高度(h1)。因此，外壳161的下表面设置为距离被基板支撑器120支撑的基板(W)的上表面预定距离(d2)。在这种情况下，吹扫气分配器160的下表面与基板(W)的上表面之间的第二距离(d2)小于源气分配器140的下表面与基板(W)的上表面之间或反应气分配器150的下表面与基板(W)的上表面之间的第一距离(d1)。
穿透外壳161上表面即外壳板161a的多个吹扫气供应孔163，与外壳161内部形成的吹扫气分配空间(PGSS)连通。多个吹扫气供应孔163将从外部气体供应装置(未示出)供应的吹扫气(PG)供应到吹扫气分配空间(PGSS)以通过吹扫气分配空间(PGSS)将吹扫气(PG)向下分配到吹扫气分配区域120c，从而在源气分配区域120a与反应气分配区域120b之间形成气体屏障，使分配到源气分配区域120a的源气(SG)能够朝向形成在基板支撑器120的横侧的抽吸口114流动，并且，使分配到反应气分配区域120b的反应气(RG)能够朝向形成在基板支撑器120的横侧的抽吸口114流动。
吹扫气(PG)可以包括非反应性气体，例如氮气(N2)、氩(Ar)气、氙(Ze)气或氦(He)气。
密封部件165密封外壳161与腔室盖130之间的空间，即外壳161与第三模块收纳孔137a之间的空间，其中密封部件165可以形成为橡胶圈。
吹扫气分配器160设置为吹扫气分配器160与基板支撑器120之间的距离小于源气分配器140与基板支撑器120之间或反应气分配器150与基板支撑器120之间的各个距离。因此，从吹扫气分配器160到吹扫气分配区域120c之间的吹扫气(PG)的分配距离小于源气(SG)或反应气(RG)的各个分配距离(例如为源气(SG)或反应气(RG)的分配距离的约一半或更小)，使得当将源气(SG)和反应气(RG)分配到基板(W)上时，能够防止源气(SG)和反应气(RG)混合。例如，吹扫气(PG)的分配距离小于源气(SG)的分配距离的一半。在这种情况下，从吹扫气分配器160分配吹扫气(PG)的分配压力可以高于源气(SG)和反应气(RG)的各个分配压力。较高的吹扫气(PG)分配压力有利于分割源气(SG)与反应气(RG)之间的空间。
详细地，如图5所示，当源气分配器140和反应气分配器150布置在基板支撑器120上方时，源气分配器140与基板支撑器120之间或反应气分配器150与基板支撑器120之间的各个距离对应于第一气体(G1)。同时，当吹扫气分配器160布置在基板支撑器120上方时，吹扫气分配器160与基板支撑器120之间的距离对应于的第二气体(G2)，小于第一气体(G1)。因此，从吹扫气分配器160分配的吹扫气(PG)使源气(SG)和反应气(RG)能够流向上述抽吸口114(见图2的“114”)，使得能够防止在将源气(SG)和反应气(RG)分配到基板(W)的过程中源气(SG)和反应气(RG)混合。因此，随着多个基板(W)被基板支撑器120驱动而移动，每个基板(W)依次暴露到被吹扫气(PG)分开的源气(SG)和反应气(RG)，从而随着源气(SG)和反应气(RG)的相互反应，通过ALD(原子层沉积)在每个基板(W)上沉积单层或多层薄膜。在这种情况下，薄膜可以是高介电薄膜、绝缘薄膜、金属薄膜等。
以下将简要描述根据本发明第一实施例的使用上述基板加工装置的基板加工方法。
首先，多个基板(W)被以固定的间隔载入到基板支撑器120，并且放置于其上。
在载有多个基板(W)的基板支撑器120的驱动下，当设置在腔室盖130下方的多个基板(W)按预定方向(例如，逆时针方向)移动的同时，吹扫气(PG)从上述吹扫气分配器160向下分配到吹扫气分配区域120c，源气(SG)从上述源气分配器140向下分配到源气分配区域120a，并且反应气(RG)从上述反应气分配器150向下分配到反应气分配区域120b。由于吹扫气(PG)，源气(SG)在空间上与反应气(RG)分离，不会在加工空间内部与反应气(RG)混合，因此，彼此在空间上分离的源气(SG)和反应气(RG)通过基板支撑器120上方空间流向抽吸口114。每个基板(W)在基板支撑器120的驱动下以预定的移动速度依次通过源气分配区域120a、吹扫气分配区域120c和反应气分配区域120b，从而随着源气(SG)与反应气(RG)的相互反应，通过ALD工艺在每个基板(W)上形成单层或多层薄膜。
如上所述，根据本发明第一实施例的基板加工装置和使用该装置的基板加工方法通过使用吹扫气(PG)防止分配到基板支撑器120上的源气(SG)和反应气(RG)彼此混合，从而在基板支撑器120的驱动下，对每个基板(W)执行ALD工艺。因此，根据本发明第一实施例的基板加工装置和使用该基板加工装置的基板加工方法能够实现沉积在基板(W)上的薄膜的均匀的品质，并且便于控制沉积在基板(W)上的薄膜的品质。特别地，在根据本发明第一实施例的基板加工装置和使用该基板加工装置的基板加工方法中，基板支撑器120以1000RPM或更高的速度运动。因此，即使基板(W)的运动速度很快，吹扫气(PG)也能够防止源气(SG)和反应气(RG)彼此混合，从而对基板(W)以高速执行ALD工艺。
图6是示出根据本发明第二实施例的基板加工装置的俯视图。图6的基板加工装置通过改变上述根据本发明第一实施例的基板加工装置的源气分配器140、反应气分配器150和吹扫气分配器的结构获得。以下，仅对改变的源气分配器140、反应气分配器150和吹扫气分配器160的结构进行描述。
在上述根据本发明第一实施例的基板加工装置中，源气分配器140所包括的三个气体分配模块和反应气分配器150所包括的三个气体分配模块关于吹扫气分配器160对称。
同时，在根据本发明第二实施例的基板加工装置的情况中，吹扫气分配器160位于源气分配器140所包括的气体分配模块和反应气分配器150所包括的三个气体分配模块之间，其中，源气分配器140所包括的气体分配模块的数量与反应气分配器150所包括的气体分配模块的数量不同。根据沉积在基板(W)上的薄膜的沉积属性，从源气分配器140分配的源气(SG)的量可以与从反应气分配器150分配的反应气(SG)不同。由于这个原因，源气分配器140所包括的气体分配模块的数量可以与反应气分配器150所包括的气体分配模块的数量不同。例如，源气分配器140可以包括用于向下分配源气(SG)的四个源气分配模块140a、140b、140c和140d，其中第一至第四源气分配模块140a、140b、140c和140d可以是可拆卸地连接到腔室盖130。另外，反应气分配器150可以包括用于向下分配反应气(RG)的两个反应气分配模块150a和150b，其中两个反应气分配模块150a和150b可以是可拆卸地连接到腔室盖130。
除了吹扫气分配模块160形成为“〈”形以使从源气分配器140的各个源气分配模块140a、140b、140c和140d分配的源气(SG)与从反应气分配器150的各个反应气分配模块150a和150b分配的反应气(RG)在空间上分开从而防止源气(SG)和反应气(RG)混合外，根据本发明第二实施例的吹扫气分配器160与上述根据本发明第一实施例的吹扫气分配器160相同。
图7是示出根据本发明第三实施例的基板加工装置的俯视图。图7的基板加工装置通过修改上述根据本发明第一实施例的基板加工装置的源气分配器140、反应气分配器150和吹扫气分配器160的布置结构而获得。以下，仅对修改的源气分配器140、反应气分配器150和吹扫气分配器160的布置结构进行描述。
在根据本发明第一和第二实施例的基板加工装置中，吹扫气分配器160位于源气分配器140和反应气分配器150之间，因此源气分配区域形成在吹扫气分配器160的一侧，而反应气分配区域形成在吹扫气分配器160的另一侧。
然而，在根据本发明第三实施例的基板加工装置的情况中，当源气分配器140和反应气分配器150布置在腔室盖130中时，源气分配器140的源气分配模块140a和140b与反应气分配器150的反应气分配模块150a和150b交替布置，并且吹扫气分配器160形成为“+”或“×”的形状，从而吹扫气分配器160位于各个源气分配模块140a、140b和反应气分配模块150a、150b之间。
详细地，源气分配器140包括布置在关于腔室盖130的中心的第一对角方向的第一源气分配模块140a和第二源气分配模块140b，并且反应气分配器150包括布置在关于腔室盖130的中心的第二对角方向的第一反应气分配模块150a和第二反应气分配模块150b，其中第二对角方向垂直于第一对角方向。因此，当源气分配区域和反应气分配区域布置在基板支撑器120上时，与第一源气分配模块140a或第二源气分配模块140b重叠的源气分配区域和与第一反应气分配区域150a或第二反应气分配模块150b重叠的反应气分配区域交替。
第一源气分配模块140a和第二源气分配模块140b与第一工艺气分配模块150a和第二工艺气分配模块150b的各个下表面设置为距离被基板支撑器120支撑的基板(W)第一距离。
吹扫气分配器160形成为“+”或“×”的形状，并且吹扫气分配器160将吹扫气(PG)向下分配到各个第一源气分配模块140a、第二源气分配模块140b、第一反应气分配模块150a、第二反应气分配模块150b之间的空间，从而使源气分配区域与反应气分配区域在空间上分离，并且防止源气(SG)与反应气(RG)混合在一起。在这种情况下，如前所述，吹扫气分配器160的下表面朝向基板支撑器120突出到腔室盖130的下表面以外，因此，吹扫气分配器160的下表面设置为距离基板(W)预定距离，例如，吹扫气分配器160的下表面与基板(W)之间的预定距离小于基板(W)与各个源气分配器140和反应气分配器150之间的第一距离的一半。
根据本发明第三实施例的基板加工装置和使用该基板加工装置的基板加工方法能够通过ALD工艺形成薄膜，其中使用吹扫气(PG)防止源气(SG)与反应气(RG)混合，并且在基板支撑器120的驱动下，使多个基板(W)交替地暴露到源气(SG)和反应气(RG)。
图8是示出根据本发明第四实施例的基板加工装置的透视图。图9是示出根据本发明第四实施例的基板加工装置的俯视图。图10是沿图9的II-II’截取的横截面图。根据本发明第四实施例的基板加工装置通过修改上述根据本发明第一实施例的基板加工装置中的腔室盖130的吹扫气分配器160的结构而获得。以下，仅对腔室盖130的吹扫气分配器160的结构进行描述。
首先，在腔室盖130中包括吹扫气分配器160，源气分配器140和反应气分配器150可拆卸地连接到腔室盖130并由腔室盖130支撑。为此，腔室盖130包括盖框架131、第一模块收纳器133、第二模块收纳器135和突起部139。除了第三模块收纳孔137a被突起部139代替外，根据本发明第四实施例的基板加工装置的腔室盖130与根据本发明第一实施例的基板加工装置的腔室盖130相同，因此，省略了对相同部分的详细描述。
形成为具有预定宽度和预定高度(h1)的矩形的突起部139从腔室盖131的下表面的中心朝向基板支撑器120突起，其中，突起部139布置在第一模块收纳器133与第二模块收纳器135之间。因此，突起部139的下表面设置在距离被基板支撑器120支撑的基板(W)的上表面第二距离。突起部139与基板(W)之间的第二距离(d2)小于上述基板(W)与各个源气分配器140和反应气分配器150之间的第一距离(d1)的一半。
在上述说明中，矩形的突起部139突起，但不限于这种结构。例如，突起部139可以突起为具有预定宽度和预定高度(h1)的“〈”、“+”或“×”的形状，如示出根据本发明第二和第三实施例的基板加工装置的图6或图7所示。
吹扫气分配器160可以包括用于向下分配前述吹扫气(PG)的多个吹扫气分配部分167，其中，多个吹扫气分配部分可以以固定的间隔设置在突起部139中，并且可以形成为孔或缝的形状。
每个垂直穿透突起部139的吹扫气分配部分167与在加工空间内部的基板支撑器120上限定的吹扫气分配区域120c连通。每个吹扫气分配部分167将从外部气体供应装置(未示出)供应的吹扫气(PG)向下分配到吹扫气分配区域120c。因此，按照与本发明上述实施例相同的方式在源气分配区域120a与反应气分配区域120b之间形成吹扫气(PG)屏障，从而被分别分配到源气分配区域120a和反应气分配区域120b的源气(SG)和反应气(RG)流向形成在基板支撑器120的横侧处的抽吸口114。
同时，吹扫气分配器160可以布置在源气分配器140与反应气分配器150之间，并且在源气分配器140中所包括的气体分配模块的数量可以与在反应气分配器150中所包括的气体分配模块的数量不同。在这种情况下，根据本发明第四实施例的基板加工装置中的吹扫气分配器160的形状可以与图6所示的吹扫气分配器160的形状相同。
图11是示出根据本发明第一至第四实施例的基板加工装置中的源气分配模块的第一修改实例的横截面图，其中，源气分配模块的第一修改实例通过额外形成气体分配图案部件144来获得。以下仅对不同的结构进行描述。
根据本发明第一修改实例的源气分配模块的每个气体分配图案部件144设置在前述气体分配空间(GSS)中，其中每个气体分配图案部件144增加将源气(SG)向下分配到基板支撑器120上的分配压力。在这种情况下，气体分配图案部件144可以与接地侧壁141b的下表面形成为一体来覆盖气体分配空间(GSS)的下侧，或者可以形成为由非极性绝缘材料组成的绝缘板(或喷头)并与接地侧壁141b的下表面连接来覆盖气体分配空间(GSS)的下侧。因此，气体分配空间(GSS)形成在接地板141a与气体分配图案部件144之间，因此通过前述气体供应孔143供应到气体分配空间(GSS)的源气(SG)在气体分配空间(GSS)中扩散和缓冲。
气体分配图案部件144可以包括用于将气体分配空间(GSS)的源气(SG)向下分配到基板(W)上的气体分配图案144h。
气体分配图案144h可以设置有穿透气体分配图案部件144的多个孔(或多个缝)，其中，以固定间隔布置的多个孔以预定的压力向下分配气体分配空间(GSS)中的源气(SG)。在这种情况下，每个孔的直径和/或孔与孔之间的间隔可以被限定为能够使气体均匀地分配到随着基板支撑器120的旋转以一定的角速度运动的基板(W)的整个区域上。例如，每个孔的直径可以被设计为从邻近基板支撑器120的中心的气体分配模块的内部到邻近基板支撑器120的边缘的气体分配模块的外部逐渐增加。
上述气体分配图案部件144通过气体分配图案144h向下分配源气(SG)，并且气体分配图案部件144形成为具有孔的板形以延迟或减慢源气(SG)的流动，从而减少源气(SG)的气体消耗量，从而提高源气(SG)的使用效率。
前述气体分配图案部件144可以设置在每个反应气分配模块的气体分配空间(GSS)的下表面，因此，可以以预定的压力向下分配反应气(RG)。此外，上述气体分配图案部件144可以设置在吹扫气分配器160的外壳161的下表面中，因此可以以预定的压力向下分配吹扫气(PG)。
图12是示出根据本发明第一至第四实施例的基板加工装置中的源气分配模块的第二修改实例的横截面图，其中，源气分配模块的第二修改实例通过额外形成等离子体电极148获得。以下，仅对不同结构进行描述。
在本发明的上述基板加工装置中，要被分配到基板(W)上的源气(SG)是未活化的。但是，根据要在基板(W)上沉积的薄膜的类型，需要活化源气(SG)，然后将活化的源气分配到基板(W)上。因此，根据本发明第二修改实例的源气分配模块使用等离子体活化源气(SG)，并且将活化的源气分配到基板(W)上。
具体地，根据第二修改实例的每个源气分配模块可以进一步包括插入到气体分配空间(GSS)中的等离子体电极148。为此，在每个气体分配模块的情况下，与气体分配空间(GSS)连通的绝缘部件插入孔146形成在气体分配框架141的接地板141a中，并且绝缘部件147插入绝缘部件插入孔146中。此外，与气体分配空间(GSS)连通的电极插入孔147a形成在绝缘部件147中，并且等离子体电极148插入电极插入孔147a中。
等离子体电极148插入气体分配空间(GSS)，并且布置为与接地侧壁141b平行。在这种情况下，等离子体电极148的下表面可以与接地侧壁141b的下表面位于同一条线(HL)上，或者等离子体电极148的下表面可以突出到接地侧壁141b的下表面以外，也就是说，等离子体电极148的突出部分可以具有预定高度。接地侧壁141b用作形成等离子体的接地电极。
等离子体电极148通过使用供应到气体分配空间(GSS)的源气(SG)，利用从等离子体电力供应器149供应的等离子体电力形成等离子体。在这种情况中，通过利用等离子体电力在等离子体电极148和接地电极之间形成的电场，在等离子体电极148与接地电极之间形成等离子体。因此，供应到气体分配空间(GSS)的源气(SG)被等离子体活化，然后活化的源气被向下分配到基板(W)上。为了防止基板(W)和/或沉积在基板(W)上的薄膜被等离子体损坏，等离子体电极148与接地电极之间的间隔小于等离子体电极148与基板(W)之间的间隔。因此，在等离子体电极148与基板(W)之间不形成等离子体，但是在平行布置的接地电极与等离子体电极148之间形成等离子体，等离子体电极148与接地电极被设置为与基板(W)间隔预定的距离，从而防止基板(W)和/或薄膜被等离子体损坏。
等离子体电力可以是高频电力或射频(RF)电力，例如，低频(LF)电力、中频(MF)电力、高频(HF)电力或特高频(VHF)电力。在这种情况中，LF电力的频率可以为3kHz～300kHz，MF电力的频率可以为300kHz～3MHz，HF电力的频率可以为3MHz～30MHz，并且VHF电力的频率可以为30MHz～300MHz。
连接等离子体电极148与等离子体电力供应器149的馈电电缆可以与阻抗匹配电路(未示出)连接。该阻抗匹配电路将从等离子体电力供应器149供应到等离子体电极148的等离子体电力的电源阻抗与负载阻抗相匹配。该阻抗匹配电路可以包括至少两个阻抗元件(未示出)，所述阻抗元件由可变电容器和可变电感器中的至少一个形成。
前述等离子体电极148和绝缘部件147可以设置在每个反应气分配模块的气体分配空间(GSS)中，因此，反应气(RG)可以被等离子体活化，并且向下分配到基板(W)上。此外，前述等离子体电极148和绝缘部件147可以设置在图2至图4所示的吹扫气分配器160的外壳161中，因此吹扫气(PG)可以被等离子体活化，并向下分配到基板(W)上。根据要沉积到基板(W)上的薄膜的类型，源气(SG)、反应气(RG)和吹扫气(PG)可以不被活化而分配，或者可以被等离子体活化然后分配到基板(W)上。例如，如图4所示，在每个源气分配模块和吹扫气分配器160中未形成等离子体电极148，因此，源气(SG)和吹扫气(PG)可以不被活化地分配。同时，如图12所示，等离子体电极148形成在每个反应气分配模块中，因此反应气(RG)被等离子体活化，然后分配到基板(W)上。
图13是示出根据本发明第五实施例的基板加工装置的俯视图，图14是沿图13的III-III’截取的横截面图，并且图15是示出图14所示的吹扫气分配器的俯视图。图15所示的吹扫气分配器通过改变根据本发明第一实施例的基板加工装置中的吹扫气分配器160的结构而获得。以下仅对吹扫器分配器160的不同结构进行描述。
在根据本发明第一实施例的基板加工装置中，吹扫气分配器160形成为“—”板形。
在根据本发明第五实施例的基板加工装置中，吹扫气分配器160的大小增大。因此，尽管基板支撑器120被以2000RPM或更高的速度驱动，仍然可以通过ALD工艺在基板(W)上形成薄膜并且分配到基板(W)源气(SG)与反应气(RG)不发生混合。
具体地，吹扫气分配器160可以包括外壳161、吹扫气供应孔163、吹扫气分配图案部件164和密封部件165。
外壳161形成为底部有开口，使得外壳161可拆卸地插入第三模块收纳器137中。在这种情况下，第三模块收纳器137可以包括形状与外壳161相同的第三模块收纳孔。外壳161可以包括中间框架261a、第一侧框架261b(设置在中间框架261a的一侧)，和第二侧框架261b(设置在中间框架261a的另一侧)。
中间框架261a形成为底部开口的矩形，其中，中间框架261面对基板支撑器120的中心。中间框架261a可以包括矩形的中间接地板，和具有突起到腔室盖130下表面以外的预定部分的中间接地侧壁，其中，中间接地侧壁的突出部分具有预定的高度(h1)，并且中间接地侧壁形成在中间接地板的两侧。
第一侧框架261b形成为底面开口的扇形，并且第一侧框架261b与中间框架261a的一侧连通，其中，第一侧框架261b面对相对于基板支撑器120的中间的一侧区域。在这种情况下，第一侧框架261b的大小大于中间框架261a的大小。第一侧框架261b可以包括形成为扇形并且与中间接地板的一侧连接的第一侧接地板，以及具有突出到腔室盖130下表面以外的预定部分的第一侧接地侧壁，其中，第一侧接地侧壁的突出部分具有预定的高度(h1)，并且第一侧接地侧壁形成在第一侧接地板两侧。
第二侧框架261c形成为底面开口的扇形，并且第二侧框架261c与中间框架261a的另一侧连通，其中，第二侧框架261c面对相对于基板支撑器120的中间的另一侧区域。在这种情况下，第二侧框架261c的大小大于中间框架261a的大小。第二侧框架261c可以包括形成为扇形并且与中间接地板的另一侧连接的第二侧接地板，以及具有突出到腔室盖130下表面以外的预定部分的第二侧接地侧壁，其中，第二侧接地侧壁的突出部分具有预定高度(h1)，并且第二侧接地侧壁形成在第二侧接地板两侧。
外壳161内部有被中间接地侧壁、第一侧接地侧壁和第二侧接地侧壁包围的吹扫气分配空间(PGSS)。
穿透外壳161上表面(例如，中间接地板)的吹扫气供应孔163与形成在外壳161内部的吹扫气分配空间(PGSS)连通。吹扫气供应孔163能将从外部气体供应装置(未示出)供应的吹扫气(PG)供应到吹扫气分配空间(PGSS)。
吹扫气分配图案部件164将吹扫气分配空间(PGSS)的吹扫气(PG)向下分配到吹扫气分配区域。为此，吹扫气分配图案部件164可以与外壳161的下表面(即，接地侧壁的下表面)形成为一体来覆盖吹扫气分配空间(PGSS)的下侧，或者形成为由非极性绝缘材料制成并且与接地侧壁的下表面连接的绝缘板(或喷头)。因此，在接地板与气体分配图案部件164之间形成吹扫气分配空间(PGSS)，从而通过前述吹扫气供应孔163供应到吹扫气分配空间(PGSS)的吹扫气(PG)在吹扫气分配空间(PGSS)内部扩散并缓冲。
吹扫气分配图案部件164可以包括用于将吹扫气分配空间(PGSS)的吹扫气(PG)向下分配到基板(W)的吹扫气分配图案164h。
吹扫气分配图案164h可以设置有穿透吹扫气分配图案部件164的多个孔(或多个缝)，其中，以固定间隔布置的多个孔以预定的压力向下分配吹扫气分配空间(PGSS)的吹扫气(PG)。在这种情况下，考虑基板(W)随着基板支撑器120的旋转速度来确定吹扫气分配图案164h的各个孔之间的间隔。也就是说，吹扫气分配图案164h的各个孔之间的间隔可以设计为从基板支撑器120的中心到基板支撑器120的边缘逐渐增加。此外，吹扫气分配图案164h可以具有相同的直径。在另一方面，吹扫气分配图案可以考虑到随着基板支撑器120旋转的基板(W)的旋转速度来设计。也就是说，吹扫气分配图案可以设置为从基板支撑器120的中心到基板支撑器120的边缘逐渐增加。
如前所述，吹扫气分配图案部件164的下表面设置为距离被基板支撑器120支撑的基板(W)的上表面第二距离(d2)，从而防止源气(SG)与反应气(RG)混合。也就是说，吹扫气分配图案部件164的下表面与基板(W)的上表面之间的第二距离(d2)小于基板(W)的上表面与源气分配器140的下表面或反应气分配器150的下表面之间的距离。
密封部件165密封外壳161与腔室盖130之间的空间，即，外壳161与第三模块收纳器130之间的空间，其中，密封部件145可以形成为橡胶圈。
在根据本发明第五实施例的基板加工装置中，吹扫气分配器160的两侧形成为扇形，因此可以增加吹扫气分配区域的面积。因此，即使基板支撑器120以2000RPM或更高的速度驱动，仍然可以通过ALD工艺在基板(W)上沉积薄膜且不会使源气(SG)和反应气(RG)发生混合。
本领域技术人员显然知道，在不偏离本发明的精神和范围的前提下，可以对本发明做出多种修改和变化。因此，意欲本发明覆盖所有本发明的这些修改和变化，只要它们在所附权利要求书及其等同物的范围内。

Claims (12)

1.一种基板加工装置，包括：
加工腔室，用于形成加工空间；
腔室盖，用于覆盖所述加工腔室的上侧；
基板支撑器，用于支撑至少一个基板，其中，所述基板支撑器设置在所述加工腔室中；
源气分配器，用于将源气分配到在所述基板支撑器上限定的源气分配区域，其中，所述源气分配器设置在所述腔室盖中；
反应气分配器，用于将反应气分配到在所述基板支撑器上限定的反应气分配区域，其中，所述反应气分配器设置在所述腔室盖中；以及
吹扫气分配器，用于将吹扫气分配到在所述源气分配区域与所述反应气分配区域之间限定的吹扫气分配区域，其中所述吹扫气分配器设置在所述腔室盖中，
其中，所述吹扫气分配器与所述基板之间的距离小于所述基板与所述源气分配器和所述反应气分配器的每一个之间的距离，
所述腔室盖包括：
盖框架，用于覆盖所述加工腔室的上侧；以及
突起部，从与所述吹扫气分配区域相对应的所述盖框架的下表面朝向所述基板突出，其中，所述吹扫气分配器形成在所述突起部中。
2.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述吹扫气分配器与所述基板之间的距离小于所述基板与所述源气分配器之间距离的一半。
3.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述吹扫气是非反应性气体。
4.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述吹扫气分配器包括：
外壳，从所述腔室盖的下表面朝向所述基板突出，其中，所述外壳可拆卸地连接到所述腔室盖，并且所述外壳设置有用于将所述吹扫气分配到所述吹扫气分配区域的吹扫气分配空间；以及
吹扫气供应孔，形成在所述外壳的上表面中并且与所述吹扫气分配空间连通。
5.根据权利要求4所述的基板加工装置，其中，所述外壳的与所述源气分配器和所述反应气分配器之间的空间相对应的两侧形成为扇形。
6.根据权利要求4或5所述的基板加工装置，其中，所述吹扫气分配器进一步包括用于将所述吹扫气分配空间的所述吹扫气分配到所述吹扫气分配区域的吹扫气分配图案部件，其中，所述吹扫气分配图案部件设置在所述外壳的下表面中。
7.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述腔室盖还包括：
第一模块收纳器，设置在所述盖框架中并且形成为与所述源气分配区域相对应的孔形，其中，所述源气分配器插入所述第一模块收纳器中；以及
第二模块收纳器，设置在所述盖框架中并且形成为与所述反应气分配区域相对应的孔形，其中，所述反应气分配器插入所述第二模块收纳器中。
8.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述吹扫气分配器包括用于将所述吹扫气分配到所述吹扫气分配区域的多个吹扫气分配孔，其中，所述多个吹扫气分配孔设置在所述突起部中，并且以固定的间隔形成。
9.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述源气分配器通过使用等离子体活化源气，并且分配活化的源气。
10.根据权利要求1或9所述的基板加工装置，其中，所述反应气分配器通过使用等离子体活化反应气，并且分配活化的反应气。
11.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述吹扫气的分配压力高于所述源气和所述反应气中的每一个的分配压力。
12.根据权利要求1所述的基板加工装置，其中，所述源气的分配量与所述反应气的分配量不同。
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